JPS61219034A - 耐プラズマ性重合体物質の製法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は酸素含有のプラズマに対して抵抗力のある重合
体物質に関する。本発明はま几プラズマに抵抗力のある
重合体物質の製法およびそのリソグラフィーにおける用
途に関する。例えば、本発明の物質は全ての光学的リソ
グラフィー、電子線リソグラフィー、Ｘ線リソグラフィ
ーおよびイオンビームリソグラフィー装置によるデバイ
ス製造における使用や、多層セラミックパッケージング
デバイスの工うなノ９ツケージングへの応用に適してい
る。

（従来の□゛技術 半導体チップやチップキャリアーのような／９ターンデ
バイスの製造において、最終製凸金構成する種々の層の
エツチング処理は中でも最も困難な工程金倉むものであ
る。エツチング処理に広く用いられている方法の１つと
して、適当なマスクでエツチングされるべき表面を被覆
しそれからエツチングされるべき基板のみ會攻撃しマス
クｖｉ−損なうことのないような化学的溶液に基板とマ
スクを浸漬する。これらのウェット化学処理をエエッチ
ングされた面の上で明確な１縁を作り上げることが困難
であるという問題点を有していた。これは化学薬品がマ
スクの下方１切り取りアイソトロピック（１ｓｏｔｒｏ
ｐｉｃ）　す像Ｙｔ影形成るためであった。言い換えれ
ば、従来のケミカルウェット処理では最近の処理の要求
に応じた最適な寸法一貫性（ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌ　
ｃｏｎｓｉｓｔｅｎ會達成するために必要と考えられて
いる方向の選択性（アンアイントロピー：　ａｎｉｓｏ
ｔｒｏｐｙ　）　ｉも几らすものではない。

さらに、この工うなウェットエツチング処理はそれと関
連する環境および安全との関わりからしても望ましくな
いものである。

従って、種々のいわゆる”ドライ処理”が、環境的な観
点からも、またエツチングの相対的コス）１−減らすこ
とからも、この方法を改良するものとして提案されてき
友。さらにまた、これらの”ドライ処理”はエリ大きい
プロセス制御および高い縦横比の像が得られるという潜
在的な利点も有している。

この工うな１ドライ処理＃は一般的にガス全コンテナー
を通過させ該ガス中にプラズマ七生成することｔ含んで
いる。該ガス中の種（ｓｐｅｃｉｅｓ）ハ次いでチャン
バーあるいはコンテナー中に置かれ九基板をエツチング
するべく使用される。

この工うな１ドライ処理”の典型例はプラズマエツチン
グ、スパッタエツチングおよび活性イオンエツチングで
ある。

活性イオンエツチングは明確に規定された垂直にエツチ
ングされた側壁を提供するものである。特定の活性イオ
ンエツチング処理は１例えばＥｐｈｒａｔｈの米国特許
４，２８３，２４９号に開示されており、その記載は本
明細書においても参照例としてとりめげられている。

いくつかのＰライ現像可能レジストの例を工’Ｉｈｍａ
ｍｕｒａらへの米国特許４，４２６，２４７号、１Ｊｅ
ｙｅｒらへの米国特許４．４３１０４４号、Ｋ１１ｉｃ
ｈｏｖｒｓｋｉらへの木口特許４，３５４３３９号、Ｇ
ｌｅａｓｏｎらへの米国特許４．４ｉ１５３号、Ｋａｐ
ｌａｎらへの米国特許４，３０７，１７８号、Ｂａｒ　
ｇｏｎらへの米国特許４，３８９．４８２号そしてＴａ
ｙｌｏｒ　ヘの米国特許４，３ｉ７０４号において提示
されている。さらに西独国特許公開明細書６２１５０８
２号（英語による対応物は英国特許出願２０９７１４３
号）はネガ調のプラズマレジスト像（ｎｅｇａｔｉｖｅ
　ｔｏｎｅ　ｐｌａａｍａ　ｒｅｓｉｓｔ　ｉｍａｇｅ
　）　ｆ得る方法を示唆している。この工うなものはシ
リコン含有モノマーを照射露光時に主フィルムに捕捉す
ること金含む方法に関わるものであり、レリーフ像のプ
ラズマ現儂前にフィルムから組み込まれなかったシリコ
ンモノマーを排除する処理ステップが必要とされる。

工り最近のプラズマ現像可能なレジストの例を工米国特
許出願６０９．３９０号（本願と同じ譲受人に譲渡され
ている）に開示されており、この例では、照射線に感受
性があり酸素プラズマ現像可能とされているレジス）１
−得る方法が提供されている。このような方法はマスク
された反応性官能基を含むポリマーフィルムで基板を被
覆し、フィルムの露光領域の反応性官能基のマスキング
がはずされるような条件下にてフィルムを放射線に像様
に（ｉｍａｇｅｖｒｉｓｅ　）　ｇ光し、この露光され
几フィルムを反応性有機金属試薬で処理し、さらにそれ
から識素プラズマで処理することによりレリーフ像上現
像するということからなる。そこに記載されている特定
の有機金属試薬はトリメチルスタニルクロリド、ヘキサ
メチルジシラデンおよびトリメチルシリルクロリドであ
る。これらの物質は全て一官能性の物質である。

さらに、単層レジストの上層に像を作ることに工り２層
のレジス［−得る方法は米国特許出願６７９．５２７号
（ＦＩ９−８４０４６、本願と同じ譲受人に譲渡されて
いる）に開示されているが、この例もまた一官能性有機
金属試薬全使用するものである。

上記２つの米国特許出願は本明細書中において参照例と
して加えられるものである。

（本発明の要約） 本発明に工れば、重合体物質が反応性水素官能基ま九は
反応性水素官能基の前駆性基あるいはその両方金倉んで
いる該重合体物質の層を提供することから成る方法が与
えられるものである。重合体物質の層の少なくとも一部
は多官能性有機金属物質と反応させられる。該有機金属
物質は、前記の重合体物質中の反応性の基に対して反応
する工うな官能基を少くとも２つ含んでいる。この反応
は層の反応し几部分ｔｌ−ＩＩ素プラズマに対して抵抗
力のあるものにする工うな反応である。層の反応し友部
分が酸素プラズマに対して抵抗力のあるものにされたの
ち、層はガスプラズマ雰囲気下に供される。反応し友部
分は、対応する重合体物質で未反応のものに比較して、
その酸素プラズマに対して少なくとも２０倍も工り抵抗
力があるものになっている。

さらに、本発明は重合体物質を酸素プラズマに対して抵
抗力のあるものにするための改良さし几方法に関する。

本発明の方法は反応性水素官能基または反応性水素官能
基の前駆性基あるいはその両方紮含む工うな重合体物質
ケ提供すること金含むものである。さらに、多官能性有
機金属物質、多官能性有機金属物質のための溶媒および
重合体物質の九めの溶媒を含有する徹体組成物が提供さ
れる。多官能性有機金属物質は、重合体物質中の上に定
義し友反応性の基に対して反応性上官する工うな官能基
？少くとも２つ含んでいる。多官能性有機金属物質のた
めの溶媒は有機金属物質に対して反応性を有しないもの
でろる。同様に、重合体物質のための溶媒は多官能性有
機金属物質に対して反応性上官しないものである。重合
体物質のための溶媒は多官能性有機金属物質と重合体物
質の間の反応時間を減少させる効果がある工うな量で用
意される。徹体組成物と重合体物質とは接触せしめられ
そこで重合体物質？酸素プラズマに対して抵抗力あるも
のに変えられるのである。

本発明はｔ７？：、基板上に重合体物質の層を設けるこ
とＬりなる製法に関するもので、該層においては、紋型
合体物質が少なくとも反応性水素官能基ま几（工反応性
水素官能基の前駆性基金含み、該層は重合体物質の層の
少なくとも２５チの深さにわたり、前記の重合体物質中
の反応性の基に対して反応性上官する工うな官能基ケタ
くとも２つ含む多官能性有機金属物質と反応するもので
める。

さらに、本発明は、項の中に４，５または６個の原子を
有する環式有機金属化合物である例えばヘキサメチルシ
クロトリシラデンと、反応性水素官能基または反応性水
素官能基前駆性基あるいは双方を含んでいる重合体物質
との反応生成物である交叉結合した重合体物質にも関す
る。

（本発明の最良のおよび種々の態様） 本発明に用いられる重合体物質には、反応性水素官能基
および／ま几ハその前駆体として作用する基ｒ含む限り
において多くの異なっ友タイプの物質が包含される。具
体的には、その重合体物質は放射線照射の１うなある種
の条件に付した際に反応性水素官能基金生成する工うな
不安定性を有する基を含みうるものである。ここで用い
る１水素官能基”には通常の水素官能基のみならずその
アイソマーｔも含み、通常の水素を有する重水素官能基
は好ましいものである。

反応性水素官能基金有する重合体の例には、ホルムアル
デヒドと下記式 ％式％ （ただし式中穴およびＢは、個々に水素まｆｃは１〜６
個の炭素原子を含むアルキル基である）で表わされるフ
ェノールの過剰量とｋａｌま之は塩基触媒で縮合させて
調製される予備重合されたフェノール−ホルムアルデヒ
ド重合体が含まれる。この工うなフェノール性−ホルム
アルデヒド重合体はノボラック重合体と呼ばれる。さら
に、この工うなフェノール−ノボラック組成物は、当業
者に知られているとおり、ジアゾケトン増感剤を含むこ
とができる。この工うな増感剤および重合体は例えは米
国特許５，０４６，１１８．３．０４６，１２１、へ１
０へ４６５．３，２０１．２３９および３．６６６，４
７５号に開示されており、それらは本明細書で参照文献
として加えられている。この増感剤はジアゾおよびケト
基音分子上の隣接位置に有するノアジケトンで、たとえ
ば米国特許４２０１．２５９号で報告されている次式〔
式中、Ｒ１ＴｔＺナフトキノン−（１，２）−ジアジド
基であり、幻は水素および水醗基からなる群より選択さ
れ、さらにＲ３は水素、アルキル基、アリール基、アル
コキシ基、アリールオキシ基、アミン基およびペテロ環
基工りなる群から選択される〕で表わされるナフトキノ
ン−（１，２）　−ジアジドスルホン酸エステルのよう
なものである。

増感剤の例もまた米国特許３，０４６，１１８号にて報
告されており、式： 〔式中、ＸおよびｘｌはＮ２まｆｃは０で同じ環に結合
するこれらは異なるものであり、Ｙは少くとも１つの了
り−レン、置換アリーレンまたはへテロ環基上官む有機
の結合基である〕で表わされる。米国特許へ０４へ１２
１号で報告されているものは式： 〔式中、ＸおよびｘｌはＮ２およびＯからなる群より選
ばれ、異なるものであり、Ｙは水素またをエーロゲンで
ありＲは置換または非置換のアリールまたはへテロ環基
である〕で表わされる。

また米国特許３，１０６，４６５号で報告されているも
のは式： 〔式中、Ｄ＆Ｘナフトキノン−（１，２）−シアシト基
であり、又はＨまたはＯＨであり、Ｒは水系、ＯＲ１、
ＮＲ２Ｒ５、アルキル基、アリール基およびヘテロ環基
工りなる群から選ばれるものであり、Ｒ１はアルキル基
またはアリール基であり、Ｒ２および亀（工水系、アル
キル基またはアリール基であり、Ｒ２はＲ３と等しいか
または異なるものである〕で表わされる。

これらの化合物の例としては、１−オキソ−２−ｆ７タ
レンー５スルホンＷＩＱ：）　２，３．４−　トリヒド
ロキシベンゾフェノンエステルがアル。増感剤は使用さ
れる際には一般的に組成物中の重合体成分の重量の約１
２％から３０チの量が用いられる＠ 反応性水系官能基の例には、ＯＨ，Ｃ０ＯＨ、ＮＨおよ
びＳＲ基が含まれる。まｔ、開環してＯＨ基を形成する
ことができる工うなエポキシド基も適切な反応性水素官
能基前駆性基である。

その他の重合体の例には、ポリビニルピロリドン、ポリ
ビニルアルコール、ｐ−ヒドロキシスチレンの重合体、
メラミへ１マー、モノエチレン性不飽和酸のホモポリマ
ーおよびコポリ１−１約１から４の炭素ｔアルキル基に
含有するアルキルメタクリレートとモノエチレン性不飽
和酸とのコポリマーが含まれる。モノエチレン性不飽ａ
＠はアクリル酸、メタクリル酸ま九はクロトン酸である
こともできる。普通、重合体は約５０から約９９．５モ
ルフ９−セントのフルキルメタクリレートおよび約５０
から約０．５モルパーセントの不飽和酸を含む。これら
のモルツヤ−セントは重合体中のアルキルメタクリレー
トおよび酸の合計モルを基準としている。このような重
合体の例シア、本明細書中に参照文献として加入されて
いる米国特許４９８４．５８２号中に見出すことができ
る。

放射線照射（１ｒｒａｄｉａｔｉｏｎ　）のような励起
に工って反応性の水素基を発生することができるような
不安定基を含む重合体には、Ｏ−二）ロベンゼン誘導体
および光−フリイス転位（ｐｈｏ切＝ｆｒｉｅｓ　ｒｅ
ａｒｒａｎｇｅｍｅｎｔ　）ができる重合体が含まれる
。放射線照射によって反応性水素を有する酸、アルコー
ル、および／ｌたはアミンが発生する。

このような物質の例として、 ｋＬＩ　　　　　　　　Ｒ１ 〔ただし式中Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ５はＨ，アルキ
ル、アリールまたを１重合体バックボーンの一部であり
、Ｒ４は”　ＣｎＨ２ｎ＋１　（７だしｎは１から約５
の範囲）、フェニルｔ１′ｃは置換されたフェニルであ
る〕および Ｕ 〔ただし式中Ｒ１、励、Ｒ３およびＲ５はＨ１アルキル
、アリールま几ハ重合体パック〆−ンの一部であり、Ｒ
４６１Ｈ、ｃｎＨ２ｎ＋１　（ただしｎは１から約５の
範囲）、フェニルｔ７ｔ＋’ｚ置換されたフェニルであ
る〕があげられる。

上述の型の物質は、単独で使用することもできるし、許
容性のある重合体物質と組みあわせて使用することもで
きる。置換されたＯ−二）ロベンズアルデヒド、エステ
ル化すレタフェノールおよびノアゾキノリン誘導体のよ
うな化合物を不安定なまたは反応性の水素を有しない重
合体と混合することができる。例えばポリメチルメタク
リレート、スチレン−ブタジェンゴム、ポリメチルイソ
プロペニルケトン（ＰＭＩＰＫ）　、おＬびポリスチレ
ンとその誘導体などである。放射線照射によって、放射
庫照射に対して感受性を有する分子は転位をおこし、不
安定でそして反応性の水素を有する生成物音生成させる
。不安定で反応性の水素はそれからひき続いて本発明の
方法に従って有機金属試薬と反応せしめられる。

このような特別の重合体の例にはアセチル化されたＩリ
ビニルフェノール、ポＩＪ　（ｐ−ホルミル）オキシス
チレン、ｐ−ホルミルオキシスチレンから調製された共
重合体、ポＩＪ　（ｔ−ブチル）メタクリレート、ポリ
（ｔ−プチルオキシカルゼニルオキシスチレン）、およ
びｔ−ブチルメタクリレートまたはｔ−プチルオΦシカ
ルゲニルオキシスチレンから調製された共重合体がある
。この工うな重合体の曲水は米国特許出願６７９．５２
７号、米国特許出願６０９．３９０号および本願と同時
に出願されるＨｅｆｆｅｒｏｎらによる「半導体回路お
よびシステムの生産に使用されるノセターン多層フィル
ムの製造方法（Ｍｅｔｈｏｄ　ｏｆＣｒｅａｔｉｎｇ　
Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ　Ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒ　Ｆｉｌｍ
ｓ　ｆｏｒ　Ｕｓｅ　１ｎＰｒｏｄｕｃｔｉｏｎ　ｏｆ
　Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｃ１ｒｃｕｉｔｓ　ａ
ｎｄ　３ｙｓｔｅｍｓ月という名称の米国特許出願Ｌ　
Ｄｏｃｋｅｔ　ＦＩ　９８４０５５）号中に見出すこと
ができ、これらは本明細書中に参照文献として加入され
るものである。

本発明に従って使用される多官能性有機金属物質は、重
合体物質の反応性の基に対して反応性を有する官能基金
少なくとも２つ含むか与えるかしなければならない。有
機金属物質の金属部分として適当な具体例は、ＩＩＩＡ
族の金属、ＩＶＡ族の金属、■Ｂ族の金属および■Ｂ族
の金属である。■Ａ族の金属の例として、すす、ゲルマ
ニウムおよびけい素がある。■Ｂ族の金属の例として、
チタンおよびジルコニウムがある。■Ｂ族の金属の例と
してタングステンおよびモリブデンがある。ｍＡ族の金
属の例としてアルミニウムがある。好適な金属部分は、
チタン、けい素およびすずでるり、最も好適なものはけ
い素である。

有機金属化合物の反応性の基には、水酸基、アミノ基、
メルカプト基およびハロゲンのような反応性の基および
加水分解してＯＨ基を形成するメトキシ基およびエトキ
シ基の工うなアルコキシ基金含む反応性の基の供給が可
能であるような基が含まれる。

適当な有機金属化合物の例には、 〔式中、各ＲおよびＲ１は個々にＨ，アルキル、シクロ
アルキル、アリール、ハロゲンを換されたアルキル、ハ
ロゲンまたはハロゲン置換されたアリールであり　Ｒ１
の各々は個々にＨ、アルキルを九はアリールであり、ｎ
ｆｓ１以上のすべての整数であって好ましくは１または
２である〕人 〔式中、ＲおよびＲ１の各々は個々にＨ，アルキル、シ
クロアルキル、アリール、ハロゲン、ハロゲン置換され
たアルキルまたはハロゲン置換されｔアリールであり、
Ｈｆｉの各々は個々に■、アルキルまたはアリールであ
り、そしてＸは０１Ｓ１またはＮ−Ｒである〕、 〔式中、ＲおよびＲ１の各々は個々にＨ、アルキル、シ
クロアルキル、アリ′−ル、ハロゲン、ハロゲン置換さ
れたアルキルまｅ＋エハロゲン置換されたアリールであ
り、Ｒ″の各々は個々にＨ。

アルキルま九はアリールであり、そしてｆｆｌ　ｆ！　
１以上のすべての整数を表わすが好ましくは１１次は２
でおる〕、 ｎ 〔式中、ＲおよびＲ１の各々は個々にＨ、アルキル、シ
クロアルキル、アリール、ハロゲン、ハロゲン置換され
たアルキルまたはハロゲン置換され友アリールであり、
そしてＲ１１の各々は個々にＨ，アルキルまたはアリー
ルである〕、〔式中、ＲおよびＲ１の各々は個々にＨ、
アルキル、シクロアルキル、アリール、ハロゲン、ハロ
ゲン置換され九アルキルまたは−・ロゲン置換され几ア
リールであり、Ｒ′１の各々は個々にＨ１アルΦル′を
几は了り−ルであり、セしてｐは１以上の整数であって
好ましくは１〜４である〕、〔式中、ＲおよびＲ１の各
々を１個々にＨ，アルキル、シクロアルキル、アリール
、ハロゲン、ハロゲン置換されたアルキルまたはハロゲ
ン置換され友アリールであり、Ｒ［ｌの各々は個々にＨ
１アルキルまた（ニアリールであり、セしてｒは０から
１０２までの整数であって好適には１〜４でおる〕、 〔式中、ＲおよびＲ１の各々は個々にＨ、アルキル、シ
クロアルキル、アリール、ハロゲン、ハロゲン置換され
友アルキルｔｆｔはハロゲン置換され几アリールであり
、そしてＳの各々を１個々に１以上の全ての整数であっ
て好ましくは１または２である〕、 〔式中、ＲおよびＲ１の各々は個々にＨ、アルキル、シ
クロアルキル、アリール、ハロゲン置換されたアルキル
、ハロゲン置換されたアリールまｆｃはハロゲンであり
、セし・てｘ１舎工（−ＣＨ２−）ｔ、、または一０Ｙ
＜φΣ（ただいは１以上の整数であって好適には１〜４
であり、そしてＹハ０、Ｎ）１またはＳである）である
〕、 〔式中、ＲおよびＲ１の各々は個々にＨ，アルキル、シ
クロアルキル、アリール、ハロゲン、ハロゲン置換され
ｔアルキルｔｅはハロゲン置換されたアリールであり、
そしてＶは１以上の整数であって好ましくは１〜４であ
る〕、〔式中、ＲおよびＲ１の各々は個々にＨ，アルキ
ル、シクロアルキル、アリール、ハロゲン、ハロゲン置
換されたアルキルまたはハロゲン置換されたアリールで
ある〕、 〔式中、ＲおよびＲ１の各々は個々にＨ、アルキル、シ
クロアルキル、アリール、ハロゲン、ハロゲン置換され
たアルキルまたｔ翠ハロゲン置換され友アリールであり
、そしてＲＩの各々を１個々にアルキルである〕、 〔式中、ＲおよびＲ１の各々は個々にＨ，アルキル、シ
クロアルキル、了り−ル、ハロゲン、）１０ゲン置換さ
れ几アルキルまたはハロゲン置換され几アリールでめり
、Ｒ１の各々は個々にＨ、アルキルまたはアリールであ
り、セしてＷは１以上の整数であって好ましくは１〜４
である〕、〔式中、２＆工０〜４の整数であり好ましく
　ＧＸ　０〜２である〕、 Ｃ式中、ＲはＨ、アルキル、シクロアルキル、アリール
、ハロゲン、ハロゲン置換され九アルキルｔａはハロケ
ン置換され九アリールである〕、〔式中、ＲおよびＲ１
の各々は個々にＨ，アルキル、シクロアルキル、アリー
ル、ハロゲン、ハロゲン置換されたアルキルま７ｔはハ
ロゲン置換され九アリールである〕、 〔式中、ＲおよびＲ１の各々ｔＸ　）！　、アルキル、
アリール、シクロアルキル、ハロゲン、ハロゲン置換さ
れ友アルキルまたはノ）ロゲン置換されたアリールであ
り、そしてａは１以上の整数であって好ましくは１〜４
である〕、 〔式中、ＲおよびＲ′ハ個々にＨ、アルキル、シクロア
ルキル、アリール、ハロゲン、ハロゲン置換され几アル
キルまたは）１０ゲン置換され九アリールである〕、 Ｙ’　−８ｉ−Ｙｌ（１８） 〔式中、ＹＩの各々は個々に であり、セしてＲ１およびＲ社個々にＨ、アルキル、７
１Ｊ−ル、シクロアルキル、）１０ゲン、ノ〜ロゲン置
換され九アルキルまたはハロゲン置換されたアリールで
ある〕、 〔式中、ＲおよびＲ１ハ個々にＨ、アルキル、シクロア
ルキル、アリール、ハロゲン、ハロゲン置換され九アル
キルまたはハロゲン置換され九アリールである〕、 〔式中、ＲおよびＲ１は個々にＨ，アルキル、アリール
、シクロアルキル、ハロゲン、ハロケン置換され友アル
キルまたはハロゲン置換されたアリールであり、Ｒ”の
各々は個々にＨまたはアルキルであり、Ｒ９の各々は個
々にＨま７’Ｃはアルキルであり、そしてＨの各々は個
々にアルキルまｆｔ＆Ｚ　ＣＸｓ　（ｆｔだしＸ＝Ｆ、
　ＣＬ、　Ｂｒ　、　Ｉ　）　テある〕、〔式中、Ｒお
よびＲ’　＆Ｚ個々にＨ，アルキル、アリール、シクロ
アルキル、ハロゲン、ハロケン置換されたアルキルまた
はハロゲン置換されたアリールであり、ｆの各々、Ｒｖ
の各々は個々にＨまたはアルキルであり、セしてＲｖｌ
の各々は個個にアルキルま７’ＣＧ工ＣＸ３　（７ｊだ
しＸ＝Ｆ、Ｃ１、Ｂｒ、Ｉ）でおる〕、 〔式中、ＲおよびＲ’　＆Ｘ個々にＨ、アルキル、アリ
ール、シクロアルキル、ハロゲン、ハロゲン置換され友
アルキルまたはハロゲン置換されたアリールであり、セ
してＲの各々は個々にアルキルである〕、 ＲＸ 〔式中、Ｒ“の各々は個々にアルキルであり、そして只
の各々は個々にアルキルである〕、〔式中、ＲおよびＲ
１の各々は個々にＨ、アルキル、シクロアルキル、アリ
ール、ハロゲン置換され之アルキル、ハロゲンまたはハ
ロゲンを換され之アリールであり、Ｒ［ｌの各々は個々
にＨ、アルキルま九はアリールである〕、 並びにその２量体およびポリマー〔式中、ＲおよびＲ１
の各々は個々にＨ、アルキル、シクロアルキル、アリー
ル、ハロゲン置換されたアルキル、ハロゲン、またはハ
ロゲン置換されたアリールであり、Ｒ１１の各々は個々
ＫＨ１アルキルまたはアリールであり、そしてａは１，
２または６である〕、 〔式中、ｂは１〜５の整数であり、ＲおよびＲＩの各々
は個々にＨ，アルキル、シクロアルキル、アリール、）
）ロゲン置換され次アルキル、ハロゲンまたはハロゲン
置換されたアリールであり、Ｘの各々は個々にハロゲン
、　ＳＨ，ＯＩＨ，ＯＲｘオニびＮＨ（ただしＲＸは１
〜５炭素原子のアルキルで好ましくはエチルｔｆｃはメ
チルである）である〕、 Ｒ”Ｒ’ 〔式中、ＲおよびＲ１の各々は個々にＨ１アルキル、シ
クロアルキル、アリール、ハロゲン置換され几アルキル
、ハロゲンｔ７ｔＧＸハロゲン置換されたアリールであ
る〕などがある。

上記構造式における適当なアルキル基の例は１〜１２炭
素原子、好ましくは１〜４炭素原子を含むアルキル基で
ある。この、ようなものの特定例はメチル、エチル、プ
ロピル、グチルおＬびオクチルである。最も好ましいア
ルキル基をエメチルおよびエチルである。

適当なシクロアルキル基の例はシクロヘキシルおよびシ
クロヘプチルである。

適当なアリール基の例はフェノール、トリル、キシリル
およびナフチル基である。

適当なハロゲン基の例４１　Ｆ％ＣＡ％Ｂｒおよび工で
ある。

適当なハロゲン置換され九アルキル基は１．１．１−ト
リフルオロプロピルおよびクロロメチルでらる。

適当なハロゲン置換されたアリール基はクロロフェニル
およびソブロモフェニルである。

本発明の生成物の用途の多くでは、有機金属化合物を工
塩素のようなハロゲン成分を含まないことが望ましい。

なぜなら何らかの腐食性ハロゲンがスの潜在的形成に由
来する腐食の発生の可能性を断つ几めである。

好ましい有機金属化合物は環状有機けい素化合物であり
、より好ましくはヘキサメチルシクロトリシラザンであ
る。

使用される有機金属物質の量は所望の程度の交叉結合お
よびプラズマに対する抵抗性を与えるに十分なものでな
ければならない。普通、有機金属物質と重合体物質の相
対量比は少くとも重合体物質２０重量部当り金属成分（
例えば−８ｉ　）約１重量部の割合から、多くとも重合
体物質２重量部当り金属成分約１重量部までの割合、そ
して好ましくは重合体物質１５重量部当り金属成分約１
重量部の割合から重合体物質４重量部当り金属成分約１
重量部の割合である・本発明に従って調製される交叉結
合重合体物質は酸素プラズマに抵抗力を有し、高温にさ
らされても極めて安定である。本発明の交叉結合重合体
物質は、対応する非交叉結合の重合体物質と比較して少
なくとも２０倍、好ましくは少なくとも５０倍、そして
多くの場合において少なくとも１００倍の酸素プラズマ
に対する抵抗力？有している。本発明によるノボラック
樹脂のような交叉結合重合体物質は約４００℃までの温
度で熱安定性を有する。ところが一方米国特許出願６０
９．３９０号で論じられているものの工うな１官能性有
機金属物質と共に調製された重合体物質は約２００℃工
り高温では熱安定性を有さない。さらに、分解時におい
ても、本発明の交叉結合物質とりわけノボラック８４脂
は、１官能性有機金属物質が反応に用いられ友場合と異
なり、約４００℃までの温度下では揮発性物質音生じな
い。本発明の物質は溶媒に対しても優れた耐性を示す。

従って、本発明の物Ｉ：Ｘは酸素含有プラズマのｇ元に
関わる物質の他のもの工りも環境中で有用なものである
。例えば、本発明の物質は高温に対して耐性である物質
を必要とする応用例にて使用されることができる。

本発明の物質は重合体物質を多官能性有機金属物質と気
相にであるいは好ましくは適当な溶媒に溶解して反応さ
せることにより調製することができる。本発明の好まし
い実施様においては、重合体物質は、多官能性有機金属
物質と接触させる時にはすでにフィルムまたは層の形態
になっている。例えは、重合体物質は特にリソグラフィ
一工程に使用される際には、所望の基板に対して、スプ
レー、スピニング、ディッピングまたはその他の知られ
几コーティングの適用手段により、一般的に約１５００
Ｋから約１關の厚さのフィルムとして設けるべく使用さ
れる。

適当な基板には酸化物や窒化物（＠化けい素および／ま
ｆｃＴＬ工窒化けい素の拡散マスクや皮膜）で被覆され
たウェー〜−やチツｆ’ｃ含む半導体デバイスやＩＣの
加工に用いられるものおよび／または半導体チップのコ
ンタクトやコンダクターノ９ターンを形成する九めのメ
タライソングステップに通常使用される金属が含まれる
。

さらに、重合体物質はチップカプセルトリて上記使用さ
れる基板のコーティングとして使用することもでき、基
板にはセラミック基板、とりわけ多層セラミックデノ々
イスが含まれる。ま九さらに含まれるものとして熱可塑
性および／または熱硬化性重合体であっても工い誘電性
基板もめる。典型的な熱硬化性重合体物質にはエポキシ
、フェノール性塩基物質、ポリアミドおよびポリイミド
が含まれる。誘電性物質は、充填剤および／または強化
剤上官む４リマー（ガラス光填再ポキシま′ｆｃはフェ
ノール性塩基物質の工うなもの）の成型された物であっ
ても↓い。

いくつかのフェノール型物質の例にをエフエノール、レ
ゾルシノールおよびクレゾールのコポリマーも含まれて
いる。いくつかの適当な熱可塑性の重合体物質にはポリ
プロピレンの工５なポリオレフィン、ポリスルホン、ポ
リカーゼネート、ニトリルゴムおよびＡＢＳポリマーが
含まれている。

有機金属物質間の反応は通常を１約５分から約１時間で
行な゛われるが、これは使用される物質、使用される溶
媒系の相対的な反応性や、交叉結合反応させ丸いフィル
ム中の深度に工り決まるものである。例えば、反応が重
合体物質の層の１部分のみにだけ起こるように希望する
こともできる。

はとんどの応用例においてフィルムの総厚みの少なくと
も約２５チ、好ましくを工費なくとも約５０チが交叉結
合される。多くの例において、全厚み！ｉ友は少なくと
も実質的な全フィルム厚みが交叉結合される。通常、反
応する厚みは少なくとも０．３ミクロンである。一般的
に、フィルムが最も有効である応用例の几めには約２５
ミクロンエりも厚みがある必要はない。好ましい庫みは
約０．４から約１０ミクロンである。最も好ましい厚み
は約ｃＬ５から約５ミクロンである。

本発明の好ましい実施様においては、有機金属物質はそ
れと反応性を有しない有機溶媒に溶解させる。不活性溶
媒は非プロトン性でるることが望ましい。最も好ましい
溶媒は芳香族炭化水素および置換された芳香族炭化水素
であり、ベンゼン、トルエン、キシレンおよヒクロロベ
ンゼンが含まれる。その他の溶媒として、Ｎ−メチルピ
ロリドン；γ−ブチロラクトン：酢酸ブチルや２−メト
キシアセテートの工うな酢酸エステル；エーテルおよび
テトラヒドロ７ランが含まれる。さらに、溶媒は好まし
くは有機金属物質と重合体物質の間の必要な接触を得る
几めに重合体物質中を十分拡散することが可能である工
うなものが選択される。この溶媒を１重合体物質に対し
て完全に適し良溶媒ｚ　？）　ｈｓむしろ不完全なもの
が好ましい。従って、重合体物質の選択は、最も工い結
果を得る友めに使用される溶媒の選択にもいくらか影響
上お工はす。

本発明の好ましい実施様においては、溶媒成分は重合体
物質がよく溶ける工うな溶媒ｔ１つだけ含みかつ溶媒成
分の大部分が非溶媒であるか、重合体物質に対して部分
的にのみ溶媒であるようなものである。重合体物質に対
する溶媒は多官能性有機金属物質と重合体物質の間の反
応に必要な時間を減じるのに効果的な量が使用される。

重合体物質に対する溶媒は多官能性有機金属物質に対し
て反応性の無いものでなければならない。重合体物質に
対する溶媒で適当な例はＮ−メチルピロリドン、ｒ−ブ
チロラクトンおよび酢酸セロソルブ、酢酸ブチルおよび
２−メトキシエチルアセテートの工うな酢酸エステルで
ある。

重合体物質に対する溶媒は重合体フィルム全除去したり
溶かしたすせぬ工う比較的少量が使用される。重合体物
質に対する有機溶媒の好ましい量は徹体組成物中の有機
溶媒の総量に対して容量で約０．Ｏ１Ｓから約２５チで
あって、工り好ましくは約０．２５％から約５ｅｓであ
る。徹体組成物中の溶媒の総量は、徹体組成物中の溶媒
と有機金属物質の総量に対して通常は約７５チから約９
８％であって好ましくは約９５チから約９６チである。

高温にて使用されることもまた重合体物質中の拡散を促
進する。

本発明の物質を使用する方法の例は基板としての重合体
表面の上に約０．４から約１０ミクロンのフォトレジス
ト物質の薄層會コーティングすること金含んでいる。適
当なフォトレジスト物質の例は上記のフェノール−ホル
ムアルデヒドフォトレジストでキノン増感剤を含んでい
るものを含む。

この工うな物質は約８０℃の高温にて約１５分間処理し
て組成物全予備キュアーまたは予備ベーキングするのが
好ましい。

レゾストはそれからα光で露光されてアルカリ溶液中で
現像されＷ光に露されたレジスト部分のみｔ除去する。

次に現像された・母ターン像を有機金属物質と接触させ
る。その方法としてはスピナー上の基板全約１分から約
６０分の間有機金属物質溶液中に沈める方法などがある
。

それから複合物をキシレンの工うな溶媒中で洗浄し、約
１２５℃にて約１時間焼成する。

次に複合物會反応呈内に入れそれから反応室を昇温し酸
素で光たす。反応室内の圧力は約１０ミリトールとし、
がスは１分間約ｃＬ０２標準リットルの流量で反応室内
へ導入される。約０．０２キロワツトの高周波出力を酸
素ガスにあてて酸素ガス中にプラズマを発生させ、これ
ｔ約１０〜２５０分間続ける。酸素含有プラズマは酸素
、酸素−不活性ガス（例えばアルゴンガス）混合物、酸
素−一・ロゲン化炭素（九とえはＣＦ４　）混合物、お
よび酸素−炭化水素の工うな周知のものから得ることが
できる。

反応生成物で保護されている有機重合体基板の部分は酸
素プラズマ抵抗してそのままで残る。

反応生成物で保護されていない有機重合体基板の部分は
酸素プラズマによりエツチングされる。

以下の実施例はこれに限定されるものでなく本発明上さ
らに詳述するべく示されたものである。

実施例　１ Ｓｈｉｐｌｅｙ　ＡＺ　−１５５０ポジ型フオトレジス
ト（約１５％重量の２−ジアゾ−１−ナフトキノン−５
−スルホン酸エステルを含むｍ−クレゾールホルムアル
デヒドノボラックポリマー）ｋ１ミクロンの厚さの層に
なるように約２ミクロンの厚さのポリイミド基板上にコ
ーティングする。

約８０℃にて約１５分間フォトレジストｔ−予備イーキ
ングする。

それからレジスト１−像ができる工うにＷ元にて露光し
アルカリ溶液で現像してＷ光に露光され友レジスト部分
を除く。

次に現像され７’Ｃ／’？ターン像會ヘキサメチルシク
ロトリシラザンと反応させる。反応はスピナー上の基板
ｔヘキサメチルシクロトリシラザンの６０チクロロベン
ゼン溶液に沈めたまま室温で約１０分間保つ方法にて行
なう。

それから複合物はキシレンで洗浄し、約８０℃にて約１
時間焼成する。

次に複合物を反応室に置き反応室全排気した。

のち酸素で満たす。反応室の圧力は？ＦＪ１０ミリトー
ルとしガス全豹１１０２標準リットル／分の流量で反応
室に導入する。約００２キロワツトの出力の高周波ｔ６
てることに工り酸素全解離させてプラズマにしこれを約
１５分間続ける。

基板のうち反応生成物により保護されている部分は酸素
プラズマに抵抗し侵されずに残る。

基板のうち反応生成物により保護されていない部分は酸
素プラズマによりエツチングされる。

実施例　２ 有機金属組成物をへキサメチルシクロ）　ＩＪシラデン
の１０％キシレン溶液とし友他は実施例１を同様に繰り
返した。ヘキサメチルシクロトリシラザンと重合体物質
の反応は約４０℃にて約３０分間行なう。

実施例　３ 有機金属組成物上ヘキサメチルシクロトリシラザンの１
０％キシレン溶液で１１１ｆのＮ−メチルピロリドンを
含むものとした他は実施例２Ｍ−同様に繰り返した。友
だし反応時間は減らして１０分間のみとし友。

実施例　４　　　　− 有機金属組成Ｑｌ！ｌ−ヘキサメチルトＩＪシラデンの
１０チキシレン溶液で１−重量のｒ−ブチロラクトンを
含むものとし友他は実施例２を同様に繰り返し友。友だ
しシラザンと重合体物質の間の反応時間は減らして１０
分間とした。

実施例３および４を実施例２と比較すると、重合体物質
に対する浴、採音わずかの量共存させることにより進歩
した結果が得られ次ことがわかる。

実施例　５ 重合体物質ｆ　Ｋｏｄａｋ　８２０　ｙｊｅノ型レジス
トにした他）１％施例２を同様に繰り返した。反応は約
７５℃にて約４５分間行なった。

実施例　６ 有機金属組成物上ヘキサメチルシクロトリシラザンの１
０−キシレン溶液で５−重量のＮ−メチルピロリドンを
含むものとし、重合体物質’（Ｋｏｄａｋ　８２０ポジ
整レジストとした他は実施例２ｔ−同様に繰り返した。

反応は約４０℃にて約１０分間行なり九。

実施例　７ 有機金属組成物ｔヘキサメチルシクロトリシラザンの１
０％ｒ−ブチロラクトンｍ液に、ま比重合体物質ｔメチ
ルメタオリレート、メタクリル酸およびメタクリル無水
物のターポリマーとし友外は実施例２を同様に繰り返し
た。反応（１約４０℃にて約１０分間行なつ友。

実施例　８ 有機金属組成物ｔオクタメチルシクロテトラシリデンの
１０１キシレン溶液とし九個は実施例２を同様に繰り返
し几。反応は約４０℃にて約１０分間行なり几。

実施例　９ 有機金属組成物′（＋−１，３−ジクロロノメチルジフ
ェニルジシリザンの１０％キシレン溶液とした他を工実
施例２會同様に繰り返した。反応は約４０℃にて約１０
分間行なつ九。

実施例　１０ 有機金属組成物ｔ１，７−シクロロオクタメチルテトラ
シリザンの１０％キシレン溶液とじ友他は実施例２１１
−同様に繰り返し友。反応は約４０℃にて約１０分間行
なった。

実施例　１１ 有機金属組成物上Ｎ−メチルアミノプロピルトリメチル
オキシシランの１ｏｅｓキシレン溶液とし友他は実施例
２ｔ−同様に繰り返した。反応を１約４０℃にて約１０
分間行なつ次。

実施例　１２ 有機金属組成物ｔ−３−アミノプロビルメチルゾエトキ
シシランの１０チキシレン溶液とし九個は実施例２を同
様に繰り返した。反応は約４０℃にて約１０分間行なり
几。

実施例　１３ 有機金属組成物ヲ１，３−ノビニルテトラエトキシジシ
ロキサンの１０１キシレン溶液とし九個は実施例２を同
様に繰り返し友。反応は約４０℃にて約１０分間行なり
友。

実施例　１４ 有機金属組成物１Ｎ−２アミノエチル−３−アミノプロ
ピルトリメトキシシランの１０慢キシレン溶液とした他
【工笑施例２′ｔ−同様に繰り返した。反Ｅｆ！約４０
℃にて約１０分間行なった。

実施例　１５ 有機金属組成物ｙｔ１．３ビス（γ−アミノプロピル）
テトラメチルノシロキサンのｉｏｓキシレン溶液とし次
他は実施例２ｔ−同様に繰り返した。反応は約４０℃に
て約１０分間行なった。

実施例　１６ 有機金属組成物ｔテトラエチルオキシチタンの１０チキ
シレン溶液とし次他は実施例２ｖｉ−同様に繰り返した
。反応はほぼ室温にて約６０秒行なった。

実施例　１７ 有機金属組成物？テトラエチルオキシチタンとし交信は
実施例１６ｔ−同様に繰り返した。反応ははぼ室温にて
約３０秒行なつ友。

実施例　１８ 有機金属組成物？テトラブトキシチタンの１０チキシレ
ン溶液とした他は実施例２を同様に繰り返した。反応は
ほぼ室温にて約６０秒行なった。

実施例　１９ 有機金属組成物音テトラブトキシチタンとし次他は実施
例１ｓｔ″同様に繰り返した。反応はほぼ室温にて約６
０秒間行なった。

特許出願人　　インターナショナル・ビジネス・マシー
ンズ・コーポレーション

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）重合体物質の層の少くとも１部分において、この重
   合体物質の反応性基とは反応性である少くとも２個の官
   能基を含有する多官能性有機金属物質と反応してそれに
   よつてこの重合体物質をこの層の少くとも部分において
   酸素プラズマに対してこの有機金属物質と反応する前と
   較べて少くとも２０倍の抵抗力のあるものとならしめる
   、少くとも反応性水素官能基または反応性水素官能基の
   前躯体基を含有する重合体物質の層を設け、次いでこの
   層をガスプラズマ雰囲気に付することからなる方法。 ２）ガスプラズマ雰囲気が酸素含有プラズマ雰囲気であ
   る特許請求の範囲第１項に記載の方法。 ３）酸素プラズマに対する抵抗力が、有機金属物質と反
   応させられる前の重合体物質と比較して少なくとも５０
   倍に増加している特許請求の範囲第１項に記載の方法。 ４）酸素プラズマに対する抵抗力の増加が、有機金属物
   質と反応させられる前の重合体物質の抵抗力の少なくと
   も１００倍である特許請求の範囲第１項に記載の方法。 ５）重合体物質の層の厚みの少なくとも約２５％が有機
   金属物質と反応させられる特許請求の範囲第１項に記載
   の方法。 ６）重合体物質の層の厚みの少なくとも約５０％が有機
   金属物質と反応させられる特許請求の範囲第１項に記載
   の方法。 ７）重合体物質の層の厚みの少なくとも実質的に全てが
   有機金属物質と反応させられる特許請求の範囲第１項に
   記載の方法。 ８）多官能性有機金属物質が有機金属物質と反応性を有
   しない溶媒である有機金属物質のための溶媒中の原体組
   成物として提供される特許請求の範囲第１項に記載の方
   法。 ９）反応させられる層の部分が２０部の重合体物質に対
   して有機金属物質の金属成分を少なくとも約１重量部含
   んでいる特許請求の範囲第１項に記載の方法。 １０）反応させられる層の部分が２重量部の重合体物質
   に対して有機金属物質の金属成分を１重量部まで含んで
   いる特許請求の範囲第９項に記載の方法。 １１）反応させられる層の部分が重合体物質に対して有
   機金属物質の金属成分の比が約１：１５から約１：４で
   ある特許請求の範囲第１項に記載の方法。 １２）有機金属物質が有機けい素物質である特許請求の
   範囲第１項に記載の方法。 １３）有機金属物質が環式有機けい素化合物である特許
   請求の範囲第１項に記載の方法。 １４）有機金属物質がヘキサメチルシクロトリシラザン
   である特許請求の範囲第１項に記載の方法。 １５）層が約０．４から約１０ミクロンの厚みである特
   許請求の範囲第１項に記載の方法。 １６）重合体物質の反応性の基と反応する少なくとも２
   つの官能基を含む多官能性有機金属物質と少なくとも重
   合体物質の層の２５％の深さにわたり反応する少なくと
   も反応性の水素官能基または反応性の水素官能基の前駆
   体を重合体物質が含んでいる重合体物質の層を基板上に
   設けることよりなる方法。 １７）層の厚みの少なくとも５０％が反応させられる特
   許請求の範囲第１６項に記載の方法。 １８）層のすべての厚みにわたり反応させられる特許請
   求の範囲第１６項に記載の方法。 １９）厚みが少なくとも約０．３ミクロンである特許請
   求の範囲第１６項に記載の方法。 ２０）厚みが約０．３から２５ミクロンである特許請求
   の範囲第１６項に記載の方法。 ２１）厚みが約０．５から約５ミクロンである特許請求
   の範囲第１６項に記載の方法。 ２２）層が反応させられる前に予備ベーキングされる特
   許請求の範囲第１６項に記載の方法。 ２５）重合体物質がジアゾケトン増感剤を含む予備重合
   されたフェノール−ホルムアルデヒド重合体である特許
   請求の範囲第１項に記載の方法。 ２４）少なくとも反応性の水素官能基または反応性の水
   素官能基の前駆体基を含む重合体物質を有すること； 重合体物質の反応性の官能基と反応性を有 する少なくとも２つの官能基を含む多官能性有機金属物
   質、溶媒が有機金属物質に対して反応性を有しないよう
   な多官能性有機金属物質に対する溶媒、および多官能性
   有機金属物質と重合体物質の間の反応時間を減じるのに
   効果的な量の重合体物質に対する溶媒を含んでいる徹体
   組成物であつて、その中において重合性物質に対する溶
   媒は多官能性有機金属物質と反応性を有さないような液
   体組成物を有すること；および 液体組成物を重合体物質と接触させること により重合体物質を酸素プラズマに対して抵抗性のある
   ものとすることよりなる重合体物質を酸素プラズマに対
   し抵抗性のあるものとする方法。 ２５）有機金属物質がヘキサメチルシクロトリシラザン
   である特許請求の範囲第２４項に記載の方法。 ２６）重合体物質がフェノール−ホルムアルデヒド重合
   体である特許請求の範囲第２４項に記載の方法。 ２７）重合体物質に対する有機溶媒が有機溶媒の総量に
   対して約０．０１から約２５容量％の量存在する特許請
   求の範囲第２４項に記載の方法。 ２８）重合体物質に対する有機溶媒が組成物中の有機溶
   媒の総量に対して約０．２５から約５容量％の量存在す
   る特許請求の範囲第２４項に記載の方法。 ２９）重合体物質が層の形態である特許請求の範囲第２
   ４項に記載の方法。 ３０）多官能性有機金属物質に対する溶媒が芳香族炭化
   水素または置換芳香族炭化水素である特許請求の範囲第
   ２４項に記載の方法。 ３１）有機金属組成物が、Ｎ−メチルピロリドンおよび
   γ−ブチロラクトンの群より選択される溶媒であつて重
   合体物質に対する溶媒を含むキシレン中でのヘキサメチ
   ルシクロトリシラザンの溶液である特許請求の範囲第２
   ４項に記載の方法。 ３２）重合体物質がフェノール−ホルムアルデヒド重合
   体である特許請求の範囲第３１項に記載の方法。 ３３）４、５または６原子を環内に有する環式有機金属
   物質と、反応性の水素官能基または反応性の水素官能基
   の前駆体基または両者を含む重合体物質との反応生成物
   である交叉結合した重合体物質。 ３４）重合体物質がフェノール−ホルムアルデヒド重合
   体である特許請求の範囲第３３項に記載の交叉結合した
   重合体物質。 ３５）有機金属物質がヘキサメチルシクロトリシラザン
   である特許請求の範囲第３３項に記載の重合体物質。 ３６）２０部の重合体物質に対して少なくとも約１重量
   部のけい素を含む特許請求の範囲第３５項に記載の交叉
   結合した重合体物質。 ３７）２重量部の重合体物質に対して約１重量部までの
   けい素を含む特許請求の範囲第３５項に記載の交叉結合
   した重合体物質。 ３８）重合体物質に対するけい素の比が約１：１５から
   約１：４である特許請求の範囲第３５項に記載の重合体
   物質。 ３９）層の形態になつている特許請求の範囲第３３項に
   記載の交叉結合した重合体物質。 ４０）約０．４から約１０ミクロンの厚みの層の形態に
   なつている特許請求の範囲第３３項に記載の交叉結合し
   た重合体物質。 ４１）有機金属物質が環式有機金属物質である特許請求
   の範囲第３３項に記載の重合体物質。