JPS61216316A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

Info

Publication number
JPS61216316A
JPS61216316A JP60033862A JP3386285A JPS61216316A JP S61216316 A JPS61216316 A JP S61216316A JP 60033862 A JP60033862 A JP 60033862A JP 3386285 A JP3386285 A JP 3386285A JP S61216316 A JPS61216316 A JP S61216316A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gaas
semiconductor layer
concentration
doped
doping
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP60033862A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0318733B2 (ja
Inventor
Masahiko Sasa
佐々　誠彦
Kazuhiro Kondo
和博 近藤
Shunichi Muto
俊一 武藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP60033862A priority Critical patent/JPS61216316A/ja
Priority to DE8686400366T priority patent/DE3666646D1/de
Priority to EP86400366A priority patent/EP0196245B1/en
Priority to KR1019860001253A priority patent/KR900001233B1/ko
Publication of JPS61216316A publication Critical patent/JPS61216316A/ja
Publication of JPH0318733B2 publication Critical patent/JPH0318733B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
    • H01L29/7786—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with direct single heterostructure, i.e. with wide bandgap layer formed on top of active layer, e.g. direct single heterostructure MIS-like HEMT
    • H01L29/7787—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with direct single heterostructure, i.e. with wide bandgap layer formed on top of active layer, e.g. direct single heterostructure MIS-like HEMT with wide bandgap charge-carrier supplying layer, e.g. direct single heterostructure MODFET
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02387—Group 13/15 materials
    • H01L21/02395—Arsenides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02439—Materials
    • H01L21/02455—Group 13/15 materials
    • H01L21/02463—Arsenides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02538—Group 13/15 materials
    • H01L21/02546—Arsenides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/0257—Doping during depositing
    • H01L21/02573—Conductivity type
    • H01L21/02576—N-type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/0257—Doping during depositing
    • H01L21/02573—Conductivity type
    • H01L21/02579—P-type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/02631—Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/20—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
    • H01L29/207—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds further characterised by the doping material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/36—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the concentration or distribution of impurities in the bulk material
    • H01L29/365—Planar doping, e.g. atomic-plane doping, delta-doping

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の製造方法、特に砒化ガリウム（Ｇ
ａＡｓ）、砒化アルミニウムガリウム（ＡＩＧａＡｓ）
半導体層のシリコン（Ｓｉ）による高濃度のドーピング
方法に関する。
現在の半導体装置に主として用いられているシリコンの
物性に基づく限界を超えるために、キャリアの移動度が
シリコンより温かに大きいＧａＡｓなどの化合物半導体
を用いる半導体装置が開発されている。
また、例えばレーザ、ホトダイオードなどの光半導体装
置においては、目的とする光に対応するエネルギーバン
ドギャプ等の組合せを実現するためにＧａＡｓ、　Ａｌ
ＧａＡｓなどの化合物半導体が多く用いられている。
このＧａＡｓなどの化合物半導体はシリコンより耐熱性
が低く、製造プロセス中の熱処理温度が制限されるなど
の理由により、不純物の活性化が低率に止まって従来高
いキャリア濃度が得られず、キャリア濃度を増大する製
造方法が強く要望されている。
〔従来の技術〕
マイクロ波用低雑音ＧａＡｓショットキバリア形電界効
果トランジスタ、ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓダブルへテロ
接合レーザ等の半導体装置の半導体層の成長方法として
、分子線エピタキシャル成長方法（ＭＢＨ法）は他の液
相、気相などの成長方法より優れた結果を与えている。
このＧａＡｓ　ＭＢＢ半導体層にｎ型の導電性を与える
ドーパントとして、■族のＳｉ、ゲルマニウム（Ｇｅ）
、錫（Ｓｎ）、■族の硫黄（Ｓ）、セレン（Ｓｅ）、テ
ルル（Ｔｅ）が知られているが、特にＳｉが多く用いら
れている。これは■族の各元素を制御するためには化合
物を用いる必要があり、Ｇｅは成長条件によってｐ型に
もなり、またＳｎは急峻なプロファイルの形成が容易で
はないなどの理由による。
°従来ＭＢＥ法によってＧａＡｓ層にＳｉをドーピング
する場合に、例えばＧａＡｓ基板の温度を５００〜７０
０℃とし、分子線源のＡｓを２００〜３００℃、Ｇａを
９００〜１１００℃、Ｓｉを１１００〜１３００℃程度
として、八Ｓ及びＧａのビームとＳｉのビームとを同時
に基板上に入射させ、成長速度０　、５　ｎ　／　ｈ程
度でＧａＡｓ中にＳｔを一様にドーピングしている。こ
の従来のＭＢＥ法によって得られるキャリア電子濃度Ｎ
は５〜７×１０１８Ｃ１１−″程度が最大限界である。
また例えばノンドープのＧａＡｓ層にＳｉをドーピング
する方法として、Ｓｉイオンを注入し熱処理によりこれ
を活性化する方法が行われているが、熱処理温度が例え
ば８００〜８５０℃程度に制限されるために注入したＳ
ｉイオンの活性化率が低く、この方法で得られるキャリ
ア電子濃度Ｎは１〜２Ｘ１０”（Ｊ　−’程度に止まっ
ている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
ＧａＡｓ半導体装置において従来得られているｎ型キャ
リア濃度は、上述の如く最大５〜７ＸｌＯ”ｃｍ″３程
度であるが、他方シリコン半導体装置においては１０”
（Ｊ−”程度以上のキャリア濃度がしばしば用いられて
いる。
ＧａＡｓ半導体装置に期待される優れた特性を十分に実
現するために、従来より高いキャリア濃度を得て、抵抗
値の低減、電流の増大等を達成することが要望されてい
る。
〔問題点を解決するための手段〕
前記問題点は、砒化ガリウム又は砒化アルミニウムガリ
ウム半導体層に、−面当たりの濃度を２ＸＩＱ”ｃａｍ
−２以上とし、かつドープ面相互間の間隔を４画以下と
じて、シリコンをアトミックプレーンドーピングする本
発明による半導体装置の製造方法により解決される。
〔作　用〕
本発明ではＧａＡｓ又はＡｌＧａＡｓ半導体層にＳｔを
アトミックプレーンドーピング方法によりドーピングす
る。すなわちＧａＡｓ又はＡｌＧａＡｓ半導体層のＭＢ
Ｂ成長中に、Ｇａ、又はＡ１とＧａのビームを停止して
ＧａＡｓ又はＡｌＧａＡｓ半導体層の成長を中断し、Ｓ
ｉビームを入射させてＳｉ原子をこの半導体層上に被着
し、次いでＳｉビームを停止して再度ＧａＡｓ又はＡｌ
ＧａＡｓ半導体層を成長することを複数回繰り返して行
う。
ＧａＡｓ半導体層にＳｉアトミックプレーンドーピング
を行った場合の、基本的なドーピング特性は例えば第１
図及び第２図の様になる。
第２図は、Ｓｔのアトミックプレーンドーピングを一面
だけ行ったＧａＡｓ半導体層におけるＳｔの面濃度ＮＤ
！とキャリア電子の面濃度Ｎ、との相関の例を示す。同
図中、・は温度７７に１０は３００Ｋにおけるホール効
果による測定、口は３００Ｋにおけるキャパシタンス−
電圧法による測定結果の例を示し、破線は活性化率１０
０％を示す。
同図に見られる如＜、Ｓｌの面濃度Ｎａ５＝３Ｘ１０Ｉ
！ｃＩ１１４程度まではＳｉは完全に活性化され、Ｓｔ
面濃度Ｎ、とともに電子面濃度Ｎ、が増加するが、これ
以上のＳｉ面濃度では活性化率が低下する飽和傾向が現
れる。
従って、高い電子面濃度Ｎ３を得るためにはＳｉ面濃度
ＮＤ！を２　Ｘ　１０目ｃｆｌＩ弓程度以上とすること
が必要であり、またＳｉ面面濃度イアが３Ｘ１０”ａｍ
−”程度を超えてもその効果は少ない。
第１図は２０周期のＳｉアトミックプレーンドーピング
を、ＳｉＯ面濃度Ｎゎ、を−面当たり約３Ｘ１０”ｃａ
Ｉ−”の一定値とし、ドープ面相＃間の間隔を変化させ
て行ったＧａＡｓ半導体層について、ドープ面相互間の
間隔ｄに対するキャリア電子の単位面積当たりの面濃度
Ｎｓ（○で示す）及び単位体積当たりの濃度Ｎ（・で示
す）の相関を示す。
ドープ面相互間の間隔ｄが４ａｍ程度以下になればＳｔ
の活性化率が次第に減少し、単位面積当たりの電子面濃
度Ｎ３は低下するが、単位体積当たりの電子濃度Ｎは間
隔ｄの減少に伴って増加し、４ａｍ以下では先に述べた
従来のキャリア濃度の最大限界７Ｘ１０−”ｃａＩ弓を
超え、’ｌ　ｎｍ以下ではｌＸｌ０”ａｍ　−２以上に
達している。
これらのドーピング特性から、面濃度Ｎ８．を２Ｘ１０
１２ｃｍ−２以上とし、かつドープ面相互間の間隔ｄを
４　ｎｍ以下として、Ｓｉをアトミ・７クブレーンドー
ピングすることにより、ＧａＡｓ半導体層に従来の限界
を超えるキャリア電子濃度が実現される。ま゛たＡｌＧ
ａＡｓ半導体層についても同等の効果が得られる。
〔実施例〕
以下本発明を実施例により具体的に説明する。
ＭＢＨ法によってＧａＡｓ基板温度約５２０℃で、成長
速度約０．６ｎへのＧａＡｓ半導体層のエピタキシャル
成長と、面濃度Ｎｕｓ＃３　ＸＩＯ”ｃｍ−”、ドープ
面相互間の間隔ｄ＃２ｎｍのＳｉアトミックプレーンド
ーピングを、２０周期行ったＧａＡｓ半導体層において
、約１．０２Ｘ　１０１０ｌ９ａ”の電子濃度が得られ
ている。
また、Ｓｉ面濃度Ｎ　６　ｇを約２ＸＩＱ”ａｍ−”と
し、ドープ面相互間の間隔ｄを２ｎｍとして、２０周期
のアトミックプレーンドーピングを行ったＧａＡｓ半導
体層において、約９ｘ１０’ｓｃｓ＋−３の電子濃度が
得られている。
〔発明の効果〕
以上説明した如く本発明によれば、にａＡｓ又はＡｌＧ
ａＡｓ半導体層のキャリア電子の濃度を、従来の製造方
法によっては不可能であった１Ｑ１９ｃ、−３程度以上
とすることが可能となり、高い電子移動度に併せて電流
の増加、抵抗値の低減等が実現されて、化合物半導体装
置の主力であるＧａＡｓ系半導体装置の進歩に大きい効
果が得られる。
【図面の簡単な説明】
第１図は、面濃度約３Ｘ１０”ａｍ−”で、２０周期の
Ｓｉアトミックプレーンドーピングを行ったＧａＡｓ半
導体層について、ドープ面相互間の間隔ｄに対する電子
の面濃度Ｎｓ及び単位体積当たりの濃度Ｎの相関の例を
示す図。 第２図は、Ｓｉアトミックブレーンドーピングを一面だ
け行ったＧａＡｓ半導体層について、Ｓｔ面面濃度Ｎｏ
色電子面濃度Ｎ、との相関の例を示す図であギ　１　口 （ｔ０１２ｃｘ２） Ｓｊ、ｍ濃度ＩＤｓ　（１０”　Ｃ７１Ｌ−２）苓　２
　圀

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 砒化ガリウム又は砒化アルミニウムガリウム半導体層に
    、一面当たりの濃度を２×１０＾１＾２ｃｍ＾−＾２以
    上とし、かつドープ面相互間の間隔を４ｍｍ以下として
    、シリコンをアトミックプレーンドーピングすることを
    特徴とする半導体装置の製造方法。
JP60033862A 1985-02-22 1985-02-22 半導体装置の製造方法 Granted JPS61216316A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60033862A JPS61216316A (ja) 1985-02-22 1985-02-22 半導体装置の製造方法
DE8686400366T DE3666646D1 (en) 1985-02-22 1986-02-21 Compound semiconductor layer having high carrier concentration and method of forming same
EP86400366A EP0196245B1 (en) 1985-02-22 1986-02-21 Compound semiconductor layer having high carrier concentration and method of forming same
KR1019860001253A KR900001233B1 (ko) 1985-02-22 1986-02-22 고캐리어 농도를 갖는 화합물 반도체층 및 그의 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60033862A JPS61216316A (ja) 1985-02-22 1985-02-22 半導体装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS61216316A true JPS61216316A (ja) 1986-09-26
JPH0318733B2 JPH0318733B2 (ja) 1991-03-13

Family

ID=12398309

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60033862A Granted JPS61216316A (ja) 1985-02-22 1985-02-22 半導体装置の製造方法

Country Status (4)

Country Link
EP (1) EP0196245B1 (ja)
JP (1) JPS61216316A (ja)
KR (1) KR900001233B1 (ja)
DE (1) DE3666646D1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6294923A (ja) * 1985-10-22 1987-05-01 Nec Corp 半導体材料への不純物ド−ピング方法
EP0525297A2 (en) * 1991-05-08 1993-02-03 Fujitsu Limited Method of growing doped crystal

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2620268A1 (fr) * 1987-09-03 1989-03-10 Centre Nat Rech Scient Procede de dopage d'une couche semi-conductrice et transistor obtenu par ce procede
JP2586053B2 (ja) * 1987-09-25 1997-02-26 日本電気株式会社 電界効果トランジスタ
US5888886A (en) * 1997-06-30 1999-03-30 Sdl, Inc. Method of doping gan layers p-type for device fabrication
CN112670356B (zh) * 2020-12-24 2023-05-12 湖南科莱特光电有限公司 单分子层内δ掺杂的半导体材料及其制备方法和探测器

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5395571A (en) * 1977-02-02 1978-08-21 Hitachi Ltd Semiconductor device
JPS57164573A (en) * 1982-02-26 1982-10-09 Hitachi Ltd Semiconductor device
JPS5844774A (ja) * 1981-09-11 1983-03-15 Konishiroku Photo Ind Co Ltd アモルフアスシリコン半導体装置及びその製造方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4882609A (en) * 1984-11-19 1989-11-21 Max-Planck Gesellschaft Zur Forderung Der Wissenschafter E.V. Semiconductor devices with at least one monoatomic layer of doping atoms

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5395571A (en) * 1977-02-02 1978-08-21 Hitachi Ltd Semiconductor device
JPS5844774A (ja) * 1981-09-11 1983-03-15 Konishiroku Photo Ind Co Ltd アモルフアスシリコン半導体装置及びその製造方法
JPS57164573A (en) * 1982-02-26 1982-10-09 Hitachi Ltd Semiconductor device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6294923A (ja) * 1985-10-22 1987-05-01 Nec Corp 半導体材料への不純物ド−ピング方法
EP0525297A2 (en) * 1991-05-08 1993-02-03 Fujitsu Limited Method of growing doped crystal

Also Published As

Publication number Publication date
KR900001233B1 (ko) 1990-03-05
EP0196245A1 (en) 1986-10-01
JPH0318733B2 (ja) 1991-03-13
DE3666646D1 (en) 1989-11-30
EP0196245B1 (en) 1989-10-25
KR860006828A (ko) 1986-09-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
GB2024506A (en) Ohmic contacts to n-type group iii-v semiconductors
US5030580A (en) Method for producing a silicon carbide semiconductor device
JPS61216316A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH04233219A (ja) 半導体デバイスからなる製品の製造方法
JPH0344919A (ja) 半導体デバイスの製造方法
JPS6362313A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH02260628A (ja) 半導体デバイスの製造方法
JP5954677B2 (ja) ＩＩＩ／ＶＳｉテンプレートの製造方法およびＩＩＩ／Ｖ半導体ベースの半導体部品をモノリシック集積化する方法
US4032950A (en) Liquid phase epitaxial process for growing semi-insulating gaas layers
JPH0249422A (ja) 炭化珪素半導体装置の製造方法
JP2694260B2 (ja) 半導体素子
Nishizawa Stoichiometry control and point defects in compound semiconductors
JPS6329935A (ja) 多層薄膜構造
JPS61241972A (ja) 化合物半導体装置
JPS596054B2 (ja) 半導体素子の製造方法
JPH0272616A (ja) 分子線エピタキシャル成長法
JPH01161822A (ja) 素子およびその製造法
JPS63299164A (ja) ショットキ障壁型半導体装置
JPS61172379A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS61276318A (ja) 化合物半導体装置の製造方法
JPS61292964A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS63156363A (ja) 半導体装置
JPH02183518A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH0328064B2 (ja)
JPS5812324A (ja) 液相エピタキシヤル成長法

Legal Events

Date Code Title Description
EXPY Cancellation because of completion of term