JPS61222221A - 気相成長装置用サセプタ - Google Patents

気相成長装置用サセプタ

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JPS61222221A
JPS61222221A JP6444785A JP6444785A JPS61222221A JP S61222221 A JPS61222221 A JP S61222221A JP 6444785 A JP6444785 A JP 6444785A JP 6444785 A JP6444785 A JP 6444785A JP S61222221 A JPS61222221 A JP S61222221A
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JP
Japan
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wafer
susceptor
opening
growth apparatus
vapor phase
Prior art date
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Pending
Application number
JP6444785A
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English (en)
Inventor
Hideki Shirai
秀樹 白井
Yoshiaki Matsushita
松下　嘉明
Yuichi Mikata
見方　裕一
Shuichi Samata
秀一 佐俣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPS61222221A publication Critical patent/JPS61222221A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は気相成長装置用サセプタの改良に関する。
〔発明の技術的背景〕
周知の如く、ウェハ上に気相成長法にょシ酸化膜等の被
膜を形成する際、気相成長装置用サセプタが用い、ちれ
て鱒る。
従来、この気相成長装置用サセプタ（以下、サセプタと
かう）としては、第２図あるいは第３図に示すものが知
られている。第２図のサセプタは、サセプタ本体１の上
部にウェハ２を載置すべき開口部３を設け、この開口部
３の受容面４を平坦化した構造となっている。一方１、
第３図のサセプタは、サセプタ本体１の開口部３の受容
面５を凹状とした構造となっている。
〔背景技術の問題点〕
しかし碌から、第２図のサセプタによれば、サセプタ本
体１の開口部３の受容面５が平坦化した構造とまうてい
るため、ウェハ２を加熱する際ウェハ２内の温度分布が
均一とまらず（第４図図示）、ウェハ２に塑性変形が起
こ）スリップが発生するという問題がある。この原因は
、特に昇温時にウェハ２の周辺部の部層が中Ｊｒｈ　恕
の温度よシ早く上昇し、もってウェハ２内温度分布の不
均一性に起因してウェハ２の周辺部に大きな圧縮応力が
かかるためである。その結果。
ウェハ２の結晶性が損われ、電気的特性が劣化する原因
と１ってい九〇 また、第３図のサセプタにおいても、サセプタ本体１の
開口部３の受容面５が凹状となっているため、上記のサ
セプタと同様、ウェハ内の温度分布が第５図に示す如く
不均一となシ、ウェハ２にスリップが発生する。
−〔発明の目的〕 本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、気相成長工
程におけるスリ、グの発生を防止して素子特性の向上、
製品の歩留シを向上し得る気相成長装置用サセプタを提
供することを目的とする。
〔発明の概要〕
本発明は、サセプタ本体の上部にウェハを載置すべき開
口部を設け、この開口部の受容面を凸状とすることによ
って、ウェノ１にスリ、グが発生することを防止し、素
子特性の向上、製品の歩留シの向上を図ったものである
。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の一実施例を第１図を参照して説明する。
図中の１１は、サセプタ本体である。このサセプタ本体
１１の上部には、例えばシリコンウェハ１２を載置すべ
き開口部１３が設けられている。この開口部１３の受容
面１４Ｆｉ、凸状と表りてｉる。
しかして、本発明によれば、シリコンウェハ１２を載置
すべきサセプタ本体１１の開口部１３の受容面１４が凸
状となっているため、ウェハ内温度を第６図に示す如く
均一にでき、スリップ発生を定常的に防止できる。また
、本発明によれば、シリコンクエバ１２の端をフリーと
しておくため、クエへ内に発生する応力を解放でき、こ
れによりてもシリコンウェハ１２のスリ、ｆ発生を防止
できる。その結果、電気的特性の劣化を回避できるとと
もに、製品の歩留シを向上できる。
次に、サセプタ本体１１の開口部１３の受容面を凸状し
た理由につｉて第７図を参照して説明する。一般に、シ
リコンウェハが拡散炉のように外周部からの輻射で加熱
される場合、ウニへ面内温度分は以下の近似式で与えら
れる。
ここで、Ｔ（ｒ）：クエハ中心点０から距離ｒの位置に
おける温度 Ｔｏ：クエハ中心部の温度 ΔＴ：クエハ中心部と周辺部の温度差 Ｒ：クエハ直径 また、シリコンウェハが平坦面に接触している場合（従
来）はサセプタからの伝導熱のみによって決−Ｂ、これ
によるウェハ内温度分布は一次式で表わされる。これら
の関係は、既述した第４図に示す如く温度分布が不均一
となる。
クエへ内に発生する応力は上述のウェハ内の温度分布に
よってひきおこされ、その大きさは以下の式で表わされ
る。
■輻射熱のみによってウェハが加熱、される場合 ここでσｒ　（ｒ）　：クエハの中心点０から距離ｒの
位置における径方向応力 σ５（ｒ）：ウェハの中心点０から距離ｒの位置におけ
る周辺方向応力 に：シリコンウェハの熱膨張率、ヤ ング率によって表わされる比例 定数 ■伝導のみによってウェハが加熱される場合クエハを加
熱する際に発生する応力はこのΔＴの大小によって決ま
るので、これを最小とするために第７図においてｒ＝０
．６０Ｒとし、曲線部人は４次関数とした。これは、（
２）式においてσθ（ｒ）の符号が逆転する位置までサ
セプタを接触させることによル熱応力を７４％さくし、
かつサセプタからの輻射熱はサセプタ温間の４次に比例
することよシ求められた形状である。なお、本実施例に
おいては、０．３Ｒ≦ｒ≦０．８Ｒ，また曲線部Ａは２
次関数または球状であっても充分な効果が得られ、第６
図に示す均一な温度分布特性図が得られる。
〔発明の効果〕
以上詳述した如く本発明によれば、スリップの発生を防
止して素子特性の向上、製品の歩留りを向上し得る高信
頼性の気相成長装置サセプタを提供できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例に係る気相成長装置用サセプ
タの断面図、第２図及び第３図は夫夫従来の気相成長装
置用サセプタの断面図、第４図及び第５図は夫々従来の
気相成長装置サセグタ罠対応したウェハ内温度特性図、
第６図は第１図の気相成長装置用サセプタに係るウェハ
内温度特性図、第７図は第１図の拡大図である。 １１・・・サセプタ本体、１２・・・シリコンウェハ、
１３・・・開口部、１４・・・受容面。 出願人代理人　弁理士　鈴　江　武　彦第４図 第６図 第７図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）ウェハ上に被膜を高温で気相成長させる際に用い
    られる気相成長装置用サセプタにおいて、サセプタ本体
    の上部にウェハを載置すべき開口部を設け、この開口部
    の受容面を凸状としたことを特徴とする気相成長装置用
    サセプタ。
  2. （２）ウェハに接する開口部の受容面のウェハ中心から
    の距離をに、ウェハの半径をＲとしたとき、０．３Ｒ≦
    ｒ≦０．８Ｒとし、かつ上記受容面を４次関数、２次関
    数もしくは球状としたことを特徴とする特許請求の範囲
    第１項記載の気相成長装置用サセプタ。
JP6444785A 1985-03-28 1985-03-28 気相成長装置用サセプタ Pending JPS61222221A (ja)

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JP6444785A JPS61222221A (ja) 1985-03-28 1985-03-28 気相成長装置用サセプタ

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JP6444785A JPS61222221A (ja) 1985-03-28 1985-03-28 気相成長装置用サセプタ

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JPS61222221A true JPS61222221A (ja) 1986-10-02

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Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6444785A Pending JPS61222221A (ja) 1985-03-28 1985-03-28 気相成長装置用サセプタ

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4986215A (en) * 1988-09-01 1991-01-22 Kyushu Electronic Metal Co., Ltd. Susceptor for vapor-phase growth system
US5038711A (en) * 1987-03-10 1991-08-13 Sitesa S.A. Epitaxial facility
US5188501A (en) * 1990-04-27 1993-02-23 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Wafer transfer system
US5509464A (en) * 1993-07-30 1996-04-23 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for cooling rectangular substrates
JP2012222284A (ja) * 2011-04-13 2012-11-12 Ibiden Co Ltd エピタキシャル成長用サセプタ、これを用いたエピタキシャル成長装置およびこれを用いたエピタキシャル成長方法

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