JPS61220380A - 光起電力素子用基板 - Google Patents
光起電力素子用基板Info
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- JPS61220380A JPS61220380A JP60061134A JP6113485A JPS61220380A JP S61220380 A JPS61220380 A JP S61220380A JP 60061134 A JP60061134 A JP 60061134A JP 6113485 A JP6113485 A JP 6113485A JP S61220380 A JPS61220380 A JP S61220380A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は水素化された非晶質シリコン（以下ａ−５ｉと
略す）等を用いた光起電力素子を作成する基板に関する
。
略す）等を用いた光起電力素子を作成する基板に関する
。
従来の技術
従来のａ−５ｉ光起電力素子では、第３図に示すような
素子構成となっていた。同図において１は絶縁膜で基体
ｅ上に形成され絶縁性基板を構成している。２は下部電
極となる膜１上に形成された導電膜、３は導電膜２上に
形成されたａ−８ｉ膜。
素子構成となっていた。同図において１は絶縁膜で基体
ｅ上に形成され絶縁性基板を構成している。２は下部電
極となる膜１上に形成された導電膜、３は導電膜２上に
形成されたａ−８ｉ膜。
４は透光性電極、！−ＩＬ、５−ｂは電力をとり出す電
極である。第３図の素子を実現させるための基板の構造
は第４図に示すような平面および断面をもっていた。す
なわち導電性薄板６の表面を電気的に絶縁化するための
膜１を形成し下部電極と碌る導電膜２を蒸着したもので
ある。
極である。第３図の素子を実現させるための基板の構造
は第４図に示すような平面および断面をもっていた。す
なわち導電性薄板６の表面を電気的に絶縁化するための
膜１を形成し下部電極と碌る導電膜２を蒸着したもので
ある。
発明が解決しようとする問題点
しかしながらこのような構成では、電力をとり出す電極
５−ＩＬ、５−ｂが光起電力素子の両端にあるためリー
ド線を別個に２ケ所とらなければならなかった。また、
基板上に構成する単一素子の配置から、とり出し電極５
−ＩＬ、５−ｂは面積が小さなものしかできなかった。
５−ＩＬ、５−ｂが光起電力素子の両端にあるためリー
ド線を別個に２ケ所とらなければならなかった。また、
基板上に構成する単一素子の配置から、とり出し電極５
−ＩＬ、５−ｂは面積が小さなものしかできなかった。
面積が大きいほど組立てやすく、かつリード線との接続
の信頼性が向上する。
の信頼性が向上する。
問題点を解決するための手段
この問題点を解決するために本発明は基板の基体として
用いられていた導電性薄板例えば金属板を２つ以上に分
けるものである。
用いられていた導電性薄板例えば金属板を２つ以上に分
けるものである。
作用
この構成により本発明は、２個の取り出し電極を基板中
の複数枚の金属板にそれぞれ接続し、光起電力素子を構
成した側とは反対側の基板表面の絶縁物をとり除き、実
効的に取り出し電極の位置を変えることができ、かつ電
極面積を大きくするものである。
の複数枚の金属板にそれぞれ接続し、光起電力素子を構
成した側とは反対側の基板表面の絶縁物をとり除き、実
効的に取り出し電極の位置を変えることができ、かつ電
極面積を大きくするものである。
実施例
第１図は本発明の一実施例によるアモルファス光起電力
素子用基板の平面図と断面図であり、第１図において１
０−＆、１０−ｂは導電性薄板であり１１は薄板１０−
ａ、１０−ｂ上に形成された絶縁性膜である。１０−Ｉ
Ｌ 、 １０−ｂは例えばムｌやステンレス、鉄等の薄
板であり、１１は耐熱性の高分子樹脂例えばポリイミド
、ポリアミド等や絶縁フェス等を塗布すれば実現できる
。導電性部分１２−ＩＬ 、 １２−ｂ 、 １２−０
、１２−（！は樹脂等を塗布する場合マスクによって
塗布されないようにした。また２個の導電性薄板１０−
＆。
素子用基板の平面図と断面図であり、第１図において１
０−＆、１０−ｂは導電性薄板であり１１は薄板１０−
ａ、１０−ｂ上に形成された絶縁性膜である。１０−Ｉ
Ｌ 、 １０−ｂは例えばムｌやステンレス、鉄等の薄
板であり、１１は耐熱性の高分子樹脂例えばポリイミド
、ポリアミド等や絶縁フェス等を塗布すれば実現できる
。導電性部分１２−ＩＬ 、 １２−ｂ 、 １２−０
、１２−（！は樹脂等を塗布する場合マスクによって
塗布されないようにした。また２個の導電性薄板１０−
＆。
１０−ｂは、予め耐熱性樹脂で接着するかまたは粘着テ
ープで薄板１０−ＩＬ 、 １０−ｂを適当な距離をお
いて固定しておき耐熱性樹脂を塗布し固化させる過程で
粘着テープをはがす等の方法を用いて一体固定が実現さ
れる。導電部分１２−０゜１２−ｄは基板面のどの位置
にあっても良く、また耐熱性樹脂を裏面（断面図におい
て手前の基板面）には塗布せず全面導電部分にしても良
い。
ープで薄板１０−ＩＬ 、 １０−ｂを適当な距離をお
いて固定しておき耐熱性樹脂を塗布し固化させる過程で
粘着テープをはがす等の方法を用いて一体固定が実現さ
れる。導電部分１２−０゜１２−ｄは基板面のどの位置
にあっても良く、また耐熱性樹脂を裏面（断面図におい
て手前の基板面）には塗布せず全面導電部分にしても良
い。
第２図は導電性薄板にムｌ薄板２０−＆、２０−ｂを用
い表面を陽極酸化させてアルミニウム酸化膜２１とした
ものである。サンドブラスト等機械的にアルミニウム酸
化膜２１を取り除いて導電性部分２２−ＩＬ、 ２２−
ｂ 、 ２２−ｃ 、 ２２−ｅｌを形成しても良く、
またムｌ薄板２Ｏ−ＩＬ 、 ２０−ｂを陽極酸化させ
る際適当にマスクして酸化されないようにしても良い。
い表面を陽極酸化させてアルミニウム酸化膜２１とした
ものである。サンドブラスト等機械的にアルミニウム酸
化膜２１を取り除いて導電性部分２２−ＩＬ、 ２２−
ｂ 、 ２２−ｃ 、 ２２−ｅｌを形成しても良く、
またムｌ薄板２Ｏ−ＩＬ 、 ２０−ｂを陽極酸化させ
る際適当にマスクして酸化されないようにしても良い。
ムｌ薄板２０−＆、２０−ｂは耐熱性樹脂２３例えばポ
リイミド等によって一体化させることができる。
リイミド等によって一体化させることができる。
以上、第１図および第２図に示した基板を用い。
この基板上に下部電極となる導電膜２例えばＯｒやＴ１
等の蒸着膜、ａ−８ｉ膜３．上部電極となる透光性導電
膜４例えばｘｎ 、 Ｓｎ 、 ｃａ等の酸化物の蒸着
膜を形成することによって第３図と同様のアモルファス
シリコン光起電力素子が構成される。
等の蒸着膜、ａ−８ｉ膜３．上部電極となる透光性導電
膜４例えばｘｎ 、 Ｓｎ 、 ｃａ等の酸化物の蒸着
膜を形成することによって第３図と同様のアモルファス
シリコン光起電力素子が構成される。
第３図に示した従来例とは異なり、取シ出し電極の位置
を変えたシ面積を大きくすることができる。
を変えたシ面積を大きくすることができる。
なお、第１，２図には２〜５−ＩＬ、５−ｂは第１図の
基板の導電性部分１２−Ｃと１２−ｄをそれぞれ導電体
（図示せず）を介して２個の外部電極（図示せず）に接
続する。たとえば導電性部分１２−Ｃが上電極、１２−
（！が一電極となシ、矢印の経路でａ−８ｉ膜に電気的
に接続される。この構造によれば、受光部と反対側の面
から電極をとシ出すことができ、受光部側の制約を少な
くでき。
基板の導電性部分１２−Ｃと１２−ｄをそれぞれ導電体
（図示せず）を介して２個の外部電極（図示せず）に接
続する。たとえば導電性部分１２−Ｃが上電極、１２−
（！が一電極となシ、矢印の経路でａ−８ｉ膜に電気的
に接続される。この構造によれば、受光部と反対側の面
から電極をとシ出すことができ、受光部側の制約を少な
くでき。
受光面積も大きくできる。
また、第２図では、導電性部分２２−ｂ、２２−ｄから
第１図の場合と同様に電極とり出しを行えばよい。この
場合は、五！薄板２０−ｂは電極とり出し用のみに使用
するだめ、薄板２０−ｂは極めて小さいものでよ（、ａ
−８ｉ膜の大部分は大面積のムｌ薄板２０−ａ上に形成
することが可能となｌ）、ａ−５ｉ膜の受けるストレス
が第１図の場合よりも小さくなる。
第１図の場合と同様に電極とり出しを行えばよい。この
場合は、五！薄板２０−ｂは電極とり出し用のみに使用
するだめ、薄板２０−ｂは極めて小さいものでよ（、ａ
−８ｉ膜の大部分は大面積のムｌ薄板２０−ａ上に形成
することが可能となｌ）、ａ−５ｉ膜の受けるストレス
が第１図の場合よりも小さくなる。
発明の効果
以上のように本発明によれば、アモルファスシリコン等
の光起電力素子に用いられている基板の導電性基体を利
用し、取り出し電極の位置を変えることができ、電極の
面積を大きくすることができるため、外部電極と素子と
の接続が容易になりそのため信頼性が向上するという効
果が得られる。
の光起電力素子に用いられている基板の導電性基体を利
用し、取り出し電極の位置を変えることができ、電極の
面積を大きくすることができるため、外部電極と素子と
の接続が容易になりそのため信頼性が向上するという効
果が得られる。
【図面の簡単な説明】
第１図（Ａ）、β）は本発明の一実施例によるアモルフ
ァスシリコン光起電力素子用基板の平面図、１− Ｉ’
線断面図、第２図（＆） 、 Ｔ３）は本発明の他の実
施例による基板の平面図、ｎ−ｎ’線断面図、第３図（
Ａ） 、 （Ｂ）は従来のアモルファスシリコン光起電
力素子の構成を示す平面図、ｍ−ｍ’線断面図、第４１
０−ＩＬ 、 １０−ｂ・・・・・・導電性薄板、１１
・・・・・・絶縁性膜、１２−ＩＬ 、 １２−ｂ 、
１２−０ 。 １２−＋１ 、２２−１．２２−ｂ 、 ２２−１゜２
２−ｄ・・・・・・導電性部分、２０−＆ 、２０−ｂ
・・・・・・ムＥ薄板、２１・・・・・・アルミニウム
酸化膜、２３・・・・・・耐熱性樹脂。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名区 ｑ； 諏
ァスシリコン光起電力素子用基板の平面図、１− Ｉ’
線断面図、第２図（＆） 、 Ｔ３）は本発明の他の実
施例による基板の平面図、ｎ−ｎ’線断面図、第３図（
Ａ） 、 （Ｂ）は従来のアモルファスシリコン光起電
力素子の構成を示す平面図、ｍ−ｍ’線断面図、第４１
０−ＩＬ 、 １０−ｂ・・・・・・導電性薄板、１１
・・・・・・絶縁性膜、１２−ＩＬ 、 １２−ｂ 、
１２−０ 。 １２−＋１ 、２２−１．２２−ｂ 、 ２２−１゜２
２−ｄ・・・・・・導電性部分、２０−＆ 、２０−ｂ
・・・・・・ムＥ薄板、２１・・・・・・アルミニウム
酸化膜、２３・・・・・・耐熱性樹脂。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名区 ｑ； 諏
Claims (1)
- 少なくも２枚の導電性薄板の表面を少なくも２ケ所ずつ
残して絶縁化し互いに電気的に絶縁した状態で一体化し
たことを特徴とする光起電力素子用基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60061134A JPS61220380A (ja) | 1985-03-26 | 1985-03-26 | 光起電力素子用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60061134A JPS61220380A (ja) | 1985-03-26 | 1985-03-26 | 光起電力素子用基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61220380A true JPS61220380A (ja) | 1986-09-30 |
Family
ID=13162304
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60061134A Pending JPS61220380A (ja) | 1985-03-26 | 1985-03-26 | 光起電力素子用基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61220380A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101074676B1 (ko) * | 2009-06-30 | 2011-10-19 | 주식회사 제이몬 | 후면전극 및 기판으로 철을 이용한 화합물 반도체 박막형 태양전지 |
-
1985
- 1985-03-26 JP JP60061134A patent/JPS61220380A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101074676B1 (ko) * | 2009-06-30 | 2011-10-19 | 주식회사 제이몬 | 후면전극 및 기판으로 철을 이용한 화합물 반도체 박막형 태양전지 |
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