JPS61207045A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
- Publication number
- JPS61207045A JPS61207045A JP4770585A JP4770585A JPS61207045A JP S61207045 A JPS61207045 A JP S61207045A JP 4770585 A JP4770585 A JP 4770585A JP 4770585 A JP4770585 A JP 4770585A JP S61207045 A JPS61207045 A JP S61207045A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- bonding
- resin substrate
- plating layer
- nickel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 27
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 27
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 23
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 239000010953 base metal Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- QXZUUHYBWMWJHK-UHFFFAOYSA-N [Co].[Ni] Chemical compound [Co].[Ni] QXZUUHYBWMWJHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 28
- 238000007747 plating Methods 0.000 abstract description 23
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 18
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract description 8
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 5
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 abstract description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 abstract description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 abstract 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 9
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 6
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229940044175 cobalt sulfate Drugs 0.000 description 2
- 229910000361 cobalt sulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- KTVIXTQDYHMGHF-UHFFFAOYSA-L cobalt(2+) sulfate Chemical compound [Co+2].[O-]S([O-])(=O)=O KTVIXTQDYHMGHF-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021586 Nickel(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 210000004709 eyebrow Anatomy 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L nickel dichloride Chemical compound Cl[Ni]Cl QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49866—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers characterised by the materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体チップを樹脂基板上に搭載する構造の
樹脂封止型半導体装置に関するものである。
樹脂封止型半導体装置に関するものである。
樹脂基板を用いた樹脂封止型半導体装置において、搭載
したペレット上のボンディングパッドと樹脂基板上のボ
ンディングパッドとの結線は、金線を用いた熱圧着ボン
ディングが多用されている。
したペレット上のボンディングパッドと樹脂基板上のボ
ンディングパッドとの結線は、金線を用いた熱圧着ボン
ディングが多用されている。
前記熱圧着ボンディングとは、金属細線の先端を加熱溶
融させボール状にして前記ボンディングパッドに圧着す
る方法である。したがって、金属細線先端のボール状に
なった部分は、前記ボンディングパッド表面の金属膜、
通常は金メッキによる金膜と圧着し終わるまで、圧着に
必要な温度に維持しておく必要がある。なぜなら金属Ｉ
ｈｊｉ線を加熱するだけでは、金属細線の熱容量が小さ
いためその先端のボール状になった部分がボンディング
パッド触れたとたんに温度が下がり、圧着が不十分にな
るからである。そこで、一般にボンディングの作条では
、樹脂基＆をあらかしめ１００〜１５０’Ｃに加熱して
おくことが行なわれている。ボンディングのスピード、
熱圧着の状態を考慮した場合は、樹脂基＆をもっと両温
の１５０〜２００℃に加熱することが望ましい。しかし
、ｗＢｖＩ基板には、ガラス・エポキシ、ガラス・ポリ
イミド、ガラス・トリアジン等が用いているため、これ
らを１５０〜２００℃程度に加熱すると軟化してしまう
。そのため樹脂基板上のボンディングパッド金構成する
金属層が下部の樹脂基板の支えを失ってしまい、熱圧着
ボンディングを行なう際に圧力が樹脂基板に吸収されて
うまく圧着されない場合が生じる。
融させボール状にして前記ボンディングパッドに圧着す
る方法である。したがって、金属細線先端のボール状に
なった部分は、前記ボンディングパッド表面の金属膜、
通常は金メッキによる金膜と圧着し終わるまで、圧着に
必要な温度に維持しておく必要がある。なぜなら金属Ｉ
ｈｊｉ線を加熱するだけでは、金属細線の熱容量が小さ
いためその先端のボール状になった部分がボンディング
パッド触れたとたんに温度が下がり、圧着が不十分にな
るからである。そこで、一般にボンディングの作条では
、樹脂基＆をあらかしめ１００〜１５０’Ｃに加熱して
おくことが行なわれている。ボンディングのスピード、
熱圧着の状態を考慮した場合は、樹脂基＆をもっと両温
の１５０〜２００℃に加熱することが望ましい。しかし
、ｗＢｖＩ基板には、ガラス・エポキシ、ガラス・ポリ
イミド、ガラス・トリアジン等が用いているため、これ
らを１５０〜２００℃程度に加熱すると軟化してしまう
。そのため樹脂基板上のボンディングパッド金構成する
金属層が下部の樹脂基板の支えを失ってしまい、熱圧着
ボンディングを行なう際に圧力が樹脂基板に吸収されて
うまく圧着されない場合が生じる。
そこで樹脂基板が軟化していても圧着時に変形しない程
度の剛性を金属層に持たせる必要がある。
度の剛性を金属層に持たせる必要がある。
金属層の構成としては、銅箔の上にボンディングに必要
な金属、例えばＡｕｔ”被覆させているが、それらの間
に硬質金属層、例えばＮｉの様な硬質金属層を設けるの
が一般的である。該硬質金属層も薄くては、十分な靭性
な持たせることができない。硬質金属層を厚くすると、
例えばメッキで前記下地金属る形成しようとするとポン
ディフグパッド以外の部分にも該硬質が厚くついてしま
い、フレキシブルな樹脂基板の取り扱いによっては、下
地金属が切断等破損することになる。
な金属、例えばＡｕｔ”被覆させているが、それらの間
に硬質金属層、例えばＮｉの様な硬質金属層を設けるの
が一般的である。該硬質金属層も薄くては、十分な靭性
な持たせることができない。硬質金属層を厚くすると、
例えばメッキで前記下地金属る形成しようとするとポン
ディフグパッド以外の部分にも該硬質が厚くついてしま
い、フレキシブルな樹脂基板の取り扱いによっては、下
地金属が切断等破損することになる。
また、ボンディングパッド表面には、酸化防止、ボンデ
ィング性の改善の為にＡｕメッキが多用されているが、
そのボンディング時の下地加熱温度を上げると、下地金
属を介してＡｕが拡散してしまい、上述の機能が来たせ
なくなるおそれがある。
ィング性の改善の為にＡｕメッキが多用されているが、
そのボンディング時の下地加熱温度を上げると、下地金
属を介してＡｕが拡散してしまい、上述の機能が来たせ
なくなるおそれがある。
上述した従来の樹脂基板では、フレキシブルな取シ扱い
を考慮すると下地金属を十分な強度を有する厚さにでき
ず、熱圧着ボンディング時に樹脂基板の軟化によるボン
ディング不良の発生が生じるという欠点がある。
を考慮すると下地金属を十分な強度を有する厚さにでき
ず、熱圧着ボンディング時に樹脂基板の軟化によるボン
ディング不良の発生が生じるという欠点がある。
また、ボンディングパッド表面金属としてＡｕを用いた
場合、下地加熱時の熱拡散に耐え得るＡ、膜厚みを一定
以上の厚みとする必要があり、コストダウンを妨げてい
た。
場合、下地加熱時の熱拡散に耐え得るＡ、膜厚みを一定
以上の厚みとする必要があり、コストダウンを妨げてい
た。
本発明の構成は、樹脂基板上に半導体チップを取フ付け
る構造の樹脂封止型半導体装置において、樹脂基板上に
設けたボンディングパッド表面の金属膜の下地金属を靭
性を有する合金にすることである。
る構造の樹脂封止型半導体装置において、樹脂基板上に
設けたボンディングパッド表面の金属膜の下地金属を靭
性を有する合金にすることである。
第１図を参照するに、樹脂基板としてガラス・エポキシ
基板（予め、表面に鋼箔を張り付けである。）１を用い
。エツチングにより樹脂基板ｌの上にＣｕ配線パターン
２を形成する。また、必要に応じて無Ｘ解Ｃｕメッキを
施して、パターン２を形成する。そのＣｕ上にニッケル
メッキ３を施す。
基板（予め、表面に鋼箔を張り付けである。）１を用い
。エツチングにより樹脂基板ｌの上にＣｕ配線パターン
２を形成する。また、必要に応じて無Ｘ解Ｃｕメッキを
施して、パターン２を形成する。そのＣｕ上にニッケル
メッキ３を施す。
ニッケルメッキ浴の組成は、例えば４ａハニッケル２４
０ｇ／ｌ、塩化ニッケル４ ｓ ｇ／ １、はう＠３０
ｇ／ｌである。その際にニッケルメッキ液に硫酸コバル
トを２ｇ／ｌを添加してニッケルーコバ／Ｌ／ ト合金
メッキ浴とする。液＠４５℃、ｉｔ流密度０．７５Ａ／
ｄｕｌ”でメッキすると７３ｗｔ％Ｎ ｉｓ ２７ Ｗ
Ｉ％Ｃｏの組成の下地金属層３をｑｕた。そし【最終表
面層４としてＡｕメッキを１４すことになる。
０ｇ／ｌ、塩化ニッケル４ ｓ ｇ／ １、はう＠３０
ｇ／ｌである。その際にニッケルメッキ液に硫酸コバル
トを２ｇ／ｌを添加してニッケルーコバ／Ｌ／ ト合金
メッキ浴とする。液＠４５℃、ｉｔ流密度０．７５Ａ／
ｄｕｌ”でメッキすると７３ｗｔ％Ｎ ｉｓ ２７ Ｗ
Ｉ％Ｃｏの組成の下地金属層３をｑｕた。そし【最終表
面層４としてＡｕメッキを１４すことになる。
硫酸コバル電流−８
０、７５Ａ／ｄｍ！ し、電極板であるＮｉ板内のコバ
ルトや投入する檗品に不純物として存在するコバルトを
考慮するとコバルト析出量は、２０〜７Ｑｗｔ％となり
表面金属層であるＡｕメッキ４の下地金属層としてニッ
ケル−コバルト合金の状態でコバルトが２０ｗｔ％以上
であれば効果がでてくる□メッキ作業中においては、コ
バルトはニッケルよりも析出しやすいため、一定間隔で
コバルトの濃度をチェックし、硫酸コバルト液を追加す
る必要がある。従来、ニッケルメッキ単独では、おおよ
そ１０μｍ前後の下地金属層が必要としていたが、ニッ
ケル−コバルト合金メッキ層としてだおよそ５μｍで程
度で実用的な強度が得られる。フレキシブルな樹脂テー
プの場合には、曲げ半径をより小さくできて取り扱いも
有利にとなる。また、１０μｍ前後のメッキ厚であれば
より高温の下地加熱が可能であり、これは、樹脂基板の
高温時硬度の傾向に合わせてメッキ厚を決めることにな
る。
ルトや投入する檗品に不純物として存在するコバルトを
考慮するとコバルト析出量は、２０〜７Ｑｗｔ％となり
表面金属層であるＡｕメッキ４の下地金属層としてニッ
ケル−コバルト合金の状態でコバルトが２０ｗｔ％以上
であれば効果がでてくる□メッキ作業中においては、コ
バルトはニッケルよりも析出しやすいため、一定間隔で
コバルトの濃度をチェックし、硫酸コバルト液を追加す
る必要がある。従来、ニッケルメッキ単独では、おおよ
そ１０μｍ前後の下地金属層が必要としていたが、ニッ
ケル−コバルト合金メッキ層としてだおよそ５μｍで程
度で実用的な強度が得られる。フレキシブルな樹脂テー
プの場合には、曲げ半径をより小さくできて取り扱いも
有利にとなる。また、１０μｍ前後のメッキ厚であれば
より高温の下地加熱が可能であり、これは、樹脂基板の
高温時硬度の傾向に合わせてメッキ厚を決めることにな
る。
また、前記ニッケル−コバルト合金メッキ層は、表面金
属層であるＡ．拡散防止用としてもニッケルメッキ層単
独よりも効果がありＡｕメッキとして０．５μｉｎ以上
必要であったものが０．２５μｍ以上で十分となった。
属層であるＡ．拡散防止用としてもニッケルメッキ層単
独よりも効果がありＡｕメッキとして０．５μｉｎ以上
必要であったものが０．２５μｍ以上で十分となった。
以上の央厖例においてに、ニッケル−コバルト合金につ
いて述べたが合金化によって所期の靭性を持たせ得る組
み曾わせならその種類を問わないのは勿論である。
いて述べたが合金化によって所期の靭性を持たせ得る組
み曾わせならその種類を問わないのは勿論である。
本発明により、樹脂封止盤牛導体装置において、ｍ側基
板上に設はボンディングパッドの表面の金属膜の下地金
属を比較的薄くかつ靭性な有するものにすることで、熱
圧層ボ／ディ／グ時に加熱により、樹脂基板が軟化して
もボンディングパッドを機械的に安定した状態を保ちホ
ンディフグ不良の発生を極力減少させることができる。
板上に設はボンディングパッドの表面の金属膜の下地金
属を比較的薄くかつ靭性な有するものにすることで、熱
圧層ボ／ディ／グ時に加熱により、樹脂基板が軟化して
もボンディングパッドを機械的に安定した状態を保ちホ
ンディフグ不良の発生を極力減少させることができる。
また、同じ下地加熱温度ならより薄いＡｕ膜でよく、コ
ストダウンを図ることができる。
ストダウンを図ることができる。
第１図は、ボンディングパッド部の金属構成を示す断面
図である。 １・・・・・・樹脂基板、２・・・・・・Ｃｕ、３・・
・・・・下地金属層、４・・・・・・表面金属層。 代理人 弁理士 内 原 音 ゛ノヘノノ （ボ′ン ４表曲柾眉 ３丁（６鉦高層 ？＠層 〆樹脂基板 テ゛イングパ、ント部ｔｒａｆＩＪ回）男５１ ＠
図である。 １・・・・・・樹脂基板、２・・・・・・Ｃｕ、３・・
・・・・下地金属層、４・・・・・・表面金属層。 代理人 弁理士 内 原 音 ゛ノヘノノ （ボ′ン ４表曲柾眉 ３丁（６鉦高層 ？＠層 〆樹脂基板 テ゛イングパ、ント部ｔｒａｆＩＪ回）男５１ ＠
Claims (2)
- （１）樹脂基板上に半導体チップを取り付ける構造の樹
脂封止型半導体装置において、樹脂基板上に少なくとも
ボンディングパッドを設けており、該ボンディングパッ
ド表面の金属膜の下地金属が靭性を有する合金である樹
脂封止型半導体装置。 - （２）該下地金属にニッケル−コバルト合金を用いたこ
とを特徴とする特許請求の範囲（１）項記載の樹脂封止
型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4770585A JPS61207045A (ja) | 1985-03-11 | 1985-03-11 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4770585A JPS61207045A (ja) | 1985-03-11 | 1985-03-11 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61207045A true JPS61207045A (ja) | 1986-09-13 |
Family
ID=12782714
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4770585A Pending JPS61207045A (ja) | 1985-03-11 | 1985-03-11 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61207045A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010073692A (ja) * | 2008-09-18 | 2010-04-02 | Samsung Sdi Co Ltd | 保護回路モジュール、および二次電池 |
| US10066303B2 (en) | 2014-03-01 | 2018-09-04 | Imec Vzw | Thin NiB or CoB capping layer for non-noble metallic bonding landing pads |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5854644A (ja) * | 1981-09-28 | 1983-03-31 | Nec Corp | ボンデイング用樹脂基板 |
-
1985
- 1985-03-11 JP JP4770585A patent/JPS61207045A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5854644A (ja) * | 1981-09-28 | 1983-03-31 | Nec Corp | ボンデイング用樹脂基板 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010073692A (ja) * | 2008-09-18 | 2010-04-02 | Samsung Sdi Co Ltd | 保護回路モジュール、および二次電池 |
| US8547068B2 (en) | 2008-09-18 | 2013-10-01 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Protection circuit module and secondary battery including the protection circuit module |
| US10066303B2 (en) | 2014-03-01 | 2018-09-04 | Imec Vzw | Thin NiB or CoB capping layer for non-noble metallic bonding landing pads |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI221023B (en) | High density column grid array connections and method thereof | |
| US6864166B1 (en) | Method of manufacturing wire bonded microelectronic device assemblies | |
| JPH0484449A (ja) | Ｔａｂテープ | |
| US4985310A (en) | Multilayered metallurgical structure for an electronic component | |
| TW200423318A (en) | Multi-chip package substrate for flip-chip and wire bonding | |
| US8786084B2 (en) | Semiconductor package and method of forming | |
| TWI222688B (en) | Film carrier tape for mounting electronic part | |
| JPS61207045A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH1074879A (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
| JPH11121529A (ja) | Ｉｃパッケージ用の半田ボールパッド及びその製造方法 | |
| JPS6331102B2 (ja) | ||
| JP2892455B2 (ja) | Ｔａｂテープ | |
| JPS59211253A (ja) | 電子部品パツケ−ジ | |
| JPH0478175B2 (ja) | ||
| JPH0677980B2 (ja) | 基板への貴金属箔の圧着方法 | |
| JP3280926B2 (ja) | ピン、ピンの製造方法、ピンを用いた配線基板 | |
| JP2850579B2 (ja) | 半導体装置用フィルムキャリア | |
| JP3402238B2 (ja) | 半導体装置用テープキャリア | |
| JP3816348B2 (ja) | 金属接合用皮膜 | |
| JPS6369241A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH03206633A (ja) | 半導体装置 | |
| TW550769B (en) | Wafer level package and its manufacturing method | |
| JPS62105457A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0198238A (ja) | 半導体装置の実装方法 | |
| JP3311376B2 (ja) | バンプ形成方法 |