JPS61232648A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS61232648A JPS61232648A JP60074713A JP7471385A JPS61232648A JP S61232648 A JPS61232648 A JP S61232648A JP 60074713 A JP60074713 A JP 60074713A JP 7471385 A JP7471385 A JP 7471385A JP S61232648 A JPS61232648 A JP S61232648A
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- stage
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- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
半導体チップを銅等の平板状部材よりなるダイステージ
に銀ペースト等を使用して取り付ける構造の半導体装置
においては、銀ペースト等の硬化温度(150℃〜20
0°0)において(ダイステージが熱膨張した状態で)
半導体チップがダイステージに固着されるので、冷却さ
れて常温にもどった後においてはダイステージが収縮し
、半導体チップが損傷を受ける場合が多いので、この欠
点を解消するために、平板状部材よりなるダイステージ
の周縁部をフランジ状に屈曲して箱状となして曲げに対
する強度を補強し、加熱・冷却にともなう変形にもとづ
く破損を防止し、製造歩留りを向上したものである。
に銀ペースト等を使用して取り付ける構造の半導体装置
においては、銀ペースト等の硬化温度(150℃〜20
0°0)において(ダイステージが熱膨張した状態で)
半導体チップがダイステージに固着されるので、冷却さ
れて常温にもどった後においてはダイステージが収縮し
、半導体チップが損傷を受ける場合が多いので、この欠
点を解消するために、平板状部材よりなるダイステージ
の周縁部をフランジ状に屈曲して箱状となして曲げに対
する強度を補強し、加熱・冷却にともなう変形にもとづ
く破損を防止し、製造歩留りを向上したものである。
(産業上の利用分野)
本発明は半導体装置の改良に関する。特に、モールドパ
ッケージされる半導体装置における場合のように、半導
体チップが銅等の平板状部材よりなるダイステージに銀
ペースト等をもつで取り付けられる構造の半導体装置の
改良に関する。
ッケージされる半導体装置における場合のように、半導
体チップが銅等の平板状部材よりなるダイステージに銀
ペースト等をもつで取り付けられる構造の半導体装置の
改良に関する。
モールドパッケージされる半導体装置等においては、第
4図に示すように、半導体チップlをリードフレーム3
と一体をなす平板状部祠よりなるタイステージ2上に、
銀ベース]・等を介して載置し 150°C〜200°
C程度の銀ペースト等の硬化温度に加温して、銀ペース
ト等をもって半導体チップlをタイステージ2に固着し
ていた。その後、ボンディングワイヤ4を施し、破線5
をもって示すようにモールディングをなして、リードフ
レームを切り離していた。
4図に示すように、半導体チップlをリードフレーム3
と一体をなす平板状部祠よりなるタイステージ2上に、
銀ベース]・等を介して載置し 150°C〜200°
C程度の銀ペースト等の硬化温度に加温して、銀ペース
ト等をもって半導体チップlをタイステージ2に固着し
ていた。その後、ボンディングワイヤ4を施し、破線5
をもって示すようにモールディングをなして、リードフ
レームを切り離していた。
上記せるように、半導体チップlとタイステージ2どの
固着工程は、 150°C〜200 ’0程度の高温状
態においてグイステージが熱膨張した状態でなされるの
で、常温に復帰した後においては、第5図に示すように
、グイステージが上方に凸に湾曲し、半導体チップlに
損傷を与え製造歩留りを低下するという欠点がある。な
お、6は銀ペーストを示す。
固着工程は、 150°C〜200 ’0程度の高温状
態においてグイステージが熱膨張した状態でなされるの
で、常温に復帰した後においては、第5図に示すように
、グイステージが上方に凸に湾曲し、半導体チップlに
損傷を与え製造歩留りを低下するという欠点がある。な
お、6は銀ペーストを示す。
本発明の目的はこの欠点を解消し、半導体チップがグイ
ステージに固着されてなる構造の半導体装置において製
造歩留りを向上する構造的改良を提供することにある。
ステージに固着されてなる構造の半導体装置において製
造歩留りを向上する構造的改良を提供することにある。
一第1図は本発明に係る半導体装置の断面図である。図
より明らかなように、本発明に係る半導体装置において
は、平板状部材よりなるグイステージ2の周縁部21が
フランジ状に屈曲して箱状とされ曲げに対して補強され
ている。なお、■は半導体チップであり、6は銀ペース
トであり、4はボンディングワイヤである。
より明らかなように、本発明に係る半導体装置において
は、平板状部材よりなるグイステージ2の周縁部21が
フランジ状に屈曲して箱状とされ曲げに対して補強され
ている。なお、■は半導体チップであり、6は銀ペース
トであり、4はボンディングワイヤである。
平板状部材よりもアングル状部材、H状部材が曲げ強さ
が大きいことは周知である。グイステージは一般に四角
形(正方形)であるから、その四辺を図示するように屈
曲すれば、箱状体となり、曲げに対する強さが増加する
から、熱による膨張Φ収縮にあたって変形しにくくなり
、銀ペースI・等の溶融温度150℃〜200 ’0と
常温との温度変化に対してウォーピ□ング等の変形は発
生せず、製造歩留りは向上する。
が大きいことは周知である。グイステージは一般に四角
形(正方形)であるから、その四辺を図示するように屈
曲すれば、箱状体となり、曲げに対する強さが増加する
から、熱による膨張Φ収縮にあたって変形しにくくなり
、銀ペースI・等の溶融温度150℃〜200 ’0と
常温との温度変化に対してウォーピ□ング等の変形は発
生せず、製造歩留りは向上する。
以下、図面を参照しつ覧、本発明の一実施例に係る半導
体装置の製造工程について説明する。
体装置の製造工程について説明する。
第2図参照
銅等のストリップ材を通常のリードフレーム加工時と同
様に打ち抜き成形する。
様に打ち抜き成形する。
第3図参照
つ(いて、第2図のA−A断面図である第3図に示すよ
うに、グイステージ2の周縁部21を図において下方に
向ってフランジ状に折り曲げ、グイステージ2を全体と
して箱状として曲げに対する強度を補強する。この工程
はフォーミングプレスをもって容易に可能である。
うに、グイステージ2の周縁部21を図において下方に
向ってフランジ状に折り曲げ、グイステージ2を全体と
して箱状として曲げに対する強度を補強する。この工程
はフォーミングプレスをもって容易に可能である。
第1図再参照
周縁部21がフランジ状に折り曲げられて補強されてい
るグイステージ2上に、半導体チ、ンプlを銀ペースト
等6をもって固着する。このとき、グイステージ2は」
−記せるように補強されているから、銀ペースト溶融温
度 150°C〜200°Cと常温との温度変化に対し
、グイステージ2の変形は発生しにくく、製造歩留りは
向上する。
るグイステージ2上に、半導体チ、ンプlを銀ペースト
等6をもって固着する。このとき、グイステージ2は」
−記せるように補強されているから、銀ペースト溶融温
度 150°C〜200°Cと常温との温度変化に対し
、グイステージ2の変形は発生しにくく、製造歩留りは
向上する。
以下、従来技術における場合と同様リードフレームを切
り離して、モールディングをなせば完成する。
り離して、モールディングをなせば完成する。
以」−説明せるとおり、本発明に係る半導体装置におい
ては、平板状部材よりなるグイステージの周縁部がフラ
ンジ状に折り曲げられて箱状にされて、曲げに対して補
強されているので、 150°C〜200°C程度の温
度で固化する銀ペースト等を使用して、半導体チップを
グイステージに固着しても温度変化にもとづくウォーピ
ングが発生せず、半導体チップが破損することがなく製
造歩留りは向」ニする。
ては、平板状部材よりなるグイステージの周縁部がフラ
ンジ状に折り曲げられて箱状にされて、曲げに対して補
強されているので、 150°C〜200°C程度の温
度で固化する銀ペースト等を使用して、半導体チップを
グイステージに固着しても温度変化にもとづくウォーピ
ングが発生せず、半導体チップが破損することがなく製
造歩留りは向」ニする。
第1図は、本発明に係る半導体装置の概念的構成図であ
る。 第2.3図は、本発明の一実施例に係る半導体装置の製
造工程を説明する図である。 第4.5図は、従来技術に係る半導体装置の欠点を説明
する図である。 l・・・半導体チップ、 2・・・ダイステージ、2
1−・・ダイステージの周縁部、 3・・・り一ドフ
レーム、 4e・・ボンディングワイヤ、51・モール
ド、 61・銀ペースト。 第2図
る。 第2.3図は、本発明の一実施例に係る半導体装置の製
造工程を説明する図である。 第4.5図は、従来技術に係る半導体装置の欠点を説明
する図である。 l・・・半導体チップ、 2・・・ダイステージ、2
1−・・ダイステージの周縁部、 3・・・り一ドフ
レーム、 4e・・ボンディングワイヤ、51・モール
ド、 61・銀ペースト。 第2図
Claims (1)
- 半導体チップ(1)が平板状部材よりなるダイステー
ジ(2)上に載置されてなる半導体装置において、前記
ダイステージ(2)の周縁部(21)がフランジ状に屈
曲していることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60074713A JPS61232648A (ja) | 1985-04-09 | 1985-04-09 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60074713A JPS61232648A (ja) | 1985-04-09 | 1985-04-09 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61232648A true JPS61232648A (ja) | 1986-10-16 |
Family
ID=13555135
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60074713A Pending JPS61232648A (ja) | 1985-04-09 | 1985-04-09 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61232648A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5226226A (en) * | 1991-07-29 | 1993-07-13 | Fierkens Richard H J | Tube-shaped package for a semiconductor device and method therefor |
-
1985
- 1985-04-09 JP JP60074713A patent/JPS61232648A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5226226A (en) * | 1991-07-29 | 1993-07-13 | Fierkens Richard H J | Tube-shaped package for a semiconductor device and method therefor |
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