JPS61220416A - 化学気相成長法 - Google Patents
化学気相成長法Info
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- JPS61220416A JPS61220416A JP6068785A JP6068785A JPS61220416A JP S61220416 A JPS61220416 A JP S61220416A JP 6068785 A JP6068785 A JP 6068785A JP 6068785 A JP6068785 A JP 6068785A JP S61220416 A JPS61220416 A JP S61220416A
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- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
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- H01L21/02381—Silicon, silicon germanium, germanium
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は薄膜の化学気相成長法に係り、特に基板上に異
なる種類の薄膜の同時形成に好適な化学気相成長法に関
する。
なる種類の薄膜の同時形成に好適な化学気相成長法に関
する。
気宇気相成長法における膜形成の開始は基板表面の状態
に対して非常に敏感であることが知られている。最近、
紫外光の照射により基板の表面状態を変えその部分にの
み薄膜を形成する手法がアプライド・フィツクス・レタ
ー（Ａｐｐｌ、 ｐｈｙｓ。
に対して非常に敏感であることが知られている。最近、
紫外光の照射により基板の表面状態を変えその部分にの
み薄膜を形成する手法がアプライド・フィツクス・レタ
ー（Ａｐｐｌ、 ｐｈｙｓ。
Ｌｓｔｔ、 ） ４５ （６） 、 ６１７ （１９８
４） ）に記載されている。この方法はトリイソブチル
アルミニウム（（（Ｃ１，）、ＣＨＣＨ，） 、１）雰
囲気中で石英基板表面にアルゴンイオンレーザの第２高
調波光を照射して膜形成のための核を形成した後、炭酸
ガスレーザ光で基板表面を加熱するものであり、アルミ
ニウム（Ａｊｌ）の薄膜を光照射部分にのみ選択的に形
成できることを示した。
４） ）に記載されている。この方法はトリイソブチル
アルミニウム（（（Ｃ１，）、ＣＨＣＨ，） 、１）雰
囲気中で石英基板表面にアルゴンイオンレーザの第２高
調波光を照射して膜形成のための核を形成した後、炭酸
ガスレーザ光で基板表面を加熱するものであり、アルミ
ニウム（Ａｊｌ）の薄膜を光照射部分にのみ選択的に形
成できることを示した。
しかし、複数種の膜を同時に形成できる方法は、知られ
ていない。
ていない。
本発明の目的は、基板上に異なる種類の薄膜を同時に形
成できる化学気相成長法を提供することにある。
成できる化学気相成長法を提供することにある。
前記のアルミニウム薄膜の化学気相成長法による形成に
おいては、トリイソブチルアルミニウムだけをソースガ
スに使用しているが、他のソースガスを混合して使用し
た場合を考えてみた。膜形成開始のために核形成が必要
があるか否か１よ、使用するソースガスと基板の組合せ
に依存している。
おいては、トリイソブチルアルミニウムだけをソースガ
スに使用しているが、他のソースガスを混合して使用し
た場合を考えてみた。膜形成開始のために核形成が必要
があるか否か１よ、使用するソースガスと基板の組合せ
に依存している。
ソースガスＡとして、光を照射して核の形成された表面
にのみ膜形成可能なものを、ソースガスＢとしては膜形
成の開始に光照射による核形成が不必要なものを選ぶ、
このようにすれば、光照射により核形成された部分には
ソースガスＡとソースガスＢの両者から供給された原子
で構成された化合物の薄膜が、光の非照射部にはソース
ガスＢから供給された原子のみで構成された薄膜が形成
される。
にのみ膜形成可能なものを、ソースガスＢとしては膜形
成の開始に光照射による核形成が不必要なものを選ぶ、
このようにすれば、光照射により核形成された部分には
ソースガスＡとソースガスＢの両者から供給された原子
で構成された化合物の薄膜が、光の非照射部にはソース
ガスＢから供給された原子のみで構成された薄膜が形成
される。
以下本発明の一実施例を第１図、第２図、第３図により
説明する。
説明する。
本実施例に使用した装置を第２図に示した。ステンレス
製反応容器７に、アルゴンイオンレーザの第２高調波光
１を導入するための石英製窓８゜ソースガスの導入系６
．排気系１０が接続されている。
製反応容器７に、アルゴンイオンレーザの第２高調波光
１を導入するための石英製窓８゜ソースガスの導入系６
．排気系１０が接続されている。
（実施例１）
本実施例は、シリコン基板上に多結晶シリコンとアルミ
ニウムシリサイドを同時に形成したものである。まず反
応容器７内を真空排気系１０により１０−７ｏｒｒまで
排気した後トリイソブチルアルミニウムを飽和蒸気圧ま
で導入し、５ｍＷのアルゴンイオンレーザの第２高調波
光１をシリコン基板２の中央部３に幅１０μｍのストラ
イプ状に照射した。次に、ヒータ９により基板２を５０
０℃まで加熱してジシランを１０Ｔｏｒｒまで導入した
。
ニウムシリサイドを同時に形成したものである。まず反
応容器７内を真空排気系１０により１０−７ｏｒｒまで
排気した後トリイソブチルアルミニウムを飽和蒸気圧ま
で導入し、５ｍＷのアルゴンイオンレーザの第２高調波
光１をシリコン基板２の中央部３に幅１０μｍのストラ
イプ状に照射した。次に、ヒータ９により基板２を５０
０℃まで加熱してジシランを１０Ｔｏｒｒまで導入した
。
すると、第１図（ｂ）に示したように光を照射した部分
３上にはアルミニウムシリサイド膜５が、それ以外の部
分には多結晶シリコン膜が形成された。このときのアル
ミニウムシリサイド膜の形成速度は６０ ｎ ｍ／ｓｉ
ｎ 、多結晶シリコン膜の形成速度は４０ ｎ ｍ／ｗ
ｉｎであった。
３上にはアルミニウムシリサイド膜５が、それ以外の部
分には多結晶シリコン膜が形成された。このときのアル
ミニウムシリサイド膜の形成速度は６０ ｎ ｍ／ｓｉ
ｎ 、多結晶シリコン膜の形成速度は４０ ｎ ｍ／ｗ
ｉｎであった。
（実施例２）
本実施例は、ガリウムアルミニウム砒素（Ｇａｉ−ｊ
４１ 、Ａｓ）基板上に、ガリウム砒素（ＧａＡｓｓ）
がガリウムアルミニウム砒素に埋め込まれた構造を形成
したものである。トリイソブチルアルミニウムを２０５
ＣＣＭ流した反応容器７内で第３図（ａ）に示すように
、ガリウムアルミニウム砒素基板１１上にガリウム砒素
を形成しようとする領域以外の部分３にアルゴンイオン
レーザの第２高調波光１を照射した。その後、基板をヒ
ータ９により３００℃まで加熱し、トリメチルガリウム
（Ｇａ（ＣＨｚ）−）をＩＯ３Ｃ０Ｍ、アルシン（Ａｓ
Ｈ，）を２５ＳＣＣＭＳ分間導入した。この結果第３図
（ｂ）に示したように、光を照射しなかった部分上には
ガリウム砒素膜１２が、光を照射した部分３上にはガリ
ウムアルミニウム砒素膜１３が形成された。
４１ 、Ａｓ）基板上に、ガリウム砒素（ＧａＡｓｓ）
がガリウムアルミニウム砒素に埋め込まれた構造を形成
したものである。トリイソブチルアルミニウムを２０５
ＣＣＭ流した反応容器７内で第３図（ａ）に示すように
、ガリウムアルミニウム砒素基板１１上にガリウム砒素
を形成しようとする領域以外の部分３にアルゴンイオン
レーザの第２高調波光１を照射した。その後、基板をヒ
ータ９により３００℃まで加熱し、トリメチルガリウム
（Ｇａ（ＣＨｚ）−）をＩＯ３Ｃ０Ｍ、アルシン（Ａｓ
Ｈ，）を２５ＳＣＣＭＳ分間導入した。この結果第３図
（ｂ）に示したように、光を照射しなかった部分上には
ガリウム砒素膜１２が、光を照射した部分３上にはガリ
ウムアルミニウム砒素膜１３が形成された。
この時の膜形成速度はガリウム砒素が３０ｎｍ／ｗｉｎ
、ガリウムアルミニウム砒素が４５ ｎ ｍ ／ｓｉ
ｎであった。ガリウムアルミニウムの組成はＧａ、、、
Ａ Ｑ 、、、 Ａｓのとおりであった。さらに、形
成されたガリウム砒素膜１２上にもアルゴンイオンレー
ザの第２高調波光１を照射した後トリメチルガリウムＩ
ＯＳＣＣＭ、トリイソブチルアルミニウム２０３ＣＣＭ
、アルシン２５３ＣＣＭを３分間導入してガリウム砒素
膜１３上にもガリウムアルミニウム砒素膜が形成され、
第３図（ｃ）に示すようにガリウム砒素がガリウムアル
ミニウム砒素内に埋め込まれた構造が形成された。
、ガリウムアルミニウム砒素が４５ ｎ ｍ ／ｓｉ
ｎであった。ガリウムアルミニウムの組成はＧａ、、、
Ａ Ｑ 、、、 Ａｓのとおりであった。さらに、形
成されたガリウム砒素膜１２上にもアルゴンイオンレー
ザの第２高調波光１を照射した後トリメチルガリウムＩ
ＯＳＣＣＭ、トリイソブチルアルミニウム２０３ＣＣＭ
、アルシン２５３ＣＣＭを３分間導入してガリウム砒素
膜１３上にもガリウムアルミニウム砒素膜が形成され、
第３図（ｃ）に示すようにガリウム砒素がガリウムアル
ミニウム砒素内に埋め込まれた構造が形成された。
このように１本発明によれば、光を照射した部分と照射
しなかった部分で異なる種類の薄膜を形成できる。
しなかった部分で異なる種類の薄膜を形成できる。
本発明によれば、異なった種類の薄膜を基板上に同時に
形成できるので、半導体装置製造工程を簡略化すること
ができる。
形成できるので、半導体装置製造工程を簡略化すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例を示す工程図、第２図は本発
明において使用する装置の一例を示す模式図、第３図は
本発明の他の実施例を示す工程図である。 １・・・アルゴンイオンレーザの第２高調波光、２・・
・シリコン基板、３・・・光照射部、４・・・多結晶シ
リコン膜、５・・・アルミニウムシリサイド膜、６・・
・ソースガスの導入系、７・・・ステンレス製反応容器
、８・・・石英窓、９・・・ヒータ、１０・・・真空排
気系、１１・・・ガリウムアルミニウム砒素膜、１２・
・・ガリウム砒素膜、１３・・・ガリウムアルミニウム
膜。 蔓１図 （６し） ＶＪｚ図 第 ３ 図 （＾り （ｂ〕
明において使用する装置の一例を示す模式図、第３図は
本発明の他の実施例を示す工程図である。 １・・・アルゴンイオンレーザの第２高調波光、２・・
・シリコン基板、３・・・光照射部、４・・・多結晶シ
リコン膜、５・・・アルミニウムシリサイド膜、６・・
・ソースガスの導入系、７・・・ステンレス製反応容器
、８・・・石英窓、９・・・ヒータ、１０・・・真空排
気系、１１・・・ガリウムアルミニウム砒素膜、１２・
・・ガリウム砒素膜、１３・・・ガリウムアルミニウム
膜。 蔓１図 （６し） ＶＪｚ図 第 ３ 図 （＾り （ｂ〕
Claims (1)
- 複数種のソースガスを分解して基板上に薄膜を形成する
方法において、上記基板の所望部分に光を照射すること
により、上記光の照射部分と非照射部分で異なる種類の
薄膜を形成することを特徴とする化学気相成長法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6068785A JPH0713944B2 (ja) | 1985-03-27 | 1985-03-27 | 化学気相成長法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6068785A JPH0713944B2 (ja) | 1985-03-27 | 1985-03-27 | 化学気相成長法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61220416A true JPS61220416A (ja) | 1986-09-30 |
| JPH0713944B2 JPH0713944B2 (ja) | 1995-02-15 |
Family
ID=13149461
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6068785A Expired - Lifetime JPH0713944B2 (ja) | 1985-03-27 | 1985-03-27 | 化学気相成長法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0713944B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5429985A (en) * | 1994-01-18 | 1995-07-04 | Midwest Research Institute | Fabrication of optically reflecting ohmic contacts for semiconductor devices |
| US5897331A (en) * | 1996-11-08 | 1999-04-27 | Midwest Research Institute | High efficiency low cost thin film silicon solar cell design and method for making |
-
1985
- 1985-03-27 JP JP6068785A patent/JPH0713944B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5429985A (en) * | 1994-01-18 | 1995-07-04 | Midwest Research Institute | Fabrication of optically reflecting ohmic contacts for semiconductor devices |
| US5897331A (en) * | 1996-11-08 | 1999-04-27 | Midwest Research Institute | High efficiency low cost thin film silicon solar cell design and method for making |
| US6201261B1 (en) | 1996-11-08 | 2001-03-13 | Midwest Research Institute | High efficiency, low cost, thin film silicon solar cell design and method for making |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0713944B2 (ja) | 1995-02-15 |
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