JPS61191084A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
- Publication number
- JPS61191084A JPS61191084A JP60033105A JP3310585A JPS61191084A JP S61191084 A JPS61191084 A JP S61191084A JP 60033105 A JP60033105 A JP 60033105A JP 3310585 A JP3310585 A JP 3310585A JP S61191084 A JPS61191084 A JP S61191084A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- light emitting
- silicon nitride
- nitride film
- semiconductor light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 19
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 16
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 7
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はリモコン用、位置検出用あるいはリレースイッ
チ用等に用いられる半導体発光装置（ＬＥＤ）に関し、
特に■−ｖ族化合物半導体ＬＥＤの改良に係る。
チ用等に用いられる半導体発光装置（ＬＥＤ）に関し、
特に■−ｖ族化合物半導体ＬＥＤの改良に係る。
ＧａＡＳを代表とするｍ−ｖ族ＬＥＤは、リモコン用や
位置検出用等の光源として広く用いられている。このよ
うな用途に用いられる従来のｍ−Ｖ族ＬＥＤについて以
下に説明する。
位置検出用等の光源として広く用いられている。このよ
うな用途に用いられる従来のｍ−Ｖ族ＬＥＤについて以
下に説明する。
第２図（Ａ）は従来の■−ｖ族ＬＥＤチップの構造を示
す断面図である。同図において、１はＮ型ＧａＡＳ層、
２はＰ型ＧａＡＳ層で、両者のＰＮ接合が発光領域を構
成している。そして、Ｐ型ＧａＡＳ層２の表面には金属
電極３が形成されている。このＬＥＤチップはステム上
にマウントされ、ワイヤボンディングを施された後、第
２図（Ｂ）に示すように透明な樹脂層４（通常はエポキ
シ樹脂）で封止されて各種光源に用いられるＬＥＤに製
造されている。
す断面図である。同図において、１はＮ型ＧａＡＳ層、
２はＰ型ＧａＡＳ層で、両者のＰＮ接合が発光領域を構
成している。そして、Ｐ型ＧａＡＳ層２の表面には金属
電極３が形成されている。このＬＥＤチップはステム上
にマウントされ、ワイヤボンディングを施された後、第
２図（Ｂ）に示すように透明な樹脂層４（通常はエポキ
シ樹脂）で封止されて各種光源に用いられるＬＥＤに製
造されている。
ところで、上記のようにして製造された従来のＬＥＤで
は、ＬＥＤチップを構成するＧａＡＳと、外囲器の透明
樹脂層４とで光の屈折率（ｎ＞が大きく異なっている。
は、ＬＥＤチップを構成するＧａＡＳと、外囲器の透明
樹脂層４とで光の屈折率（ｎ＞が大きく異なっている。
即ち、ＧａＡＳではｎ−３，６、外囲器樹脂層４ではｎ
−１，５である。このため第２図（Ｂ）に矢印で示すよ
うに、発光領域で発生した光がＬＥＤチップ表面から外
囲器樹脂層４に出て行く際の角度が狭く、界面で全反射
してしてしまう確率が大きくなるため光出力が低下する
問題がある。
−１，５である。このため第２図（Ｂ）に矢印で示すよ
うに、発光領域で発生した光がＬＥＤチップ表面から外
囲器樹脂層４に出て行く際の角度が狭く、界面で全反射
してしてしまう確率が大きくなるため光出力が低下する
問題がある。
この問題を改善するために、従来から反射板形状の見・
直し、反射板表面の光沢化、或いはチップの厚さを薄く
する等の種々の方策が行なわれているが、これらは何れ
もデザイン上での改善策にすぎない。そして、反射板形
状の見直しや反射板の光沢化では配光特性や検出性に問
題があり、またチップを薄くした場合には製造工程を機
械化したときの歩留低下が大きくなる等、新たな問題が
生じている。
直し、反射板表面の光沢化、或いはチップの厚さを薄く
する等の種々の方策が行なわれているが、これらは何れ
もデザイン上での改善策にすぎない。そして、反射板形
状の見直しや反射板の光沢化では配光特性や検出性に問
題があり、またチップを薄くした場合には製造工程を機
械化したときの歩留低下が大きくなる等、新たな問題が
生じている。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、■−Ｖ族半
導体発光装置のチップ構造を改良することによって、チ
ップから外部に取出される光の出力向上を目的とするも
のである。
導体発光装置のチップ構造を改良することによって、チ
ップから外部に取出される光の出力向上を目的とするも
のである。
本発明による半導体発光装置は、ＰＮ接合を有する■−
ｖ族半導体層の表面をシリコン窒化膜で覆った半導体発
光素子チップと、ステム上にアセンブリーされた該半導
体発光素子チップを封止する透明樹脂層とを具備したこ
とを特徴とするものである。
ｖ族半導体層の表面をシリコン窒化膜で覆った半導体発
光素子チップと、ステム上にアセンブリーされた該半導
体発光素子チップを封止する透明樹脂層とを具備したこ
とを特徴とするものである。
上記のように、本発明の半導体発光装置では従来の■−
ｖ族ＬＥＤチップの表面をシリコン窒化膜で覆ったＬＥ
Ｄチップを用いている。このためアセンブリーされた状
態では■−ｖ族半導体層と透明な封止樹脂層との間にシ
リコン窒化膜が介在することになる。このシリコン窒化
膜の光屈折率ｎは■−ｖ族半導体層と封止樹脂層との中
間の値（ｎ−２，１）である。このため、チップと封止
樹脂層との界面で全反射する確率が小さくなり、従来は
外部に取出されなかった光もチップ外へ取出せるように
なる。
ｖ族ＬＥＤチップの表面をシリコン窒化膜で覆ったＬＥ
Ｄチップを用いている。このためアセンブリーされた状
態では■−ｖ族半導体層と透明な封止樹脂層との間にシ
リコン窒化膜が介在することになる。このシリコン窒化
膜の光屈折率ｎは■−ｖ族半導体層と封止樹脂層との中
間の値（ｎ−２，１）である。このため、チップと封止
樹脂層との界面で全反射する確率が小さくなり、従来は
外部に取出されなかった光もチップ外へ取出せるように
なる。
第１図（Ａ）は本発明の一実施例に用いる■−Ｖ族ＬＥ
Ｄチップを示す断面図であり、同図（８）はその製造方
法を説明するための断面図、第１図（Ｃ）は本発明の一
実施例になる半導体発光装置とその作用を示す説明図で
ある。
Ｄチップを示す断面図であり、同図（８）はその製造方
法を説明するための断面図、第１図（Ｃ）は本発明の一
実施例になる半導体発光装置とその作用を示す説明図で
ある。
まず第１図（Ａ）のＬＥＤチップについて説明すると、
同図において１はＮ型ＧａＡＳ層、２はＰ型ＧａＡｓ層
、３はアルミニウム電極で、これらの構成については第
２図（Ａ）の従来のＬＥＤチップと全く同じである。他
方、図中５はシリコン窒化膜で、該シリコン窒化膜５が
チップ表面を覆っている点で、第２図（Ａ）の従来のＬ
ＥＤチップとは異なっている。また、アルミニウム電極
３の部分ではシリコン窒化膜５に開孔部が形成され、ワ
イヤポンディングが可能なように電極表面が露出されて
いる。
同図において１はＮ型ＧａＡＳ層、２はＰ型ＧａＡｓ層
、３はアルミニウム電極で、これらの構成については第
２図（Ａ）の従来のＬＥＤチップと全く同じである。他
方、図中５はシリコン窒化膜で、該シリコン窒化膜５が
チップ表面を覆っている点で、第２図（Ａ）の従来のＬ
ＥＤチップとは異なっている。また、アルミニウム電極
３の部分ではシリコン窒化膜５に開孔部が形成され、ワ
イヤポンディングが可能なように電極表面が露出されて
いる。
上記のＬＥＤチップは第１図（Ｂ）に示すようにして製
造することができる。即ち、ＰＮ接合を形成し且つアル
ミニウム電極３を形成したＧａＡｓウェハーをダイシン
グシート１０上でダイシングし、個々のチップに分割し
た状態で減圧ＣＶＤ法またはプラズマＣＶＤ法によりシ
リコン窒化膜５を堆積する。次いで、選択エツチングに
より電極３を露出すすればよい。
造することができる。即ち、ＰＮ接合を形成し且つアル
ミニウム電極３を形成したＧａＡｓウェハーをダイシン
グシート１０上でダイシングし、個々のチップに分割し
た状態で減圧ＣＶＤ法またはプラズマＣＶＤ法によりシ
リコン窒化膜５を堆積する。次いで、選択エツチングに
より電極３を露出すすればよい。
第１図（Ｃ）は上記のようにして製造されたＬＥＤチッ
プを、従来と同様にしてアセンブリーして得た本発明の
一実施例になるＬＥＤ装置の説明図である。図示のよう
に、この実施例はＧａＡｓ層と透明な封止樹脂層４との
間にシリコン窒化膜５が介在している点を除き、第２図
（Ｂ）の従来のＬＥＤ装置と全く同じである。即ち、Ｇ
ａＡＳチップの屈折率ｎは３．６、透明封止樹脂の屈折
率ｎは１．５である。他方、シリコン窒化膜５の屈折率
ｎはその膜厚その他の条件によっても多少異なるが、上
記の実施例では膜厚１−１屈折率２．１になるようにプ
ラズマＣＶＤ法で均一なシリコン窒化膜５が形成されて
いる。
プを、従来と同様にしてアセンブリーして得た本発明の
一実施例になるＬＥＤ装置の説明図である。図示のよう
に、この実施例はＧａＡｓ層と透明な封止樹脂層４との
間にシリコン窒化膜５が介在している点を除き、第２図
（Ｂ）の従来のＬＥＤ装置と全く同じである。即ち、Ｇ
ａＡＳチップの屈折率ｎは３．６、透明封止樹脂の屈折
率ｎは１．５である。他方、シリコン窒化膜５の屈折率
ｎはその膜厚その他の条件によっても多少異なるが、上
記の実施例では膜厚１−１屈折率２．１になるようにプ
ラズマＣＶＤ法で均一なシリコン窒化膜５が形成されて
いる。
上記実施例のＬＥＤ装置は、図中矢印で示すようにＧａ
Ａｓ層の発光領域で発生した光はシリコン窒化膜５を通
って透明樹脂層４に出て行くことになる。従って、この
ときの屈折率は従来の場合と違って二段階で変化し、Ｇ
ａＡＳ界面における屈折角が小さくなって全反射の確率
も小さくなる。
Ａｓ層の発光領域で発生した光はシリコン窒化膜５を通
って透明樹脂層４に出て行くことになる。従って、この
ときの屈折率は従来の場合と違って二段階で変化し、Ｇ
ａＡＳ界面における屈折角が小さくなって全反射の確率
も小さくなる。
その結果、チップから外囲器樹脂を通って外部に取出さ
れる光の量は増大し、発光出力を向上することができる
。
れる光の量は増大し、発光出力を向上することができる
。
以上詳述したように、本発明によれば■−ｖ族半導体発
光装置のチップ構造を改良することによって、チップか
ら外部に取出される光の出力を向上できる等、顕著な効
果が得られるものである。
光装置のチップ構造を改良することによって、チップか
ら外部に取出される光の出力を向上できる等、顕著な効
果が得られるものである。
第１図（Ａ＞は本発明の一実施例に用いる■−■族ＬＥ
Ｄチップを示す断面図であり、同図（Ｂ）はその製造方
法を説明するための断面図、第１図（Ｃ）は本発明の一
実施例になる半導体発光装置とその作用を示す説明図、
第２図（Ａ）は従来の■−ｖ族ＬＥＤチップの構造を示
す断面図であり、第２図（Ｂ）は従来の■−ｖ族ＬＥＤ
装置における問題点を示す説明図である。 １−Ｎ型ＧａＡＳ１．２− Ｐ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓ層
、３・・・アルミニウム電極、４・・・透明樹脂層、５
・・・シリコン窒化膜。
Ｄチップを示す断面図であり、同図（Ｂ）はその製造方
法を説明するための断面図、第１図（Ｃ）は本発明の一
実施例になる半導体発光装置とその作用を示す説明図、
第２図（Ａ）は従来の■−ｖ族ＬＥＤチップの構造を示
す断面図であり、第２図（Ｂ）は従来の■−ｖ族ＬＥＤ
装置における問題点を示す説明図である。 １−Ｎ型ＧａＡＳ１．２− Ｐ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓ層
、３・・・アルミニウム電極、４・・・透明樹脂層、５
・・・シリコン窒化膜。
Claims (1)
- ＰＮ接合を有するIII−Ｖ族半導体層の表面をシリコ
ン窒化膜で覆つた半導体発光素子チップと、ステム上に
アセンブリーされた該半導体発光素子チップを封止する
透明樹脂層とを具備したことを特徴とする半導体発光装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60033105A JPS61191084A (ja) | 1985-02-20 | 1985-02-20 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60033105A JPS61191084A (ja) | 1985-02-20 | 1985-02-20 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61191084A true JPS61191084A (ja) | 1986-08-25 |
Family
ID=12377380
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60033105A Pending JPS61191084A (ja) | 1985-02-20 | 1985-02-20 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61191084A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01226181A (ja) * | 1988-03-07 | 1989-09-08 | Mitsubishi Monsanto Chem Co | 化合物半導体装置 |
| US5005058A (en) * | 1990-03-19 | 1991-04-02 | Eastman Kodak Company | Light-emitting diode with light-transmissive film |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5432991A (en) * | 1977-08-18 | 1979-03-10 | Sanyo Electric Co Ltd | Manufacture of semiconductor |
| JPS5816535A (ja) * | 1981-07-23 | 1983-01-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
-
1985
- 1985-02-20 JP JP60033105A patent/JPS61191084A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5432991A (en) * | 1977-08-18 | 1979-03-10 | Sanyo Electric Co Ltd | Manufacture of semiconductor |
| JPS5816535A (ja) * | 1981-07-23 | 1983-01-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01226181A (ja) * | 1988-03-07 | 1989-09-08 | Mitsubishi Monsanto Chem Co | 化合物半導体装置 |
| JPH0685448B2 (ja) * | 1988-03-07 | 1994-10-26 | 三菱化成株式会社 | 化合物半導体装置 |
| US5005058A (en) * | 1990-03-19 | 1991-04-02 | Eastman Kodak Company | Light-emitting diode with light-transmissive film |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101028965B1 (ko) | 장벽층을 구비한 발광 다이오드 및 그 제조방법 | |
| EP0047591B1 (en) | Light emitting diodes with high external quantum efficiency | |
| US4124860A (en) | Optical coupler | |
| US5349211A (en) | Semiconductor infrared emitting device with oblique side surface with respect to the cleavage | |
| US3936855A (en) | Light-emitting diode fabrication process | |
| US7625778B2 (en) | Method of manufacturing a substrate-free flip chip light emitting diode | |
| US4553154A (en) | Light emitting diode electrode | |
| JPS6195581A (ja) | 光結合素子 | |
| US20160163936A1 (en) | Led dome with inner high index pillar | |
| US3938173A (en) | Optically coupled semiconductive switching devices | |
| JPS6159886A (ja) | 光半導体装置の製造方法 | |
| JPH1032351A (ja) | 発光装置 | |
| JPS61191084A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JPS6222491A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JPH11214752A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JPH07169994A (ja) | 発光ダイオードの製造方法 | |
| JPH0645656A (ja) | 発光装置及びそれを備えた光ファイバ式光電センサ | |
| JP3141373B2 (ja) | 光電装置 | |
| JPH11251639A (ja) | 半導体発光素子 | |
| US5859468A (en) | Micro semiconductor bridge rectifier and method of manufacturing the same | |
| JPH11354837A (ja) | 発光ダイオードおよびその製造方法 | |
| KR970003850B1 (ko) | 고효율 발광소자 | |
| JPH09116192A (ja) | 発光ダイオード | |
| CN105280759A (zh) | 一种晶圆级薄膜倒装led芯片的制备方法 | |
| CN110998873A (zh) | 具有透明电流扩展层的半导体芯片 |