JPS61211853A

JPS61211853A - 光磁気記録媒体

Info

Publication number: JPS61211853A
Application number: JP5367985A
Authority: JP
Inventors: Mitsuya Okada; 満哉岡田
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1985-03-18
Filing date: 1985-03-18
Publication date: 1986-09-19
Anticipated expiration: 2010-07-19
Also published as: JPH0766577B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は、レーザー光を用いて情報の記録再生消去をお
こなう光磁気記録媒体に関する。

（従来技術とその問題点）光デイスクメモリは高密度・大容ｔ−高速アクゼスが可
能であるということから、用孔の磁気ディスクメモリに
代わる新規なメモリとして考えられている。中でも光磁
気記録媒体を用いた光磁気ディスクは也き替え性を有し
ていることから最も注目され、近年活発に研究開発がお
こなわれでいる。

従来より知られている光磁気記録媒体の掃＊　＆Ｕ、　
。

第７図に示したように支持基板１としてガラスあるいは
有機物樹脂を用い、支持基板１」―に基板に対して乗置
方向に磁化を有する垂直磁化膜から成る光磁気配＠層３
を形成したものである。光磁気記録層としてはＭｕＢ　
ｉ、へ・石ＣｕＢ１．　ＭｎＴｉＢ１．１’ｖｌｎＡＩ
Ｏｅ。

ＰｔＣｏなどの結晶体磁性薄膜、あるいは（）ｄ、　Ｔ
ｂ。

ＤＹ、　Ｈ，ｏなトノ希土類とｌ’ｒｅ、　Ｃｏ、　Ｎ
ｉなどのｍ４＆［との合金として得られるアモルファス
磁性薄膜が知られている。また、第８１米に示したよう
に、支持基板１に深さ６００〜１００ＯＡ’周期１．６
〜２．５μｍの溝１１を同心円状もしくはうす巻き状に
形成し、前記支持基板１上に光磁気記録層３を形成した
媒体購成も知られている。ここで形成されている溝１１
は、記録媒体への情報の記録、あるいは再生、消去に用
いるレーザー集光ビームのトラッキングアクセスに用い
られるものである。

また、従来より知られている光磁気記録媒体として第９
図に示したように光磁気記録層３をスペーサ２と保護層
２′ではさみ込んだ形のものがある。

スペーサ２と保護層２′によって光磁気記録層３をはさ
み込むことによって基板側及び膜面側から光磁気記録層
３への水分の浸透及び酸素の侵入を防ぎ、光磁気記録層
３の経時変化、劣化を阻止することができる。この構成
の媒体においても第１０図のように第８図と同様、同心
円状もしくはうす巻き状の溝１１を持つ支持基板１を用
いた媒体が知られている。しかしながら、従来より知ら
れている前述の光磁気記録媒体では光磁気記録層３、ス
ペーサ２及び保護層２′の膜厚は半径方向に対して一定
となるように形成されているために、等角速度で媒体を
回転して情報の記録、再生、消去をおこなう場合、半径
位置に応じて記録パワー、再生パワー、消去パワーを変
えなければならないよいう欠点があった。（たとえば、
用久保ら；電子通信学会技術研究報告ＭＲ・８４−３９
）この原因は、一定膜厚の媒体の最適記録パワー、最適
再生パワー、最適消去パワーが媒体の線辻度に大きく依
存しているためである。

（発明の目的）本発明の目的は、前記従来の光磁気記録媒体の欠点を解
決し、簡単な媒体構成により、＃速に依存することなく
半径方向に対して一定の＠適記録パワー、最適再生パワ
ー、最適消去パワーを有し、良好な記録再生消去性能を
持つ新規な光磁気記録媒体を提供することにある。

（発明の構成）本発明によれば、レーザ光を用いて情報の記録再生消去
をおこなう光磁気記録媒体において、円板状支持基板と
前記支持基板上に形成されたスペーサと前記スペーサ上
に形成された光磁気記録層と前記光磁気配＠層上に形成
された保護層とを愉え、前記スペーサの膜厚もしくは前
記保脚層の膜厚いずれか一方が光磁気記録媒体の半径方
向に変化していることを特徴とする光磁気記録媒体が得
られる。

（構成の詳細な説明）本発明は上述の構成をとることにより、従来技術の問題
点を解決した。以下、本発明の詳細につを示す断面図で
ある。支持基板１上にスペーサ２が形成され、さらに前
記スペーサ２上に光磁気記録層３が形成され、さらに前
記光磁気記録層３の上に保護層２′が形成された構成で
ある。支持基板１としてはポリメチルメタクリレート、
ポリカームトラッキング用の溝１１があらかじめ形成さ
れたものも使用される。スペーサ２としては、基板側か
らの水分の浸透、酸素の侵入を防ぎ、使用するレーザ波
長において吸収のないものが用いられ、たとえば８ｉ０
．５ｉＯ１，ＣｅＯ，、ＺｒＯ，、ＴｉＱＢｉ、　０．
、ＷＯ，、ＳｎＯ，、Ｓｂ、　Ｏ，、Ａ１．０゜ＭｇＯ
，Ｔｈｅ、、Ｌａ、Ｏｓ　、Ｉｎｓ　Ｏ，、Ｎｄ、Ｏｌ
などの酸化物、ＡＩＮ、５ｔｓＮ４などの窒化物、Ｚｎ
Ｓ、８ｂ、ＩＦ）、　、ＣｄＳ　　なトノ硫化物、Ｔｈ
ＦいＭｇＦｔ　、ＬａＦ、、Ｎａｐｓ　、ＣｅＦｓ　、
ＰｂＬなどのフッ化物、５ｉＸＧｅなどの半導体が使用
される。光磁気記録層３としては、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ。

ＨＯなどの希土類金属と、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉなどの遷移
金属との合金から成るアモルファス磁性薄膜が用いられ
る。たとえば、ＧｄＣｏ、ＧｄＴｂＦｅ。

ＧｄＴｂＰｅＣｏ、ＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣｏ。

ＴｂＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅ、ＧｄＴｂＤｙＦｅ。

ＴｂＣｏ、’ｒｂＤｙＣｏＳＴｂＦｅＮｉ　なトチアル
。

保護層２′としては前記スペーサ２に用いた材料と同じ
ものが使用できる。

スペーサ２もしくは保護層２′めいずれかは媒体の半径
方向、すなわち媒体の内周から外周に向けて膜厚を変え
て作成され、外周はど膜厚が薄くなっている。これが、
本発明にかかる光磁気記録媒体の特徴である。スペーサ
２保護層２′及び光磁気記録層３は真空蒸着法、スパッ
タリング法などの成膜方法により作成される。スペーサ
２もしくは保挿層２′の膜厚を内周から外周に向けて薄
くなるように形成するには、第３図に示したようにディ
スク４の回転中心に対して偏心した位置に蒸着源あるい
はスパッタソース５を有する成膜装置を用いる。ディス
ク４をモーター６により回転させながら成膜することに
より、半径方向に所望の膜厚分布を持つ光磁気記録媒体
が容易に得られる。

ここで７は排気系、８は導入ガスボンベ、９は真空室で
ある。第４図（ａ）（１））（Ｃ）はそれぞれ光磁気記
録媒体の最適記録パワー、最適再生パワー、最適消去パ
ワーと絆速度との関係を示した図である。パラメータと
して第１図及び第２図の構成の媒体のスペーサ２もしく
は保護層２′の膜厚をとっている。

ここで言う最適記録パワーとは、記録信号に最も忠実に
記録ビットが形成できる記録パワーである。

また、最適再生パワーとは再生信号のΩへすなわち再生
信号レベルと剥音信号レベルの比が最も大きくなる再生
パワーを言う。さらに最適消去パワーとは最適記録され
たビットを完全に消去できる消去パワーを言う。最適記
録パワー、最適再生パワー、最適消去パワーはいずれも
ｍｓが増すと高パワーイ則にシフトする。また、スペー
サ２もしくは保護層２′の膜厚が厚くなると、同じ線速
であっても最餠となる各パワーは大きくなる。逆に、線
速に対して最適パワーを一定にするためにはスペーサ２
もしくは保護層２′の膜厚を変える必要がある。　　−
−″゛−１］−− −オー穏功如拝ミロ、スペーサ２もしくは保護層２′の
膜厚が半径方向に一様であると、第４図かられかるよう
に、最適な記録パワー、再生パワー、消去パワーを半径
位置に応じて変化させなければならない　′が、本発明
にかかる光磁気記録媒体のごとくスペーサ２もしくは保
護層２′いずれか一方の膜厚を第５図に示すように半径
方向に変化させ、外周部はど膜厚が減少するように作成
すると、最適パワーを半径位置に対して一定にできる。

（実施例−１）浅ｔさ７００λ１、中Ｍ０．８μｍ、ヒ−ツチ２．５μ
ｍのうす巻き状の溝を有するポリメチルメタクリレート
基板（１２ｏｍｍ直径、厚さ１．２ｍｍ）上に８ｉ、Ｎ
、から成ルスヘーサ、ＧｄＴｂＦｅ膜、Ｓｉ、Ｎ４から
成る保護膜を順次真空を破ることなくスパッタリング法
によりディスクを回転しながら連続、して成膜した。成
膜には第６図に示す成膜装置を用いた。

ディスク４の＠軒中心から偏心した位置２ケ所スパツタ
ソース２Ｌ２２を持つ構成である。一方のスパッタソー
ス２１にはＳｉターゲット、他方のスパッタソース２２
にはＧｄ、Ｔｂ、ｐｅから成る複合型ターゲットを用い
た０　８１１　Ｎ４膜は２Ｘ１０Ｔｏｒｒ以下に排気後
Ａｒ　−１−Ｎ宜混合ガスをＩＸ］０Ｔｏｒｒ導入し反
応性スパッタリングによって形成された。

ＧｄＴｂＦｅ膜はＡｒガスによるスパッタリングによっ
て成膜された。基板上に形成される第１層目のスペーサ
はディスクとターゲット間に置いた扇状の開口を持つシ
ールド板２３によって半径方向に均一な膜厚となるよう
調節された。膜厚は７００Ａ“とじた。第２層目の光磁
気記録層−Ｇ　ｄ　Ｔ　ｂ　Ｆ　ｅ膜も第１層と同様の
シールド板を用いることによって半径方向に均一な膜厚
に成膜された。

膜厚は１００ＯＡ’″とじた。第３層目の保護膜の成膜
にはシールド板は用いず、膜厚は半径２９ｍｍで１００
０Ｘ°゛、半径５８ｍｍで７００Ｘ′″とした。

次に、作成した光磁気記録媒体を用いて情報の記録、再
生、消去をおこなった。媒体を毎秒３０巨１転で回転し
、基板側からレーザ光を入射して記録。

再生、消去をおこなった。半径２９ｍｍから５３　ｍｍ
において最適な記録パワー、再生パワー、消去パワーは
それぞれ一定であり、良好な記録、再生。

消去ができた。

（実施例−２）実施例−１と同様の方法により、光磁気記録媒体を作成
した。第１層目のスペーサＳｉ、Ｎ、の膜とし、第２層
目のＧ　ｄ　’ｌ’　ｂ　Ｆ　ｅ膜と第３層目の保護Ｎ
８ｉ−Ｎａはそれぞれ半径方向に均一に１０００Ｘ°、
９５０Ａ”　とした。作成した媒体を毎秒３０回転で回
転し、保護ｒ０側からレーザ光を入射して記録、再生、
消去をおこなった。半径２！３　ｒｏ　ｍから５８ｍｍ
において最適な記録パワー、再生パワー、消去パワ−は
それぞれ一定であり、良好な記録、再生、消去ができた
。

（発明のダｊり１）以−ヒ、説明したように本院１明によれば従来例と比較
して次のような効果かある。

■　等角速度回転での使用において、光磁気記録層什の
半径方向に対して最適記録パワー、最適消去パワーが一
定となるように媒体設計されているので、従来例のよう
に半径位置に応じて各パワーを変える必要がなく、装置
前構成を簡略化できる。

■　蒸着源あるいはスパッタソースの位置に対してディ
スク回転中心を偏心させることにより、容易に半径方向
に所望の膜厚分布を持つ婬体が作成できる。

■　本発明は基板側からレーザ光を入射する方式及び保
論膜仙からレーザ光を入射する方式ともに適用できる。

■　本発明は等角速度回転で用いる光磁気記録層体ずべ
てに適用できる。すなわち、本発明の実施例に限らす、
種々の保獲層材料、光磁気記録層料、反射層材料を用い
た種々の膜構成の光磁気記録媒体に適用できる。

かかる光磁気記録媒体の作成に用いる戒Ｉｌｖ装置の棚
、略図、ｆＲ４図Ｖｉｌ（ａ）、（ｂ）、（Ｃ）は光磁
気記録媒体の最適記録パワー、最適再生パワー、最適消
失パワーと線速度との関係を示した図、８Ｉ￥５図は本
発明にかかる光磁気記録媒体の保護層の半径方向の膜厚
分布を示す図、第６図は本発明の実施例で用いた成膜装
置の棚、略図、第７図、第８図、第９図及び第１０図は
従来の光磁気記録媒体の構成を示す断面図である。

図中、　　■・・・支持基板、２・・・スペーサ、２′
・・・保護層、３・・・光磁気記録層、４・・・ディス
ク、５・・・蒸着源あるいはスパッタソース、６・・・
モーター７・・・排気系、８・・・導入ガスボンベ、９
・・・真空室、Ｉ　：　支持基板２ニスへ０−４２２′：保場層、３　：光−気配鉱層１　；　支諮基扱２　；　スベ一け２′：　　保ｌＬ層３　：　忙確敗郭録層ｌｌ：＃）亭　　３　　　（２）乙　：　モーター　　　　　　　　　　ｑ　：　真墾宜
半　　５　　図ス。

やりモしくテ′ンス２半テ且多　　乙　　図４　：　テ゛４ス２　　　　　　　　ｑ　　：　」μｚ
室乙　：　七−ター　　　　　　２１，２２：　　スノ
でツタソース７：　排気系　　　　　　２３：　　シー
ルＩ−″投８　：　１１人カスギ・ノベ。

亭　７　　図ノ　：　亡七ト」；１酬１信ぎ＝コフξと３　：　＃：
磁気説舞層蜂　　６　　（２）３　：＃：穏気気３線屑ｎ　　：　　？詐半　　ｑ　　図２　：　ヌに一ザＺ′　　　　：　　　イ￥　ｊ　　シーな３　　　　：
　　　ノＣイφに気毒こ４５しＡ齢亭　　１０　　　図１　　：　支持＃張２　：　スペープｌｌ：　　漠

Claims

【特許請求の範囲】

レーザ光を用いて情報の記録再生消去をおこなう光磁気
記録媒体において、円板状支持基板と前記支持基板上に
形成されたスペーサと前記スペーサ上に形成された光磁
気記録層と前記光磁気記録層上に形成された保護層とを
備え、前記スペーサの膜厚もしくは前記保護層の膜厚い
ずれか一方が光磁気記録媒体の半径方向に変化している
ことを特徴とする光磁気記録媒体。