JPS61188989A - 光信号伝送装置 - Google Patents
光信号伝送装置Info
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- H01S5/0653—Mode suppression, e.g. specific multimode
- H01S5/0655—Single transverse or lateral mode emission
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- H01S5/1025—Extended cavities
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体レーザを用いた光フアイバ通信用の光
信号伝送装置に関する。
信号伝送装置に関する。
従来の技術
半導体レーザ、光伝送路、検出器により構成される光信
号伝送装置を用いた光通信システムは広く実用化されて
いる。上記構成要件も、色々な組み合わせにおいて用い
られている。例えば半導体レーザに対しては、０．８μ
ｍ、１．３μｍ、１．５μｍの発振波長帯があシ、構造
においても、さまざまなものが利用されている。また光
伝送路として用いられる光ファイバとしても単一モード
ファイバ。
号伝送装置を用いた光通信システムは広く実用化されて
いる。上記構成要件も、色々な組み合わせにおいて用い
られている。例えば半導体レーザに対しては、０．８μ
ｍ、１．３μｍ、１．５μｍの発振波長帯があシ、構造
においても、さまざまなものが利用されている。また光
伝送路として用いられる光ファイバとしても単一モード
ファイバ。
マルチモードファイバ、偏波面保存ファイバ等があり、
検出器も色々な構造のものがある０これらの組み合わせ
に対して、例えば映像情報信号等を伝送するシステムを
考えると、経済的な面から考、ｔ で、−半導体レーザ
とマルチモードファイバ及び検出器によシ構成される光
信号伝送装置が一番望ましい。特にアナログ伝送系では
ＩＦ帯、Ｖ）（Ｆ帯、ＵＦＩＦ帯等での信号の多チャン
ネル伝送が可能となり、将来的にも広い分野で利用され
ることが考えられる。
検出器も色々な構造のものがある０これらの組み合わせ
に対して、例えば映像情報信号等を伝送するシステムを
考えると、経済的な面から考、ｔ で、−半導体レーザ
とマルチモードファイバ及び検出器によシ構成される光
信号伝送装置が一番望ましい。特にアナログ伝送系では
ＩＦ帯、Ｖ）（Ｆ帯、ＵＦＩＦ帯等での信号の多チャン
ネル伝送が可能となり、将来的にも広い分野で利用され
ることが考えられる。
しかしながら、半導体レーザ、マルチモードファイバ、
検出器を有する光信号伝送装置をアナログ伝送系として
適用すると、伝送路における雑音や、高周波歪の発生が
画像信号などを高品質に伝送する際の障害となっている
。例えば、詳しくは楓他”半導体レーザと多モード光フ
ァイバを用いたアナログ伝送系の歪の検討”、電子通信
学会技術報告ｏｑＥｓｓ−９、ｐｐ、６５（１９８３）
に記載されている。上記報告では特に歪に関する報告が
なされており、歪の発生原因は、半導体レーザの強度変
調に伴なって生じるわずかな発振周波数変調に起因する
ことが示されている。すなわち半導体レーザの発振周波
数変動がマルチモードファイバ伝送後の信号品質を劣化
させるわけで６４７、これを解決する手段として半導体
レーザ外部から半導体レーザへ光を帰還する方法がとら
れている。
検出器を有する光信号伝送装置をアナログ伝送系として
適用すると、伝送路における雑音や、高周波歪の発生が
画像信号などを高品質に伝送する際の障害となっている
。例えば、詳しくは楓他”半導体レーザと多モード光フ
ァイバを用いたアナログ伝送系の歪の検討”、電子通信
学会技術報告ｏｑＥｓｓ−９、ｐｐ、６５（１９８３）
に記載されている。上記報告では特に歪に関する報告が
なされており、歪の発生原因は、半導体レーザの強度変
調に伴なって生じるわずかな発振周波数変調に起因する
ことが示されている。すなわち半導体レーザの発振周波
数変動がマルチモードファイバ伝送後の信号品質を劣化
させるわけで６４７、これを解決する手段として半導体
レーザ外部から半導体レーザへ光を帰還する方法がとら
れている。
例えば、北地他”光帰還型半導体レーザによるＶＨＦ帝
アナログ伝送実験”昭和６８年度、電子通信学会、半導
体・材料部巾全国大会３３９．楓他、”外部鏡付１．３
μｍ Ｄ Ｆ Ｂ −Ｌ Ｄを用いた多モード光ファイ
バアナログ伝送の特性検討”、電子通信学会技術報告Ｏ
ＱＥ ８３−１１９ 、ｐｐ、４５（１９８３）。
アナログ伝送実験”昭和６８年度、電子通信学会、半導
体・材料部巾全国大会３３９．楓他、”外部鏡付１．３
μｍ Ｄ Ｆ Ｂ −Ｌ Ｄを用いた多モード光ファイ
バアナログ伝送の特性検討”、電子通信学会技術報告Ｏ
ＱＥ ８３−１１９ 、ｐｐ、４５（１９８３）。
Ｔｏ Ｆｕｊｉｔａ ａｔ、ａｌ、”０ａｃｉｌｌａｔ
ｉｏｎ ＦｒｅｑｕｅｎｃｙＳｈｉｆｔ ５ｕｐｐｒｅ
ｓｓｉｏｎ ｏｆ Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｌ
ａｇｅｒｓ＋ｔｏ Ｅｃｔｅｒｕａｌ Ｃａｖｉｔ
ｙ ”、 Ｅｌｅｃｔｒｏｎ 、 Ｌｅｔｔ 、 、ｖ
ｏｌ、 ２０ 。
ｉｏｎ ＦｒｅｑｕｅｎｃｙＳｈｉｆｔ ５ｕｐｐｒｅ
ｓｓｉｏｎ ｏｆ Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｌ
ａｇｅｒｓ＋ｔｏ Ｅｃｔｅｒｕａｌ Ｃａｖｉｔ
ｙ ”、 Ｅｌｅｃｔｒｏｎ 、 Ｌｅｔｔ 、 、ｖ
ｏｌ、 ２０ 。
厖１０．ｐｐ４１６（１９８４ン、Ｔ、Ｆｕｊｉｔａ
ｅｔ 、ａｌ、 、”ＩｎｔｅｎｓｉｔｙＮｏｉｇｅ
５ｕｐｐｒｅｓｓｉｏｎ ａｎｃｌ Ｍｏｄｕｌａ
ｔｉｏｎＣｈａｒａｃｔｅｒｉａｔｉｃｓ ｏｆ
Ｌａ５ｅｒ Ｄｉｏｄｅｓ Ｃｏｕｐｌｅｄ ｔ。
ｅｔ 、ａｌ、 、”ＩｎｔｅｎｓｉｔｙＮｏｉｇｅ
５ｕｐｐｒｅｓｓｉｏｎ ａｎｃｌ Ｍｏｄｕｌａ
ｔｉｏｎＣｈａｒａｃｔｅｒｉａｔｉｃｓ ｏｆ
Ｌａ５ｅｒ Ｄｉｏｄｅｓ Ｃｏｕｐｌｅｄ ｔ。
Ｅｘｔｅｒｎａｌ Ｃａｖｉｔｙ ”、 ＩＥＥＥ
Ｔｏ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ、。
Ｔｏ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ、。
ｖｏＬ 、ＱＥ −２０、Ｉｌａ ５ 、Ｐｐ、４９２
（１９８４）に詳しく記載されている。しかしながら
半導体レーザに外部のミラー等から光を帰還する方法は
機構的な安定性等に問題があり、長期的にみて安定な光
信号伝送装置とするには問題がある。
（１９８４）に詳しく記載されている。しかしながら
半導体レーザに外部のミラー等から光を帰還する方法は
機構的な安定性等に問題があり、長期的にみて安定な光
信号伝送装置とするには問題がある。
発明が解決しようとする問題点
本発明は、かかる点に鑑みてなされたもので、長期的に
見ても安定で、簡易な構成により信号品質の劣化のない
アナログ伝送系に適用可能な光信号伝送装置を提供する
ことを目的としている。
見ても安定で、簡易な構成により信号品質の劣化のない
アナログ伝送系に適用可能な光信号伝送装置を提供する
ことを目的としている。
問題点を解決するための手段
本発明は上記問題点を解決するため、半導体ノーザ自体
に強度変調に伴なう発振周波数変動を抑圧する効果を有
する半導体レーザと、マルチモードファイバ、検出器を
用いて光信号伝送装置を構成する。
に強度変調に伴なう発振周波数変動を抑圧する効果を有
する半導体レーザと、マルチモードファイバ、検出器を
用いて光信号伝送装置を構成する。
作 用
本発明は、上記した構成により、長期的に見ても、極め
て安定に、信号品質の劣化のないアナログ伝送系に適し
た光信号伝送装置を提供できる。
て安定に、信号品質の劣化のないアナログ伝送系に適し
た光信号伝送装置を提供できる。
実施例
図に本発明の一実施例を示す。図において、ｎ型ＩｎＰ
基板１上にｎ型ＩｎＧａＡｓＰ光導波７ｉ１＋２（バン
ドギャップＥｇ ＝ １．１８ ｅＶ ）が形成されて
おり、光導波層２上に形成されたｎ型ＩｎＰ分離層３．
ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ活性層４ （Ｅｇ＝０．９５ｅＶ）
、Ｐ型！ｎＰ閉じ込め層６．及び電極６．電極７により
活性領域８を構成し、−刀先導波層及び分離層３は活性
領域８以外の部分では光導波路部９として構成されてお
り、共掻器面１０，１１．１２により半導体レーザ１３
が構成され、この半導体レーザ１３からの出射光が元伝
送路であるマルチモードファイバ１４に結合され、検出
器１５で受光される。そして半導体レーザ１３の電極θ
及び電極７間にアナログ信号で電流変調する光信号伝送
装置が構成されている。
基板１上にｎ型ＩｎＧａＡｓＰ光導波７ｉ１＋２（バン
ドギャップＥｇ ＝ １．１８ ｅＶ ）が形成されて
おり、光導波層２上に形成されたｎ型ＩｎＰ分離層３．
ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ活性層４ （Ｅｇ＝０．９５ｅＶ）
、Ｐ型！ｎＰ閉じ込め層６．及び電極６．電極７により
活性領域８を構成し、−刀先導波層及び分離層３は活性
領域８以外の部分では光導波路部９として構成されてお
り、共掻器面１０，１１．１２により半導体レーザ１３
が構成され、この半導体レーザ１３からの出射光が元伝
送路であるマルチモードファイバ１４に結合され、検出
器１５で受光される。そして半導体レーザ１３の電極θ
及び電極７間にアナログ信号で電流変調する光信号伝送
装置が構成されている。
図に示すような構成によると、従来のように外部から光
を帰還する方法を用いる必要がなく、つまり機構的にも
非常に安定で信頼性のある光信号伝送装置とすることが
出来た。
を帰還する方法を用いる必要がなく、つまり機構的にも
非常に安定で信頼性のある光信号伝送装置とすることが
出来た。
次に本光信号伝送装置を用いることによる著しい特性改
善効果を述べる。通常半導体レーザを電流変調すること
により強度変調を行うと、強度変調のみならず半導体レ
ーザの発振周波数も変調されてしまう。これをチャーピ
ングと呼ぶ。チャーピング量は変調電流振巾あるいは変
調周波数に大きく依存するが、アナログ伝送系では半導
体レーザは大きい電流振巾で変調される。それ故大きい
周波数変調が誘起されることになる。半導体レーザをマ
ルチモードファイバと結合した系においては、この周波
数変調によりファイバ内の空間伝搬モードが変調され、
つまりスペックルパターンの変調を引き起こす原因とな
る。そのため信号伝送・品質が劣化してしまう。
善効果を述べる。通常半導体レーザを電流変調すること
により強度変調を行うと、強度変調のみならず半導体レ
ーザの発振周波数も変調されてしまう。これをチャーピ
ングと呼ぶ。チャーピング量は変調電流振巾あるいは変
調周波数に大きく依存するが、アナログ伝送系では半導
体レーザは大きい電流振巾で変調される。それ故大きい
周波数変調が誘起されることになる。半導体レーザをマ
ルチモードファイバと結合した系においては、この周波
数変調によりファイバ内の空間伝搬モードが変調され、
つまりスペックルパターンの変調を引き起こす原因とな
る。そのため信号伝送・品質が劣化してしまう。
ところが、図に示しだような光信号伝送装置においては
、半導体レーザとして活性領域８の外部に光導波路部９
を有した構造となっているため、上記述べたような電流
変調に伴うチャーピング量が画期的に小さい。それ故大
巾に信号品質を向上することが可能である。
、半導体レーザとして活性領域８の外部に光導波路部９
を有した構造となっているため、上記述べたような電流
変調に伴うチャーピング量が画期的に小さい。それ故大
巾に信号品質を向上することが可能である。
本発明者らが実験的に、本発明による光信号伝送装置の
特性改善効果を検討した結果、実用上非常に安定に動作
することが確認され、従来このような光信号伝送装置は
全くなかった。
特性改善効果を検討した結果、実用上非常に安定に動作
することが確認され、従来このような光信号伝送装置は
全くなかった。
また本発明における一実施例としては、半導体レーザと
して１．３μｍの発振波長を有する場合に関して示した
が、これは他の波長帯の場合にもその効果が発揮できる
ことは言うまでもない。また半導体レーザの構造に関し
ても、一実施例に示したもの以外でも本発明の思想に含
まれるものであるならば、いかなるもので良い。
して１．３μｍの発振波長を有する場合に関して示した
が、これは他の波長帯の場合にもその効果が発揮できる
ことは言うまでもない。また半導体レーザの構造に関し
ても、一実施例に示したもの以外でも本発明の思想に含
まれるものであるならば、いかなるもので良い。
発明の効果
以上述べてきたように、従来半導体レーザ、マルチモー
ドファイバ、検出器にて構成される光信号伝送装置にお
いて問題となっていた信号品質劣化を、本発明の光信号
伝送装置を用いることにより完全に除去することが可能
であり、また長期的にみても機構的不安定性等を全く生
じないことより、将来的にみてもその実用的な効果は犬
である。
ドファイバ、検出器にて構成される光信号伝送装置にお
いて問題となっていた信号品質劣化を、本発明の光信号
伝送装置を用いることにより完全に除去することが可能
であり、また長期的にみても機構的不安定性等を全く生
じないことより、将来的にみてもその実用的な効果は犬
である。
図は本発明の一実施例の光伝送装置の概略構成を示す図
である。 １・・・・・化合物半導体基板、２・・・・・・光導波
層、３・・・・・・分離層、４・・・・・・活性層、５
・・・−・・閉じ込め層、６．７・・・・・・電極、８
・・・・・・活性領域、９・・・・・−光導波路部、１
０，１１．１２・・・・・・共振器面、１３・・・・・
半導体レーザ、１４・・・・・・マルチモードファイバ
、１５・・・・・・検出器。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名手続
補正書（方式） 昭和６０年 ６月−Ｉ−／Ｇ ｌ事件の表示 昭和６０年特許願第 ２９６０７ 号２発明の名称 光信号伝送装置 ３補正をする者 事件との関係 特 許 出 願 入
代 所 大阪府門真市大字門真１００６番地名 称
（５８２）松下電器産業株式会社代表者 山
下 俊 彦４代理人 〒５７１ 住 所 大阪府門真市大字門真１００６番地松下電器
産業株式会社内 方式６ ７、補正の内容 明細書第４頁第１行から同第９行の「０ＱＥ８３−１１
９．ＰＰ、４５（１９８３）、Ｔｏ Ｆｕｊｉｔａ ｅ
ｔ。 ａｌ 、 、”０ｓｃｉ ｌ ｌａｔ ｔｏｎ Ｆｒｅ
ｑｕｅｎｃｙ ５ｈｉｆ ｔＳｕｐｐｒｅｓｓｉｏｎ
ｏｆ Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｌａ５ｅｒｓ ｔ
。 Ｅｘｔｅｒｕａｌ Ｃａｖｉｔｙ’、Ｅｌｅｃｔｒｏｎ
、 Ｌｅｔｔ、、ｖｏｌ。 ２０．４１０．ＰＰ４１６（１９８４）、Ｔ、Ｆｕｊｉ
ｔａａｔ。 ａｌ、、’Ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ Ｎｏ１ｓｅ ５ｕｐｐ
ｒｅｓｓｉｏｎ ａｎｄＭｏｄｕｌａｔｉｏｎ Ｃｈａ
ｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ ｏｆ Ｌａ５ｅｒＤｉｏｄ
ｅｓ Ｃｏｕｐｌｅｄ ｔｏ Ｅｚｔｅｍａｌ Ｃａｖ
ｉｔｙ’、ＩＥＥＥＴｏ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｅｌｅｃｔ
ｉｏｎ、、ｖｏｌ 、ＱＥ−２０，Ｊｌ：５ 。 ＰＰ、４９２（１９８４）ＪをｒＱＱＥａｓ−１１ｓ、
４ｓ頁（１９８３）、ティー・フジタ他“外部キャビテ
ィーに対する半導体レーザの見損周波数シフト抑圧”エ
レクトロンレター、２０巻、１０号、４１６頁（Ｔ、Ｆ
ｕｊｉｔａ ｅｔ、ａｌ、、＠Ｏｓ＋ａｉｌｌａｔｉｏ
ｎ ＦｒｅｑｕｅｎｃｙＳｈｉｆｔ ５ｕｐｐｒｅｓｓ
ｉｏｎ ｏｆ Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｌａ５ｅ
ｒｓｔｏ Ｅｘｔｅｒｎａｌ Ｃａｖｉｔｙ’、Ｅｌｅ
ｃｔｒｏｎ、Ｌｅｔｔ、、ｖｏｌ。 ２０、＋１０ 、 ＰＰ４１６）（１９８４）、 ｆイ
ー・７ジタ他“外部キャビティーに連結されたレーザー
１１゛ 性・、ＩＥＥＥ、ジャーナル オブ クオンタムエレク
トロニクス、ＱＥ−２０巻、６号４９２頁（Ｔ 、Ｆｕ
ｉ ｉ ｔａ ｅ ｔ 、 ａｌ 、、 ’ Ｉｎｔｅ
ｎｓｉｔｙ Ｎｏ１ｓｅ ５ｕｐｐｒｅｓ＋５ｉｏｎａ
ｎｄｌ＆ｄｕｌａｔｉｏｎ （ｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔ
ｉｃｓ ｏｆ Ｌａ５ｅｒ ＤｉｏｄｅｓＣｏｕｐｌｅ
ｄ ｔｏ １ｉｚｔｅｒｎａｌ Ｃａｖｉｔｙ”、ＩＥ
ＥＥ Ｔ、ＱｕａｎｔｕｍＥｌｅｃｔｒｏｎ、、ｖｏｌ
、ＱＥ−２０、＆５ 、 ＰＰ、４９２）（１９８４）
Ｊに補正します。
である。 １・・・・・化合物半導体基板、２・・・・・・光導波
層、３・・・・・・分離層、４・・・・・・活性層、５
・・・−・・閉じ込め層、６．７・・・・・・電極、８
・・・・・・活性領域、９・・・・・−光導波路部、１
０，１１．１２・・・・・・共振器面、１３・・・・・
半導体レーザ、１４・・・・・・マルチモードファイバ
、１５・・・・・・検出器。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名手続
補正書（方式） 昭和６０年 ６月−Ｉ−／Ｇ ｌ事件の表示 昭和６０年特許願第 ２９６０７ 号２発明の名称 光信号伝送装置 ３補正をする者 事件との関係 特 許 出 願 入
代 所 大阪府門真市大字門真１００６番地名 称
（５８２）松下電器産業株式会社代表者 山
下 俊 彦４代理人 〒５７１ 住 所 大阪府門真市大字門真１００６番地松下電器
産業株式会社内 方式６ ７、補正の内容 明細書第４頁第１行から同第９行の「０ＱＥ８３−１１
９．ＰＰ、４５（１９８３）、Ｔｏ Ｆｕｊｉｔａ ｅ
ｔ。 ａｌ 、 、”０ｓｃｉ ｌ ｌａｔ ｔｏｎ Ｆｒｅ
ｑｕｅｎｃｙ ５ｈｉｆ ｔＳｕｐｐｒｅｓｓｉｏｎ
ｏｆ Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｌａ５ｅｒｓ ｔ
。 Ｅｘｔｅｒｕａｌ Ｃａｖｉｔｙ’、Ｅｌｅｃｔｒｏｎ
、 Ｌｅｔｔ、、ｖｏｌ。 ２０．４１０．ＰＰ４１６（１９８４）、Ｔ、Ｆｕｊｉ
ｔａａｔ。 ａｌ、、’Ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ Ｎｏ１ｓｅ ５ｕｐｐ
ｒｅｓｓｉｏｎ ａｎｄＭｏｄｕｌａｔｉｏｎ Ｃｈａ
ｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ ｏｆ Ｌａ５ｅｒＤｉｏｄ
ｅｓ Ｃｏｕｐｌｅｄ ｔｏ Ｅｚｔｅｍａｌ Ｃａｖ
ｉｔｙ’、ＩＥＥＥＴｏ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｅｌｅｃｔ
ｉｏｎ、、ｖｏｌ 、ＱＥ−２０，Ｊｌ：５ 。 ＰＰ、４９２（１９８４）ＪをｒＱＱＥａｓ−１１ｓ、
４ｓ頁（１９８３）、ティー・フジタ他“外部キャビテ
ィーに対する半導体レーザの見損周波数シフト抑圧”エ
レクトロンレター、２０巻、１０号、４１６頁（Ｔ、Ｆ
ｕｊｉｔａ ｅｔ、ａｌ、、＠Ｏｓ＋ａｉｌｌａｔｉｏ
ｎ ＦｒｅｑｕｅｎｃｙＳｈｉｆｔ ５ｕｐｐｒｅｓｓ
ｉｏｎ ｏｆ Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｌａ５ｅ
ｒｓｔｏ Ｅｘｔｅｒｎａｌ Ｃａｖｉｔｙ’、Ｅｌｅ
ｃｔｒｏｎ、Ｌｅｔｔ、、ｖｏｌ。 ２０、＋１０ 、 ＰＰ４１６）（１９８４）、 ｆイ
ー・７ジタ他“外部キャビティーに連結されたレーザー
１１゛ 性・、ＩＥＥＥ、ジャーナル オブ クオンタムエレク
トロニクス、ＱＥ−２０巻、６号４９２頁（Ｔ 、Ｆｕ
ｉ ｉ ｔａ ｅ ｔ 、 ａｌ 、、 ’ Ｉｎｔｅ
ｎｓｉｔｙ Ｎｏ１ｓｅ ５ｕｐｐｒｅｓ＋５ｉｏｎａ
ｎｄｌ＆ｄｕｌａｔｉｏｎ （ｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔ
ｉｃｓ ｏｆ Ｌａ５ｅｒ ＤｉｏｄｅｓＣｏｕｐｌｅ
ｄ ｔｏ １ｉｚｔｅｒｎａｌ Ｃａｖｉｔｙ”、ＩＥ
ＥＥ Ｔ、ＱｕａｎｔｕｍＥｌｅｃｔｒｏｎ、、ｖｏｌ
、ＱＥ−２０、＆５ 、 ＰＰ、４９２）（１９８４）
Ｊに補正します。
Claims (1)
- 半導体レーザと、光伝送路と、検出器を少なくとも有す
る光信号伝送装置において、前記半導体レーザが化合物
半導体基板と、前記基板上に部分的に形成された少なく
とも活性層及び閉じ込め層を含む活性領域と、前記活性
領域に近接して前記基板上に形成された前記活性領域か
らの発光を導波し得る光導波路とを有し、前記活性領域
の前記光導波路から遠い端面及び前記光導波路に近い端
面及び前記光導波路の前記活性領域から遠い端面が、そ
れぞれ共振器面として構成され、前記半導体レーザ駆動
電流をアナログ信号にて変調することを特徴とする光信
号伝送装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60029607A JPS61188989A (ja) | 1985-02-18 | 1985-02-18 | 光信号伝送装置 |
| US07/276,763 US4899360A (en) | 1984-03-06 | 1988-11-08 | Semiconductor laser device having monolithically formed active and passive cavities on the same substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60029607A JPS61188989A (ja) | 1985-02-18 | 1985-02-18 | 光信号伝送装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61188989A true JPS61188989A (ja) | 1986-08-22 |
| JPH0530313B2 JPH0530313B2 (ja) | 1993-05-07 |
Family
ID=12280748
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60029607A Granted JPS61188989A (ja) | 1984-03-06 | 1985-02-18 | 光信号伝送装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61188989A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020231567A1 (en) * | 2019-05-15 | 2020-11-19 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Two-section edge-emitting laser |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50159286A (ja) * | 1974-06-12 | 1975-12-23 |
-
1985
- 1985-02-18 JP JP60029607A patent/JPS61188989A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50159286A (ja) * | 1974-06-12 | 1975-12-23 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020231567A1 (en) * | 2019-05-15 | 2020-11-19 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Two-section edge-emitting laser |
| US10923884B2 (en) | 2019-05-15 | 2021-02-16 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Two-section edge-emitting laser |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0530313B2 (ja) | 1993-05-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |