JPS61223541A - 表面検査方法および装置 - Google Patents
表面検査方法および装置Info
- Publication number
- JPS61223541A JPS61223541A JP60064896A JP6489685A JPS61223541A JP S61223541 A JPS61223541 A JP S61223541A JP 60064896 A JP60064896 A JP 60064896A JP 6489685 A JP6489685 A JP 6489685A JP S61223541 A JPS61223541 A JP S61223541A
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- JP
- Japan
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- substrate
- detection means
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/94—Investigating contamination, e.g. dust
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は半導体ウェー八等の基板表面に光を照射し、そ
の基板表面からの散乱光により基板の表面を検査する表
面検査方法および装置に関する。
の基板表面からの散乱光により基板の表面を検査する表
面検査方法および装置に関する。
半導体装置の製造にあっては、半導体ウェーハから得ら
れる半導体チップの歩留まりを向上させるため、半導体
ウェーハの表面に付着したパーティクルの検出を行なう
のが一般的である。従来、この検出は半導体ウェー八等
の基板表面にレーザ光等を照射して、その表面からの散
乱光を集光し、得られた散乱光を光電子増倍管で検出し
ている。
れる半導体チップの歩留まりを向上させるため、半導体
ウェーハの表面に付着したパーティクルの検出を行なう
のが一般的である。従来、この検出は半導体ウェー八等
の基板表面にレーザ光等を照射して、その表面からの散
乱光を集光し、得られた散乱光を光電子増倍管で検出し
ている。
例えば、基板がシリコンウェーへの場合には、第１１図
の感度特性向、線Ａで示すように、基板上のパーティク
ル粒子からの散乱光による出力電圧が単調増加の関係に
あるため、特定のパーティクル粒径に対するレベルでス
ライスレベルを設定して光電子増倍管の出力電圧からパ
ーティクル径の判定を行なっている。
の感度特性向、線Ａで示すように、基板上のパーティク
ル粒子からの散乱光による出力電圧が単調増加の関係に
あるため、特定のパーティクル粒径に対するレベルでス
ライスレベルを設定して光電子増倍管の出力電圧からパ
ーティクル径の判定を行なっている。
しかしながら、シリコンウェーハ表面に他の化合物のＩ
ＷＡが形成された場合にあっては、このスライスレベル
の決定が困難になるという問題があった。すなわち、第
１１図の曲１ｉｉＢはシリコンウェーハ表面にポリシリ
コンの薄膜が形成された場合の感度特性曲線であり、曲
線Ｃは酸化シリコンの薄膜が形成された場合の感度特性
曲線であり、曲線りは窒化シリコンの薄膜が形成された
場合の感度特性曲線である。いずれも薄膜の光学的性質
、特に、反射率特性が相違するため、シリコンウェーへ
の感度特性曲線Ａと異なっており、スライスレベルの決
定が困難となるとともに、シリコンウェー八と同一の感
度でパーティクルを検出することができなかった。
ＷＡが形成された場合にあっては、このスライスレベル
の決定が困難になるという問題があった。すなわち、第
１１図の曲１ｉｉＢはシリコンウェーハ表面にポリシリ
コンの薄膜が形成された場合の感度特性曲線であり、曲
線Ｃは酸化シリコンの薄膜が形成された場合の感度特性
曲線であり、曲線りは窒化シリコンの薄膜が形成された
場合の感度特性曲線である。いずれも薄膜の光学的性質
、特に、反射率特性が相違するため、シリコンウェーへ
の感度特性曲線Ａと異なっており、スライスレベルの決
定が困難となるとともに、シリコンウェー八と同一の感
度でパーティクルを検出することができなかった。
本発明は上記事情を考慮してなされたもので、表面の反
射率が異なる基板であっても、同一のスライスレベルで
かつ同一の感度でパーティクルの検出をすることができ
る表面検査方法および装置を提供することを目的とする
。
射率が異なる基板であっても、同一のスライスレベルで
かつ同一の感度でパーティクルの検出をすることができ
る表面検査方法および装置を提供することを目的とする
。
上記目的を達成するために本発明による表面検査方法は
、基板に照射して得られる散乱光の検出を、基板の反射
率に応じてその感度を補正することを特徴とする。
、基板に照射して得られる散乱光の検出を、基板の反射
率に応じてその感度を補正することを特徴とする。
また、本発明による表面検査装置は、散乱光を検出する
検出手段に加えて、基板の反射率に応じて、検出手段の
検出感度を補正する補正手段を設けたことを特徴とする
。
検出手段に加えて、基板の反射率に応じて、検出手段の
検出感度を補正する補正手段を設けたことを特徴とする
。
以下本発明を図示の一実施例により説明する。
第１図、第２図に本発明の一実施例による表面検査装置
を示す。半導体ウェーハ等の基板１は駆動機構２によっ
て左右の移動および水平面内での回転がおこなわれる。
を示す。半導体ウェーハ等の基板１は駆動機構２によっ
て左右の移動および水平面内での回転がおこなわれる。
この駆動機構２は基板１が載置されるターンテーブル２
１と、ターンテーブル２１を回転させるモータ２２と、
モータ２２およびターンテーブル２１を左右に移動させ
るラック２３と、ラック２３を回転させるモータ２４と
からなっており、これらにより、基板１の全面を走査し
、検査部分の割出しが行なわれるようになっている。
１と、ターンテーブル２１を回転させるモータ２２と、
モータ２２およびターンテーブル２１を左右に移動させ
るラック２３と、ラック２３を回転させるモータ２４と
からなっており、これらにより、基板１の全面を走査し
、検査部分の割出しが行なわれるようになっている。
基板１を検査する表面検査装置は、基板１の検査部分に
レーザ光等の光を照射する光源３と、この光が反射する
散乱光を集光させる集光手段４と、集光された散乱光を
検出する検出手段５と、検出手段の検出感度を補正する
補正手段８とからなつている。集光手段４は基板１に面
する下端部が切欠かれた積分球であり、その上端部には
基板の表面に当たって基板から正反射を行なう反射光の
みを外部に導く窓４ｂが開設されると共に、側面部には
基板１上に付着したパーティクルに当たって散乱する散
乱光を集光する集光窓４Ｃが開設させている。そして、
この集光窓４Ｃに検出手段５の感光部が設けられており
、検出手段５にはパーティクルからの散乱光が入射する
ようになっている。
レーザ光等の光を照射する光源３と、この光が反射する
散乱光を集光させる集光手段４と、集光された散乱光を
検出する検出手段５と、検出手段の検出感度を補正する
補正手段８とからなつている。集光手段４は基板１に面
する下端部が切欠かれた積分球であり、その上端部には
基板の表面に当たって基板から正反射を行なう反射光の
みを外部に導く窓４ｂが開設されると共に、側面部には
基板１上に付着したパーティクルに当たって散乱する散
乱光を集光する集光窓４Ｃが開設させている。そして、
この集光窓４Ｃに検出手段５の感光部が設けられており
、検出手段５にはパーティクルからの散乱光が入射する
ようになっている。
検出手段５は、本実施例では第２図に示すように積分球
４の集光窓４Ｃに設けられ散乱光を検出する光電子増倍
管６と、光電子増倍管６で検出された散乱光信号を増幅
するヘッドアンプ７とからなっており、さらにヘッドア
ンプ７には図示しないが公知の計測表示装置が接続され
て、その出力が処理表示されるようになっている。補正
手段８はこのような検出手段の光電子増倍管６の検出感
度を基板１の反射率に応じて補正するものであり、本実
施例においては高圧電源９により光電子増倍管６に印加
される印加電圧を、高圧電源制御部１０により基板１の
反射率に応じて制御するようにしている。すなわち、高
圧電源制御部１０には基板の反射率にあわせて感度を設
定するプログラムが内蔵されており、基板１の種類に応
じて光電子増倍管６への印加電圧が適宜選択されるよう
になっている。
４の集光窓４Ｃに設けられ散乱光を検出する光電子増倍
管６と、光電子増倍管６で検出された散乱光信号を増幅
するヘッドアンプ７とからなっており、さらにヘッドア
ンプ７には図示しないが公知の計測表示装置が接続され
て、その出力が処理表示されるようになっている。補正
手段８はこのような検出手段の光電子増倍管６の検出感
度を基板１の反射率に応じて補正するものであり、本実
施例においては高圧電源９により光電子増倍管６に印加
される印加電圧を、高圧電源制御部１０により基板１の
反射率に応じて制御するようにしている。すなわち、高
圧電源制御部１０には基板の反射率にあわせて感度を設
定するプログラムが内蔵されており、基板１の種類に応
じて光電子増倍管６への印加電圧が適宜選択されるよう
になっている。
次に、以上のような装置により、基板の表面を検査する
方法を説明する。なお、以下の説明においては、第１１
図に示す曲線Ｂ、Ｃ，Ｄを曲線へにならうように補正す
る場合について説明する。
方法を説明する。なお、以下の説明においては、第１１
図に示す曲線Ｂ、Ｃ，Ｄを曲線へにならうように補正す
る場合について説明する。
第３図はポリシリコンｌｌｌ５ＩＩ化シリコン薄膜、窒
化シリコン薄膜がシリコンウェーハ表面に被覆された基
板を使用し、これらの基板上に径２μｍの標準粒子のパ
ーティクルを付着させて、その反射率と出力電圧との関
係をプロットしたものであり、同図のように標準粒子か
らの反射率と出力電圧とは直線的に増加する関係となっ
ている。又、第４図は、同径の標準粒子による出力電圧
と光電子増倍管６への印加電圧の関係を示しており、直
１１１１係となっている。従って、以上２つの関係から
第５図のような相対的反射率と光電子増倍管への印加電
圧の関係が得られる。この第５図は薄膜が被覆されて反
射率が変化した基板の感度特性を、薄膜が被覆されない
シリコンウェーハ基板の感度特性に一致させるためのグ
ラフである。シリコンウェー八に対する相対的反射率が
わかれば光電子増倍管６に印加すべき印加電圧が第５図
かられかる。例えばシリコンウェーハ基板Ａの場合の印
加電圧−３６０ｖに対して、ポリシリコン薄膜が被覆さ
れた基板Ｂの場合には第５図に示すように約２．１の相
対的反射率であるから光電子増倍管６への印加電圧を一
３１６■に調整することにより、第６図に示すように曲
線Ｂから曲線Ｂ１に変化してシリコンウェーハ基板の曲
線へとほぼ一致する。
化シリコン薄膜がシリコンウェーハ表面に被覆された基
板を使用し、これらの基板上に径２μｍの標準粒子のパ
ーティクルを付着させて、その反射率と出力電圧との関
係をプロットしたものであり、同図のように標準粒子か
らの反射率と出力電圧とは直線的に増加する関係となっ
ている。又、第４図は、同径の標準粒子による出力電圧
と光電子増倍管６への印加電圧の関係を示しており、直
１１１１係となっている。従って、以上２つの関係から
第５図のような相対的反射率と光電子増倍管への印加電
圧の関係が得られる。この第５図は薄膜が被覆されて反
射率が変化した基板の感度特性を、薄膜が被覆されない
シリコンウェーハ基板の感度特性に一致させるためのグ
ラフである。シリコンウェー八に対する相対的反射率が
わかれば光電子増倍管６に印加すべき印加電圧が第５図
かられかる。例えばシリコンウェーハ基板Ａの場合の印
加電圧−３６０ｖに対して、ポリシリコン薄膜が被覆さ
れた基板Ｂの場合には第５図に示すように約２．１の相
対的反射率であるから光電子増倍管６への印加電圧を一
３１６■に調整することにより、第６図に示すように曲
線Ｂから曲線Ｂ１に変化してシリコンウェーハ基板の曲
線へとほぼ一致する。
従って、この場合は補正手段８によって光電子増倍管６
への印加電圧を一３１６■に調整することにより、その
出力電圧はシリコンウェーハ基板の出力と同値となり、
パーティクルの大きさを同様に判別することが可能とな
る。またＨｌｌが酸化シリコンの場合には、第５図の矢
印Ｃから印加すべき印加電圧（−３７７Ｖ）がわかる。
への印加電圧を一３１６■に調整することにより、その
出力電圧はシリコンウェーハ基板の出力と同値となり、
パーティクルの大きさを同様に判別することが可能とな
る。またＨｌｌが酸化シリコンの場合には、第５図の矢
印Ｃから印加すべき印加電圧（−３７７Ｖ）がわかる。
そのように印加電圧を調整することにより、第７図の曲
［ｉｌＧを曲線Ｃ１に変化させシリコンウェーハ基板の
曲線Ａと一致させることができる。さらに１ｍｌが窒化
シリコンの場合には、第５図を用いて同様にして印加電
圧を一３９７■に調整することで、第８図のように曲１
ｍＡにほぼ一致する曲線Ｄ１が得られる。従って、この
ように光電子増倍管６への印加電圧を基板の反射率の変
化日に応じて補正することによってシリコンウェーハ基
板と同一の感度でパーティクルを検出することができる
。
［ｉｌＧを曲線Ｃ１に変化させシリコンウェーハ基板の
曲線Ａと一致させることができる。さらに１ｍｌが窒化
シリコンの場合には、第５図を用いて同様にして印加電
圧を一３９７■に調整することで、第８図のように曲１
ｍＡにほぼ一致する曲線Ｄ１が得られる。従って、この
ように光電子増倍管６への印加電圧を基板の反射率の変
化日に応じて補正することによってシリコンウェーハ基
板と同一の感度でパーティクルを検出することができる
。
第９図は本発明の他の実施例による表面検査装置を示す
ブロック図であ“す、前記実施例と同一の部分は同一の
符号で対応させである。この実施例においては、光電子
増倍管６への印加電圧は一定であるが、補正手段として
光電子増倍管６の前面に遮光率を変化させることができ
るフィルタ１１が設けられている。このフィルタ１１は
例えば、液晶のような光変調デバイスが使用され、光変
調制御部１２によって基板の反射率に応じて液晶への印
加電圧が調整されてその遮光率が変化させられる。これ
により光電子増倍管６の検出感度をシリコンウェーハ基
板の感度に一致させるようになっている。したがって前
述の実施例と同様にパーティクルの検出が可能である。
ブロック図であ“す、前記実施例と同一の部分は同一の
符号で対応させである。この実施例においては、光電子
増倍管６への印加電圧は一定であるが、補正手段として
光電子増倍管６の前面に遮光率を変化させることができ
るフィルタ１１が設けられている。このフィルタ１１は
例えば、液晶のような光変調デバイスが使用され、光変
調制御部１２によって基板の反射率に応じて液晶への印
加電圧が調整されてその遮光率が変化させられる。これ
により光電子増倍管６の検出感度をシリコンウェーハ基
板の感度に一致させるようになっている。したがって前
述の実施例と同様にパーティクルの検出が可能である。
なお光変調デバイスのかわりに遮光率を変化させるため
複数のＮＤフィルタを交換するようにしてもより１．ま
たフィルタ１１の位置に可動絞りを設けて光電子増倍管
６への入射装置を調整するようにしてもよい。
複数のＮＤフィルタを交換するようにしてもより１．ま
たフィルタ１１の位置に可動絞りを設けて光電子増倍管
６への入射装置を調整するようにしてもよい。
第１０図は本発明の更に他の実施例を示している。この
実施例では、光電子増倍管６で検出された散乱光信号を
増幅するヘッドアンプ７に補正手段が設けられている。
実施例では、光電子増倍管６で検出された散乱光信号を
増幅するヘッドアンプ７に補正手段が設けられている。
この補正手段は可変抵抗器Ｒ，Ｒ，Ｒ３を有する回路が
内蔵された切換スイッチ１３からなり、光電子増倍管６
で検出された散乱光信号の増幅率を調整する。この調整
により薄膜が被覆された各基板の感度をシリコンウェー
ハ基板の感度に一致させることができる。
内蔵された切換スイッチ１３からなり、光電子増倍管６
で検出された散乱光信号の増幅率を調整する。この調整
により薄膜が被覆された各基板の感度をシリコンウェー
ハ基板の感度に一致させることができる。
なお、本発明においては、以上の補正手段を複数組み合
わせて使用しても同様な効果を得ることができる。また
本発明は半導体ウェーへの表面の検査のみならず、他の
基板表面の検査にも適用することができる。
わせて使用しても同様な効果を得ることができる。また
本発明は半導体ウェーへの表面の検査のみならず、他の
基板表面の検査にも適用することができる。
以上のとおり本発明によれば、散乱光の検出を行なう検
出手段の感度を基板の反射率に応じて補正するようにし
たから、基板の材質やａＷａの種類や膜厚が異なってい
ても、同じスライスレベルでかつ同じ感度で表面を検査
することができる。
出手段の感度を基板の反射率に応じて補正するようにし
たから、基板の材質やａＷａの種類や膜厚が異なってい
ても、同じスライスレベルでかつ同じ感度で表面を検査
することができる。
第１図は本発明の一実施例による表面検査装置の斜視図
、第２図は同表面検査装置の７０ツク図、第３図は反射
率と検出出力電圧との関係を示すグラフ、第４図は検出
出力電圧と印加電圧との関係を示すグラフ、第５図は印
加電圧と反射率との関係を示すグラフ、第６図ないし第
８図は印加電圧の調整による各種基板の検出出力電圧の
変化を示すグラフ、第９図は本発明の他の実施例による
表面検査装置を示すブロック図、第１０図は本発明の更
に他の実施例による表面検査装置を示すブロック図、第
１１図は各種基板の検出出力電圧とパーティクル径との
関係を示すグラフである。 １・・・基板、３・・・光源、４・・・集光手段、５−
、−検出手段、６・・・光電子増倍管、７・・・ヘッド
アンプ、８・・・補正手段、９・・・高圧電源、１０・
・・高圧電源制御部、１１・・・フィルタ（補正手段）
、１２・・・光変調制御部、１３・・・切換スイッチ（
補正手段）。 出願人代理人 猪 股 清 ｊ１！ｊｔ＊９１財早 第５図 ＩＮ ＄４−７反＃早 第６図 第７図 ｊ ／〒−チｌクルｊｌ−ｆμｍ） 第９図 第１０図 パーティクル径 （μｍ） 手続補正書 昭和６０年４月２２日
、第２図は同表面検査装置の７０ツク図、第３図は反射
率と検出出力電圧との関係を示すグラフ、第４図は検出
出力電圧と印加電圧との関係を示すグラフ、第５図は印
加電圧と反射率との関係を示すグラフ、第６図ないし第
８図は印加電圧の調整による各種基板の検出出力電圧の
変化を示すグラフ、第９図は本発明の他の実施例による
表面検査装置を示すブロック図、第１０図は本発明の更
に他の実施例による表面検査装置を示すブロック図、第
１１図は各種基板の検出出力電圧とパーティクル径との
関係を示すグラフである。 １・・・基板、３・・・光源、４・・・集光手段、５−
、−検出手段、６・・・光電子増倍管、７・・・ヘッド
アンプ、８・・・補正手段、９・・・高圧電源、１０・
・・高圧電源制御部、１１・・・フィルタ（補正手段）
、１２・・・光変調制御部、１３・・・切換スイッチ（
補正手段）。 出願人代理人 猪 股 清 ｊ１！ｊｔ＊９１財早 第５図 ＩＮ ＄４−７反＃早 第６図 第７図 ｊ ／〒−チｌクルｊｌ−ｆμｍ） 第９図 第１０図 パーティクル径 （μｍ） 手続補正書 昭和６０年４月２２日
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板表面に光を照射し、この基板表面上の微粒子に
よる散乱光を集光し、この集光された散乱光を前記基板
表面の反射率に応じて検出手段の検出感度を補正し、こ
の補正された検出手段出力により前記基板表面を検査す
ることを特徴とする表面検査方法。 ２、特許請求の範囲第１項記載の方法において、前記検
出手段は光電子増倍管であつて、この光電子増倍管への
印加電圧を調整することにより検出感度を補正すること
を特徴とする表面検査方法。 ３、特許請求の範囲第１項記載の方法において、前記検
出手段に入射する散乱光の遮光率を調整することにより
前記検出手段の検出感度を補正することを特徴とする表
面検査方法。 ４、特許請求の範囲第１項記載の方法において、前記検
出手段の検出手段出力の増幅率を調整することにより前
記検出手段の検出感度を補正することを特徴とする表面
検査方法。 ５、特許請求の範囲第１項ないし第４項のいずれかに記
載の方法において、前記基板にレーザ光を照射すること
を特徴とする表面検査方法。 ６、基板表面に光を照射する光源と、この基板表面上の
微粒子による散乱光を集光する集光手段と、前記集光手
段により集光された散乱光を検出する検出手段と、前記
基板表面の反射率に応じて前記検出手段の検出感度を補
正する補正手段とを備えたことを特徴とする表面検査装
置。 ７、特許請求の範囲第６項記載の装置において、前記検
出手段は光電子増倍管であり、前記補正手段は、この光
電子増倍管への印加電圧を調整することにより検出感度
を補正するものであることを特徴とする表面検査装置。 ８、特許請求の範囲第６項記載の装置において、前記補
正手段は、前記検出手段の前面に設けられた遮光率可変
のフィルタであることを特徴とする表面検査装置。 ９、特許請求の範囲第６項記載の装置において、前記補
正手段は前記検出手段の前面に設けられた可動絞りであ
ることを特徴とする表面検査装置。 １０、特許請求の範囲第６項記載の装置において、前記
補正手段は前記検出手段の検出回路の増幅率を調整する
ものであることを特徴とする表面検査装置。 １１、特許請求の範囲第６項ないし第１０項のいずれか
に記載の装置において、前記光源はレーザ光であること
を特徴とする表面検査装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60064896A JPS61223541A (ja) | 1985-03-28 | 1985-03-28 | 表面検査方法および装置 |
| KR1019860002296A KR910000794B1 (ko) | 1985-03-28 | 1986-03-27 | 기판의 표면검사방법 및 장치 |
| US06/844,601 US4902131A (en) | 1985-03-28 | 1986-03-27 | Surface inspection method and apparatus therefor |
| DE8686104444T DE3673226D1 (de) | 1985-03-28 | 1986-04-01 | Verfahren und vorrichtung zur untersuchung von oberflaechen. |
| EP86104444A EP0200918B1 (en) | 1985-03-28 | 1986-04-01 | Surface inspection method and apparatus therefor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60064896A JPS61223541A (ja) | 1985-03-28 | 1985-03-28 | 表面検査方法および装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61223541A true JPS61223541A (ja) | 1986-10-04 |
| JPH0554621B2 JPH0554621B2 (ja) | 1993-08-13 |
Family
ID=13271294
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60064896A Granted JPS61223541A (ja) | 1985-03-28 | 1985-03-28 | 表面検査方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61223541A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010113232A1 (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-07 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | 検査方法及び検査装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7399049B2 (ja) * | 2020-08-27 | 2023-12-15 | 信越化学工業株式会社 | 基板の欠陥検査方法および欠陥検査装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS50147386A (ja) * | 1974-05-15 | 1975-11-26 | ||
| JPS59231405A (ja) * | 1983-06-15 | 1984-12-26 | Toshiba Corp | 表面欠陥検出器 |
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1985
- 1985-03-28 JP JP60064896A patent/JPS61223541A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5079380A (ja) * | 1973-11-12 | 1975-06-27 | ||
| JPS50147386A (ja) * | 1974-05-15 | 1975-11-26 | ||
| JPS59231405A (ja) * | 1983-06-15 | 1984-12-26 | Toshiba Corp | 表面欠陥検出器 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010113232A1 (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-07 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | 検査方法及び検査装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0554621B2 (ja) | 1993-08-13 |
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| Date | Code | Title | Description |
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