JPS61215668A - 透明絶縁被膜形成用ペースト - Google Patents
透明絶縁被膜形成用ペーストInfo
- Publication number
- JPS61215668A JPS61215668A JP5004786A JP5004786A JPS61215668A JP S61215668 A JPS61215668 A JP S61215668A JP 5004786 A JP5004786 A JP 5004786A JP 5004786 A JP5004786 A JP 5004786A JP S61215668 A JPS61215668 A JP S61215668A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- paste
- compd
- insulating film
- transparent insulating
- solvent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Organic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、液晶セル等の透明絶縁被膜に係り、特に液晶
セルの下部基板等よりのアルカリイオン溶出防止膜、基
板上に形成された電極層と、液晶層とを分離する絶縁膜
、TN型液晶表示装置等における液晶配向膜、などの形
成に用いられる透明絶縁被膜形成用ペーストに関する。
セルの下部基板等よりのアルカリイオン溶出防止膜、基
板上に形成された電極層と、液晶層とを分離する絶縁膜
、TN型液晶表示装置等における液晶配向膜、などの形
成に用いられる透明絶縁被膜形成用ペーストに関する。
従来、この種の透明絶縁被膜は、SiO□を主成分とし
た膜で、真空蒸着法、浸漬法などにより形成していた。
た膜で、真空蒸着法、浸漬法などにより形成していた。
しかし、真空蒸着法は、生産性が悪ろく、設備も大型に
なりがちであった。又、浸漬法は、不必要な箇所にも被
膜が形成され、パターンの微細化に対応できない欠点が
あった。
なりがちであった。又、浸漬法は、不必要な箇所にも被
膜が形成され、パターンの微細化に対応できない欠点が
あった。
これらの欠点を解消するため、スクリーン印刷法により
基板上等にペーストを所望形状に印刷し、焼成して透明
絶縁被膜を形成する方法が試みられているが、形成され
た被膜は、もろく、ポーラスであることが多く、被膜自
体の特性は、真空蒸着法、浸漬法により形成された被膜
より劣っていた。
基板上等にペーストを所望形状に印刷し、焼成して透明
絶縁被膜を形成する方法が試みられているが、形成され
た被膜は、もろく、ポーラスであることが多く、被膜自
体の特性は、真空蒸着法、浸漬法により形成された被膜
より劣っていた。
本発明は、叙上の欠点を解消し、成膜性がよく、電気絶
縁性も良く、透明度良好、被膜強度大、液晶分子に対す
る配向性が良く、スクリーン印刷により形成可能な透明
絶縁被膜形成用ペーストを提供する目的でなされたもの
である。
縁性も良く、透明度良好、被膜強度大、液晶分子に対す
る配向性が良く、スクリーン印刷により形成可能な透明
絶縁被膜形成用ペーストを提供する目的でなされたもの
である。
−+
1明絶縁被膜を形成する
だめのペーストの成分として、酸素の直接結合した有機
シリコン化合物と有機ジルコニウム化合物との混合物を
使用したことである。透明絶縁被膜をスクリーン印刷法
にて形成可能ならしめるためには、シリコン化合物、ジ
ルコニウム化合物が、高沸点(180C以上)有機溶媒
に、安定に溶解する必要があり、かつ、ペーストの焼成
温度450〜700Cで完全に酸化物となるものでなけ
ればならず、ビニルトリス(2−メトキシエトキシ)シ
ラン(V−5000)等の有機シリコン化合物、テトラ
アセチルアセトナートジルコニウム(Zr(acac)
4 )等の有機ジルコニウム化合物が該当する。有機シ
リコン化合物と、有機ジルコニウム化合物との混合物を
、有機溶媒に溶解させ、さらに粘性剤を添加し、混合し
て透明絶縁被膜形成用ペーストを作成するが、有機溶媒
としては、前記混合物に対して反応性が乏しく、沸点が
180〜350 Cの性質があるものでなけれハナラス
、ヘンシルアルコール、シフロピレングリコール等の高
沸点アルコール顧、ベンジルアセテート、カルピトール
アセテート等の高沸点エステル類、ブチルセロソルブ等
の高沸点エーテル顛などの高沸点有、磯溶媒が適用でき
る。前記有機溶媒は、二種以上を混合使用してよい。次
に、粘性剤としては、前記有機溶媒に対して溶解能がよ
く、ペーストの焼成温度450〜700 Cで完全に熱
分解するものでなければならないが、エチルセルロース
、ニトロセルローズ等のセルローズ系粘性剤が適用でき
る。
1明絶縁被膜を形成する
だめのペーストの成分として、酸素の直接結合した有機
シリコン化合物と有機ジルコニウム化合物との混合物を
使用したことである。透明絶縁被膜をスクリーン印刷法
にて形成可能ならしめるためには、シリコン化合物、ジ
ルコニウム化合物が、高沸点(180C以上)有機溶媒
に、安定に溶解する必要があり、かつ、ペーストの焼成
温度450〜700Cで完全に酸化物となるものでなけ
ればならず、ビニルトリス(2−メトキシエトキシ)シ
ラン(V−5000)等の有機シリコン化合物、テトラ
アセチルアセトナートジルコニウム(Zr(acac)
4 )等の有機ジルコニウム化合物が該当する。有機シ
リコン化合物と、有機ジルコニウム化合物との混合物を
、有機溶媒に溶解させ、さらに粘性剤を添加し、混合し
て透明絶縁被膜形成用ペーストを作成するが、有機溶媒
としては、前記混合物に対して反応性が乏しく、沸点が
180〜350 Cの性質があるものでなけれハナラス
、ヘンシルアルコール、シフロピレングリコール等の高
沸点アルコール顧、ベンジルアセテート、カルピトール
アセテート等の高沸点エステル類、ブチルセロソルブ等
の高沸点エーテル顛などの高沸点有、磯溶媒が適用でき
る。前記有機溶媒は、二種以上を混合使用してよい。次
に、粘性剤としては、前記有機溶媒に対して溶解能がよ
く、ペーストの焼成温度450〜700 Cで完全に熱
分解するものでなければならないが、エチルセルロース
、ニトロセルローズ等のセルローズ系粘性剤が適用でき
る。
本発明ペーストを、スクリーン印刷により、絶縁基板上
に印刷、焼成して得られる絶縁被膜は、成膜性よく、電
気絶縁性大、透明度良く、被膜強度穴で、しかも液晶分
子に対する配向性が良いものであった。
に印刷、焼成して得られる絶縁被膜は、成膜性よく、電
気絶縁性大、透明度良く、被膜強度穴で、しかも液晶分
子に対する配向性が良いものであった。
以下実施例をもとに、本発明をさらに詳しく説明する。
実施例
有機ジルコニウム化合物として、テトラアセチルアセト
ナートジルコニウム(Zr(acac)4)、有機シリ
コン化合物として、ビニルトリス(′2−メトキシエト
キシ)7ラン(V−5000)を用いて、これらの混合
比を変え、下記の組成により、ペーストを作成した。
ナートジルコニウム(Zr(acac)4)、有機シリ
コン化合物として、ビニルトリス(′2−メトキシエト
キシ)7ラン(V−5000)を用いて、これらの混合
比を変え、下記の組成により、ペーストを作成した。
金属部(Zr(acac)、 +V−5000)
5w1%溶媒部(ブチルセロソルブ)
83wt%粘111(、エチルセルローズ)
12wt%又、金属部として、有
機シリコン化合物V−5000のみを用いてペーストを
作成し、比較例とした。
5w1%溶媒部(ブチルセロソルブ)
83wt%粘111(、エチルセルローズ)
12wt%又、金属部として、有
機シリコン化合物V−5000のみを用いてペーストを
作成し、比較例とした。
作成したペーストを、ステン250メッシェ、レジスト
厚10μmのスクリーン版を用いて、ソーダガラス絶縁
基板上に印刷し、150Cで15分間予備乾燥し、50
0°Cで30分間焼成し、被膜を形成した。第1表は、
これら被膜の特性比較結果を示しだものである。
厚10μmのスクリーン版を用いて、ソーダガラス絶縁
基板上に印刷し、150Cで15分間予備乾燥し、50
0°Cで30分間焼成し、被膜を形成した。第1表は、
これら被膜の特性比較結果を示しだものである。
人: Zr(acacL B : V−5QQQ
X:不 良 Δ:やや不良 O:良 好第1表
かられかるように、ZrO2を添加し作成したペースト
を用いて得られる透明絶縁被膜は、有機ジルコニウム化
合物の添加量が多い程、密着強度穴、表面抵抗が高く、
透明度良好であった。又、ZrO,添加により得られる
ペーストの印刷性、成膜性も良好であった。
X:不 良 Δ:やや不良 O:良 好第1表
かられかるように、ZrO2を添加し作成したペースト
を用いて得られる透明絶縁被膜は、有機ジルコニウム化
合物の添加量が多い程、密着強度穴、表面抵抗が高く、
透明度良好であった。又、ZrO,添加により得られる
ペーストの印刷性、成膜性も良好であった。
Claims (1)
- 酸素の直接結合した、有機ジルコニウム化合物と、有機
シリコン化合物との混合物を有機溶媒に溶解し、さらに
粘性剤を添加混合して得られる透明絶縁被膜形成用ペー
スト。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5004786A JPS61215668A (ja) | 1986-03-06 | 1986-03-06 | 透明絶縁被膜形成用ペースト |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5004786A JPS61215668A (ja) | 1986-03-06 | 1986-03-06 | 透明絶縁被膜形成用ペースト |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP55162774A Division JPS5785860A (en) | 1980-11-19 | 1980-11-19 | Transparent insulating film and paste for forming transparent insulating film |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61215668A true JPS61215668A (ja) | 1986-09-25 |
Family
ID=12848077
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5004786A Pending JPS61215668A (ja) | 1986-03-06 | 1986-03-06 | 透明絶縁被膜形成用ペースト |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61215668A (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6159351A (ja) * | 1984-08-31 | 1986-03-26 | Canon Inc | カプセルトナ− |
-
1986
- 1986-03-06 JP JP5004786A patent/JPS61215668A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6159351A (ja) * | 1984-08-31 | 1986-03-26 | Canon Inc | カプセルトナ− |
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