JPS61186847A - 複数個のセンサ素子を有するガスセンサ - Google Patents

複数個のセンサ素子を有するガスセンサ

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JPS61186847A
JPS61186847A JP61023072A JP2307286A JPS61186847A JP S61186847 A JPS61186847 A JP S61186847A JP 61023072 A JP61023072 A JP 61023072A JP 2307286 A JP2307286 A JP 2307286A JP S61186847 A JPS61186847 A JP S61186847A
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sensor
sensor elements
support
gas
gas sensor
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JP61023072A
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ヴエルナー・ハーゲン
ハービル・ヨハネス・ラゴイス
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Draegerwerk AG and Co KGaA
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Draegerwerk AG and Co KGaA
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は共通の支持体の上に設けられた複数のセンサ素
子と、測定に必要な動作温度と発生させるための加熱装
置と温度センサとを有するガスセンサに関する。
従来技術 上述のようなセンサは、米国特許第　４．００７．４３
５　　発明細書から公知である。
公知のガスセンサは加熱装置が設けられている第１の支
持層と種々のセンサ素子が設けられている第２の支持層
を有している。加熱装置およびセンサ素子は、電気接続
部分として適当なコンタクト部と導体路を備えている。
作動させるために、２つの層を相互に密に接触させて、
加熱装置を有する下側の層は、センサ素子を有する上側
の層を測定に必要な動作温度にしている。センサ素子は
、たとえば自動車の排気ガスのガス成分を検出するのに
用いられるので、センサ素子の表面はガス流に自由にさ
らされなければならず、そのため支持層のその他の配列
は不可能である。別のセンサ素子を使用した公知のガス
センサは、第２の支持層をさらに拡大して、加熱装置に
よって第１の支持層が相応に拡大される。
公知のガスセンサは、層状に形成されているため、セン
サ素子を動作温度にしたり、または一度達した温度値に
保持するために、比較的高い加熱電力が必要である。さ
らに公知の装置では、たとえば実熱量センサ　［ペリス
タ−（Ｐ　ｅｌ−１ｉｓｔｏｒ）　］を、センサ素子を
支持している第２の層上に設けることは不可能である。
何故なら、支持層力（比較的大きな質量を有するため上
述のような場合の僅かな温度変化は、熱の放散のためら
はや記録できないからである。
本発明の課題は、公知のガスセンサを、たとえば半導体
センサまたはべりスターのように、種々の測定原理に基
づき動作する複数個のセンサ素子が共通の支持層上に設
けられており、その際センサが、検査するガス混合気に
さらされるようにするところにある。動作温度にするの
に必要な加熱電力は低減され、当該のセンサの応答速度
は、センサ材料および支持サブストレートの質量が小さ
いため、高められる。
問題点を解決するための手段 本発明では、前述の問題点を解決するために、支持体の
一方の側に、複数のセンサ素子が薄膜半導体センサとし
て設けられており、また支持体の幅の小さな部分に、別
の複数のセンサ素子が設けられているようにする。
実施例 図示の支持体ｌ上には２つの半導体センサ２と３が設け
られ、舌片状突出部分４と５の上に実熱量センサ６と７
　（Ｗ　ｉｒｍｅｔｏｎｕｎｇｓｓｅｎｓｏｒ）が設け
られている。半導体センサ２と３は、くし形電極１２と
１３を有し、そのくし形電極はミアンダ形に相互に折曲
した加熱導体路１４と１５と温度センサ１７に取囲まれ
ている。電極１２．１３と加熱導体路１４、Ｉ５と温度
センサ１７用のコンタクト面１６は支持体ｌ上に設けら
れている。実熱量センサ６と７のうちの一方は、触媒８
を備えている。２つのセンサ６と７は、検出感度のある
部分にミアンダ形の加熱導体路９と１０とを有し、その
加熱導体路は、支持体Ｉ上の、面状に設けられたコンタ
クト面ｌｌと通じている。
発明の効果 本発明は、薄膜半導体センサとして設けられた複数のセ
ンサ素子が、薄い壁の支持体を１個しか必要とせず、セ
ンサの形態が任意の形や大きさにおいてその都度の要求
に応じることができるという有利な点を有する。電圧を
供給し、または信号を送出するための、全コンタクト面
は、半導体センサの中に集積化される。支持体の幅の小
さな部分に設けられたセンサは、センサを取り巻く支持
部部材からは熱的に影響を殆ど受けないようにして信号
は残りの半導体センサによって妨害されることなく記録
される。
薄くなった又は幅の小さくなった支持部分上へ実熱量セ
ンサを取付けると特に有利である。
何故なら実熱竜センチは、熱的に他のセンサの影響を受
けないからである。
本発明の実施例の構成では、実熱量センサが支持体の端
部に設けられている舌片状に形成された突出部上に設け
ることができる。それにより、センサがさらに熱的に絶
縁されることになり、必要な加熱電力が低減される。
実熱量センサが、測定素子として触媒を備えているか、
または触媒のない基準素子として形成されていると有利
である。場所が隣接しているため、高い精度で測定信号
が評価される。同様に種々のガス成分を同時に検出する
ために、異なる触媒を有する複数の実熱量センサを設け
ることが可能である。
センサ素子への熱の供給を高め、さらにそれに必要な加
熱電力を減少するために加熱導体路は、センサ素子の検
出感度のよい部分で、ミアンダ形に折曲して設けられて
いるか、または任意に密接して相互に蛇行して設けられ
ている。
半導体センサの電極が、かみ合った形のくし形に設けら
れていると特に有利である。
【図面の簡単な説明】
図は、本発明のガスセンサの平面図である。 ２．３１１．半導体センサ　　６．７．１．　センサ素
子　　８．６．触媒　　１２．１３　、、。 電極

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、共通の支持体の上に設けられた複数のセンサ素子と
    、測定に必要な動作温度を発生させろための加熱装置を
    温度センサとを有するガスセンサにおいて、支持体（１
    ）の同一面上に、複数のセンサ素子が、薄膜半導体セン
    サとして設けられており、また支持体の薄い又幅の小さ
    な部分（４、５）に他の複数センサ素子（６、７）が設
    けられていることを特徴とする複数のセンサ素子を有す
    るガスセンサ。 ２、センサ素子（６、７）が、加熱可能な実熱量センサ
    として形成されている。特許請求の範囲第１項記載の複
    数のセンサ素子を有するガスセンサ。 ３、支持体の薄い又は幅の小さな部分（４、５）が、舌
    片状の突出部として、支持体（１）の端部に形成されて
    いる特許請求の範囲第１項記載の複数のセンサ素子を有
    するガスセンサ。 ４、実熱量センサの一方が、触媒（８）を有する測定素
    子（６）を備えており、他方の触媒を有しないセンサが
    、基準素子（７）として設けられている特許請求の範囲
    第２項記載の複数のセンサ素子を有するガスセンサ。 ５、実熱量センサ（６、７）用の加熱装置が突出部（４
    、５）上のミアンダ形導体路（９、１０）で延在して設
    けられており、該加熱装置のコンタクト面（１１）は共
    通サブストレート（１）に通じている。特許請求の範囲
    第２項記載の複数のセンサ素子を有するガスセンサ。 ６、半導体センサ（２、３）が、くし形の相互にかみ合
    うように配置された電極（１２、１３）を有し、該電極
    が、折曲して蛇行している加熱導体路（１４、１５）と
    温度センサ（１７）と隣接して設けられている特許請求
    の範囲第２項記載の複数のセンサ素子を有するガスセン
    サ。
JP61023072A 1985-02-09 1986-02-06 複数個のセンサ素子を有するガスセンサ Pending JPS61186847A (ja)

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