JPS61193303A - チツプ状電子部品 - Google Patents
チツプ状電子部品Info
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- JPS61193303A JPS61193303A JP3401785A JP3401785A JPS61193303A JP S61193303 A JPS61193303 A JP S61193303A JP 3401785 A JP3401785 A JP 3401785A JP 3401785 A JP3401785 A JP 3401785A JP S61193303 A JPS61193303 A JP S61193303A
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- JP
- Japan
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- conductive film
- electrode
- chip
- nickel
- layer
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- Pending
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- Non-Insulated Conductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、ジャンパーチップ素子等として用いられるヂ
；ｙブ状電子部品に関Ｊる。
；ｙブ状電子部品に関Ｊる。
従来ジャンパーチップ素子として用いられるものは、チ
ップ状基体上に銀ペーストを塗布し焼成して導電膜を形
成し、この導電膜上にこの両端を電極部として残してガ
ラス保護膜を形成したもの、更にチップ基体の端面から
前記電極部にかけて第２電極を形成したものがある。し
かしながら銀ペーストは高価であり、かつ焼成に高温を
要すること、ガラス保護膜の焼成にも高温を要し、焼成
炉が必要になる等信れも生産］ストが高くなるという問
題があった。
ップ状基体上に銀ペーストを塗布し焼成して導電膜を形
成し、この導電膜上にこの両端を電極部として残してガ
ラス保護膜を形成したもの、更にチップ基体の端面から
前記電極部にかけて第２電極を形成したものがある。し
かしながら銀ペーストは高価であり、かつ焼成に高温を
要すること、ガラス保護膜の焼成にも高温を要し、焼成
炉が必要になる等信れも生産］ストが高くなるという問
題があった。
本発明は上述の問題に鑑み導電材料として安価な金属や
導電性合成樹脂を用いまた保護膜としても高温焼成が必
要でない材料を用い生産］ストを低下させようどするも
のである。 １（問題点を解決するための手段〕 本発明は、チップ基体と、このチップ基体」］に順次形
成されたニッケル無電解メッキ層と銅電気メッキ層とよ
りなる導電膜と、この導電膜トにこの両端を第１電極部
として残して形成された合成樹脂保護膜どよりなり導電
膜材料としく高価な銀を用いることなく、また保護膜と
しても焼成温度の高いガラスを用いず高温焼成を不要に
し端面電極にも安価な材ｒ１を用い生産］ストを低下さ
せたものである。′□ さらに本発明は、第１電極部−にに端面電極として導電
性合成樹脂硬化膜よりなる第２電極部を形成し第２電極
部硬化に高温焼成を必要としないようにしたものである
。
導電性合成樹脂を用いまた保護膜としても高温焼成が必
要でない材料を用い生産］ストを低下させようどするも
のである。 １（問題点を解決するための手段〕 本発明は、チップ基体と、このチップ基体」］に順次形
成されたニッケル無電解メッキ層と銅電気メッキ層とよ
りなる導電膜と、この導電膜トにこの両端を第１電極部
として残して形成された合成樹脂保護膜どよりなり導電
膜材料としく高価な銀を用いることなく、また保護膜と
しても焼成温度の高いガラスを用いず高温焼成を不要に
し端面電極にも安価な材ｒ１を用い生産］ストを低下さ
せたものである。′□ さらに本発明は、第１電極部−にに端面電極として導電
性合成樹脂硬化膜よりなる第２電極部を形成し第２電極
部硬化に高温焼成を必要としないようにしたものである
。
さらに本発明は導電性合成樹脂硬化膜よりなる第２電極
部上にニッケル、スズ、ハンダの少くとも一層よりなる
電気メツキ層よりなる第３Ｎ極部を形成し高温焼成によ
らずに金属電極を形成しようとするものである。
部上にニッケル、スズ、ハンダの少くとも一層よりなる
電気メツキ層よりなる第３Ｎ極部を形成し高温焼成によ
らずに金属電極を形成しようとするものである。
さらに本発明は、チップ基体の端面から保護膜で被覆さ
れない第１電極部にかけてニッケル無電解メッキ層より
なる第２電極部を形成し、この第２電極部上に銅、ニッ
ケル、スズ、ハンダの少くとも二層よりなる電気メツキ
層を形成して第３電極部とし、高温焼成することなく金
属電極を形成しようとするものである。
れない第１電極部にかけてニッケル無電解メッキ層より
なる第２電極部を形成し、この第２電極部上に銅、ニッ
ケル、スズ、ハンダの少くとも二層よりなる電気メツキ
層を形成して第３電極部とし、高温焼成することなく金
属電極を形成しようとするものである。
本発明は、チップ基体上にメッキにより導電膜を形成し
、この導電膜上に電気絶縁性合成樹脂保護膜を形成し両
端に残った導電膜よりなる第１電極部を電極とするかま
たは、この第１電極部上からチップ基体の端面にかけて
形成されたＳ重付合成樹脂硬化膜よりなる第２電極部を
電極とするか、または、このＭ２電極部−［に形成され
た電気メツキ層よりなる第３電極部を電極とするかまた
は、導電性合成樹脂硬化膜に代えてニッケル無電解メッ
キ層を形成し、このニッケル無電解メッキ層を第２電極
部としこの上に電気メツキ層よりなる第３電極部を形成
して金属よりなる第３電極部を電極とし何れも高温焼成
■稈を必要とせずに電極を形成するものである。
、この導電膜上に電気絶縁性合成樹脂保護膜を形成し両
端に残った導電膜よりなる第１電極部を電極とするかま
たは、この第１電極部上からチップ基体の端面にかけて
形成されたＳ重付合成樹脂硬化膜よりなる第２電極部を
電極とするか、または、このＭ２電極部−［に形成され
た電気メツキ層よりなる第３電極部を電極とするかまた
は、導電性合成樹脂硬化膜に代えてニッケル無電解メッ
キ層を形成し、このニッケル無電解メッキ層を第２電極
部としこの上に電気メツキ層よりなる第３電極部を形成
して金属よりなる第３電極部を電極とし何れも高温焼成
■稈を必要とせずに電極を形成するものである。
次に本発明の実施例の構成を製造Ｔ程図によって説明す
る。
る。
実施例１（第１図ないし第３図）
（１）多数のチップ基体１の集合体であるセラミック基
板１ａ上にニッケル無電解メッキ層２と銅電気メッキ層
３を順次形成して導電膜４とづる。
板１ａ上にニッケル無電解メッキ層２と銅電気メッキ層
３を順次形成して導電膜４とづる。
（縦断面図を第１図に承り）
（２） 導電膜４上に各チップ基体１０両端どなる位
回に電極部５を残すようにして珪素樹脂、■ボキシ樹脂
、ポリイミド樹脂等の合成樹脂塗料を帯状に塗布して硬
化させ電気絶縁性合成樹脂保護膜６を形成する。（平面
図を第２図に示す）（３） 基板１ａを縦横に各チッ
プ基体１毎に分割して製品Ａ１’！得る。（縦断側面図
を第３図に示す）以−トのようにして得られた製品Ａ１
はセラミックチップ基体１上にニッケル無電解メッキ層
２と銅電気メッキ層３よりなる導電膜４が形成され、こ
の導電Ｎ４上に両端に第１電極部５を残して合成樹脂保
護膜６が形成されたものである。
回に電極部５を残すようにして珪素樹脂、■ボキシ樹脂
、ポリイミド樹脂等の合成樹脂塗料を帯状に塗布して硬
化させ電気絶縁性合成樹脂保護膜６を形成する。（平面
図を第２図に示す）（３） 基板１ａを縦横に各チッ
プ基体１毎に分割して製品Ａ１’！得る。（縦断側面図
を第３図に示す）以−トのようにして得られた製品Ａ１
はセラミックチップ基体１上にニッケル無電解メッキ層
２と銅電気メッキ層３よりなる導電膜４が形成され、こ
の導電Ｎ４上に両端に第１電極部５を残して合成樹脂保
護膜６が形成されたものである。
実施例２（第４図ないし第７図）
（１） 実施例１と同様にして多数の帯状に電気絶縁
性合成樹脂保護膜６が形成された基板１ａを細長帯状に
分割して第４図に示すように細長片１ｂを形成し、この
細長片１ｂの中方向の両側面から第１電極部５上にかり
て導電性合成樹脂塗料を塗布して硬化させ第５図に示す
ように第２電極部１０を形成する。導電性合成樹脂塗料
は、エポキシ樹脂系塗料にＮｉ、 Ｃｕ、 Ａｇ、ＡＩ
等の金属を含むものである（２） ｉｌｌ長片１ｂを
チップ状に切断して第６図に示すチップ状の製品Ａ２を
得る。得られた製品Ａ２は、製品Ａ１の端面から第１電
極部５にかけて導電性合成樹脂よりなる第２電極部１０
が形成されたものである。第７図は製品Ａ２の縦断正面
図である。
性合成樹脂保護膜６が形成された基板１ａを細長帯状に
分割して第４図に示すように細長片１ｂを形成し、この
細長片１ｂの中方向の両側面から第１電極部５上にかり
て導電性合成樹脂塗料を塗布して硬化させ第５図に示す
ように第２電極部１０を形成する。導電性合成樹脂塗料
は、エポキシ樹脂系塗料にＮｉ、 Ｃｕ、 Ａｇ、ＡＩ
等の金属を含むものである（２） ｉｌｌ長片１ｂを
チップ状に切断して第６図に示すチップ状の製品Ａ２を
得る。得られた製品Ａ２は、製品Ａ１の端面から第１電
極部５にかけて導電性合成樹脂よりなる第２電極部１０
が形成されたものである。第７図は製品Ａ２の縦断正面
図である。
実施例３（第８図）
（１）実施例２で得られた製品Ａ２の第２電極部１０上
にニッケル、スズ、ハンダの何れか一種の電気メッキを
施し第８図に示すように電気メツキ層よりなる第３電極
部１１を形成し、製品Ａ３を得る。
にニッケル、スズ、ハンダの何れか一種の電気メッキを
施し第８図に示すように電気メツキ層よりなる第３電極
部１１を形成し、製品Ａ３を得る。
尚、第３電極部１１は、ニツクルメッキートにハンダメ
ッキまたはスズメッキを施した電気メツキ層でもよい。
ッキまたはスズメッキを施した電気メツキ層でもよい。
得られた製品Ａ３は、第２電極部１０上にニッケル、ス
ズ、ハンダの何れかの電気メツキ層またはニッケルメッ
キ上にさらにスズあるいはハンダメッキが施された電気
メツキ層よりなる第３電極部１１が形成されたものであ
る。
ズ、ハンダの何れかの電気メツキ層またはニッケルメッ
キ上にさらにスズあるいはハンダメッキが施された電気
メツキ層よりなる第３電極部１１が形成されたものであ
る。
実施例４（第９図ないし第１３図）
（１）多数のチップ基体１の集合体よりなるセラミック
基板１ａに前述の実施例１と同様にしてニッケル無電解
メッキ層２と銅電気メッキ層３どよりなる導電膜４を形
成し、さらにこの導電膜４上に、両端に第１電極部５を
残して電気絶縁性合成樹脂保護膜６を形成する（縦断側
面図を第９図に示づ）（２） セラミック基板１ａの
裏面と導電膜４上にメツキレシスト膜７．１８を形成す
る。（縦断側面図を第１０図に示１） （３） セラミック基板１ａをチップ基体１の長さ方
向の巾で分割した細長片１Ｃとする。そしてこの細長片
１Ｃに塩化パラジウムによる活性化処理を施し、メツキ
レジス１〜膜７．７ａで被覆されていない細長片１ｂの
両側面部らデツプ基体１の両端面から第１電極部５並に
裏面の一部にかけて活性化面８を形成する。（細長片１
ｂのｉ＋方向縦断面図を第１１図に示す） （４） 細長片１Ｃの活性化面８にニッケル無電解メ
ッキを施し細長片１Ｃの両側面から第２電極部５並に裏
面の一部にかけてニッケル無電解メッキ層よりなる第２
″￥ｉ極部９を形成する。（ＩＩＩ長片１Ｃの巾方向の
断面を第１２図に示す） （５）第２電極部９が形成された細長片１Ｃを各チップ
基体１毎に分割する。そして各チップ基体１の第２電極
部９上に、銅、ニッケル、スズ、ハンダの何れか一種を
電気メッキするか、或は銅電気メッキ上にニッケルある
いはハンダの電気メッキをするか、銅電気メッキ上にニ
ッケル電気メッキをし、さらにハンダ電気メッキあるい
はスズ電気メッキをして電気メツキ層よりなる第３電極
部１２を形成する。
基板１ａに前述の実施例１と同様にしてニッケル無電解
メッキ層２と銅電気メッキ層３どよりなる導電膜４を形
成し、さらにこの導電膜４上に、両端に第１電極部５を
残して電気絶縁性合成樹脂保護膜６を形成する（縦断側
面図を第９図に示づ）（２） セラミック基板１ａの
裏面と導電膜４上にメツキレシスト膜７．１８を形成す
る。（縦断側面図を第１０図に示１） （３） セラミック基板１ａをチップ基体１の長さ方
向の巾で分割した細長片１Ｃとする。そしてこの細長片
１Ｃに塩化パラジウムによる活性化処理を施し、メツキ
レジス１〜膜７．７ａで被覆されていない細長片１ｂの
両側面部らデツプ基体１の両端面から第１電極部５並に
裏面の一部にかけて活性化面８を形成する。（細長片１
ｂのｉ＋方向縦断面図を第１１図に示す） （４） 細長片１Ｃの活性化面８にニッケル無電解メ
ッキを施し細長片１Ｃの両側面から第２電極部５並に裏
面の一部にかけてニッケル無電解メッキ層よりなる第２
″￥ｉ極部９を形成する。（ＩＩＩ長片１Ｃの巾方向の
断面を第１２図に示す） （５）第２電極部９が形成された細長片１Ｃを各チップ
基体１毎に分割する。そして各チップ基体１の第２電極
部９上に、銅、ニッケル、スズ、ハンダの何れか一種を
電気メッキするか、或は銅電気メッキ上にニッケルある
いはハンダの電気メッキをするか、銅電気メッキ上にニ
ッケル電気メッキをし、さらにハンダ電気メッキあるい
はスズ電気メッキをして電気メツキ層よりなる第３電極
部１２を形成する。
（６） メッキレジスト膜７，７ａを溶解除去しで製
品Ａ４を１ｑる。（Ｉｌ晶Ａ４の縦断正面図を第１３図
に示す） 製品Δ４はデツプ基体１の端面から第１電極部５にが（
プて無電解メツ４：層にりなる第２電極部９が形成され
、この第２電極部９上に電気メツキ層よりなる第３電極
部１２が形成されているものである３゜ 以上の実施例で得られた製品Ａ１〜Ａ４は何れもジャン
パー線用チップ素子どして用いられる。
品Ａ４を１ｑる。（Ｉｌ晶Ａ４の縦断正面図を第１３図
に示す） 製品Δ４はデツプ基体１の端面から第１電極部５にが（
プて無電解メツ４：層にりなる第２電極部９が形成され
、この第２電極部９上に電気メツキ層よりなる第３電極
部１２が形成されているものである３゜ 以上の実施例で得られた製品Ａ１〜Ａ４は何れもジャン
パー線用チップ素子どして用いられる。
本発明によれば、チップ基体上にニッケル無電解メッキ
層と銅電気メッキ層とよりなる導電膜を形成し、この導
電膜上にこの両端部を第１電極部として残して合成樹脂
保護膜を形成したから、導電膜として高価な銀ペースト
を用いる必要がなく、また、非導電材であるチップ基体
に無電解ニッケルメッキ層を形成し、次に銅電気メッキ
をして銅メッキ層の電着性を良くし、かつニッケル無電
解メッキの導電度の不足を銅電気メッキで補うことがで
きる。さらに、導電膜上には合成樹脂保護膜を形成した
からガラス保護膜の形成の場合のにうに硬化のために高
温焼成する必要がなく、導電膜をメッキ層で形成したこ
とと相まって焼成炉を必要とせずかつ焼成時間も要しな
いため生産費を低くすることができる。
層と銅電気メッキ層とよりなる導電膜を形成し、この導
電膜上にこの両端部を第１電極部として残して合成樹脂
保護膜を形成したから、導電膜として高価な銀ペースト
を用いる必要がなく、また、非導電材であるチップ基体
に無電解ニッケルメッキ層を形成し、次に銅電気メッキ
をして銅メッキ層の電着性を良くし、かつニッケル無電
解メッキの導電度の不足を銅電気メッキで補うことがで
きる。さらに、導電膜上には合成樹脂保護膜を形成した
からガラス保護膜の形成の場合のにうに硬化のために高
温焼成する必要がなく、導電膜をメッキ層で形成したこ
とと相まって焼成炉を必要とせずかつ焼成時間も要しな
いため生産費を低くすることができる。
またチップ基体の端面から前記第１電極部にかけて導電
性合成樹脂硬化膜にりなる第２電極部を形成したから、
第２電極部の硬化に高温焼成を必要とせず高温焼成炉を
必要としないため、時間の短縮と生産性の自−Ｌが期待
できる。
性合成樹脂硬化膜にりなる第２電極部を形成したから、
第２電極部の硬化に高温焼成を必要とせず高温焼成炉を
必要としないため、時間の短縮と生産性の自−Ｌが期待
できる。
さらに、導電性合成樹脂膜よりなる第２電極部上に電気
メッキにより第３電極部として金属電極を形成すること
によって、高温焼成によらずに安価な金属電極を形成Ｊ
゛ることができる。
メッキにより第３電極部として金属電極を形成すること
によって、高温焼成によらずに安価な金属電極を形成Ｊ
゛ることができる。
また、チップ基体の端面から第１電極部にか【ノ工活性
化した活性化面を介してニッケル無電解メッキ層Ｊ：り
なる第２電極部を形成しこの第２電極部上に電気メツキ
層よりなる第３電極部を形成したため、活性化面によっ
てニッケルメッキ層を無電解でチップ基体に結合さ「る
ことができこの無電解ニッケルメッキ層よりなる第２電
極部には電気メツキ層よりなる第３電極部を容易に形成
Ｊることができ、この電気メツキ層よりなる第３電極部
によってニッケル無電解メッキ層よりなる第２電極部の
厚さや強度の不足を補うことができる。
化した活性化面を介してニッケル無電解メッキ層Ｊ：り
なる第２電極部を形成しこの第２電極部上に電気メツキ
層よりなる第３電極部を形成したため、活性化面によっ
てニッケルメッキ層を無電解でチップ基体に結合さ「る
ことができこの無電解ニッケルメッキ層よりなる第２電
極部には電気メツキ層よりなる第３電極部を容易に形成
Ｊることができ、この電気メツキ層よりなる第３電極部
によってニッケル無電解メッキ層よりなる第２電極部の
厚さや強度の不足を補うことができる。
第１図ないし第３図、第４図ないし第７図、第８図、第
９図ないし第１３図は本発明の異なる実施例を示すチッ
プ状電子部品の製３ｉＬＩ程図である。 １・・デツプ基体、２・・ニッケル無電解メッキ層、３
・・銅電気メッキ層、４・・導電膜、５・・第１電極部
、６・・保護膜、８・・活性化面、９．１０・・第２電
極部、１１．１２・・第３電極部。
９図ないし第１３図は本発明の異なる実施例を示すチッ
プ状電子部品の製３ｉＬＩ程図である。 １・・デツプ基体、２・・ニッケル無電解メッキ層、３
・・銅電気メッキ層、４・・導電膜、５・・第１電極部
、６・・保護膜、８・・活性化面、９．１０・・第２電
極部、１１．１２・・第３電極部。
Claims (4)
- （１）チップ基体と、このチップ基体上に順次形成され
たニッケル無電解メッキ層と銅電気メッキ層とよりなる
導電膜と、この導電膜上にこの両端を第１電極部として
残して形成された合成樹脂保護膜とよりなることを特徴
とするチップ状電子部品。 - （２）チップ基体と、このチップ基体上に順次形成され
たニッケル無電解メッキ層と銅電気メッキ層とよりなる
導電膜と、この導電膜上にこの両端を第１電極部として
残して形成された合成樹脂保護膜と、前記チップ基体の
端面から前記両端の第１電極部にかけて形成された導電
性合成樹脂硬化膜よりなる第２電極部とを具備したこと
を特徴とするチップ状電子部品。 - （３）チップ基体と、このチップ基体上に順次形成され
たニッケル無電解メッキ層と銅電気メッキ層とよりなる
導電膜と、この導電膜上にこの両端を第１電極部として
残して形成された合成樹脂保護膜と、前記チップ基体の
端面から前記両端の第１電極部にかけて形成された導電
性合成樹脂硬化膜よりなる第２電極部と、この第２電極
部上に形成されたニッケル、スズ、ハンダのうら少なく
とも一層の電気メッキ層よりなる第３電極部とを具備し
たことを特徴とするチップ状電子部品。 - （４）チップ基体と、このチップ基体上に順次形成され
たニッケル無電解メッキ層と銅電気メッキ層とよりなる
導電膜と、この導電膜上にこの両端を第１電極部として
残して形成された合成樹脂保護膜と、前記チップ基体の
端面から前記両端の第１電極部にかけて活性化面を介し
て形成されたニッケル無電解メッキ層よりなる第２電極
部と、この第２電極部上に形成された銅、ニッケル、ス
ズ、ハンダのうち少くとも一層の電気メッキ層よりなる
第３電極部とを具備したことを特徴とするチップ状電子
部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3401785A JPS61193303A (ja) | 1985-02-22 | 1985-02-22 | チツプ状電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3401785A JPS61193303A (ja) | 1985-02-22 | 1985-02-22 | チツプ状電子部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61193303A true JPS61193303A (ja) | 1986-08-27 |
Family
ID=12402621
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3401785A Pending JPS61193303A (ja) | 1985-02-22 | 1985-02-22 | チツプ状電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61193303A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007064964A (ja) * | 2005-08-02 | 2007-03-15 | Shinmaywa Engineerings Ltd | ワイヤーロープの沈み量の測定方法、並びに、沈み量測定具およびその測定器用ジグ |
-
1985
- 1985-02-22 JP JP3401785A patent/JPS61193303A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007064964A (ja) * | 2005-08-02 | 2007-03-15 | Shinmaywa Engineerings Ltd | ワイヤーロープの沈み量の測定方法、並びに、沈み量測定具およびその測定器用ジグ |
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