JPS61220423A - サセプタ温度補償による熱処理方法 - Google Patents
サセプタ温度補償による熱処理方法Info
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- JPS61220423A JPS61220423A JP6242285A JP6242285A JPS61220423A JP S61220423 A JPS61220423 A JP S61220423A JP 6242285 A JP6242285 A JP 6242285A JP 6242285 A JP6242285 A JP 6242285A JP S61220423 A JPS61220423 A JP S61220423A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 19
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、サセプタ温度補償による熱処理方法に関し
、特にスパイク状の熱処理方法においてサセプタ上での
同−温Ｍ［囲を拡大する熱処理方法に関する。
、特にスパイク状の熱処理方法においてサセプタ上での
同−温Ｍ［囲を拡大する熱処理方法に関する。
（従来技術とその問題点）
従来より使用されているスパイク状の熱処理方法は、半
導体基板を、サセプタに乗せ、あらかじめ加熱された石
英炉心管内に挿入し、スパイク状の熱処理を行った後、
サセプタを石英炉心管内から引出し熱処理前の位置に戻
す熱処理方法が周知である。
導体基板を、サセプタに乗せ、あらかじめ加熱された石
英炉心管内に挿入し、スパイク状の熱処理を行った後、
サセプタを石英炉心管内から引出し熱処理前の位置に戻
す熱処理方法が周知である。
しかしながら、この従来より周知のスパイク熱処理を用
いた場合、サセプタ内の位置によって到達温度の差が生
ずる結果、到達温度は、サセプタ先端部から終端部に行
くに従って低下するため。
いた場合、サセプタ内の位置によって到達温度の差が生
ずる結果、到達温度は、サセプタ先端部から終端部に行
くに従って低下するため。
被処理基板内の均一な熱分布を得られないという重大な
問題が生ずる。
問題が生ずる。
以下図面を参照して説明する。第３図１ａ） 、 （ｂ
） 。
） 。
（Ｃ１は従来より使用されている熱処理方法ｔ−説明す
るための模式図であって、同図ｔａ＋に熱処理を行う前
、（ｂ）は熱処理中、（Ｃ）は熱処理終了後のサセプタ
３１と石英炉心ｇ２４との関係を示す図である。
るための模式図であって、同図ｔａ＋に熱処理を行う前
、（ｂ）は熱処理中、（Ｃ）は熱処理終了後のサセプタ
３１と石英炉心ｇ２４との関係を示す図である。
ａｇ３図（ａ）に示すようにサセプタ３１は熱処理前な
ので、被処理基板が乗せ易く、かつ温度の影響を受けな
い、炉心管外で待機させる。図において３２および３３
はそれぞれサセプタの先端部及び終端部である。又２３
は加熱体であり、又３４は熱電対である。
ので、被処理基板が乗せ易く、かつ温度の影響を受けな
い、炉心管外で待機させる。図において３２および３３
はそれぞれサセプタの先端部及び終端部である。又２３
は加熱体であり、又３４は熱電対である。
第３図（ｂ）に示すよう番乙サセプタは処理温度まで上
昇させるため加熱体２３で加熱された炉心管内に搬送さ
れる。
昇させるため加熱体２３で加熱された炉心管内に搬送さ
れる。
次に、第３図（Ｃ）に示すように、サセプタは処理温度
に達してから炉心管外に冷却のため引き出される。
に達してから炉心管外に冷却のため引き出される。
第４図［ａ） 、 ｌｂ）は従来より使用されているス
パイク状の熱処理方法を用いた場合の熱履歴を説明する
ための図面であって、同図（ａ）は、サセプタ３１と石
英炉心管２４の模式図ｆｔ（ｂ）はスパイク状の熱処理
を行った時の熱履歴図を示す。
パイク状の熱処理方法を用いた場合の熱履歴を説明する
ための図面であって、同図（ａ）は、サセプタ３１と石
英炉心管２４の模式図ｆｔ（ｂ）はスパイク状の熱処理
を行った時の熱履歴図を示す。
＃！４図（ａＪに示す、サセプタ３１の先端部３２と終
端部３３における熱履歴は金属合金化のためのスパイク
状熱処理に除し？ｒｉ、同図１ｂＪに示すように、先端
部３２の熱履歴は４１のようになる。同様に終端ｇ３３
の熱履歴は４２のようになり（炉２４内に挿入される時
間差Δｔにより）到達温度の差が生じ、半導体基板と金
属膜との合金化が不均一となり、接触抵抗が不均一とな
り、半導体素子の均一性ｔ−低下させる。
端部３３における熱履歴は金属合金化のためのスパイク
状熱処理に除し？ｒｉ、同図１ｂＪに示すように、先端
部３２の熱履歴は４１のようになる。同様に終端ｇ３３
の熱履歴は４２のようになり（炉２４内に挿入される時
間差Δｔにより）到達温度の差が生じ、半導体基板と金
属膜との合金化が不均一となり、接触抵抗が不均一とな
り、半導体素子の均一性ｔ−低下させる。
以上述べたように、従来よフ周知の熱処理方法を用いて
半導体基板を熱処理する場合、半導体基板内で処理温度
分布が傾斜してしまうという重大な問題が発生していた
。
半導体基板を熱処理する場合、半導体基板内で処理温度
分布が傾斜してしまうという重大な問題が発生していた
。
（発明の目的）
この発生の目的は、上記の問題点を解決し、サセプタ上
での同一温度範囲を拡大し、半導体基板面内で均一な温
度が得られる半導体基板のサセプタ温度補償による熱処
理方法を提供することにある。
での同一温度範囲を拡大し、半導体基板面内で均一な温
度が得られる半導体基板のサセプタ温度補償による熱処
理方法を提供することにある。
（発明の構成）
本発明のサセプタ温度補償による熱処理方法は。
サセプタ温度を時間推移と共に直線的に上昇させ。
処理温度に達してからは直−的にｍＪｆｔ降下させるよ
うな、スパイク状の熱処理に際して、サセプタ上の１！
度を炉によって加熱するのでなく、サセプタにも、少な
くとも１個のヒータを独立に設置し、サセプタ及び前記
ヒータの設置点での温度を熱電対により測定し、熱処理
中、測定温度差より前記サセプタに設けたヒータを制御
しサセプタの温度を均一化することヲ４！畝として構成
される◎（本発明の作用・原理） 本発明は、サセプタ自身にもヒータを設置し。
うな、スパイク状の熱処理に際して、サセプタ上の１！
度を炉によって加熱するのでなく、サセプタにも、少な
くとも１個のヒータを独立に設置し、サセプタ及び前記
ヒータの設置点での温度を熱電対により測定し、熱処理
中、測定温度差より前記サセプタに設けたヒータを制御
しサセプタの温度を均一化することヲ４！畝として構成
される◎（本発明の作用・原理） 本発明は、サセプタ自身にもヒータを設置し。
加熱された石英炉心管の２面からの加熱によシ、サセプ
タ面内での均一な温度分布か得られる。
タ面内での均一な温度分布か得られる。
（実施例）
第１図（ａ） 、 （ｂＪは本発明の一実施例を説明す
るための！度調節機構の説明図及び熱処理中のサセプタ
と石英炉心管の関係を示す模式図である。
るための！度調節機構の説明図及び熱処理中のサセプタ
と石英炉心管の関係を示す模式図である。
ａｇ１図（ａ） 、 （ｂ）に示すように、サセプタ１
１にヒータ１５，１６’ｉ設置し、それぞれの点を熱電
対１２．１３．１４によって温度を測定する。熱電対１
２の測定温度と、熱゛電対１３．１４で測定した温度を
温度制＃回路１７で、比較し、温度差を補正するように
ヒータ電源１８，１９をｌｔＩ制御する。
１にヒータ１５，１６’ｉ設置し、それぞれの点を熱電
対１２．１３．１４によって温度を測定する。熱電対１
２の測定温度と、熱゛電対１３．１４で測定した温度を
温度制＃回路１７で、比較し、温度差を補正するように
ヒータ電源１８，１９をｌｔＩ制御する。
処理温度に達してからは、炉心冒内からサセプタを引き
出し冷却する。
出し冷却する。
第２図（ａ） 、 （ｂ）は本発明での熱処理方法を用
いた場合のｓ＆１ＩｊＩＳＥを説明する図である。第２
図（ａ）は熱処理中のサセプタと石英炉心゛ｇの模式図
を、第２１（ｂ）はスパイク状の熱感３１！を行った時
の熱履歴図を示す。
いた場合のｓ＆１ＩｊＩＳＥを説明する図である。第２
図（ａ）は熱処理中のサセプタと石英炉心゛ｇの模式図
を、第２１（ｂ）はスパイク状の熱感３１！を行った時
の熱履歴図を示す。
、１ｇ２図【３口こ示すサセプタ１１の先端部２５と終
４ｇ２６におけるスパイク状の熱処理を行ったときの熱
履歴は第２図すの２７に示すようになり。
４ｇ２６におけるスパイク状の熱処理を行ったときの熱
履歴は第２図すの２７に示すようになり。
先端部１５．終端部１６での熱ｍ歴がサセプタ１１に設
置したヒータ１５ｅ１６により補正され一致する。
置したヒータ１５ｅ１６により補正され一致する。
（発明の効果）
本発明によれば、サセプタと石英炉心管の２面から加熱
することにより、サセプタ面内での到達温度に差が生じ
ないために、半導体基板と金属膜の合金化において面内
均一性、及び、値赦枚の処埋が可能となる効果がある。
することにより、サセプタ面内での到達温度に差が生じ
ないために、半導体基板と金属膜の合金化において面内
均一性、及び、値赦枚の処埋が可能となる効果がある。
第１図（ａ） 、 （ｂ）は、本発明の一実施例を説明
するための温度ｍ筒機構の説明図及び熱処理中のサセプ
タと石英炉心管の関係を示す模式図、第２図（ａ）。 （ｂＪは本発明を用いた熱処理の熱履歴ｔ−説明する図
。 第３幽（ａ） 、 （ｂ） 、 （ＣＪは、従来よ）使
用されているスパイク状の熱処理方法を説明するための
模式図。 第４図（ａ） 、 （ｂ）は、従来より ｌＩ用されて
いるスパイク状の熱処理方法を用いた場合の熱履ａｔ説
明するための図である。 １１・・・・・・サセプタ、１２，１３，１４・・・・
・・熱電対、１５．１６・・・・・・ヒータ、１７・・
・・・・温度制御回路、１８，１９・・・・・・ヒータ
電源、２３・・・・・・加熱体。 ２４・・・・・・石英炉心管、２５・・・・・・サセプ
タ先端部。 ２６・・・・・・サセプタ終端部、２７・・・・・・本
発明熱処理方法を用いた際の熱履歴、３１・・・・・・
従来のサセプタ、３２・・・・・・従来サセプタの先端
部、３３・・・・・・従来サセプタの終端部、３４・・
・・・・熱電対、４１・・・・・・従来熱処理方法を用
いた際のサセプタ先湖部での熱ａ鷹、４２・・・・・・
従来熱処理方法を行った際の熱履歴。 代理人 弁理士 内 原 ｆ１４・冑゛：：へ（
ａン 詩 閏 （ｂ） 葉 ２ＷＪ （ｂ） ＣＣ） 憂 ３ｍＩ
するための温度ｍ筒機構の説明図及び熱処理中のサセプ
タと石英炉心管の関係を示す模式図、第２図（ａ）。 （ｂＪは本発明を用いた熱処理の熱履歴ｔ−説明する図
。 第３幽（ａ） 、 （ｂ） 、 （ＣＪは、従来よ）使
用されているスパイク状の熱処理方法を説明するための
模式図。 第４図（ａ） 、 （ｂ）は、従来より ｌＩ用されて
いるスパイク状の熱処理方法を用いた場合の熱履ａｔ説
明するための図である。 １１・・・・・・サセプタ、１２，１３，１４・・・・
・・熱電対、１５．１６・・・・・・ヒータ、１７・・
・・・・温度制御回路、１８，１９・・・・・・ヒータ
電源、２３・・・・・・加熱体。 ２４・・・・・・石英炉心管、２５・・・・・・サセプ
タ先端部。 ２６・・・・・・サセプタ終端部、２７・・・・・・本
発明熱処理方法を用いた際の熱履歴、３１・・・・・・
従来のサセプタ、３２・・・・・・従来サセプタの先端
部、３３・・・・・・従来サセプタの終端部、３４・・
・・・・熱電対、４１・・・・・・従来熱処理方法を用
いた際のサセプタ先湖部での熱ａ鷹、４２・・・・・・
従来熱処理方法を行った際の熱履歴。 代理人 弁理士 内 原 ｆ１４・冑゛：：へ（
ａン 詩 閏 （ｂ） 葉 ２ＷＪ （ｂ） ＣＣ） 憂 ３ｍＩ
Claims (1)
- サセプタの温度を時間堆移と共に直線的に上昇させ、処
理温度に達してからは直線的に温度を降下させるような
スパイク状の熱処理に際して、サセプタ上の温度を炉に
よってのみ加熱するのでなく、サセプタにも少なくとも
１個のヒータを独立に設置し、サセプタ及び前記ヒータ
設置点での温度を熱電対により測定し、熱処理中、測定
温度差より前記サセプターに設けたヒータを制御しサセ
プタの温度を均一化することを特徴とするサセプタ温度
補償による熱処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6242285A JPS61220423A (ja) | 1985-03-27 | 1985-03-27 | サセプタ温度補償による熱処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6242285A JPS61220423A (ja) | 1985-03-27 | 1985-03-27 | サセプタ温度補償による熱処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61220423A true JPS61220423A (ja) | 1986-09-30 |
Family
ID=13199698
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6242285A Pending JPS61220423A (ja) | 1985-03-27 | 1985-03-27 | サセプタ温度補償による熱処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61220423A (ja) |
-
1985
- 1985-03-27 JP JP6242285A patent/JPS61220423A/ja active Pending
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