JPS61210126A - 永久磁石薄帯の製造方法 - Google Patents
永久磁石薄帯の製造方法Info
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- JPS61210126A JPS61210126A JP5056185A JP5056185A JPS61210126A JP S61210126 A JPS61210126 A JP S61210126A JP 5056185 A JP5056185 A JP 5056185A JP 5056185 A JP5056185 A JP 5056185A JP S61210126 A JPS61210126 A JP S61210126A
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- rolling
- ribbon
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C21—METALLURGY OF IRON
- C21D—MODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
- C21D8/00—Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment
- C21D8/12—Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment during manufacturing of articles with special electromagnetic properties
- C21D8/1205—Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment during manufacturing of articles with special electromagnetic properties involving a particular fabrication or treatment of ingot or slab
- C21D8/1211—Rapid solidification; Thin strip casting
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing Of Steel Electrode Plates (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、永久ｍ石薄帯の製造方法に関し、とくにｒ
ｅ−ａｘ−ｃｏ系永久磁石の製造過程において、圧延お
よび焼鈍処理に工夫を加えることにより、（１００）〔
００１１方位の集攬度を高めて唆れた磁石特性を呈する
永久磁石薄帯を得ようとするものである。
ｅ−ａｘ−ｃｏ系永久磁石の製造過程において、圧延お
よび焼鈍処理に工夫を加えることにより、（１００）〔
００１１方位の集攬度を高めて唆れた磁石特性を呈する
永久磁石薄帯を得ようとするものである。
（従来の技術）
Ｆｅ−Ｑｒ−Ｃｏ系磁石は、Ａｌ−Ｎ１−Ｃｏ系磁石に
比べると機械加工性に富むという大きな特長をそなえて
いる。このＦｅ −Ｏｒ −Ｃｏ系磁石は、Ａｌ−Ｎｉ
−Ｃ０系磁石と同じくスピノーダル分解型の磁石である
ため、鋳込んだのち１２００〜１３００”Ｃの溶体化処
理を施してα単相としてから水冷し、ついで磁場中時効
処理を施し、かかる磁場中時効処理の間にスピノーダル
分解を生じさせて、α→α□＋α３の２栴分離相とし、
かくして強磁性を発現させるわけである。
比べると機械加工性に富むという大きな特長をそなえて
いる。このＦｅ −Ｏｒ −Ｃｏ系磁石は、Ａｌ−Ｎｉ
−Ｃ０系磁石と同じくスピノーダル分解型の磁石である
ため、鋳込んだのち１２００〜１３００”Ｃの溶体化処
理を施してα単相としてから水冷し、ついで磁場中時効
処理を施し、かかる磁場中時効処理の間にスピノーダル
分解を生じさせて、α→α□＋α３の２栴分離相とし、
かくして強磁性を発現させるわけである。
ところで最近では、ＯＡ機ｉ用の扁平ステップモーター
や薄型スピーカーなどの分野において、極薄でしかも特
性の良い永久磁石に対する要求が殊のはか高まっている
。この点発明者らは先に従来の鋳造、圧延法に替わり、
低コストで簡単な液体急冷法による０、５闘厚程度以下
の永久磁石薄帯を得る方法を提案した（特願昭５９−１
１３０９６７号明細書）。この製造方法により作成され
るＦｅ−ｃｒ −ｃｏ系永久磁石薄帯の結晶組織は、板
厚方向に柱状晶がのびたいわゆる、（１００）面内無方
向性組織である。
や薄型スピーカーなどの分野において、極薄でしかも特
性の良い永久磁石に対する要求が殊のはか高まっている
。この点発明者らは先に従来の鋳造、圧延法に替わり、
低コストで簡単な液体急冷法による０、５闘厚程度以下
の永久磁石薄帯を得る方法を提案した（特願昭５９−１
１３０９６７号明細書）。この製造方法により作成され
るＦｅ−ｃｒ −ｃｏ系永久磁石薄帯の結晶組織は、板
厚方向に柱状晶がのびたいわゆる、（１００）面内無方
向性組織である。
ｙｅ−ｃｒ−ｃｏ系磁石のスピノーダル分解は、磁場中
熱処理を行なうとＦｅＧｏ相が磁場方向に件び、一方磁
場がない場合は＋１００）軸方向に呻びることが知られ
ている。したがって（１００３面内無方向性組織におい
ては、板厚方向に磁場を加えて時効処理を施せば板厚方
向の磁石特性は非常に優れたものになる。
熱処理を行なうとＦｅＧｏ相が磁場方向に件び、一方磁
場がない場合は＋１００）軸方向に呻びることが知られ
ている。したがって（１００３面内無方向性組織におい
ては、板厚方向に磁場を加えて時効処理を施せば板厚方
向の磁石特性は非常に優れたものになる。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら薄帯の長手方向またはその直角方向に磁場
を加えて時効処理を施したとしても面内無方向性組織で
あるため板厚方向の時はど特性が良くならないというと
ころに問題を残していた。
を加えて時効処理を施したとしても面内無方向性組織で
あるため板厚方向の時はど特性が良くならないというと
ころに問題を残していた。
この発明は、上記の問題を有利に解決するもので、板の
長手方向および板幅方向ともに、板厚方向と同程度に磁
気特性が良好な（１００）（ＱＯ１〕組織を有するｙｅ
−ａｒ −Ｃｏ系磁石薄帯の有利なｌＩ！造方法を提
供することを目的とする。
長手方向および板幅方向ともに、板厚方向と同程度に磁
気特性が良好な（１００）（ＱＯ１〕組織を有するｙｅ
−ａｒ −Ｃｏ系磁石薄帯の有利なｌＩ！造方法を提
供することを目的とする。
（問題点を解決するための手段）
すなわちこの発明は、Ｑｒ ： １０〜ａ ｓ ｗｔ％
（以下単に外で示す）および００８６〜３６％を色み、
ときにはさらにＢ 、 Ｏ＋ Ｓｉ 、 ｋｌ 、 Ｐ
。
（以下単に外で示す）および００８６〜３６％を色み、
ときにはさらにＢ 、 Ｏ＋ Ｓｉ 、 ｋｌ 、 Ｐ
。
ＭＯ＊ Ｗ ｓ Ｉｎ ＊ Ｔｉ ｙ ”ｉ ａ Ｎｋ
） ｔ Ｚｒ ｌ ＳｎおよびＺｎのうちから選んだ少
なくとも一種を０．０１〜５．００％の範囲において含
有する組成になる溶鋼を、冷却面が高速で更新移動する
冷却体上に連続して供給し、急冷凝固させて薄帯とした
のち１該薄帯に中間焼鈍を挾む２回の圧延を施すに当り
、第１回目の圧延を圧下率：１０％以上、第２回目の圧
延を圧下率：５０〜８０％の範囲において施し、ついで
この薄帯に１０５０ Ｎ１３００’ｃの温度範囲で焼鈍
を施したのち、ａＯＯ〜ｓ ｏ ｏ ”ｃの温度範囲で
時効焼鈍を施すことを特徴とする、結晶粒の方位が（１
００）〔００１〕に高度に業種した永久磁石薄帯の製造
方法である。
） ｔ Ｚｒ ｌ ＳｎおよびＺｎのうちから選んだ少
なくとも一種を０．０１〜５．００％の範囲において含
有する組成になる溶鋼を、冷却面が高速で更新移動する
冷却体上に連続して供給し、急冷凝固させて薄帯とした
のち１該薄帯に中間焼鈍を挾む２回の圧延を施すに当り
、第１回目の圧延を圧下率：１０％以上、第２回目の圧
延を圧下率：５０〜８０％の範囲において施し、ついで
この薄帯に１０５０ Ｎ１３００’ｃの温度範囲で焼鈍
を施したのち、ａＯＯ〜ｓ ｏ ｏ ”ｃの温度範囲で
時効焼鈍を施すことを特徴とする、結晶粒の方位が（１
００）〔００１〕に高度に業種した永久磁石薄帯の製造
方法である。
以下この発明を具体的に説明する。
まずこの発明において、成分組成を上記の範囲に限定し
た理由を以下に述べる。
た理由を以下に述べる。
（：！ｒ：１０ Ｎ３５％
Ｏｒは、非磁性のマトリックスを形成する成分であるが
Ｓ含有量が１０％に満たないと満足いく溶体化が達成さ
れず、一方３５％を超えると残留磁束密度が低下して磁
石としての性能が劣化するので、Ｏｒ含有泄は１０〜３
５％の範囲に限定した。
Ｓ含有量が１０％に満たないと満足いく溶体化が達成さ
れず、一方３５％を超えると残留磁束密度が低下して磁
石としての性能が劣化するので、Ｏｒ含有泄は１０〜３
５％の範囲に限定した。
Ｃｏ ： ５〜３５％
ＧＯは、Ｆｅと共に強磁性成分として添加されるもので
あるが、添加量が５％に満たないとスピノ−ダル分解が
起き難く、一方３５％を超えると十分な溶体化が期待で
きなくなるので、ｃｏ含有麓は５〜３６％の範囲に限定
した。
あるが、添加量が５％に満たないとスピノ−ダル分解が
起き難く、一方３５％を超えると十分な溶体化が期待で
きなくなるので、ｃｏ含有麓は５〜３６％の範囲に限定
した。
その他制成分としてＢ、○ｔ Ｓｉ 、 Ｌｌ、 Ｐ
。
。
Ｍｏ 、 Ｗ 、 Ｖ 、 Ｈｂ 、 Ｔｉ ｓ Ｚｒ
、 Ｋｎ 、 ＳｎおよびＺｎのうち少なくとも一種
を、０．０１〜５．００％の範囲において添加すること
もできる。
、 Ｋｎ 、 ＳｎおよびＺｎのうち少なくとも一種
を、０．０１〜５．００％の範囲において添加すること
もできる。
これらの元素はいずれも、時効処理における（ｌ Ｑ
Ｏ）方向への異方性分解の増強に有効に寄与するが、添
加量が０．０１％未満ではその添加効果に乏しく、一方
５，００１．を超えると残留磁束密度が低下するので、
添加量は単独添加の場合もまた腹合添加の場合も０．０
１〜５．００％の範囲とする必要がある。
Ｏ）方向への異方性分解の増強に有効に寄与するが、添
加量が０．０１％未満ではその添加効果に乏しく、一方
５，００１．を超えると残留磁束密度が低下するので、
添加量は単独添加の場合もまた腹合添加の場合も０．０
１〜５．００％の範囲とする必要がある。
次にこの発明の製造工程を実験データに基いて具体的に
説明する。
説明する。
Ｏｒ ２８％、（３０１２％、’１’１０．１％および
８１０．１％を含有し、残部Ｆｅよりなる溶鋼から双ロ
ール法により、厚さ０，０５ 、０．１ 、０．１５
、０．ｊｉｌ。
８１０．１％を含有し、残部Ｆｅよりなる溶鋼から双ロ
ール法により、厚さ０，０５ 、０．１ 、０．１５
、０．ｊｉｌ。
０．８ ：ｊｉＪ Ｊ： Ｕ Ｑ、５ ｖｅｘの各薄帯
を作成した。０．０５ ｗａ、厚の薄帯を除いた他の薄
帯については、第１回目の圧延を種々の圧下率で施し、
ついで３５０ ’Ｃで５ｗ１ｎ間の非酸化性雰囲気中で
の焼鈍を施したのち、０．０５１ｍ厚まで圧延した。ま
たそれぞれの板厚から直接に１回の圧延で０．０５１ａ
Ｉ厚に圧延した。なお鋳造ままで０．０５０厚の薄帯に
は圧延を施さなかった。
を作成した。０．０５ ｗａ、厚の薄帯を除いた他の薄
帯については、第１回目の圧延を種々の圧下率で施し、
ついで３５０ ’Ｃで５ｗ１ｎ間の非酸化性雰囲気中で
の焼鈍を施したのち、０．０５１ｍ厚まで圧延した。ま
たそれぞれの板厚から直接に１回の圧延で０．０５１ａ
Ｉ厚に圧延した。なお鋳造ままで０．０５０厚の薄帯に
は圧延を施さなかった。
これらの板層間にはく離削としてＡ！、０８粉末を充填
して１水素雰囲気中で１２００℃、ｅ ｏ ｍｉｎの焼
鈍を施した後、直ちに炉より引き出して水冷した。つい
でこれらの薄帯の表面を洗浄した後、長手方向に切り出
しく２００）極点図を測定した。各試料の（ｔｏｏ ）
（００１）組織への集積の程度について調べた結果を整
理して第１図に示す。図中◎、Ｏ印で示した（１００）
（００１）方位からのずれ角が１０以内のものは集積度
が良好なものといえる。
して１水素雰囲気中で１２００℃、ｅ ｏ ｍｉｎの焼
鈍を施した後、直ちに炉より引き出して水冷した。つい
でこれらの薄帯の表面を洗浄した後、長手方向に切り出
しく２００）極点図を測定した。各試料の（ｔｏｏ ）
（００１）組織への集積の程度について調べた結果を整
理して第１図に示す。図中◎、Ｏ印で示した（１００）
（００１）方位からのずれ角が１０以内のものは集積度
が良好なものといえる。
各試料で結晶粒の方位の（１００）（ｏｏｚ）方化から
のずれ角が１０以内のものの第１．２回目の圧下率の組
み合わせは、第１回目の圧下率が１０％以上で、かつ第
２回目の圧下率が５０〜８０チの範囲内であることがわ
かる。
のずれ角が１０以内のものの第１．２回目の圧下率の組
み合わせは、第１回目の圧下率が１０％以上で、かつ第
２回目の圧下率が５０〜８０チの範囲内であることがわ
かる。
従ってこの発明では、第１回目の圧延の臣下率８０％の
範囲に限定した。
範囲に限定した。
一般に、０．１〜０．２闘厚程度の薄帯を１２００°Ｃ
程度の高温で焼鈍すると、表面に平行に（１００）面を
そなえる結晶粒が異常成長することが知られているが、
その面内の方位は一般にランダムであり（１００） （
ｏｋｚ〕方位を呈する。しかしながら異常成長をおこす
前に１上記したような圧延−焼鈍処理を施すことにより
、（１０Ｇ）（ｏｋｊ）方位をもつ粒の中でもとくに（
１００）（００１）方位の粒の割合を高めることができ
たのである。
程度の高温で焼鈍すると、表面に平行に（１００）面を
そなえる結晶粒が異常成長することが知られているが、
その面内の方位は一般にランダムであり（１００） （
ｏｋｚ〕方位を呈する。しかしながら異常成長をおこす
前に１上記したような圧延−焼鈍処理を施すことにより
、（１０Ｇ）（ｏｋｊ）方位をもつ粒の中でもとくに（
１００）（００１）方位の粒の割合を高めることができ
たのである。
この発明においては、薄帯に圧延を施した後焼鈍を付す
るのであるが、上記した（１００）（００１）方位粒の
異常成長のためには１０５０’Ｃ以上の温度にする必要
がある。というのはこの温度以下では成長が不十分であ
り、（１００）（００１）方位の集合組織が形成され難
いからである。しかし１３００℃を超える温度での焼鈍
は、技術的にもコスト的にも工業化が鎧しいので、この
発明では、焼鈍は１０５０〜１３００℃の範囲内で施す
こととした。
るのであるが、上記した（１００）（００１）方位粒の
異常成長のためには１０５０’Ｃ以上の温度にする必要
がある。というのはこの温度以下では成長が不十分であ
り、（１００）（００１）方位の集合組織が形成され難
いからである。しかし１３００℃を超える温度での焼鈍
は、技術的にもコスト的にも工業化が鎧しいので、この
発明では、焼鈍は１０５０〜１３００℃の範囲内で施す
こととした。
次いでこのようにして得られた薄帯に、時効焼鈍ヲ施し
、スピノーダル分解を生じさせて保磁力を高める。かか
る時効焼鈍における処理温度は、８００〜８００℃の範
囲とする必要がある。というのは８００″Ｃ未満では分
解速度が遅く時効性を著しく低下させ、一方８００℃を
超えると、ｒｅσ相が混入してＦ１１′！ｊＩＣ特性の
劣化を招くためである。
、スピノーダル分解を生じさせて保磁力を高める。かか
る時効焼鈍における処理温度は、８００〜８００℃の範
囲とする必要がある。というのは８００″Ｃ未満では分
解速度が遅く時効性を著しく低下させ、一方８００℃を
超えると、ｒｅσ相が混入してＦ１１′！ｊＩＣ特性の
劣化を招くためである。
なおこの発明においては、上記時効処理を磁場中で行な
ってもよい。かかる磁場中時効処理においては、磁場の
大きさはＩ ＫＯｅ以上であることが望ましく、また印
加方向は（１０Ｇ）軸方向であることが好ましい。
ってもよい。かかる磁場中時効処理においては、磁場の
大きさはＩ ＫＯｅ以上であることが望ましく、また印
加方向は（１０Ｇ）軸方向であることが好ましい。
かくして得られる薄帯は、（１００） 〔ｏｏｔ ］方
位を有するので、薄帯の長手方向およびその垂直方向、
あるいは板面に脈石方向８者のいずれの方向に磁場を印
加しても、磁気特性の向上に最も効果が得られる。
位を有するので、薄帯の長手方向およびその垂直方向、
あるいは板面に脈石方向８者のいずれの方向に磁場を印
加しても、磁気特性の向上に最も効果が得られる。
なおより一層の特性向上のためには、磁場中時効後、さ
らに多段熱処理で時効を継続することもできる。
らに多段熱処理で時効を継続することもできる。
（作 用）
この発明に従って得られた薄帯が、その長手方向、垂直
方向および板厚方向とも良好な磁気特性を呈するのは、
急冷薄帯化後、圧延−焼鈍処理を施すことによって、（
１０Ｇ）〔００１）方位粒の集攬度を高めたことによる
。
方向および板厚方向とも良好な磁気特性を呈するのは、
急冷薄帯化後、圧延−焼鈍処理を施すことによって、（
１０Ｇ）〔００１）方位粒の集攬度を高めたことによる
。
（実施例）
ｍユ
表１に示した成分組成になる溶鋼を、双ロール法により
１急冷凝固して厚みＱ、５１１１１Ｓ２０８幅の薄帯を
作成した。ついで同じく表１に示す種々の臣下率で２段
圧延を施して、いずれもＱ、ｌ鱈厚の薄帯とした。第１
回目の圧延１．８８０℃、６ｍ１ｎの焼鈍をＮ２雰ｇ気
中で施してから第２回目の圧延を行なった。
１急冷凝固して厚みＱ、５１１１１Ｓ２０８幅の薄帯を
作成した。ついで同じく表１に示す種々の臣下率で２段
圧延を施して、いずれもＱ、ｌ鱈厚の薄帯とした。第１
回目の圧延１．８８０℃、６ｍ１ｎの焼鈍をＮ２雰ｇ気
中で施してから第２回目の圧延を行なった。
その後各薄帯を１１８０℃に加熱し、２ ｘ Ｎｏ−’
’ｒｏｒｒの真空中で８時間の焼鈍を施してから水冷し
、しかるのち６８０℃で９０ ｍｉｎの時効処理を施し
た。
’ｒｏｒｒの真空中で８時間の焼鈍を施してから水冷し
、しかるのち６８０℃で９０ ｍｉｎの時効処理を施し
た。
かくして得られた各薄帯を圧延方向（長手方向ンに磁化
したときの磁気特性を表１に併せて示す。
したときの磁気特性を表１に併せて示す。
なお、比較のため、急冷薄帯化後、圧延−焼鈍処理を施
さず、同じ時効処理を施しただけの０．Ｉ ＩＩ＠厚の
薄帯について長手方向に磁化したときの調査結果も表１
に併記する。
さず、同じ時効処理を施しただけの０．Ｉ ＩＩ＠厚の
薄帯について長手方向に磁化したときの調査結果も表１
に併記する。
この発明に従い得られたものは、比較材に比べて、同程
度の残留磁束密度で保磁力の大きなものが得られ、また
残留磁束密度、保磁力とも大きな特性も得られている。
度の残留磁束密度で保磁力の大きなものが得られ、また
残留磁束密度、保磁力とも大きな特性も得られている。
実施例２
表２に示す組成の溶鋼を双ロール法により、急冷凝固さ
せ、板厚０．２ ｓｌｌ、 ４１８０ ｍｓの薄帯とし
九ついでＱ、１５１１１１厚（圧下率：２５％）に圧延
してから（Ｈ２＋Ｎ、 ）雰囲気中で８７０”Ｃ１８ｍ
ｉｎ中間焼鈍を施したのち、Ｑ、Ｑ７ｍ（圧下率：約５
８％）に圧延し、しかるのち水素雰１［Ｃ中で１２５０
℃。
せ、板厚０．２ ｓｌｌ、 ４１８０ ｍｓの薄帯とし
九ついでＱ、１５１１１１厚（圧下率：２５％）に圧延
してから（Ｈ２＋Ｎ、 ）雰囲気中で８７０”Ｃ１８ｍ
ｉｎ中間焼鈍を施したのち、Ｑ、Ｑ７ｍ（圧下率：約５
８％）に圧延し、しかるのち水素雰１［Ｃ中で１２５０
℃。
２時間の焼鈍を施してから水冷した。次にこの薄帯の長
手方向に対し垂直方向に２ ＫＯｅの磁場を加えながら
６９０°Ｃでａ ｏ ｍｉ、ｎの磁場中時効処理を行な
った。その後さらに５１１０℃、１０時間の時効処理を
施した。
手方向に対し垂直方向に２ ＫＯｅの磁場を加えながら
６９０°Ｃでａ ｏ ｍｉ、ｎの磁場中時効処理を行な
った。その後さらに５１１０℃、１０時間の時効処理を
施した。
かくして得られた各薄帯の磁気特性について調べた結果
を表２に示す。
を表２に示す。
なお、比較のため、急冷薄帯化後、圧延−焼鈍を施さな
い０．１Ｍ厚で、同じ時効処理を施しただけの薄帯につ
いての磁気特性に関する調査結果も表２に併記した。
い０．１Ｍ厚で、同じ時効処理を施しただけの薄帯につ
いての磁気特性に関する調査結果も表２に併記した。
表 ２
これより同程度の残留磁束密度で、比較材より保磁力の
大きな特性が得られることがわかる。
大きな特性が得られることがわかる。
（発明の効果）
かくしてこの発明によれば、板の厚み方向だけでなく、
長手方向および板幅方向の磁気特性とも浸れた？！ −
Ｏｒ −ｃｏ系永久磁石薄帯を得ることができる。
長手方向および板幅方向の磁気特性とも浸れた？！ −
Ｏｒ −ｃｏ系永久磁石薄帯を得ることができる。
第１図は、急冷薄帯化後の圧延において、第１回目およ
び第２回目の圧下率が結晶方位に及ばすｌ・影響を示し
たグラフである。
び第２回目の圧下率が結晶方位に及ばすｌ・影響を示し
たグラフである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、Ｃｒ：１０〜３５ｗｔ％および Ｃｏ：５〜３５ｗｔ％ を含有する溶鋼を、冷却面が高速で更新移動する冷却体
上に連続して供給し、急冷凝固させて薄帯としたのち、
該薄帯に中間焼鈍を挾む２回の圧延を施すに当り、第１
回目の圧延を圧下率：１０％以上、第２回目の圧延を圧
下率：５０〜８０％の範囲において施し、ついでこの薄
帯に１０５０〜１３００℃の温度範囲で焼鈍を施したの
ち、３００〜８００℃の温度範囲で時効焼鈍を施すこと
を特徴とする、結晶粒の方位が（１００）〔００１〕に
高度に集積した永久磁石薄帯の製造方法。 ２、溶鋼が、Ｃｒ：１０〜３５ｗｔ％およびＣｏ：５〜
３５ｗｔ％のほか、Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｐ、Ｍｏ、Ｗ
、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｚｒ、ＳｎおよびＺｎのうち
から選んだ少なくとも一種を ０．０１〜５．００ｗｔ％の範囲において含有する組成
になるものである特許請求の範囲第１項記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5056185A JPS61210126A (ja) | 1985-03-15 | 1985-03-15 | 永久磁石薄帯の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5056185A JPS61210126A (ja) | 1985-03-15 | 1985-03-15 | 永久磁石薄帯の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61210126A true JPS61210126A (ja) | 1986-09-18 |
Family
ID=12862416
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5056185A Pending JPS61210126A (ja) | 1985-03-15 | 1985-03-15 | 永久磁石薄帯の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61210126A (ja) |
-
1985
- 1985-03-15 JP JP5056185A patent/JPS61210126A/ja active Pending
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