JPS61193396A - 薄膜ｅｌ素子 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子Info
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- JPS61193396A JPS61193396A JP60033925A JP3392585A JPS61193396A JP S61193396 A JPS61193396 A JP S61193396A JP 60033925 A JP60033925 A JP 60033925A JP 3392585 A JP3392585 A JP 3392585A JP S61193396 A JPS61193396 A JP S61193396A
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- layer
- thin film
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は交流電圧を印８０し゛Ｃ発光する薄膜ＥＬ素
子に関する。
子に関する。
（従来の技術）
第２図は交流で駆動される薄膜ＥＬ素子の断面図である
。この薄膜Ｅｐ素子１は、透明なガラスよりなる透光性
基板２上に、たとえば工ｎ、Ｏ，−８ｎＯ２からなる透
明ｔｔｆｉ３が形成され′Ｃいる。この透明電極５の上
には絶縁層４が形成されＣおり、この絶縁層４の上には
たとえばｚｎｓ ： Ｔ Ｉ）Ｆａからなる発光層５が
形成され°Ｃおシ、この発光層５はその上面に形成され
た絶縁層６と絶縁層４とによシ挾まれた構成となつＣい
る。ここで、第１絶縁層４、発光層５および第２絶縁層
６は、成子ピー、ム蒸着またはスパッタによシ形成され
る６そし゛Ｃ１第１絶縁層４および第２絶縁層６は、た
とえばＹ２Ｏ、、Ｓ １ｌＮ４またはＡｌｔｏｓなどの
非晶質あるいは多結晶の誘電体膜で構成され・〔いる。
。この薄膜Ｅｐ素子１は、透明なガラスよりなる透光性
基板２上に、たとえば工ｎ、Ｏ，−８ｎＯ２からなる透
明ｔｔｆｉ３が形成され′Ｃいる。この透明電極５の上
には絶縁層４が形成されＣおり、この絶縁層４の上には
たとえばｚｎｓ ： Ｔ Ｉ）Ｆａからなる発光層５が
形成され°Ｃおシ、この発光層５はその上面に形成され
た絶縁層６と絶縁層４とによシ挾まれた構成となつＣい
る。ここで、第１絶縁層４、発光層５および第２絶縁層
６は、成子ピー、ム蒸着またはスパッタによシ形成され
る６そし゛Ｃ１第１絶縁層４および第２絶縁層６は、た
とえばＹ２Ｏ、、Ｓ １ｌＮ４またはＡｌｔｏｓなどの
非晶質あるいは多結晶の誘電体膜で構成され・〔いる。
第２．絶縁層θの上には他方の電極として電極７が透明
電極６に対して交差するよう洛子状に形成され〔いる。
電極６に対して交差するよう洛子状に形成され〔いる。
（発明が解決しようとする問題点）
’ｍ’ｉ素子は表示装”置としＣの機能を目的とする′
ものである以上、第１に高輝度、高効率であることが要
求され、第２により低い電圧で駆動され得るものである
ことが好ましい。このような薄膜ＥＬ素子の効率および
駆動電圧は、発光層を構成するＺｎＳの結晶性に大きく
依存し、該発光層の結晶性がすぐれＣいることが望まし
い。ここで、第２図に示した従来の導膜１！！Ｌ素子１
によれば、発光＠５がＹ、、Ｏ，、５ｉｓＮ４まだはｊ
ｋＦ＊ｏｓなどの第１柄縁層４０表面にスパッタにより
形成され′Ｃいる。しかしながら、通常Ｙ、Ｏ，、５ｉ
ｓＮ４または１ｌｚｏｓなどからなる誘電体膜で絶縁層
を構成した場合、この上に発光層５を形成し゛〔も成長
初期の結晶性が悪く、第２図に示すように発光層５のＡ
の部分はいわゆるデッドレイヤー（ａｅａａ １ａｙｅ
ｒ）となシ、高輝度、高効率化、駆動電圧の低減化に対
する障ｇとなつＣいた。
ものである以上、第１に高輝度、高効率であることが要
求され、第２により低い電圧で駆動され得るものである
ことが好ましい。このような薄膜ＥＬ素子の効率および
駆動電圧は、発光層を構成するＺｎＳの結晶性に大きく
依存し、該発光層の結晶性がすぐれＣいることが望まし
い。ここで、第２図に示した従来の導膜１！！Ｌ素子１
によれば、発光＠５がＹ、、Ｏ，、５ｉｓＮ４まだはｊ
ｋＦ＊ｏｓなどの第１柄縁層４０表面にスパッタにより
形成され′Ｃいる。しかしながら、通常Ｙ、Ｏ，、５ｉ
ｓＮ４または１ｌｚｏｓなどからなる誘電体膜で絶縁層
を構成した場合、この上に発光層５を形成し゛〔も成長
初期の結晶性が悪く、第２図に示すように発光層５のＡ
の部分はいわゆるデッドレイヤー（ａｅａａ １ａｙｅ
ｒ）となシ、高輝度、高効率化、駆動電圧の低減化に対
する障ｇとなつＣいた。
一方、特に図示しないが、直流で駆動される直流型の薄
膜ＥＬ素子では、発光層と成甑との間を絶縁する必要が
ないため、第２図に示した交流駆動の一膜ｈｉＬ累子１
から第１絶隷層４および第２絶禄層６が除去された構成
からなる。この直流駆動の薄、漢ＥＬ素子ＶこついＣも
、交流駆動の薄膜ＥＬ素子と同様に、結晶配向性のよい
発光層を形成することが必要とされる。その−例とし′
〔、透明電極の上にバッファ層とし゛（ＺｎＳｅの蒸着
膜を形成し、さらにその上にＺｎ５ＨＴｂＦｊの発光層
を形成することによつ〔、高効率の薄膜ＥＬ素子が得ら
れるとの報告が５よされＣいる。第６図はＺｎ８：ＴＩ
ＩＩＦ、の発光層の膜厚と発光効率の関係を示した図で
あり、実線Ｖ１工ｎ２０１−８ｎ鵠の透明蹴ｆ）ｉ、
Ｚｎ５ｅ蒸着膜、Ｚｎ８ｚＴｂＦ’、発光層、およびＡ
ｄ電極が順次形成されＣいるＪＬ＃ ’ Ｌ素子の例で
ある。
膜ＥＬ素子では、発光層と成甑との間を絶縁する必要が
ないため、第２図に示した交流駆動の一膜ｈｉＬ累子１
から第１絶隷層４および第２絶禄層６が除去された構成
からなる。この直流駆動の薄、漢ＥＬ素子ＶこついＣも
、交流駆動の薄膜ＥＬ素子と同様に、結晶配向性のよい
発光層を形成することが必要とされる。その−例とし′
〔、透明電極の上にバッファ層とし゛（ＺｎＳｅの蒸着
膜を形成し、さらにその上にＺｎ５ＨＴｂＦｊの発光層
を形成することによつ〔、高効率の薄膜ＥＬ素子が得ら
れるとの報告が５よされＣいる。第６図はＺｎ８：ＴＩ
ＩＩＦ、の発光層の膜厚と発光効率の関係を示した図で
あり、実線Ｖ１工ｎ２０１−８ｎ鵠の透明蹴ｆ）ｉ、
Ｚｎ５ｅ蒸着膜、Ｚｎ８ｚＴｂＦ’、発光層、およびＡ
ｄ電極が順次形成されＣいるＪＬ＃ ’ Ｌ素子の例で
ある。
破線は比較例であり、実線に示した薄）ｌＸｆ！！Ｌ素
子からＺｎＢｅ蒸着膜を除いたものである。この第５図
から明らかなように、ｚｎＳｅのバッファ層を介在さ亡
たものでは、発光層であるＺｎＳ ： Ｔ ｂＦ、の膜
厚が０．２μｍ程度の極薄領域から良好な発光効率を得
′〔いる。これは良好な結晶構造を有するＺｎＢｅ蒸着
膜が発光層の下地となつ“Ｃおり、高効率の薄膜ＥＬ素
子を実現しくｋｎることを示し′Ｃいる。このようにＺ
ｎ５ｅ蒸着模はＺ ｎ Ｂからなる発光層の成長初期に
おける結晶配向性を改善するものとし′〔一体的に捉え
ることができるｇしたがって、このような考え方を交流
駆動の薄ｆｉｌｌｉＬ素子にも適用できうると考えられ
る。
子からＺｎＢｅ蒸着膜を除いたものである。この第５図
から明らかなように、ｚｎＳｅのバッファ層を介在さ亡
たものでは、発光層であるＺｎＳ ： Ｔ ｂＦ、の膜
厚が０．２μｍ程度の極薄領域から良好な発光効率を得
′〔いる。これは良好な結晶構造を有するＺｎＢｅ蒸着
膜が発光層の下地となつ“Ｃおり、高効率の薄膜ＥＬ素
子を実現しくｋｎることを示し′Ｃいる。このようにＺ
ｎ５ｅ蒸着模はＺ ｎ Ｂからなる発光層の成長初期に
おける結晶配向性を改善するものとし′〔一体的に捉え
ることができるｇしたがって、このような考え方を交流
駆動の薄ｆｉｌｌｉＬ素子にも適用できうると考えられ
る。
しかしながら、電気回路的にはＺｎＳからなる発光層に
ＺｎＢｅ蒸着膜がバッファ層と、し′Ｃ直列に接続され
たものとなり、電圧を印加した場合、Ｚｎ５ｅ蒸；ｉｔ
、１ｉによつ′〔電圧降下が生じる。この電圧降下を
十分に小さくしないと、駆動電圧の低減には有効ではな
い。もちろん低電圧化の観点からすれば、このような抵
抗性のＺｎ５ｅ蒸着膜がたとえ電圧降下の程度の低いも
のであるとし゛〔も、 Ｚｎ５ｅ蒸着膜を形成しないに
越したことはない。このことは直流駆動の薄１）ｌｉＥ
Ｌ素子のみならず、交流駆動の薄膜ＥＬ素子に１ついＣ
も当゛〔嵌る事柄である。
ＺｎＢｅ蒸着膜がバッファ層と、し′Ｃ直列に接続され
たものとなり、電圧を印加した場合、Ｚｎ５ｅ蒸；ｉｔ
、１ｉによつ′〔電圧降下が生じる。この電圧降下を
十分に小さくしないと、駆動電圧の低減には有効ではな
い。もちろん低電圧化の観点からすれば、このような抵
抗性のＺｎ５ｅ蒸着膜がたとえ電圧降下の程度の低いも
のであるとし゛〔も、 Ｚｎ５ｅ蒸着膜を形成しないに
越したことはない。このことは直流駆動の薄１）ｌｉＥ
Ｌ素子のみならず、交流駆動の薄膜ＥＬ素子に１ついＣ
も当゛〔嵌る事柄である。
、 （発明の目的）
したがつ′Ｃ１この発明は発光層の結晶配向性が向上さ
れＣおシ、シたがつ゛〔高効率で低電圧駆動可能な薄膜
ＥＬ素子を提供することを目的とする。
れＣおシ、シたがつ゛〔高効率で低電圧駆動可能な薄膜
ＥＬ素子を提供することを目的とする。
（問題点を解決するだめの手段） □この発明
は、上述した問題点を、解消すべく鋭意検討の結果なさ
れたものであ“・シ、そし′〔その要旨とするところは
、透光性基板、該透光性基板の上に形成された透明電極
、第１絶縁層、発光層および電極を含む薄膜ＩＥＬ素子
において１前記第１絶縁層は少なくとも発光で層の発光
波長城において透明で結晶配向性を有するものからなる
ことを特徴とする薄膜ＥＬ素子２゛ある。
は、上述した問題点を、解消すべく鋭意検討の結果なさ
れたものであ“・シ、そし′〔その要旨とするところは
、透光性基板、該透光性基板の上に形成された透明電極
、第１絶縁層、発光層および電極を含む薄膜ＩＥＬ素子
において１前記第１絶縁層は少なくとも発光で層の発光
波長城において透明で結晶配向性を有するものからなる
ことを特徴とする薄膜ＥＬ素子２゛ある。
この第１絶縁層は、たとえばＺｎＯにＬｌなどが微量添
加含有された材料よ多構成・されるものであシ、透明で
Ｃ軸が透磁性基板に対し゛Ｃ垂直に、つまシ厚み方向に
おける結晶配向性を有するもので構成することができる
。したがつＣ１この第１絶縁層の上、に形成される発光
層の結晶性を向上させ ゛ることかできる。
加含有された材料よ多構成・されるものであシ、透明で
Ｃ軸が透磁性基板に対し゛Ｃ垂直に、つまシ厚み方向に
おける結晶配向性を有するもので構成することができる
。したがつＣ１この第１絶縁層の上、に形成される発光
層の結晶性を向上させ ゛ることかできる。
なお、発光層と電極との間に第２絶縁層を形成し゛でも
よく、この例によれば二重絶縁型の４膜ＥＬ素子を構成
することができる。また、透明成極と第１絶縁ノーとの
間に第３絶縁層を形成しＣもよい。この場合、−絶縁破
壊電圧を高め、信頼性を向−ヒさせることができる。
よく、この例によれば二重絶縁型の４膜ＥＬ素子を構成
することができる。また、透明成極と第１絶縁ノーとの
間に第３絶縁層を形成しＣもよい。この場合、−絶縁破
壊電圧を高め、信頼性を向−ヒさせることができる。
（実施例の説明）
第１図はこの発明にかかる＄ｆ＆ｌＩ、素子の一実施例
を示す断面図である。この第１図におい°Ｃ１薄膜ＥＬ
素子１１は、たとえばコーニング社（１）５９ガラスか
らなる透光性基板１２上に、透明成極１３が形成される
。この透明成極１３は、たとえば、Ｉｎ、Ｏ，””！Ｉ
ＩＩ化吻合金などの材料よ、りなるものである。透明１
匝１３の両端部にはＡＪよりなる取出用電極１８が蒸着
により形成され′Ｃいる。、また、透明電極１３の上面
には取出用成甑１８の一部を含め゛Ｃ透明で結晶配向性
を有する第１絶縁層１４が形成され〔いる。第１絶縁層
１４としＣは、たとえばＣ軸が、１１ｊｌｌ性基板１２
に対し′〔垂直に配向し′〔いる酸化亜鉛の結晶摸から
なる。この酸化亜鉛の結晶摸はたとえばＬｌを１〜２モ
ルチを添加含有したものからなシ、たとえばＲＦマグネ
トロンスノぞツタによ多形成される。第１絶縁層１４の
上面には、ＺｎＳ：ＴｂＦからなる発光層１５がスパッ
タにより形成されＣｊｌ？シ、さらにその上面には第２
絶縁層１６および電極１７が形成されＣいる。
を示す断面図である。この第１図におい°Ｃ１薄膜ＥＬ
素子１１は、たとえばコーニング社（１）５９ガラスか
らなる透光性基板１２上に、透明成極１３が形成される
。この透明成極１３は、たとえば、Ｉｎ、Ｏ，””！Ｉ
ＩＩ化吻合金などの材料よ、りなるものである。透明１
匝１３の両端部にはＡＪよりなる取出用電極１８が蒸着
により形成され′Ｃいる。、また、透明電極１３の上面
には取出用成甑１８の一部を含め゛Ｃ透明で結晶配向性
を有する第１絶縁層１４が形成され〔いる。第１絶縁層
１４としＣは、たとえばＣ軸が、１１ｊｌｌ性基板１２
に対し′〔垂直に配向し′〔いる酸化亜鉛の結晶摸から
なる。この酸化亜鉛の結晶摸はたとえばＬｌを１〜２モ
ルチを添加含有したものからなシ、たとえばＲＦマグネ
トロンスノぞツタによ多形成される。第１絶縁層１４の
上面には、ＺｎＳ：ＴｂＦからなる発光層１５がスパッ
タにより形成されＣｊｌ？シ、さらにその上面には第２
絶縁層１６および電極１７が形成されＣいる。
この構造よシなる落莫に、Ｌ素子１１は第１絶縁層１４
がＣ軸配向性を有するため、発光層１５を形成した場合
結晶性にすぐれたＺｎ８膜が成長し、高輝度、高効率で
低電圧駆動のものが得られる。
がＣ軸配向性を有するため、発光層１５を形成した場合
結晶性にすぐれたＺｎ８膜が成長し、高輝度、高効率で
低電圧駆動のものが得られる。
発光層１５につい゛Ｃ１上記した例で１ｄＺｎ！３：Ｔ
ｂＦ、を用いたが、これに限らず、Ｚｎ８ ： ｋｌｎ
。
ｂＦ、を用いたが、これに限らず、Ｚｎ８ ： ｋｌｎ
。
ＺｎＳ ＨＰｒｙ、 、 Ｚｎ８ ： Ｄｙ’／、 、
Ｚｎ８ ： ＴｍＦ、およびＺｎＳ：Ｃｕなど任意の
ＺｎＳからなる発光ノーを用いることができる。また、
ＺｎＳの代わシに、日ｒ８゜ＣａＳ、Ｚｎ５ｅなどを母
体とする発光層を用いることも可能である。
Ｚｎ８ ： ＴｍＦ、およびＺｎＳ：Ｃｕなど任意の
ＺｎＳからなる発光ノーを用いることができる。また、
ＺｎＳの代わシに、日ｒ８゜ＣａＳ、Ｚｎ５ｅなどを母
体とする発光層を用いることも可能である。
さらに、第１図に示した実施例では、第２絶縁層１６を
形成したが、この第２絶縁層１６は必ずしも′必要なも
のではｉ＜’、除去し゛〔もよい。また、特に図示しな
いが、透明型１ｆｉ１３と第１絶縁層１４０間に第３絶
縁層を形成し′〔もよい。この場合、さらに絶縁破壊に
対する信頼性を高めることができる。第２絶４４１６、
第３絶縁層（図示せず）につい゛〔は、従来から用いら
れＣいる！、Ｏｓ、８１゜Ｎ４・、ムｌｘ’ｓなどの任
意の材料によシ構成することができる。なお、第３絶縁
層につい゛〔は透光性を有するもので構成することを要
する。
形成したが、この第２絶縁層１６は必ずしも′必要なも
のではｉ＜’、除去し゛〔もよい。また、特に図示しな
いが、透明型１ｆｉ１３と第１絶縁層１４０間に第３絶
縁層を形成し′〔もよい。この場合、さらに絶縁破壊に
対する信頼性を高めることができる。第２絶４４１６、
第３絶縁層（図示せず）につい゛〔は、従来から用いら
れＣいる！、Ｏｓ、８１゜Ｎ４・、ムｌｘ’ｓなどの任
意の材料によシ構成することができる。なお、第３絶縁
層につい゛〔は透光性を有するもので構成することを要
する。
次に、第１図に示した薄膜ＥｉＬ素子の製造方法につき
説明する。
説明する。
まず、ガラスよりなる透光性基板１２を準備する。次に
下記の工程により各層が透光性基板１２の上に形成され
る。
下記の工程により各層が透光性基板１２の上に形成され
る。
■ 透明成極の形成
気、相蒸着法によ’） ”、ｍＯｓ ”ｎｏ、ａ化物
合金よりなる透明成極を形成する。得られたＩｎ、 ｏ
、 −８ｎＯ，酸化物合金の膜厚は約２００口λ°であ
る。
合金よりなる透明成極を形成する。得られたＩｎ、 ｏ
、 −８ｎＯ，酸化物合金の膜厚は約２００口λ°であ
る。
■ 取出用電極の形成、 。
透明電極の上にマスク（図示せず）を置き、透明電極の
一部、つまシ両端部を露出し、ムｌからな−る取出用電
極を真空蒸着法によ多形成した。
一部、つまシ両端部を露出し、ムｌからな−る取出用電
極を真空蒸着法によ多形成した。
■ 第１絶縁層の形感
真空槽内、ｎ透明電極を形成した透光性基板を設グネッ
トロンスバツタに゛よシ透明で結晶配向性の酸化亜鉛の
結晶摸ｉ形晟する。この結晶配向性の酸化亜鉛からなる
第１絶縁層は、ＺｎＯにＬｌを１〜２モルチ添加含着し
尼ものであり、第１表に示□す条件によ多形成した。膜
厚は約２５００１である。
トロンスバツタに゛よシ透明で結晶配向性の酸化亜鉛の
結晶摸ｉ形晟する。この結晶配向性の酸化亜鉛からなる
第１絶縁層は、ＺｎＯにＬｌを１〜２モルチ添加含着し
尼ものであり、第１表に示□す条件によ多形成した。膜
厚は約２５００１である。
■ 発光層の形成
スパッタによｐ、Ｚｎ８；ＴＩ）Ｆ、からなる発光層を
形成する。ターゲットは、純度９９．９９１のＺｎ８粉
末に、純度９９．９９９％の’１’ｂＦ、粉末を４重量
％添加し、Ａｒ５１１囲気中５００ｔで十分脱水処理し
たもの分用い、これをステンレス皿に仕込んだ。
形成する。ターゲットは、純度９９．９９１のＺｎ８粉
末に、純度９９．９９９％の’１’ｂＦ、粉末を４重量
％添加し、Ａｒ５１１囲気中５００ｔで十分脱水処理し
たもの分用い、これをステンレス皿に仕込んだ。
このスパッタ条件を第２表に示す。発光層の膜厚につい
Ｃは、約８５ＯＡのものと、約６５０ＯＡの２種類のも
のを製膜した。発光層形成後、４５０℃の温度で１時間
真空中に“〔熱処理を行なう。
Ｃは、約８５ＯＡのものと、約６５０ＯＡの２種類のも
のを製膜した。発光層形成後、４５０℃の温度で１時間
真空中に“〔熱処理を行なう。
■ 第２絶縁層の形成
発光層の上に、第２絶縁層とし・Ｃ鉱子ビーム蒸７ 着
によ’） ’１（１）Ｍの蒸着膜を形成亨る。ｈ啼ｙｆ
）−癒菩葵１町動り偏Ｙ２Ｏ１の蒸着膜の膜厚は約２０
０ＯＡである。
によ’） ’１（１）Ｍの蒸着膜を形成亨る。ｈ啼ｙｆ
）−癒菩葵１町動り偏Ｙ２Ｏ１の蒸着膜の膜厚は約２０
０ＯＡである。
上記のようにしＣ得られた構造体に、電極とし−Ｃｋｌ
を電子ビーム蒸着により形成し、第１図に示した薄膜Ｅ
Ｌ素子を得る。
を電子ビーム蒸着により形成し、第１図に示した薄膜Ｅ
Ｌ素子を得る。
得られた各薄膜ＥＬ素子につき、発光層を形成した段階
で、Ｚｎ８：ＴｂＦｊからなる発光層のＸ線回折分析を
行った。
で、Ｚｎ８：ＴｂＦｊからなる発光層のＸ線回折分析を
行った。
第４図はＺｎ＆：Ｔｂ：Ｆ、からなる発光層の膜厚が約
ａｓｏＫのものについＣのＸ線回折パターンを示す図で
ある。！た、第５図はＺｎＳ：ＴｂＦ、からなる発光層
の膜厚が約６５００ムのものについ′〔のＸ線回折パタ
ーンを示す図である。Ｘ線回折パターンは実線で示した
。
ａｓｏＫのものについＣのＸ線回折パターンを示す図で
ある。！た、第５図はＺｎＳ：ＴｂＦ、からなる発光層
の膜厚が約６５００ムのものについ′〔のＸ線回折パタ
ーンを示す図である。Ｘ線回折パターンは実線で示した
。
なお、比較例とし゛Ｃ１第１絶縁層を膜厚的２０００Ｘ
のＡｌｚＯｘで形成し、その上に上記した某施例と同様
にその膜厚がそれぞれ約ａｓｏＸ、約６５０ＯＡの発光
層を形成したものにつきＸ線回折分析を行った。各Ｘ線
回折パターンを第５図、第６図に破線でそれぞれ示した
。
のＡｌｚＯｘで形成し、その上に上記した某施例と同様
にその膜厚がそれぞれ約ａｓｏＸ、約６５０ＯＡの発光
層を形成したものにつきＸ線回折分析を行った。各Ｘ線
回折パターンを第５図、第６図に破線でそれぞれ示した
。
なお、比較例におけるＡ＃＊Ｏｓの第１絶縁層の形成は
スパッタによ多形成した。このスパッタ条件を第３表に
示す。
スパッタによ多形成した。このスパッタ条件を第３表に
示す。
第６図におい〔、第１絶縁層の種類が異なつ′Ｃい′Ｃ
も、ＺｎＢＨＴｂ’？、からなる発光層の膜厚がある程
度厚い、つまシ約６５００Ｘであると・尤九層のＸ線回
折強度はそれほど差がみられないと理解できる。しかし
ながら、第５図から明らかなように、第１絶縁層を一晶
配向性を有する酸化亜鉛の結晶摸で形成した場合には、
その膜厚が約８５０Ｘのものでも、その上に結晶配向性
のよ１ＡＺｎ１９ の（１１１）面が成長している。一
方、Ａｌｘ Ｏｓからなる第１絶縁層を下地層とした従
来のものはＺｎ８の発光層がアモルファス状態になつ′
Ｃお〕、結晶配向性のよいものが得られＣおらず、成長
初期での結晶性に難点があることが理解できる。
も、ＺｎＢＨＴｂ’？、からなる発光層の膜厚がある程
度厚い、つまシ約６５００Ｘであると・尤九層のＸ線回
折強度はそれほど差がみられないと理解できる。しかし
ながら、第５図から明らかなように、第１絶縁層を一晶
配向性を有する酸化亜鉛の結晶摸で形成した場合には、
その膜厚が約８５０Ｘのものでも、その上に結晶配向性
のよ１ＡＺｎ１９ の（１１１）面が成長している。一
方、Ａｌｘ Ｏｓからなる第１絶縁層を下地層とした従
来のものはＺｎ８の発光層がアモルファス状態になつ′
Ｃお〕、結晶配向性のよいものが得られＣおらず、成長
初期での結晶性に難点があることが理解できる。
なお、上記した実施例において１第１絶縁層１４および
発光層１５はすべＣスパッタに゛〔形成されるため、マ
ルチターゲット式のス・（ツタ装置を用いた場合、すべ
・Ｃ同一の真空槽内で実施することができる。したがり
゛Ｃ１各層の界面は清浄に保たれ、また真空引き作業も
１度行うだけでよいため、操作時間を短縮することがで
き、したがっ゛Ｃ作業性および量産性にすぐれＣＶる。
発光層１５はすべＣスパッタに゛〔形成されるため、マ
ルチターゲット式のス・（ツタ装置を用いた場合、すべ
・Ｃ同一の真空槽内で実施することができる。したがり
゛Ｃ１各層の界面は清浄に保たれ、また真空引き作業も
１度行うだけでよいため、操作時間を短縮することがで
き、したがっ゛Ｃ作業性および量産性にすぐれＣＶる。
また、第２絶縁層１６をＹ、Ｏ，以外のＡｄ、 ０．
。
。
８１ｓＮ、などでスパッタによ多形成する場合には、さ
らに同一の真空チャンバ内で実施することができる。
らに同一の真空チャンバ内で実施することができる。
（発明の効果）
以上のようにこの発明によれば、透光性基板の上に形成
された透明電極の上面に結晶配向性を有する透明な絶縁
層を形成し′Ｃいるため、この絶縁層を下地とし゛〔発
光層を形成すると、結晶性のよいものが得られる。した
かつ・Ｃ１従来のような発光層のデッドレイヤー（ｄｅ
ａｄ １４ｙθｒ）の発生がほとんどなく、薄い膜厚で
結晶配向性のよい発光層を得ることができ、低電圧駆動
ができる高効率の薄膜ＥＬ素子を構成し得ることになる
。
された透明電極の上面に結晶配向性を有する透明な絶縁
層を形成し′Ｃいるため、この絶縁層を下地とし゛〔発
光層を形成すると、結晶性のよいものが得られる。した
かつ・Ｃ１従来のような発光層のデッドレイヤー（ｄｅ
ａｄ １４ｙθｒ）の発生がほとんどなく、薄い膜厚で
結晶配向性のよい発光層を得ることができ、低電圧駆動
ができる高効率の薄膜ＥＬ素子を構成し得ることになる
。
第１図は、この発明の一実施例の薄膜」Ｌ素子の断面図
である。 第２図は、従来の薄膜ＦｉＬ素子の断面図である。 第３図は、Ｚｎ８ ＨＴｂＦｓの発光層の膜厚と発光効
率の関係を示す図である。 第４図、第５図はＺｎ５ＨＴｂＦ、からなる発光層のＸ
線回折パターンを示す図である。 １１は薄膜ＭＬＩＦ、子、１２は透光性基板、１５は透
明電１血、１４は第１絶縁層、１５は発光層５．１７は
電極。
である。 第２図は、従来の薄膜ＦｉＬ素子の断面図である。 第３図は、Ｚｎ８ ＨＴｂＦｓの発光層の膜厚と発光効
率の関係を示す図である。 第４図、第５図はＺｎ５ＨＴｂＦ、からなる発光層のＸ
線回折パターンを示す図である。 １１は薄膜ＭＬＩＦ、子、１２は透光性基板、１５は透
明電１血、１４は第１絶縁層、１５は発光層５．１７は
電極。
Claims (4)
- （１）透光性基板、該透光性基板の上に形成された透
明電極、第１絶縁層、発光層および電極を含む薄膜ＥＬ
素子において、 前記第１絶縁層は、少なくとも発光層の発光波長域にお
いて透明で結晶配向性を有するものからなることを特徴
とする薄膜ＥＬ素子。 - （２）前記第１絶縁層は、透明でＣ軸が透光性基板に
対して垂直に配向している酸化亜鉛の結晶摸からなる特
許請求の範囲第（１）項記載の薄膜ＥＬ素子。 - （３）前記発光層と前記電極との間に第２絶縁層が形
成されている特許請求の範囲第（１）項記載の薄膜ＥＬ
素子。 - （４）前記透明電極と前記第１絶縁層との間に第３絶
縁層が形成されている特許請求の範囲第（１）項記載の
薄膜ＥＬ素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60033925A JPS61193396A (ja) | 1985-02-21 | 1985-02-21 | 薄膜ｅｌ素子 |
| US06/828,020 US4737684A (en) | 1985-02-21 | 1986-02-10 | Thin film EL element having a crystal-orientable ZnO sublayer for a light-emitting layer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60033925A JPS61193396A (ja) | 1985-02-21 | 1985-02-21 | 薄膜ｅｌ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61193396A true JPS61193396A (ja) | 1986-08-27 |
| JPH046278B2 JPH046278B2 (ja) | 1992-02-05 |
Family
ID=12400089
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60033925A Granted JPS61193396A (ja) | 1985-02-21 | 1985-02-21 | 薄膜ｅｌ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61193396A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5035572A (en) * | 1989-04-21 | 1991-07-30 | Mtu Motoren-Und Turbinen-Union Munchen Gmbh | Arrangement for adjusting guide blades |
| JP2006300528A (ja) * | 2005-04-15 | 2006-11-02 | Casio Comput Co Ltd | 時計装置およびその時刻合わせ処理プログラム |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5859594A (ja) * | 1981-10-03 | 1983-04-08 | コニカ株式会社 | 発光素子 |
| JPS59101794A (ja) * | 1982-12-02 | 1984-06-12 | 株式会社デンソー | 薄膜エレクトロルミネツセンス素子 |
| JPS59175593A (ja) * | 1983-03-25 | 1984-10-04 | 松下電器産業株式会社 | エレクトロルミネセンス表示装置 |
| JPS6180793A (ja) * | 1984-09-27 | 1986-04-24 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜ｅｌ素子 |
-
1985
- 1985-02-21 JP JP60033925A patent/JPS61193396A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5859594A (ja) * | 1981-10-03 | 1983-04-08 | コニカ株式会社 | 発光素子 |
| JPS59101794A (ja) * | 1982-12-02 | 1984-06-12 | 株式会社デンソー | 薄膜エレクトロルミネツセンス素子 |
| JPS59175593A (ja) * | 1983-03-25 | 1984-10-04 | 松下電器産業株式会社 | エレクトロルミネセンス表示装置 |
| JPS6180793A (ja) * | 1984-09-27 | 1986-04-24 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜ｅｌ素子 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5035572A (en) * | 1989-04-21 | 1991-07-30 | Mtu Motoren-Und Turbinen-Union Munchen Gmbh | Arrangement for adjusting guide blades |
| JP2006300528A (ja) * | 2005-04-15 | 2006-11-02 | Casio Comput Co Ltd | 時計装置およびその時刻合わせ処理プログラム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH046278B2 (ja) | 1992-02-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |