JPS61190952A - 半導体装置の製造方法およびそれに用いるワイヤボンダ - Google Patents

半導体装置の製造方法およびそれに用いるワイヤボンダ

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JPS61190952A
JPS61190952A JP60030388A JP3038885A JPS61190952A JP S61190952 A JPS61190952 A JP S61190952A JP 60030388 A JP60030388 A JP 60030388A JP 3038885 A JP3038885 A JP 3038885A JP S61190952 A JPS61190952 A JP S61190952A
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pellet
wire
wires
lead frame
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Sadao Yoshino
定雄 吉野
Akira Matsuoka
明 松岡
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Hitachi Ltd
Renesas Eastern Japan Semiconductor Inc
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Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd
Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [技術分野] 本発明は半導体装置の電極間結線に通用して有効な技術
に関するものである。
[背景技術] °半導体装置内部の電気的接続方法のひとつに、ワイヤ
ボンディング方式がある。
これは通常、金(Au)またはアルミニウム(AI)も
しくはm(Cu)等のワイヤを用いてペレットのパッド
とリードフレームのインナーリードとを熱圧着もしくは
超音波等の手段によって電気的に接続するものである。
ところで、ワイヤボンディングに用いられるワイヤは金
線の場合、直径(15〜300μφ)程度の細線である
ため、リードフレームの移送時に外部から加わる振動ま
たはモールド時のレジン圧によってワイヤ同士の短絡も
しくはワイ゛ヤとペレット端との短絡を生じ、製品不良
となる場合のあることが知られている。
ここで、電子機器の小型化にともない半導体装置にも小
型化・高集積化が要求されるようになって(ると、ペレ
ット上のパッド間のピッチ及びイノナ−リード間のピッ
チも微小となり結線後のワイヤ短絡を生じる可能性が高
くなってきていることが本発明者によって明らかにされ
た。
この点につき、ワイヤを被覆線として短絡防止を図るこ
とも考えられるが、この方法はワイヤに被覆処理を施す
工程が必要となるため、さらに簡易な方法でしかも低コ
ストでワイヤ間もしくはワイヤとペレ7)との短絡を防
止する技術を開発する必要のあることが本発明者によっ
て明らかにされた。
なお、ワイヤボンディングの技術として詳しく述べであ
る例としては、株式会社工業調査会、1980年1月1
5日発行rtc化実装技術」 (日本マイクロエレクト
ロニクス協会り、P99〜P103がある。
[発明の目的] 本発明の目的は、ワイヤボンディングにより電極間接続
を行う半導体装置においてワイヤ同士の短絡、またはワ
イヤとベレット端との短絡を防止して電気的に信鯨性の
高い半導体装置を提供することにある。
本発明の前記ならびに千の他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
[発明の概要〕 本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、ペレットとインナーリードとをワイヤを用い
て結線し、該結線部分に樹脂をコーティングし固化させ
た後にモールドすることにより、ボンディングされたワ
イヤが樹脂により固定されるため、樹脂モールド時のレ
ジン圧によるワイヤ同士の短絡またはワイヤとベレット
端との短絡を防止することができ、電気的に信幀性の高
い半導体装置を提供することができる。
また、ワイヤボンダに樹脂コーティング機構を備えるこ
とにより、ワイヤボンディング直後にワイヤを固定する
ことができ、従来の製造工程に僅かな工程を付加するの
みで電気的に信顛性の高い半導体装置を提供することが
できる。
[実施例] 第1図は本発明の一実施例であるワイヤボンダを示す概
略説明図、第2図(al、(blは本実施例のワイヤボ
ンダを用いた半導体装置の製造方法を順次説明するリー
ドフレームの断面図である。
本実施例のワイヤボンダ1はペレット2の取付けられた
リードフレーム3を被ボンデイング部材として、金もし
くは銅等のワイヤ4を用いてペレット2とリードフレー
ム3のインナーリード3aとを電気的に接続するための
ものである。
ワイヤボンダ1はリードフレーム3をペレット取付は面
側を上向きに保持するボンディングステージ5とボンデ
ィング機構部6が搭載されたXYテーブル7とを備えて
おり、該XYテーブル7上にはボンディングへラド8が
立設され、このボンディングヘッド8には一端がばね9
により上向きに係止されるアーム10が軸支されている
アーム10はばね9による係合部11と軸支部12の中
間でカム13に係合されており、カム駆動モータ14に
よってカム13に与えられる回転運動を介して規則的に
上下動される。
アーム10の他端はボンディングステージ5上に延設さ
れており、そのアームlOの先端にはボンディングツー
ルとしてのキャピラリ15がほぼ垂直方向に取付けられ
ており、該キャピラリ15にはスプール16に巻装され
たワイヤ4がクランパ17を経て挿通されている。さら
に該キャピラリ15にはエポキシ系の液状の樹脂18を
一定量ずつペレット2およびインナーリード3aの範囲
に滴下するノズル19が取付けられている。ここで、本
実施例に用いられる樹脂I8は熱硬化性樹脂であり、含
有された硬化剤により約400〜450℃程度、すなわ
ちボンディングステージ5上に載置されたリードフレー
ム3の温度条件とほぼ同様の温度条件で硬化するもので
ある。
なお、上記のカム駆動モータ14およびXYテーブル7
の各動作については制御部19により電気的に制御され
ている。
また、ボンディングステージ5はステージ面5aがキャ
ピラリ15と対向するように位置しておリ、該ステージ
面5a上にはポンディングステージ5内部のヒータ20
により加熱されたリードフレーム3がペレット2を取付
けた状態で載置されている。
以下本実施例の作用を説明する。
まず、第2図(alに示すように、銀(Ag)等のろう
材21でペレット2が取付けられたリードフレーム3を
ボンディングステージ5上に載置した後、前記ペレット
2のアルミニウムからなるパッド22の部分にキャピラ
リ15によって第1ボンデイングを行う。
次に、キャピラリ15の動作によりワイヤ4のループ高
さを一定量取った後、インナーリード3aに第2ボンデ
イングを行いワイヤ端部を切断する。
この際、リードフレームおよびペレットはボンディング
ステージ5の内部に設けられたヒータ20により400
〜450℃程度の温度条件が維持されている。すなわち
、この範囲が断線等を防止し、ボンディングを良好に保
つための温度範囲だからである。
以上のように、上記動作を各パッドおよび各インナーリ
ードにおいて繰り返し、所定の結線を終了した後、リー
ドフレーム3のペレット2およびインナーリード3aを
覆う前記結線を行った範囲にノズル19から樹脂18を
滴下する。このとき、樹脂18はその粘性により、リー
ドフレーム3の外周方向に流れ出すことはなく盛り上が
った状態を維持する(第2図(b))。
ここで、リードフレーム3は樹脂18の硬化温度である
400〜450℃程度に加熱されているため、滴下され
た樹脂18は次第に硬化していく。
このように、滴下した樹脂18が硬化してワイヤ4を固
定した後に、該リードフレーム3を図示しない金型で挟
持し、金型内に樹脂を注入してモールドすることにより
パッケージ23内に封止し、さらにリードを切断、成形
することにより半導体装置が完成する。
以上のように、本実施例では樹脂コーティング機構であ
るノズルをワイヤボンダに取付け、ワイヤボンディング
工程において滴下した樹脂18を硬化させることにより
、ペレットとリードを接読しているワイヤを固定するも
のである。したがって、その後のリードフレームの移送
およびモールドに際しても、振動またはレジン圧により
ワイヤショートまたはタブシッートを生じることがなく
、電気的に信頼性の高い半導体装置を提供することがで
きる。
[効果] (1)、リードフレームに取付けられたペレットとイン
ナーリードとをワイヤで結線し、該結線部分に樹脂をコ
ーティングし固化させた後にモールドすることにより、
ワイヤが樹脂により固定されるため、樹脂モールド時の
レジン圧によるワイヤ同士の短絡またはワイヤとベレッ
ト端との短絡を防止することができる。
(2)、コーティングする樹脂をリードフレームの加熱
温度とほぼ同じ値の硬化温度を有する熱硬化性樹脂とす
ることにより、ボンディングステージのレーb九■II
−小1ルlず丑mす1’−L講イ1永 論小加熱工程を
付加することなく電気的に信頼性の高い半導体装置を提
供することができる。
(3)、ワイヤボンダが、少なくともペレットとインナ
ーリードの結線部分を覆う範囲にコーティングする樹脂
コーティング機構を備えることにより、コーティング作
業を効率良く行うことができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
たとえば、実施例ではコーティング樹脂として熱硬化性
のあるエポキシ樹脂について説明したが、これに限らず
同様の性質を有する他の如何なる樹脂であっても良い。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例であるワイヤボンダを示す概
略説明図、 第2図(al、山)は本実施例のワイヤボンダを用いた
半導体装置の製造方法を順次説明するり−ドフレームの
断面図である。 1・・・ワイヤボンダ、2・・・ペレット、3・・・リ
ードフレーム、3a・・・インナーリード、4・・・ワ
イヤ、5・・・ボンディングステージ、7・・・XYテ
ーブル、8・・・ボンディングヘッド、13・・・カム
、14・・・カム駆動用モータ、15・・・キャピラリ
、16スプール、17・・・クランパ、18・・・樹脂
、19・・・制御部、20・・・ヒータ、21・・・ろ
う材、22・・・バッド、23・・・パンケージ。 第  1  図 1β 第  2  図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、リードフレームに取付けられたペレットとインナー
    リードとをワイヤで結線し、該結線部分に樹脂をコーテ
    ィングし固化させた後にモールドすることを特徴とする
    半導体装置の製造方法。 2、樹脂がリードフレームの加熱温度とほぼ同じ値の硬
    化温度を有する熱硬化性樹脂であることを特徴とする特
    許請求の範囲第1項記載の半導体装置の製造方法。 3、少なくともペレットとインナーリードの結線部分を
    覆う範囲にコーティングする樹脂コーティング機構を有
    することを特徴とするワイヤボンダ。 4、樹脂コーティング機構が樹脂滴下用ノズルであるこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第3項記載のワイヤボン
    ダ。
JP60030388A 1985-02-20 1985-02-20 半導体装置の製造方法およびそれに用いるワイヤボンダ Pending JPS61190952A (ja)

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JP60030388A JPS61190952A (ja) 1985-02-20 1985-02-20 半導体装置の製造方法およびそれに用いるワイヤボンダ

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011204830A (ja) * 2010-03-25 2011-10-13 Toyoda Gosei Co Ltd Ledパッケージの製造方法

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