JPS61190964A - 半導体装置用ヒ−トシンクの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体装置用ヒートシンクの製造方法に関する
。

（背景技術とその問題点） 半導体レーザー装置における″半導体レーザー素子は、
ヒートシンクの垂直端面壁に固定されて放熱が図られる
。

このヒートシンク１０は第８図に示すように、リード線
が固定されるステムと一体型のものと、第９図に示すよ
うにステム１４とは別体型のものがある。

本発明は後者の別体型のものの製造方法の改良に係る。

従来この種別体型のヒートシンクの製造方法は、まず、
第１０図（ａ）に示すように、鋼材等の板状素材のフレ
ーム部と連結されたブランク１６にプレス加工によって
、碗状の膨出部２０を絞り成形する。

次いで同図（ｂ）に示すように、基台部１８をブランク
１６からトリミングし、これをＮＣスライス盤などに位
置決めして固定し、碗状の膨出部２゜の半分を切削加工
によって除去して、半導体素子固定用の垂直端面壁を有
する半碗状の膨出部２０ａを形成する。

このような製造方法によるとプレス加工後に切削加工を
行う必要があるため一貫した連続加工が行えず、量産性
が極めて悪くコスト高となる問題点がある。

半導体レーザー素子などを固定する垂直端面壁は極めて
高精度に加工する必要があり、ＮＣスライス盤などで切
削加工するためには被加工物を所定の固定治具によって
正確に位置決めして固定しなければならない。そのため
には前記したように、ブランク１６から半製品をトリミ
ングする必要がある。このトリミングした半製品を一つ
一つその都度ＮＣスライス盤などに正確に位置決めして
固定する作業は極めて煩瑣であり、時間を要するのであ
る。また高価なＮＣスライス盤等の高精度、高能率の切
削機械を用いることはそれだけでも大幅なコスト増につ
ながる。

このように従来においては切削加工工程が必要であるた
め、位置ぎめ固定工数、切削加工時間が多くかかり、大
幅なコスト高を招いているという問題点があったのであ
る。

（発明の概要） 本発明は上記の問題点を解決すべくなされたものであり
、その目的とするところは、順送プレス金型による一貫
した連続加工工程によって製造でき、加工能率が大幅に
向上することと相俟って、垂直端面壁の形成に高価なＮ
Ｃスライス盤などの切削機械を用いずとも生産しうるか
ら、コストの大幅低減化が図れ、又半導体素子を搭載す
る垂直端面壁も精度よく形成することのできる半導体装
置用ヒートシンクの製造方法を提供するにある。

またその特徴とするところは、基台部上に膨出する半碗
状の膨出部の垂直端面壁に半導体レーザー素子等の半導
体素子を搭載する半導体装置用ヒートシンクの製造方法
において、板状素材をプレス加工によりつき出して、該
板状素材との接続基部がほぼ半周分に亘って破断部とな
る碗状の膨出部を形成し、該碗状の膨出部を、前記破断
部の両端部を結ぶ方向で、かつ前記基台部に対して垂直
な方向に切断して破断部側の膨出部を除去することによ
って、垂直端面壁を有する半碗状の膨出部を形成すると
ころにある。

（実施例） 以下本発明に絆通な実施例を添付図面に基づいて詳細に
説明する。

（１）工程Ａ（第１図） まず、順送プレス金型により、鋼材等からなる板状素材
のフレーム部５０（第２図以降は図示せず）と連結され
たブランク３０を形成し、そのブランク３０をつき出し
、中央に山状に盛り上がる碗状の膨出部３４を形成する
。この碗状の膨出部３４は、碗状の膨出部３４の半周分
より若干広い範囲に亘って破断部イに形成され、残りの
半周分はブランク３０を厚肉に連続している。ここに破
断部とは、プレス加工によって金属組織に破断が生じ、
はとんど分離されている状態をいう。そして破断部イと
厚肉部口との境界部は破断部と厚肉部とが若干の範囲で
重複している。すなわち該境界部の厚内部口外壁にブラ
ンク３０上面にまで達する凹溝３６が形成されることに
よって、破断部断部イが半周分以上に亘って確保され、
また厚肉部肉部口が半周分に亘って確保されている。

ブランク３０と碗状の膨出部３４の上記形成は所定の雄
型を用いてプレス加工することによって形成されること
はもちろんである。特に破断部イは、雄型の外径と雌型
の内径とを等しく、かつ一致させてプレスすることによ
って形成することができる。

（２）工程Ｂ（第２図） 本工程はコイニング加工であり、プレス加工によってブ
ランク３０下面にステムを組み込むために必要な形状の
段部３８を形成する。

（３）工程Ｃ（第３図） 本工程は切断工程である。すなわちプレス切断によって
碗状の膨出ｓ３４を前記破断部イの両端部を結ぶ方向の
中央部へで、かつブランク３０に対して垂直に切断し、
破断部部側の碗状の膨出部３４の半分を除去する。

これによって半導体素子を搭載する垂直端面を有する半
碗状の膨出部３４ａが形成される。

なお破断部イは半周以上に亘って設けられているから、
上記切断は破断部イの範囲内で確実に行うことができる
。また厚肉部口も半周に亘って残るから半碗状の膨出部
３４ａの強度も十分である。

（４）工程Ｄ（第４図） 本工程はコイニング加工であり、プレス金型によりブラ
ンク３０上面を要求される形状に加工する。

（５）工程Ｅ（第５図） 本工程は半碗状の膨出部３４ａをさらに要求される厚さ
に調整する。プレス加工によって押圧形成するので、こ
れによって半碗状の膨出部３４ａの切断端面が膨出して
位置ずれする。

（６）工程Ｆ（第６図） 膨出端面中央部二、すなわち半導体素子固定用の垂直端
面壁を所望の位置となるように切断加工するものである
。また同時に半導体装置に組み立てる際に下部に組込ま
れるステムのリード線の逃げ溝４０等の必要な加工を施
す。

（７）工程Ｇ（第７図） 最後にブランク３０から基台部３２をトリミングするこ
とによって半導体装置用ヒートシンクを得ることができ
る。

（発明の効果） 以上のように本発明方法は、順送プレス金型を用いてプ
レス加工のみで連続的に加工が行え、加工能率が大幅に
向上する。加えてＮＣスライス盤等の高価な切削機械は
不要であり、そのための被加工物の位置決め固定作業や
切削加工時間等も全く不要となるから、加工工数の削減
、コストの大幅な低減化が図れる。

さらには順送プレス金型を用いて位置決め精度よ（切断
が行えるから、半導体素子を搭載する垂直端面壁を高精
度に加工しうるなど種々の著効を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第７図は本発明方法の一例を工程順に示した
説明図である。第８図および第９図はそれぞれ半導体装
置用ヒートシンクを示す説明図である。第１０図は半導
体装置用ヒートシンクの従来の製造方法を示す説明図で
ある。 １０・・・ヒートシンク、１４・・・ステム、１６・・
・ブランク、１８・・・基台部、３０・・・ブランク、
３２・・・基台部、３４．３４ａ・・・膨出部、３６・
・・凹溝、３８・・・段部、４０・・・逃げ溝、５０・
・・フレーム部、イ・・・破断部、口・・・厚肉部、ハ
・・・中央部、二・・・中央部。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、基台部上に膨出する半碗状の膨出部の垂直端面壁に
   半導体レーザー素子等の半導体素子を搭載する半導体装
   置用ヒートシンクの製造方法において、板状素材をプレ
   ス加工によりつき出して、該板状素材との接続基部がほ
   ぼ半周分に亘って破断部となる碗状の膨出部を形成し、
   該碗状の膨出部を、前記破断部の両端部を結ぶ方向で、
   かつ前記基台部に対して垂直な方向に切断して破断部側
   の膨出部を除去することによって、垂直端面壁を有する
   半碗状の膨出部を形成することを特徴とする半導体装置
   用ヒートシンクの製造方法。