JPS61220379A - 光起電力素子 - Google Patents
光起電力素子Info
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- JPS61220379A JPS61220379A JP60061133A JP6113385A JPS61220379A JP S61220379 A JPS61220379 A JP S61220379A JP 60061133 A JP60061133 A JP 60061133A JP 6113385 A JP6113385 A JP 6113385A JP S61220379 A JPS61220379 A JP S61220379A
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
- H01L31/03921—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate including only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は水素化された非晶質シリコン（以下ａ−３ｉと
略す）等の光導電膜を用いた光起電力素子特にその基板
に関するものである。
略す）等の光導電膜を用いた光起電力素子特にその基板
に関するものである。
従来の技術
従来のａ−８ｉ光起電力素子では、第４図に示゛すよう
な素子構成となっていた。同図において、１は絶縁性膜
、２は絶縁性膜１上に構成された下部電極となる導電膜
、３は導電膜２上に形成されたａ−５ｉ膜、４はａ−８
，ｉ、膜上に形成された透光性電極、！−！Ｌ、５−ｂ
は電力をとり出す電極である。
な素子構成となっていた。同図において、１は絶縁性膜
、２は絶縁性膜１上に構成された下部電極となる導電膜
、３は導電膜２上に形成されたａ−５ｉ膜、４はａ−８
，ｉ、膜上に形成された透光性電極、！−！Ｌ、５−ｂ
は電力をとり出す電極である。
１０はたとえば導電性薄板でその表面に絶縁性膜１が形
成されている。
成されている。
発明が解決しようとする問題点
このような従来の構成では、電力をとり出す電極５−Ｉ
Ｌ、５−ｂが光起電力素子の両端にあるためリード線を
別個に２ケ所離れてとらなければならなかった。
Ｌ、５−ｂが光起電力素子の両端にあるためリード線を
別個に２ケ所離れてとらなければならなかった。
問題点を解決するための手段
この問題点を解決するために本発明は、基板の基体とし
て用いられていた導電性薄板例えば金属板をリード線の
一部として使用するものである。
て用いられていた導電性薄板例えば金属板をリード線の
一部として使用するものである。
作用
この構成により本発明は、一方のとり出し電極を基板中
の金属板に接続し、他方のとり出し電極の近くで基板表
面の絶縁物をとり除くことにより実効的にとり出し電極
の位置を変えることができる。
の金属板に接続し、他方のとり出し電極の近くで基板表
面の絶縁物をとり除くことにより実効的にとり出し電極
の位置を変えることができる。
実施例
第１図は本発明の一実施例による光起電力素子に用いら
れる基板の平面図であり、第１図において１０は導電性
薄板、例えばムｅやステンレス。
れる基板の平面図であり、第１図において１０は導電性
薄板、例えばムｅやステンレス。
鉄等を用いたものであり、１１は絶縁性膜である。
１１は薄板１ｏがＡ４ であればムｅ を陽極酸化させ
た酸化アルミニウム膜が用いられる。また、絶縁性膜１
１は薄板１ｏがムｅでも他の物質でもその表面を耐熱性
の高分子樹脂例えばポリイミド。
た酸化アルミニウム膜が用いられる。また、絶縁性膜１
１は薄板１ｏがムｅでも他の物質でもその表面を耐熱性
の高分子樹脂例えばポリイミド。
ポリアミド等や絶縁フェス等を塗布すれば実現できる。
ここで言う耐熱性とはａ”ｓｉ’を堆積する時、変質し
て絶縁性が失われたり表面が凹凸になうたりしないとい
うことであり、実用上はその上に形成されたＩＬ−８ｉ
で光起電力特性が現れるということである。
て絶縁性が失われたり表面が凹凸になうたりしないとい
うことであり、実用上はその上に形成されたＩＬ−８ｉ
で光起電力特性が現れるということである。
基板１ｏの一部が露出された導電性部分１２−ＩＬ、１
２−ｂは酸化アルミニウム膜１１をサンドブラスト等で
一部とり除けば作成でき、膜１１が樹脂等の塗布で形成
された場合はたとえばマスクによりその部分は塗布され
ないようにすればよい。
２−ｂは酸化アルミニウム膜１１をサンドブラスト等で
一部とり除けば作成でき、膜１１が樹脂等の塗布で形成
された場合はたとえばマスクによりその部分は塗布され
ないようにすればよい。
第１図の基板を用いて、第４図の構成をそのまま実現す
ることによって第４図の取り出し電極５−ｂは、取り出
し電極５−ＩＬの裏側部分１２−すに実効的に移動させ
ることができる。すなわち第１図体）の−−→線のごと
き電気的経路により１２−ｂの部分に電極とり出しを行
うことができる。このような配置にすることによってリ
ード線は１つにまとめられ、素子を両側からはさむよう
に２つのリード線を設置すれば実現できる。
ることによって第４図の取り出し電極５−ｂは、取り出
し電極５−ＩＬの裏側部分１２−すに実効的に移動させ
ることができる。すなわち第１図体）の−−→線のごと
き電気的経路により１２−ｂの部分に電極とり出しを行
うことができる。このような配置にすることによってリ
ード線は１つにまとめられ、素子を両側からはさむよう
に２つのリード線を設置すれば実現できる。
次に本発明の他の実施例の光起電力素子について説明す
る・ 第２図は光起電力素子の他の実施例を示している。基本
的な構成は従来例第４図と同じであるが取り出し電極５
−ｂが基板の導電性薄板１０を電気的経路に用いること
によって、取り出し電極５−＆の横に導電性部分１２−
ｂを移動させることができ、この電極５−ａ１部分１２
−ｂにリードを形成すればよい。この場合の基板は第３
図に示しであるが、第１図と異なり基板の同一主面上に
導電性部分１２−ＩＬ 、 １２−ｂが配されている。
る・ 第２図は光起電力素子の他の実施例を示している。基本
的な構成は従来例第４図と同じであるが取り出し電極５
−ｂが基板の導電性薄板１０を電気的経路に用いること
によって、取り出し電極５−＆の横に導電性部分１２−
ｂを移動させることができ、この電極５−ａ１部分１２
−ｂにリードを形成すればよい。この場合の基板は第３
図に示しであるが、第１図と異なり基板の同一主面上に
導電性部分１２−ＩＬ 、 １２−ｂが配されている。
このような配置にすることによってリード線は１つにま
とめられる。
とめられる。
発明の効果
以上のように本発明によれば、光起電力素子に用いられ
ている基板の導電性基体を利用し、リード線の位置を自
由に変えることができ組立てが簡略化されるという効果
が得られる。
ている基板の導電性基体を利用し、リード線の位置を自
由に変えることができ組立てが簡略化されるという効果
が得られる。
第１図（Ａ） 、 ＠）は本発明の一実施例、による光
起電力素子を得る基板の平面図、Ｉ−Ｉ／線断面図、第
２図Ｃ＆） 、 ＠）は本発明の他の実施例による光起
電力素子の平面図、Ｘ−Ｘｔ線断面図、第３図体） 、
（Ｂ）は第２図を実現する基板の平面図、Ｉｔ−ｘｔ
線断面図、第４図（ム） 、 （Ｂ）は従来の光起電力
素子を示す平面図。 ＩＴ−ＴＶ犠断面図である。 １０・・・・・・導電性薄板、１１・・・・・・絶縁性
膜、１２−２Ｌ、１２−ｂ・・・・・・基板に残された
導電性部分。
起電力素子を得る基板の平面図、Ｉ−Ｉ／線断面図、第
２図Ｃ＆） 、 ＠）は本発明の他の実施例による光起
電力素子の平面図、Ｘ−Ｘｔ線断面図、第３図体） 、
（Ｂ）は第２図を実現する基板の平面図、Ｉｔ−ｘｔ
線断面図、第４図（ム） 、 （Ｂ）は従来の光起電力
素子を示す平面図。 ＩＴ−ＴＶ犠断面図である。 １０・・・・・・導電性薄板、１１・・・・・・絶縁性
膜、１２−２Ｌ、１２−ｂ・・・・・・基板に残された
導電性部分。
Claims (1)
- 導電性薄板の少なくとも２ケ所を残して絶縁化された基
板上に、下部電極となる導電膜、光導電膜を順に形成し
、透光性導電膜を上記光導電膜上および上記基板上に残
された導電性薄板の少なくとも１ケ所に接続してなるこ
とを特徴とする光起電力素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60061133A JPS61220379A (ja) | 1985-03-26 | 1985-03-26 | 光起電力素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60061133A JPS61220379A (ja) | 1985-03-26 | 1985-03-26 | 光起電力素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61220379A true JPS61220379A (ja) | 1986-09-30 |
Family
ID=13162272
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60061133A Pending JPS61220379A (ja) | 1985-03-26 | 1985-03-26 | 光起電力素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61220379A (ja) |
-
1985
- 1985-03-26 JP JP60061133A patent/JPS61220379A/ja active Pending
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