JPS61199061A - セラミツク材料焼成用モリブデン板 - Google Patents

セラミツク材料焼成用モリブデン板

Info

Publication number
JPS61199061A
JPS61199061A JP3990685A JP3990685A JPS61199061A JP S61199061 A JPS61199061 A JP S61199061A JP 3990685 A JP3990685 A JP 3990685A JP 3990685 A JP3990685 A JP 3990685A JP S61199061 A JPS61199061 A JP S61199061A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
molybdenum
molybdenum plate
plate
ceramic material
baking
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3990685A
Other languages
English (en)
Inventor
Takeo Hamada
浜田 健雄
Fuminori Takayama
高山 文則
Yasuaki Azuma
東 安明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toho Kinzoku Co Ltd
Original Assignee
Toho Kinzoku Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toho Kinzoku Co Ltd filed Critical Toho Kinzoku Co Ltd
Priority to JP3990685A priority Critical patent/JPS61199061A/ja
Publication of JPS61199061A publication Critical patent/JPS61199061A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Furnace Charging Or Discharging (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、セラミック材料を炉中で焼成する場合に敷板
等として使用するに適したモリブデン板に関する。
(従来の技術) ICパッケージとして使用されるセラミックス材料(ア
ルミナ、ムライト等)の焼成は、水素中で1600℃以
上の高温で行なわれるので、それを載せる敷板(トレイ
)として融点の高いモリブデン材料が使用されている。
(発明が解決しようとする問題点) この用途に使用されるモリブデン材料は、セラミック材
料の焼成温度まで繰返し加熱されるので、早期に脆化や
変形を生じるという問題点があった。これを補うため、
従来は肉厚の大きなモリブデン板を使用していたが、こ
のように肉厚を厚くするのは1重量が増加するので、取
扱い七不便となり、かつ、きわめて不経済であった。
(問題点を解決するための手段) 本発明は、特定の納品特性を有するモリブデン板がセラ
ミック焼成用材料として適していることに着目してなさ
れたもので、2000℃で1時間焼鈍した後に、結晶粒
子数が3000側/mm″乃至8000側/mrn”で
あり、かつ結晶粒子の縦横の長さの比が、縦/横≧3で
あることを特徴とするセラミック材料焼成用モリブデン
板をその要旨としている。
このようなモリブデン板は、例えば次のようにして製造
することができる。
先ず、予め所定のドープ剤を添加したモリブデン粉末を
ラバープレス法等で所定形状の圧粉体に成形する。ドー
プ剤としては、カリウム(K)。
ケイ素(Si)および必要な炭素(C)を有効成分とし
て含有するものであり、これらの成分が醋終製品中に残
量する量は、重量比でカリウムが0.01−02%、ケ
イ素が0.01−0.2%、炭素が001%以ドとする
のが好ましい、モリブデン粉末としては、+均粒度2〜
4ミクロンのものが好ましい。成形圧力は1.5〜3 
ton/ CrrT’程度とするのが好ましい。
得られた圧粉体は、適当な予焼温度、例えば1300℃
程度の最高温度まで低温から昇温加熱することによって
予備焼結し、さらに1650℃以上の温度で焼結する。
好ましい焼結条件は、1800”0で3a撃aH以ヒ保
持するものである。なお、b記予備焼結と焼結は、水素
雰囲気中で行なわれる。
得られた焼結体(インゴット)は、水素炉中で1600
℃程度に予熱しながら大気中で鍛造を行なう、鍛造率は
50〜70%であり、例えば、厚さ55■■の焼結体を
厚さ20mm程度まで鍛造する。#を造が終ったら、引
続き熱間圧延と冷間圧延とを行なう。熱間圧延は1例え
ば鍛造を終えた厚さ20層廊の板を厚さ311−程度ま
で加重するもので、ワークを1300°C程度に加熱し
ながら大気中で圧延する。熱間圧延を終えた板は、引続
き冷間圧延を行なって、所望の厚み(例えば1 am)
の板に仕りげる。
このようにして、2000℃で1時間加熱したときに結
晶粒子数が3000〜6000個/mm’の範囲内にあ
り、かつ結晶粒子の縦横比(縦/横)が3以りであるモ
リブデン板が得られるのである。結晶特性は加工率によ
って影響されるので、好ましい加工率を得るため、初期
のインゴー2トの厚みを50■腸以ヒとするのが好まし
い、なお、結晶粒子の縦横比は一般に大きい(結晶粒子
が長い)方が好ましし)。
L記圧延によって得られた板は、所定の寸法に切断し必
要々表面処理を施して製品とする。ICパッケージ焼成
用のモリブデン板の寸法は1通常厚さが1〜3mmで、
幅と長さがそれぞれ100〜300m層である。このモ
リブデン板上に1例えば厚さ1 mm、幅と長さがそれ
ぞれlO〜50鳳朧のセラミックス製の上板状のICパ
ッケージを載せて水素炉中で焼成するのである。
(実施例) 所定量のドープ剤(K、Si、C)を添加した平均粒度
2.5pmのモリブデン金属粉末を直方体のゴム型に充
填し、ラバープレスを用いて2 t / c rn’の
圧力で加圧成形した。得られた圧粉体を水素炉で低温か
ら1300℃に昇温加熱(60分)する予備焼結を行な
ったのち、同じく水素炉中で1800℃×3時間の条件
′で本焼結を行なった。得られた直方体のインゴット(
厚さ55鳳■)を水素炉中で1600℃に予熱して大気
中で鍛造し、厚さ20−腸の平板状圧延素材とした。つ
ぎに、これを水素炉中で1300℃に予熱しながら大気
中で圧延して厚さ3111の板とし、これをざらに冷間
圧延してHさ1m膿の板を得た。
このモリブデン板を2000℃で1時間水素炉中で加熱
した後の結晶組織は、第1図(a)に示すように結晶粒
子数が約4200個/mゴで、縦横比が3以4−のファ
イバー状の細長い結晶組織であった。
第1図(b)はL記と同様な製法で製造した厚さ2.5
+s+sのモリブデン板の加熱後の納品組織写真である
。また、同図(C)は従来のセラミック材料焼成用純モ
リブデン板(厚さIII■)の2000℃×1時間加熱
後の結晶組織であり、丸みを帯びた石垣状の組織となっ
ていることがわかる。
なお、]−記のようにして得られた厚さ11膳のモリブ
デン板をICパッケージの焼成に敷板として使用したと
ころ、従来の厚さ31■の敷板が、1回の焼成によって
かなりのソリが生じるため、1回ごとに表裏反転して使
用しなければならなかったのをこくらべて、ソリが11
5程度と小さく、高品質のICパッケージを製造するこ
とができた。
(効果) 以I−に説明した如く、本発明にかかるモリブデン板は
、特定の結晶特性をそなえたものであって、セラミック
材料の焼成に使用するに適したものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は、金属組織をあられす写真であって、(a)お
よび(b)は本発明にかかるモリブデン板のM1織を 
また(c)は従来のモリブデン板の組織をそれぞれあら
れす。いずれも倍率は150倍である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)2000℃で1時間焼鈍した後に、結晶粒子数が
    3000個/mm^2乃至6000個/mm^2であり
    、かつ結晶粒子の縦横の長さの比が、縦/横≧3である
    ことを特徴とするセラミック材料焼成用モリブデン板。
JP3990685A 1985-02-28 1985-02-28 セラミツク材料焼成用モリブデン板 Pending JPS61199061A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3990685A JPS61199061A (ja) 1985-02-28 1985-02-28 セラミツク材料焼成用モリブデン板

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3990685A JPS61199061A (ja) 1985-02-28 1985-02-28 セラミツク材料焼成用モリブデン板

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS61199061A true JPS61199061A (ja) 1986-09-03

Family

ID=12565997

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3990685A Pending JPS61199061A (ja) 1985-02-28 1985-02-28 セラミツク材料焼成用モリブデン板

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS61199061A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04504160A (ja) * 1989-03-21 1992-07-23 ホベルシュバーガー、ヨセフ 氷成形体の製造法及び製造装置
JP2008144250A (ja) * 2006-12-13 2008-06-26 Allied Material Corp モリブデン材料とその製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04504160A (ja) * 1989-03-21 1992-07-23 ホベルシュバーガー、ヨセフ 氷成形体の製造法及び製造装置
JP2008144250A (ja) * 2006-12-13 2008-06-26 Allied Material Corp モリブデン材料とその製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4659278B2 (ja) タングステン焼結体およびその製造方法並びにタングステン板材およびその製造方法
JP6293359B2 (ja) 酸化物焼結体及び該酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット
JP6285076B2 (ja) 酸化物焼結体及び該酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット
JP4634567B2 (ja) タングステンスパッタリングターゲットの製造方法
JPS61199061A (ja) セラミツク材料焼成用モリブデン板
JP2001295035A5 (ja)
EP2733132A1 (en) Aln substrate and method for producing same
JP2006169547A (ja) 加圧焼結用のMo合金粉末の製造方法およびスパッタリング用ターゲット材の製造方法
JP2542566B2 (ja) スパツタリング装置用タ−ゲツトの製造方法
JP3444713B2 (ja) Itoスパッタリング用ターゲットの製造方法
JPS6041634B2 (ja) 高密度窒化珪素反応焼結体の製造方法
JP6307121B2 (ja) LiCoO2を含有する焼結体および円筒形スパッタリングターゲット
JPH01136969A (ja) チタンシリサイドスパッタリング用ターゲットの製造方法
JPH0459659A (ja) 窒化珪素焼結体の製造法
JPH1179845A (ja) 高靭性炭化けい素セラミックスの製造方法
JPH01312004A (ja) Al基複合材の成形方法
JPH09255412A (ja) セラミックス焼結体およびその製造方法
JP3331716B2 (ja) 正特性半導体素子の製造方法
JPH035370A (ja) 窒化珪素焼結体用原料粉末、それを用いた焼結体およびその製造方法
JPH07242491A (ja) 分散強化型モリブデン単結晶とその製造方法
JPH05270917A (ja) SiC質焼結体およびその焼成方法
JP2777051B2 (ja) 窒化珪素質焼結体の製造方法
JPH05178672A (ja) セラミックスの製造方法
JPH0754135A (ja) Ito焼結体およびスパッタリングターゲット
JPH0411504B2 (ja)