JPH04218980A - 光起電力装置の製造方法 - Google Patents
光起電力装置の製造方法Info
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- JPH04218980A JPH04218980A JP3070079A JP7007991A JPH04218980A JP H04218980 A JPH04218980 A JP H04218980A JP 3070079 A JP3070079 A JP 3070079A JP 7007991 A JP7007991 A JP 7007991A JP H04218980 A JPH04218980 A JP H04218980A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、可撓性を有する光起電
力装置およびその製造方法に関する。
力装置およびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】可撓性を有する光起電力装置の製造方法
が、特開平1−105581号公報に開示されている。 従来の可撓性光起電力装置の製造方法について図6に従
い説明する。
が、特開平1−105581号公報に開示されている。 従来の可撓性光起電力装置の製造方法について図6に従
い説明する。
【0003】まず図6(A)に示すように、支持基板1
上に、可撓性を有する透光性絶縁膜2を設け、この透光
性絶縁膜2上に順次透明電極、光活性層を含む非晶質半
導体層、裏面電極からなる光電変換部3を形成する。そ
して、裏面電極側には出力端子4が設けられている。
上に、可撓性を有する透光性絶縁膜2を設け、この透光
性絶縁膜2上に順次透明電極、光活性層を含む非晶質半
導体層、裏面電極からなる光電変換部3を形成する。そ
して、裏面電極側には出力端子4が設けられている。
【0004】次に、図6(B)に示すように、裏面電極
側に、出力端子4部分が切り取られた樹脂層5を添着し
た後、図6(C)に示すように、上記積層体を水中に浸
漬し、支持基板1より透光性絶縁膜2を剥離することに
より、図6(D)に示す可撓性光起電力装置を得る。
側に、出力端子4部分が切り取られた樹脂層5を添着し
た後、図6(C)に示すように、上記積層体を水中に浸
漬し、支持基板1より透光性絶縁膜2を剥離することに
より、図6(D)に示す可撓性光起電力装置を得る。
【0005】尚、上述した光起電力装置の場合、支持基
板1より分離後に透光性絶縁膜2、透明電極、非晶質半
導体層及び裏面電極の積層体のみでは、透光性絶縁膜2
側へ素子がロール状にカールするので、このカールを防
止するため、裏面電極の上面に積層体の持つ内部応力と
同等の応力を持つ樹脂層5を積層している。
板1より分離後に透光性絶縁膜2、透明電極、非晶質半
導体層及び裏面電極の積層体のみでは、透光性絶縁膜2
側へ素子がロール状にカールするので、このカールを防
止するため、裏面電極の上面に積層体の持つ内部応力と
同等の応力を持つ樹脂層5を積層している。
【0006】ところで上述した透光性絶縁膜2としては
、耐熱性に優れる透明ポリイミド樹脂が用いられている
。そしてポリイミド樹脂を使用しているために、可撓性
を有し、折り曲げが可能であり、また曲面への貼付けも
容易である。。
、耐熱性に優れる透明ポリイミド樹脂が用いられている
。そしてポリイミド樹脂を使用しているために、可撓性
を有し、折り曲げが可能であり、また曲面への貼付けも
容易である。。
【0007】一方、透明電極と光活性層を含む非晶質半
導体層と裏面電極とからなる光電変換素子は、製造上の
制約から余り大きな面積とすることはできず、現在のと
ころ10cm角程度のものが良いとされている。従って
、数W以上の電力を出力する電力用光起電力装置を形成
する場合、10cm角の光電変換素子を多数枚組み合わ
せる手法が用いられている。
導体層と裏面電極とからなる光電変換素子は、製造上の
制約から余り大きな面積とすることはできず、現在のと
ころ10cm角程度のものが良いとされている。従って
、数W以上の電力を出力する電力用光起電力装置を形成
する場合、10cm角の光電変換素子を多数枚組み合わ
せる手法が用いられている。
【0008】上述した光電変換素子を多数枚組み合わせ
るには、図6に示す可撓性の光起電力装置を複数枚準備
し、各装置の出力端子4間をリード線を用いて半田付け
などにより電気的に接続する。そして、複数の光起電力
装置を含む長さを有するポリエチレンテレフタレート(
以下、PETという。)などからなる表面保護シートを
受光面側、即ち透光性絶縁膜2に接着した後、電極並び
にリード線を被覆するために同じくPETなどからなる
裏面保護シートを樹脂層5の上に接着して大面積化を図
っている。
るには、図6に示す可撓性の光起電力装置を複数枚準備
し、各装置の出力端子4間をリード線を用いて半田付け
などにより電気的に接続する。そして、複数の光起電力
装置を含む長さを有するポリエチレンテレフタレート(
以下、PETという。)などからなる表面保護シートを
受光面側、即ち透光性絶縁膜2に接着した後、電極並び
にリード線を被覆するために同じくPETなどからなる
裏面保護シートを樹脂層5の上に接着して大面積化を図
っている。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したよ
うに大面積化を図った場合、カールを防止するための樹
脂層の上に、更に、リード線を被覆保護するための保護
シートを設ける必要があり、部品点数が増加する。
うに大面積化を図った場合、カールを防止するための樹
脂層の上に、更に、リード線を被覆保護するための保護
シートを設ける必要があり、部品点数が増加する。
【0010】更に、光起電力装置を可撓性をもったまま
の状態で多数枚を組み合わせて大面積化を図ることは取
扱いが困難で、また光電変換素子の表裏面に、透光性樹
脂層2、樹脂層5及び表裏面保護シートの合計4つの層
またはシートがあるため、可撓性が失われたり、光透過
率が悪くなって光電変換効率を低下させるなどの問題点
があった。
の状態で多数枚を組み合わせて大面積化を図ることは取
扱いが困難で、また光電変換素子の表裏面に、透光性樹
脂層2、樹脂層5及び表裏面保護シートの合計4つの層
またはシートがあるため、可撓性が失われたり、光透過
率が悪くなって光電変換効率を低下させるなどの問題点
があった。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明の光起電力装置は
、透明電極と非晶質半導体層と裏面電極とを積層形成し
た可撓性の光電変換部の透明電極側に(または裏面電極
側に)、可撓性かつ透光性の(または可撓性の)絶縁膜
を添着してなる光電変換素子を複数個並設し、この光電
変換素子の出力端子間を電気的接続部にて接続すると共
に、前記複数の光電変換素子を含む長さを有する可撓性
の(または可撓性かつ透光性の)絶縁膜を裏面電極側に
(または透明電極側に)添着し、複数枚の光電変換素子
を機械的に連結している。
、透明電極と非晶質半導体層と裏面電極とを積層形成し
た可撓性の光電変換部の透明電極側に(または裏面電極
側に)、可撓性かつ透光性の(または可撓性の)絶縁膜
を添着してなる光電変換素子を複数個並設し、この光電
変換素子の出力端子間を電気的接続部にて接続すると共
に、前記複数の光電変換素子を含む長さを有する可撓性
の(または可撓性かつ透光性の)絶縁膜を裏面電極側に
(または透明電極側に)添着し、複数枚の光電変換素子
を機械的に連結している。
【0012】また、本発明による第1の製造方法は、支
持基板上に可撓性の透光性絶縁膜と透明電極と非晶質半
導体層と裏面電極とを順次積層形成した光電変換素子基
体を複数個準備し、この複数の光電変換素子を含む長さ
を有する可撓性絶縁膜を前記裏面電極側に添着して機械
的に連結した後、前記支持基板と透光性絶縁膜とを分離
している。
持基板上に可撓性の透光性絶縁膜と透明電極と非晶質半
導体層と裏面電極とを順次積層形成した光電変換素子基
体を複数個準備し、この複数の光電変換素子を含む長さ
を有する可撓性絶縁膜を前記裏面電極側に添着して機械
的に連結した後、前記支持基板と透光性絶縁膜とを分離
している。
【0013】更に、本発明による第2の製造方法は、支
持基板上に可撓性絶縁膜と裏面電極と非晶質半導体層と
透明電極とを順次積層形成した光電変換素子基体を複数
個準備し、この複数の光電変換素子を含む長さを有する
可撓性の透光性絶縁膜を前記透明電極側に添着して機械
的に連結した後、前記支持基板と可撓性絶縁膜とを分離
している。
持基板上に可撓性絶縁膜と裏面電極と非晶質半導体層と
透明電極とを順次積層形成した光電変換素子基体を複数
個準備し、この複数の光電変換素子を含む長さを有する
可撓性の透光性絶縁膜を前記透明電極側に添着して機械
的に連結した後、前記支持基板と可撓性絶縁膜とを分離
している。
【0014】
【作用】本発明によれば、複数個の光電変換素子を組み
合わせるための新たな部材を必要としない。
合わせるための新たな部材を必要としない。
【0015】また、本発明の製造法によれば、複数の光
電変換素子基体は機械的強度を十分有しているので、連
結の取り扱いが極めて容易に行えると共に、この支持基
板と絶縁膜との分離の際、複数の光電変換素子を機械的
に連結するべく添着された絶縁膜の持つ応力により、カ
ールが防止される。
電変換素子基体は機械的強度を十分有しているので、連
結の取り扱いが極めて容易に行えると共に、この支持基
板と絶縁膜との分離の際、複数の光電変換素子を機械的
に連結するべく添着された絶縁膜の持つ応力により、カ
ールが防止される。
【0016】
【実施例】本発明の第1の実施例につき図1及び図2に
従い説明する。図1及び図2は、本実施例に係る光起電
力装置を工程順に示す断面図である。
従い説明する。図1及び図2は、本実施例に係る光起電
力装置を工程順に示す断面図である。
【0017】まず、図1(A)に示すように、ガラス、
セラミックス等の支持基板1上に、透明ポリイミドから
なる透光性かつ絶縁性の透光性絶縁膜2が設けられ、こ
の透光性絶縁膜2上に透明電極と光活性層を含む非晶質
半導体層と裏面電極とからなる可撓性の光電変換部3が
形成された光電変換素子基体10を複数個用意する。こ
の光電変換素子基体10の裏面電極側には、前述の従来
装置と同じく出力端子4が設けられている。
セラミックス等の支持基板1上に、透明ポリイミドから
なる透光性かつ絶縁性の透光性絶縁膜2が設けられ、こ
の透光性絶縁膜2上に透明電極と光活性層を含む非晶質
半導体層と裏面電極とからなる可撓性の光電変換部3が
形成された光電変換素子基体10を複数個用意する。こ
の光電変換素子基体10の裏面電極側には、前述の従来
装置と同じく出力端子4が設けられている。
【0018】ここで、注目すべきところは、前述した従
来装置の如く、支持基板1より光電変換素子を分離した
際に生じるカールを防止するための樹脂層を設けていな
いことである。
来装置の如く、支持基板1より光電変換素子を分離した
際に生じるカールを防止するための樹脂層を設けていな
いことである。
【0019】次に、図1(B)に示すように、複数の光
電変換素子基体10の各出力端子4間をリード線7で電
気的に接続する。この接続作業は、光電変換素子基体1
0に支持基板1が取り付けられたままの状態で行われる
ため、容易に行うことができる。
電変換素子基体10の各出力端子4間をリード線7で電
気的に接続する。この接続作業は、光電変換素子基体1
0に支持基板1が取り付けられたままの状態で行われる
ため、容易に行うことができる。
【0020】続いて、図1(C)に示すように、複数の
光電変換素子を含む長さを有する熱可塑性樹脂が被着さ
れたPETなどからなる裏面フィルム9を出力端子4、
リード線7を覆って、裏面電極側に熱ローラでラミネー
トすることにより添着して複数の光電変換素子基体10
を機械的に連結する。その状態で図1(D)に示すよう
に、光電変換素子基体10を水中へ浸漬することにより
、または機械的に、支持基板1と透光性絶縁膜2の間を
分離し、光電変換部3が機械的に連結された大面積の光
起電力装置を構成する。この支持基板1と透光性絶縁膜
2との分離の際、裏面電極側に添着した裏面フィルム9
の持つ応力により、カールが防止される。
光電変換素子を含む長さを有する熱可塑性樹脂が被着さ
れたPETなどからなる裏面フィルム9を出力端子4、
リード線7を覆って、裏面電極側に熱ローラでラミネー
トすることにより添着して複数の光電変換素子基体10
を機械的に連結する。その状態で図1(D)に示すよう
に、光電変換素子基体10を水中へ浸漬することにより
、または機械的に、支持基板1と透光性絶縁膜2の間を
分離し、光電変換部3が機械的に連結された大面積の光
起電力装置を構成する。この支持基板1と透光性絶縁膜
2との分離の際、裏面電極側に添着した裏面フィルム9
の持つ応力により、カールが防止される。
【0021】以上の工程により大面積の光起電力装置が
一応完成するが、本実施例にあっては、更に、図2に示
すように、熱可塑性樹脂が被着されたPETなどからな
る表面フィルム8を透光性絶縁膜2側から熱ローラでラ
ミネートすることにより、表裏面がフィルム8、9で被
覆保護された大面積の光起電力装置を、最終的に完成さ
せている。
一応完成するが、本実施例にあっては、更に、図2に示
すように、熱可塑性樹脂が被着されたPETなどからな
る表面フィルム8を透光性絶縁膜2側から熱ローラでラ
ミネートすることにより、表裏面がフィルム8、9で被
覆保護された大面積の光起電力装置を、最終的に完成さ
せている。
【0022】而して、各光電変換素子の出力端子4を接
続するリード線7は裏面フィルム9により被覆されてお
り、複数の光電変換素子の機械的連結とリード線7の被
覆保護が同時に行える。
続するリード線7は裏面フィルム9により被覆されてお
り、複数の光電変換素子の機械的連結とリード線7の被
覆保護が同時に行える。
【0023】こうして完成された光起電力装置において
は、表面フィルム8側からの入射光により、光起電力が
発生する。
は、表面フィルム8側からの入射光により、光起電力が
発生する。
【0024】次に、本発明の第2の実施例につき図3に
従い説明する。尚、図1と同一部分には同一符号を付し
説明を省略する。
従い説明する。尚、図1と同一部分には同一符号を付し
説明を省略する。
【0025】この第2の実施例においては、各光電変換
素子の出力端子4を電気的に接続するために、裏面フィ
ルム9に予め電気的接続部11が形成されている。
素子の出力端子4を電気的に接続するために、裏面フィ
ルム9に予め電気的接続部11が形成されている。
【0026】この電気的接続部11は、例えば半田メッ
キが施された銅箔を裏面フィルム9上の所定の位置に予
め配置することにより形成したり、また裏面フィルム9
に銀ペースト等の導電性ペーストをスクリーン印刷し、
硬化することにより形成される。
キが施された銅箔を裏面フィルム9上の所定の位置に予
め配置することにより形成したり、また裏面フィルム9
に銀ペースト等の導電性ペーストをスクリーン印刷し、
硬化することにより形成される。
【0027】そして、図3に示すように、各光電変換素
子基体10の出力端子4に予め半田をバンプ状に形成し
ておき、この出力端子4と裏面フィルム9の電気的接続
部11を位置合わせした状態で、熱ローラでラミネート
することにより、各出力端子4の電気的接続と複数の光
電変換素子基体10の機械的連結が同時に行われる。
子基体10の出力端子4に予め半田をバンプ状に形成し
ておき、この出力端子4と裏面フィルム9の電気的接続
部11を位置合わせした状態で、熱ローラでラミネート
することにより、各出力端子4の電気的接続と複数の光
電変換素子基体10の機械的連結が同時に行われる。
【0028】その後、第1の実施例と同様に、支持基板
1と透光性絶縁膜2との間を分離し、透光性絶縁膜2側
に表面フィルムを添着して、大面積の光起電力装置が得
られる。
1と透光性絶縁膜2との間を分離し、透光性絶縁膜2側
に表面フィルムを添着して、大面積の光起電力装置が得
られる。
【0029】次に、図1及び図3で示した光電変換素子
基体10の具体的な形成手法の一例を図4に従って説明
する。
基体10の具体的な形成手法の一例を図4に従って説明
する。
【0030】図4(A)に示すように、10cm角程度
のガラス等の支持基板1上に、透明ポリイミドからなる
5〜100μmの厚さの可撓性の透光性絶縁膜2が形成
される。具体的には、透明ポリイミドのワニスをスピン
コータまたはロールコータ等で均一に塗布し、100℃
から300℃まで段階的に昇温しながら処理することに
より形成する。この透光性絶縁膜2上に、厚さ1000
〜5000Å程度の酸化錫、酸化インジウム錫に代表さ
れる透光性導電酸化物(TCO)の単層、或るいはそれ
らの積層型の透明電極層を被着した後、互いの隣接間隔
部が、例えばエッチング、或るいはレーザビームの照射
により除去されて、個別の透明電極21、22、23が
分離形成される。
のガラス等の支持基板1上に、透明ポリイミドからなる
5〜100μmの厚さの可撓性の透光性絶縁膜2が形成
される。具体的には、透明ポリイミドのワニスをスピン
コータまたはロールコータ等で均一に塗布し、100℃
から300℃まで段階的に昇温しながら処理することに
より形成する。この透光性絶縁膜2上に、厚さ1000
〜5000Å程度の酸化錫、酸化インジウム錫に代表さ
れる透光性導電酸化物(TCO)の単層、或るいはそれ
らの積層型の透明電極層を被着した後、互いの隣接間隔
部が、例えばエッチング、或るいはレーザビームの照射
により除去されて、個別の透明電極21、22、23が
分離形成される。
【0031】その後、透明電極21、22、23上の一
方の端に沿って、導電部材32、33が隣接間隔部と平
行に帯状に形成される。この導電部材32、33はポリ
イミド系の銀ペーストをスクリーン印刷し、250〜3
50℃で硬化することによって形成される。この導電部
材32、33の幅は0.1〜0.5mm、高さは5〜3
0μm程度である。
方の端に沿って、導電部材32、33が隣接間隔部と平
行に帯状に形成される。この導電部材32、33はポリ
イミド系の銀ペーストをスクリーン印刷し、250〜3
50℃で硬化することによって形成される。この導電部
材32、33の幅は0.1〜0.5mm、高さは5〜3
0μm程度である。
【0032】続いて、図4(B)に示すように、導電部
材32、33と平行に、透明電極21、22、23の隣
接間隔部の反対側に第1の絶縁部材42、43が帯状に
形成され、更に透明電極21、22、23の隣接間隔部
を覆ってその両側の透明電極21、22、23の端部に
跨がる第2の絶縁部材52、53も、帯状に同時に形成
される。これら第1、第2の絶縁部材42、43、52
、53はポリイミド系の絶縁性ペーストをスクリーン印
刷法で塗布し、250〜300℃で硬化することによっ
て形成される。
材32、33と平行に、透明電極21、22、23の隣
接間隔部の反対側に第1の絶縁部材42、43が帯状に
形成され、更に透明電極21、22、23の隣接間隔部
を覆ってその両側の透明電極21、22、23の端部に
跨がる第2の絶縁部材52、53も、帯状に同時に形成
される。これら第1、第2の絶縁部材42、43、52
、53はポリイミド系の絶縁性ペーストをスクリーン印
刷法で塗布し、250〜300℃で硬化することによっ
て形成される。
【0033】尚、これらの絶縁部材42、43、52、
53の幅も、0.1〜0.5mm、高さは5〜30μm
程度である。
53の幅も、0.1〜0.5mm、高さは5〜30μm
程度である。
【0034】次に、図4(C)に示すように、導電部材
32、33、第1の絶縁部材42、43、並びに第2の
絶縁部材52、53を含んで透明電極21、22、23
上全面にp型、i型、n型のアモルファスシリコン、ア
モルファスシリコンカーバイド等のアモルファス半導体
層を順次形成し、光活性層としての非晶質半導体層25
を形成する。そして、この半導体層25上にアルミニウ
ム、銀、チタン等の単層、或るいは積層型の裏面電極層
26を順次形成する。
32、33、第1の絶縁部材42、43、並びに第2の
絶縁部材52、53を含んで透明電極21、22、23
上全面にp型、i型、n型のアモルファスシリコン、ア
モルファスシリコンカーバイド等のアモルファス半導体
層を順次形成し、光活性層としての非晶質半導体層25
を形成する。そして、この半導体層25上にアルミニウ
ム、銀、チタン等の単層、或るいは積層型の裏面電極層
26を順次形成する。
【0035】最後に図4(D)に示すように、裏面電極
層26の露出方向側から導電部材32、33上に第1の
レーザビーム100を照射し、裏面電極層26を溶融さ
せ、その溶融物により裏面電極層26と導電部材32、
33とを夫々電気的に接続する。次に、裏面電極層26
の露出方向から第1の絶縁部材42、43上に第2のレ
ーザビーム101を照射し、裏面電極層26を分割する
分離部を形成し、各素子に対応した裏面電極を形成し、
光電変換素子基体10が完成する。
層26の露出方向側から導電部材32、33上に第1の
レーザビーム100を照射し、裏面電極層26を溶融さ
せ、その溶融物により裏面電極層26と導電部材32、
33とを夫々電気的に接続する。次に、裏面電極層26
の露出方向から第1の絶縁部材42、43上に第2のレ
ーザビーム101を照射し、裏面電極層26を分割する
分離部を形成し、各素子に対応した裏面電極を形成し、
光電変換素子基体10が完成する。
【0036】次に、本発明の第3の実施例につき図5に
従い説明する。図5は本実施例に係る光起電力装置を工
程順に示す断面図である。
従い説明する。図5は本実施例に係る光起電力装置を工
程順に示す断面図である。
【0037】この実施例は、第1の実施例における透光
性絶縁膜2を非透光性の絶縁膜に、及び裏面フィルム9
を透光性の表面フィルムに、夫々変更したものである。 従って、この実施例に用いられるの光電変換素子基体7
0における各層の形成順序は、後述のように第1の実施
例のものと逆である。
性絶縁膜2を非透光性の絶縁膜に、及び裏面フィルム9
を透光性の表面フィルムに、夫々変更したものである。 従って、この実施例に用いられるの光電変換素子基体7
0における各層の形成順序は、後述のように第1の実施
例のものと逆である。
【0038】まず、図5(A)に示すように、ガラス、
セラミックス等の支持基板61上に、不透明ポリイミド
からなる可撓性の絶縁膜62が設けられ、この絶縁膜6
2上に裏面電極と光活性層を含む非晶質半導体層と透明
電極とからなる可撓性の光電変換部63が形成された光
電変換素子基体70を複数個用意する。この光電変換素
子基体70の透明電極側には前述の従来装置と同じく出
力端子64が設けられている。
セラミックス等の支持基板61上に、不透明ポリイミド
からなる可撓性の絶縁膜62が設けられ、この絶縁膜6
2上に裏面電極と光活性層を含む非晶質半導体層と透明
電極とからなる可撓性の光電変換部63が形成された光
電変換素子基体70を複数個用意する。この光電変換素
子基体70の透明電極側には前述の従来装置と同じく出
力端子64が設けられている。
【0039】この実施例においても、第1の実施例と全
く同様に、支持基板61より光電変換素子を分離した際
に生じるカールを防止するための、樹脂層を設けていな
い。
く同様に、支持基板61より光電変換素子を分離した際
に生じるカールを防止するための、樹脂層を設けていな
い。
【0040】次に、図5(B)に示すように、複数の光
電変換素子基体70の各出力端子64間をリード線67
で電気的に接続する。この接続作業は光電変換素子基体
70に支持基板70が取り付けられたままの状態で行わ
れるため、容易に行うことができる。
電変換素子基体70の各出力端子64間をリード線67
で電気的に接続する。この接続作業は光電変換素子基体
70に支持基板70が取り付けられたままの状態で行わ
れるため、容易に行うことができる。
【0041】続いて、図5(C)に示すように、複数の
光電変換素子を含む長さを有する熱可塑性樹脂が被着さ
れたPET、フッ素樹脂などからなる透光性の表面フィ
ルム69を出力端子64、リード線67を覆って、透明
電極側に熱ローラでラミネートすることにより添着して
複数の光電変換素子基体70を機械的に連結する。その
状態で図5(D)に示すように、光電変換素子基体70
を水中へ浸漬することにより、または機械的に、支持基
板61と絶縁膜62の間を分離し、光電変換部63が機
械的に連結された大面積の光起電力装置を構成する。こ
の支持基板61と絶縁膜62との分離の際、透明電極側
に添着した表面フィルム69の持つ応力により、カール
が防止される。
光電変換素子を含む長さを有する熱可塑性樹脂が被着さ
れたPET、フッ素樹脂などからなる透光性の表面フィ
ルム69を出力端子64、リード線67を覆って、透明
電極側に熱ローラでラミネートすることにより添着して
複数の光電変換素子基体70を機械的に連結する。その
状態で図5(D)に示すように、光電変換素子基体70
を水中へ浸漬することにより、または機械的に、支持基
板61と絶縁膜62の間を分離し、光電変換部63が機
械的に連結された大面積の光起電力装置を構成する。こ
の支持基板61と絶縁膜62との分離の際、透明電極側
に添着した表面フィルム69の持つ応力により、カール
が防止される。
【0042】この実施例においても、以上の工程により
、大面積の光起電力装置が一応完成するが、図2に示す
第1の実施例と同様に、熱可塑性樹脂が被着されたPE
Tなどからなる裏面フィルムを絶縁膜62側から熱ロー
ラでラミネートすることにより、表裏面がフィルムで被
覆保護された大面積の光起電力装置を、最終的に完成さ
せてもよい。
、大面積の光起電力装置が一応完成するが、図2に示す
第1の実施例と同様に、熱可塑性樹脂が被着されたPE
Tなどからなる裏面フィルムを絶縁膜62側から熱ロー
ラでラミネートすることにより、表裏面がフィルムで被
覆保護された大面積の光起電力装置を、最終的に完成さ
せてもよい。
【0043】而して、この第3の実施例においても、光
電変換素子の出力端子64を接続するリード線67は表
面フィルム69により被覆されており、複数の光電変換
素子の機械的連結とリード線67の被覆保護が同時に行
える。
電変換素子の出力端子64を接続するリード線67は表
面フィルム69により被覆されており、複数の光電変換
素子の機械的連結とリード線67の被覆保護が同時に行
える。
【0044】こうして完成された光起電力装置において
は、表面フィルム69側からの入射光により、光起電力
が発生する。
は、表面フィルム69側からの入射光により、光起電力
が発生する。
【0045】更に、この第3の実施例の形態においても
、第2の実施例と同様に、表面フィルム69に各光電変
換素子の出力端子64を接続するための電気的接続部を
予め形成しておいてもよい。
、第2の実施例と同様に、表面フィルム69に各光電変
換素子の出力端子64を接続するための電気的接続部を
予め形成しておいてもよい。
【0046】なお、上記各実施例にあっては、複数の光
電変換素子は1列に配置して電気的に直列接続している
が、それらを2次元的に配置してもよく、また電気的に
直列及び並列接続してもよい。
電変換素子は1列に配置して電気的に直列接続している
が、それらを2次元的に配置してもよく、また電気的に
直列及び並列接続してもよい。
【0047】
【発明の効果】本発明は以上の説明から明らかな如く、
各光電変換素子の出力端子間を電気的接続部にて接続す
ると共に、複数の光電変換素子を含む長さを有する可撓
性絶縁膜により、複数枚の光電変換素子を機械的に連結
しているので、複数枚の光電変換素子を組み合わせるた
めの新たな部材を全く必要とすることなく、大面積の光
起電力装置を得ることができる。
各光電変換素子の出力端子間を電気的接続部にて接続す
ると共に、複数の光電変換素子を含む長さを有する可撓
性絶縁膜により、複数枚の光電変換素子を機械的に連結
しているので、複数枚の光電変換素子を組み合わせるた
めの新たな部材を全く必要とすることなく、大面積の光
起電力装置を得ることができる。
【0048】また、本発明の製造方法によれば、複数の
光電変換素子基体は機械的強度を十分に有しているので
、その取り扱いが極めて容易に行えると共に、その支持
基板と絶縁膜との分離の際、複数の光電変換素子の連結
する絶縁膜の持つ応力により、カールを防止することが
できる。
光電変換素子基体は機械的強度を十分に有しているので
、その取り扱いが極めて容易に行えると共に、その支持
基板と絶縁膜との分離の際、複数の光電変換素子の連結
する絶縁膜の持つ応力により、カールを防止することが
できる。
【図1】本発明の第1の実施例の製造方法を示す斜視図
である。
である。
【図2】本発明の第1の実施例を示す斜視図である。
【図3】本発明の第2の実施例を示す斜視図である。
【図4】本発明に適用される光電変換素子基体の製造方
法の1例を示す断面図である。
法の1例を示す断面図である。
【図5】本発明の第3の実施例を示す斜視図である。
【図6】従来の光起電力装置の製造方法を示す斜視図で
ある。
ある。
Claims (4)
- 【請求項1】 透明電極と非晶質半導体層と裏面電極
とを積層形成した可撓性の光電変換部の前記透明電極側
に可撓性の透光性絶縁膜を添着してなる光電変換素子を
複数個並設し、この光電変換素子の出力端子間を電気的
接続部にて接続すると共に、前記複数の光電変換素子を
含む長さを有する可撓性絶縁膜を前記裏面電極側に添着
して、複数個の光電変換素子を機械的に連結してなる光
起電力装置。 - 【請求項2】 支持基板上に可撓性の透光性絶縁膜と
透明電極と非晶質半導体層と裏面電極とを順次積層形成
した光電変換素子基体を複数個準備し、この複数の光電
変換素子を含む長さを有する可撓性絶縁膜を前記裏面電
極側に添着して機械的に連結した後、前記支持基板と透
光性絶縁膜とを分離することを特徴とする光起電力装置
の製造方法。 - 【請求項3】 透明電極と非晶質半導体層と裏面電極
とを積層形成した可撓性の光電変換部の前記裏面電極側
に可撓性絶縁膜を添着してなる光電変換素子を複数個並
設し、この光電変換素子の出力端子間を電気的接続部に
て接続すると共に、前記複数の光電変換素子を含む長さ
を有する可撓性の透光性絶縁膜を前記透明電極側に添着
して、複数個の光電変換素子を機械的に連結してなる光
起電力装置。 - 【請求項4】 支持基板上に可撓性絶縁膜と裏面電極
と非晶質半導体層と透明電極とを順次積層形成した光電
変換素子基体を複数個準備し、この複数の光電変換素子
を含む長さを有する可撓性の透光性絶縁膜を前記透明電
極側に添着して機械的に連結した後、前記支持基板と可
撓性絶縁膜とを分離することを特徴とする光起電力装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3070079A JP2983674B2 (ja) | 1990-04-27 | 1991-04-02 | 光起電力装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2-112187 | 1990-04-27 | ||
JP11218790 | 1990-04-27 | ||
JP3070079A JP2983674B2 (ja) | 1990-04-27 | 1991-04-02 | 光起電力装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04218980A true JPH04218980A (ja) | 1992-08-10 |
JP2983674B2 JP2983674B2 (ja) | 1999-11-29 |
Family
ID=26411238
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3070079A Expired - Fee Related JP2983674B2 (ja) | 1990-04-27 | 1991-04-02 | 光起電力装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2983674B2 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5701067A (en) * | 1995-02-24 | 1997-12-23 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Battery charger and solar cells for battery charging |
JP2001144312A (ja) * | 1999-11-17 | 2001-05-25 | Fuji Electric Co Ltd | 薄膜太陽電池モジュールの製造方法とその製造装置 |
WO2008093563A1 (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | 太陽電池モジュール、太陽電池用配線部材、および太陽電池モジュールの製造方法 |
CN100446212C (zh) * | 2003-04-02 | 2008-12-24 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 一种柔性电子器件的制造方法和柔性器件 |
JP2010245176A (ja) * | 2009-04-02 | 2010-10-28 | Sharp Corp | 太陽電池シートアレイの製造方法および太陽電池シートアレイ |
CN102484153A (zh) * | 2009-06-15 | 2012-05-30 | 耶霍苏亚·菲什勒 | 电网太阳能收集系统 |
WO2015118740A1 (ja) * | 2014-02-06 | 2015-08-13 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 太陽電池 |
-
1991
- 1991-04-02 JP JP3070079A patent/JP2983674B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5855692A (en) * | 1995-02-24 | 1999-01-05 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Battery charger and solar cells for battery charging |
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JP5164863B2 (ja) * | 2007-01-31 | 2013-03-21 | シャープ株式会社 | 太陽電池用配線部材、太陽電池モジュール、および太陽電池モジュールの製造方法 |
WO2008093563A1 (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | 太陽電池モジュール、太陽電池用配線部材、および太陽電池モジュールの製造方法 |
EP2109150A1 (en) * | 2007-01-31 | 2009-10-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Solar cell module, wiring member for solar cell, and method for manufacturing solar cell module |
EP2109150A4 (en) * | 2007-01-31 | 2011-04-06 | Sharp Kk | SOLAR CELL MODULE, WIRING MEMBER FOR SOLAR CELL, AND METHOD FOR MANUFACTURING SOLAR CELL MODULE |
JP2010245176A (ja) * | 2009-04-02 | 2010-10-28 | Sharp Corp | 太陽電池シートアレイの製造方法および太陽電池シートアレイ |
JP2012530357A (ja) * | 2009-06-15 | 2012-11-29 | イェホーシュア フィシュラー, | 電力グリッド太陽エネルギー収集システム |
CN102484153A (zh) * | 2009-06-15 | 2012-05-30 | 耶霍苏亚·菲什勒 | 电网太阳能收集系统 |
WO2015118740A1 (ja) * | 2014-02-06 | 2015-08-13 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 太陽電池 |
JPWO2015118740A1 (ja) * | 2014-02-06 | 2017-03-23 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 太陽電池 |
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---|---|
JP2983674B2 (ja) | 1999-11-29 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |