JPS61229835A - ジクロルトリフルオルエトキシベンゼン及びジクロルトリフルオルエチルチオベンゼン誘導体の製造方法 - Google Patents

ジクロルトリフルオルエトキシベンゼン及びジクロルトリフルオルエチルチオベンゼン誘導体の製造方法

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JPS61229835A
JPS61229835A JP61065022A JP6502286A JPS61229835A JP S61229835 A JPS61229835 A JP S61229835A JP 61065022 A JP61065022 A JP 61065022A JP 6502286 A JP6502286 A JP 6502286A JP S61229835 A JPS61229835 A JP S61229835A
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JP
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dichloro
trifluoroethoxybenzene
trifluoroethylthiobenzene
chlorination
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JP61065022A
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ベルナール・ラングロワ
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Rhone Poulenc Specialites Chimiques
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Rhone Poulenc Specialites Chimiques
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、２，２．２−）リフルオルエトキシベンゼン
誘導体又は２．２．２−）リアルオルエチルチオベンゼ
ン誘導体を波長が好ましくは２５０〜６００ｎｍの輻射
線の存在下に及び適当ならば溶媒の存在下に塩素ガスと
接触させることを特徴とするｔｌ−ジク四ルーｚ２．２
−トリフルオルエトキシベンゼン誘導体及びｔｌ−ジク
田ルー２．２．２−トリフルオルエチルチオベンゼン誘
導体の製造方法に関する。
本発明において、２．２．２−）す７１ｖオル工トキシ
ベンゼン誘導体又は２．４２−トリフルオルエチルチオ
ベンゼン誘導体は、次の一般式（１）％式％（） （ここで、Ａｒは単環状又は多環状芳香族核を表わし、 Ａは硫黄又は酸素を表わし、 ｎは１以上であって３以下の整数であり、Ｒは水素、ア
ルキル、アルコキシ、アルキルチオ、ハロ、ハロアルキ
ル、ハロアルコキシ、ハルアルキルチオ、フェニル、フ
ェノキシ、ベンゾイル、アルコキシカルボニル、ハロカ
ルボニル及びシアノ基よりなる群から選ばれる少なくと
も１個の置換基を表わし、 ｐは１以上であって５以下の整数である）に相当する。
ｎが１又は２に等しくかつＡｒがベンゼン核である式（
Ｉ）の化合物を用いるのが好ましい。
トリフルオルメチル基に対してα位置にある水素原子の
酸性度はこの基の吸引効果によって大きく増大し、した
がって光塩素化ができることは自明ではなかった。
本発明の光化学的塩素化は溶媒の存在又は不存在下で行
うことができる。
用いることができる溶媒は耐塩素化性の溶媒であり、特
に液状のクロルベンゼン及び四塩化炭素から選ばれるも
のである。
四塩化炭素の使用が特に好ましい。
２．２．２−トリフルオルエトキシベンゼン又ハ２゜λ
２−トリフルオルエチルチオベンゼンがその核において
電子供与基又は水素で置換されている場合、核のそれ以
上の塩素化を生じさせないようにするときには反応は好
ましくは溶媒の存在下に行われる。電子供与基とは、本
発明で用いるときは、アルキル、アルコキシ、アルキル
チオ、フェノキシ及びフェニル基より選ばれる基（もち
ろん、これらに限られるものではない）を意味するもの
とする。トリフルオルエトキシベンゼン又はトリフルオ
ルエチルチオベンゼンが液状であり、そしてそれが核上
で電子吸引基で置換されているときには、反応は好まし
くは溶媒の不存在下に行われる。
反応は好ましくは大気圧下に行われるが、核に電子吸引
基が置換している２、２．２−トリフルオルエトキシベ
ンゼン又は２．２．２−トリフ、Ａ／オルエチルチオベ
ンゼンの場合には、それよりも高い圧力が有益である。
圧力はプロセスの経済性に適合されるだけである。
反応温度は好ましくは２０〜２００℃であり、そして特
に反応が四塩化炭素の存在下に行われるときには７０〜
８５℃である。
反応時間は一般に２時間〜４０時間である。
輻射線は、一般に、不活性ガス及び（又は）水銀蒸気を
入れた放電管より発生するものである。
本発明の方法により得られる化合物は、次の一般式（１
０ ％式％（ （ここで、Ａ　ｒ　％　ｎ　ｓ　Ｐ及びＡは前記の意味
を有し、Ｒ１は水素、ハロゲン、ハロアルキル、ハロア
ルコキシ、ハロアルキルチオ、フェニル、フェノキシ、
ベンゾイル、ハロアルフキジカルボニル、ハルカルボニ
ル及びシアノ基よりなる群から選ばれる少なくとも１個
の基を表わす） に相当するものである。
本発明の方法を用いて製造できる化合物の例としては、
ｔｌ−ジクロル−２，２，２−）リアルオル　゛エトキ
シベンゼン、４−クロＡ−，２−クロル−１４−フルオ
ル−及び２−フルオル−１１−ジクロル−２，２，２−
トリフルオルエトキシベンゼン、４−トリクロルメチル
−，４−トリクロルメトキシ−１４−トリクロルメチル
チオ−１４−ペンタクロルエチル、３−トリフルオルメ
チル−及び４−トリフルオルメチル−′Ｌ１−ジクロル
ー２．２．２−トリフルオルエトキシベンゼン、ビス（
ｔｌ−ジクロル−２，２，２−トリフルオルエトキシ）
ベンゼン、塩化ｔ１−ジクロル−２，２，２−）リアル
オルエトキシベンゾイル、ｔｌ−ジクロル−２，２，２
−トリフルオルエトキシナフタリン、１，１−ジクロル
−λ２．２−）リアルオルエチルチオベンゼン、４−ク
ロル−１３−クロル−及び４−ニトロ−１１−ジクロル
−２，２，２−）リアルオルエチルチオベンゼンなどが
あげられる。
本発明の化合物は、製薬学的活性、獣医学的活性又は植
物保護活性を有する誘導体の製造用合成中間体として、
また、潤滑剤工業（米国特許第４．５６６．１６８号）
において用いられる。
本発明を下記の実施例によりさらに詳細に説明する。こ
れらは本発明を何ら限定させるものではない。
攪拌機、還流凝縮器、温度測定具、多孔質のガス流入用
浸漬管及び約４００　ｍｍで光を発する放電ランプを入
れた中央外装体を備えた２Ｌ容量の円筒状反応器に、ｓ
ｙ、ｑｇ（ｔｓｔ）の純４−りｏルー（２，Ｚ２−）リ
アルオルエトキシ）ベンゼンを四塩化炭素中に含む溶液
２ｔを装入する。
光照射された溶液を窒素気流下に加熱還流する。
環流が起ったならば窒素の流入を止め、塩素ガスの流入
（初期流量＝５２０　ｇ／ｈ　）に切り変えて光照射さ
れた沸騰溶液に塩素を飽和させる。
光化学的塩素化を３時間５０分続ける。その進行状況を
気相りｐマドグラフィーでモニターする。
反応が完了したならば、反応混合物を照射下に還流し続
け、塩素を窒素により液体が完坐にガス抜きされるまで
置換する。冷却し、照射を中止する。
四塩化炭素を大気圧下に蒸留し、続いて減圧（Ｂ、Ｐ、
　　　　　＝１０３℃）下に４−クロル−８ｍｍＨｇ （Ｌｌ−ジクロル−２，２，２−）リアルオルエトキシ
）ベンゼンを蒸留する。
このようにして４６３ｇの化合物を集めた。
９２％の収率に相当する。
例２ 成 例１のと同じ反応を上記と同じ方法で実施するが、ただ
し四塩化炭素の不存在下に１５０℃で実施すると、２時
間３０分後に、蒸留された４−クロル−（’Ｌ１−ジク
ロルー２．２．２−）リアルオルエトキシ）ベンゼンが
８４％の収率で得られた。
例３〜１に れらの例の条件及び結果は下記の表に要約する。
例１７ 溶媒の不存在に１１０℃〜１２０℃の温度を用いること
を除いて例２の条件下で行う塩素化をλ２．２−トリフ
ルオルエトキシベンゼンに行うと、観察された最初の反
応は、トリフルオルエトキシ置換基の塩素化よりも先行
する芳香族核の塩素化であった。２時間後の反応混合物
のモル組成は次の通りであった。
＾沸点不純物　　　　　３１％ したがって、２．２．２−トリフルオルエトキシベンゼ
ンから１１−ジクｐルー２．２．２−トリフルオルエト
キシベンゼンを選択的に得るためには溶媒が必要である
（例４を参照）。

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）２，２，２−トリフルオルエトキシベンゼン誘導
    体又は２，２，２−トリフルオルエチルチオベンゼン誘
    導体を輻射線の存在下に塩素と接触させることを特徴と
    する１，１−ジクロル−２，２，２−トリフルオルエト
    キシベンゼン誘導体又は１，１−ジクロル−２，２，２
    −トリフルオルエチルチオベンゼン誘導体の製造方法。
  2. （２）２，２，２−トリフルオルエトキシベンゼン誘導
    体又は２，２，２−トリフルオルエチルチオベンゼン誘
    導体が次の一般式（ I ） Ｒ＿ｐＡｒ（ＡＣＨ＿２ＣＦ＿３）＿ｎ（ I ）（ここ
    で、Ａｒは単環状又は多環状芳香族核を表わし、 ｎは１以上であつて３以下の整数であり、 Ｒは水素、アルキル、アルコキシ、アルキルチオ、ハロ
    、ハロアルキル、ハロアルコキシ、ハロアルキルチオ、
    フェニル、フェノキシ、ベンゾイル、アルコキシカルボ
    ニル、ハロカルボニル及びシアノ基よりなる群から選ば
    れる少なくとも１個の置換基を表わし、 Ａは硫黄又は酸素を表わし、 ｐは１以上であつて５以下の整数である） に相当することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
    の方法。
  3. （３）式（ I ）においてｎが１又は２であることを特
    徴とする特許請求の範囲第２項記載の方法。
  4. （４）塩素化をクロルベンゼン及び四塩化炭素より選ば
    れる溶媒の存在下に行うことを特徴とする特許請求の範
    囲第１項記載の方法。
  5. （５）溶媒が四塩化炭素であることを特徴とする特許請
    求の範囲第４項記載の方法。
  6. （６）塩素化を７０〜２００℃の温度で行うことを特徴
    とする特許請求の範囲第１項記載の方法。
  7. （７）反応温度が７０〜８５℃であることを特徴とする
    特許請求の範囲第５又は６項記載の方法。
  8. （８）輻射線が２５０〜６００ｎｍの波長を有すること
    を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の方法。
JP61065022A 1985-03-29 1986-03-25 ジクロルトリフルオルエトキシベンゼン及びジクロルトリフルオルエチルチオベンゼン誘導体の製造方法 Pending JPS61229835A (ja)

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ATE34379T1 (de) 1988-06-15
EP0197868B1 (fr) 1988-05-18
US4643811A (en) 1987-02-17
EP0197868A1 (fr) 1986-10-15
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FR2579593B1 (fr) 1987-06-05

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