JPS61184830A - 後処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、後処理装置に係り一特にプラズマエツチング
処理された試料を後処理するのに好適な後処理装置に関
するものである。

〔発明の背景〕

反応性プラズマエツチング等によりプラズマエツチング
処理さｎた試料を後処理する装置としては１例えば、特
開昭５９−３９２７号公報に記載のような、エツチング
室でドライエツチングされた基板をエツチング室から真
空度Ｑ、　３　Ｔｏｒｒ以下の圧力に保たれた出力側真
空室にゲートバルブを介しベルトに載せて搬入し、搬入
さｎた基板にマグネトロンを用いてマイクロ波を照射し
て加熱処理するようなものが知られている。

このような後処理装置では、後処理の内で防食処理を行
うことができるか、しかし、後処理の内でレジストの灰
化処理を行なうことができない。

従って防食処理とレジストの灰化処理とを行なうのには
、更にレジストの灰化処理用の装置を別途設置する必要
がある。このため、装置価格が増大すると共に設置床面
積が増大するといった問題がある。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、後処理である防食処理とレジストの灰
化処理とを同一装置を用いて行なえろようにすることで
一！ｉｉｊ価格の増大及び設置床面積の増大を抑制でき
る後処理装置を提供することにある。

〔発明の概要〕

未発明は、後処理室と、抜型に内設されアースされた試
料設置用の電極と、該電極を加熱する加熱手段と一前記
電極と対向して前記後処理室に内設された対向電極と、
該電極が接続された電源と。

前記後処理室内に後処理ガスを導入するガス導入系と、
前記後処理室内を排気する排気系とを具備したことを特
徴とするもので、後処理である防食処理とレジストの灰
化処理とを同一装置を用いて行なえるようにしたもので
ある。

〔発明の実施例〕

本発明の一実施例を第１図、第２図により説明する。

第１図、第２図で試料１０をプラズマエツチング処理す
る処理室部を有するバッファ重加には、真空開閉手段、
例えば、ゲートバルブ船を介して他のバッファ室５０が
連設さｎている。他のバッファ室■には、後処理室のを
他のバッファ室団の、この場合、底壁と形成する後処理
室形成具、例えばベルジャ６１が往復動可能、この場合
は上下動可能に内設されている。試料設置用の電８ｊ６
２は、この場合、試料設置面を上面として後処理室のに
内設されている。１１ｉｆ１６２は、電極軸６３を介し
てアースされている。電ｆｉ６２を加熱する加熱手段７
０は、この場合、電気ヒータ７１と電源７２と測温器ｎ
と温度制御Ｅ装胃７４とで構成されている。電気ヒータ
７１は電極６２内に配設されている。測温器ｎはｍ；の
場合、電［＋６２に設けられている。を源ｎと温度制御
装置７４とは、他のバッファ室薗外に設置さｎている。

電気ヒータ７１は澗度制御装ホ７４に接続さｎている。

測温器７３は導入端子７５を介して温度制御装！ｉ７４
に接続さｎ、電１ＦＪ７２と温度制御装「７４とは接続
さｎている。対向電極例は、電極軸と対向して後処理室
のに内設さｎている。対向を通例は、ベルジヤ６１内番
こ含まれベルジャ６１と共に上下動可能になっている。

つまり、電極軸団が他のバッフ１室５０の頂壁に気密を
保持して上下動可能に設けられ、ＩＩｔ、ｔＦｆ軸６５
の下端には、対向電極６４が略水平に設けられている。

電極軸６５の途中には、ベルジャＱの頂部が気密に設け
らｎている。対向電極例は。

電源、例えば、高周波電源８０１こ電極軸６５を介して
接続されている。対向電極例には、電極口の試料設置面
に向って開口するガス放出孔（図示省略）が穿設され、
ガス放出孔と連通してガス分散室（図示省略）が形成さ
れている。電極軸６５には。

対向電極６４のガス分散室と連通してガス供給路（図示
省略）が形成されている。後処理室６０内に後処理ガス
を導入するガス導入系９０は、この場合。

後処理ガスＮ９１と流量制御装置（以下−ＭＦＣと略）
９２とガス導入管９３とで構成されている。ガス導入管
９３の一端は、後処理ガス源９１に連結され。

他端は、電極軸６５にガス供給路と連通して連結されて
いる。ガス導入管９３の途中には、ＭＦＣ９２が設けら
ｎている。後処理室６０内を排気する排気系１００は、
この場合、真空排気装置　１０１と可変抵抗弁１０２と
排気Ｗ　１０３とで構成されている。排気管１０３の一
端は、後処理室６０内と連通して他のバッファ室５０の
底壁に設けらｎた排気ノズル６６に連結さｎ、他端は、
真空排気装！！１０１に連結されている。排気管１０３
の途中には可変抵抗弁１０２が設けられている。

第１図で、バーファ室３０の処°理室２０に対応した側
壁には、ゲートバルブ１１０．１１１を介して副真空室
１２０．１２１が具設されている。副真空室１２０内に
は、試料をゲートバルブ１１０に向って搬出する搬送ベ
ルト１３０が内設されている。パフファ室カ内の処理室
２０とゲートバルブ１１０．１１１との間には。

ゲートバルブ１１０．１１１にそって試料を搬送する搬
送ベルト１３１が設けられている。バッファ室３０内に
は、試料ゲートバルブ１１０から搬送ベルト１３１に向
って搬送する搬送ベルト１３２と試料を搬送ベルト１３
１からゲートバルブ１１１に向って搬送する搬送ベルト
１３３　とが設けらｎている。副真空室１２１内には、
試料をカセット１６１に向って搬送する搬送ベルト１３
４が設けられている。バッファ室Ｉ内には、処理重加と
搬送ベルト１３１との間で試料を搬送する搬送アーム１
３５が設けらｎている。ゲートバルブ４０は、搬送ベル
ト１３１に対応した、つま１１゜ゲートバルブ１１０．
１１１が設けらｎた壁と略直角なバッファ室３０のＷＳ
こ設けらｎている。他のパッファ室５０内には、ゲート
バルブ４０と対応して搬送ベルト１３６が設けられてい
る。搬送ベルト１３６間には、受渡しステー９１５０が
設けられ、受渡しステー９１５０と角度１８０度をなし
た位置に受渡し、ステ１！５１ 一ジ憎が設けられている。後処理室６０は、受渡しステ
ージ１５０，１５１とそｎぞｎ角度９０度を有している
。他のバッファ室ω内には、後処理室６０．受渡しステ
ージ１５０．１５１で試料を搬送する搬送アーム１３７
が設けらｎている、受渡しステージ１５０゜１５１＋ご
対応する他のバッファ室６０の側壁には、ゲートバルブ
１１２．１１３を介して副真空室１２２．１２３が兵役
されている。他のバッファ室６０内には、受渡しステー
ジ１５０　とゲートバルブ１１２との間で試料を搬送す
る搬送ベルト１３８と、受渡しステージ１５１とゲート
バルブ１１３との間で試料を搬送する搬送ベルト１３９
とが設けられている。副真空室１２２内には、ゲートバ
ルブ１１２　とカセット１６２内との間で試料を搬送す
る搬送ベルト１４０と、ゲートバルブ１１３とカセット
１６３内との間で試料を搬送する搬送ベルト１４１が設
けらｎている。

第１図、第３図で、副真空室１２０内には、試料１０が
所定数量収納されたカセット１６０が搬入される。その
後、副真空室１２０は気密封止さｎてバッファ室３０と
同程度の圧力に減圧排気される。その俊、ゲートバルブ
１１０は開放され、これにより副真空室１２０はバッフ
ァ室３０と連通状ｔ”！Ｊこなる。この状態で、搬送ベ
ルト１３０．１３２を作動させることでカセット１６０
内の試料１０は１個取り出さｎて副真空室１２０からバ
ッファ室３０に搬入される。その後、ゲートバルブ１１
０は閉止される。バッフ１室■に搬入された試料１０は
、搬送ベルト１３２，１３１及び搬送アーム１３５の作
動により処理室２０内に搬入さｎる。処理室ｍに搬入さ
ｎた試料ＩＯは、ここテフラズマエッチング処理される
。プラズマエツチング処理済みの試料１０は、搬送アー
ム１３５の作動により処理室２０から搬出された後に搬
送ベルト１３１に渡さｎる。搬送ベルト１３１に渡され
た試料１０は、開放されたゲートバルブ４０を介して搬
送ベルト１３１，１３６の作動によりバッファ室３０か
ら他のバッファ室５０へ搬入さｎた後に一搬送ベルト１
３６から受渡しステージ１５０に渡される。その後、試
料℃は搬送アーム１３７の作動で受渡しステージ１５０
から電＄６２に渡されて試料設置面に設置される。

その猜、電極軸６５を下降させることで、ベルジャ６１
の底面は他のバッファ室間の底壁に気密に当接し、他の
バッファ室５０の底壁とベルジャ６１とで後処理室６０
が形成される。後処理室ω内には、ＭＦＣ９２で流量を
所定流量に制御さｎた後処理ガス、例えば、０□、へ＋
ｌＯ−未満のＣＦ、が後処理ガス源９１より導入されろ
。これと共に、後処理室６０内は、真空排気装置１０１
と可変抵抗弁１０２との作動で所定の後処理圧力１例え
ば、１〜３　Ｔｏｒｒに調節される。又、電極６２は、
電気ヒータ７．１の放熱により１１例えば、温度２００
℃に加熱さｎる。電極６２の温度は、７１１温器７３．
　ｍ度制御装置７４の作動で後処理期間中に所定温度に
制御さｎる。この状態で、高周波電源釦より対向電極６
４に高周波電力が印加され、対向電極６４と電極６２と
の間でグロー放電が生じる。後処理室６０内にある後処
理ガスは、このグロー放電によりプラズマ化される。二
のプラズマと電極６２を介した試料１０の加熱によ薯ノ
、試料１０のレジストは灰化処理される。また、これと
共に・試料１０に付着している水分や試料１０を大気中
に搬出した際に大気中の水分と反応し試料１０を腐食す
る成分１例えば、塩素や塩素化合物等は試料１０よＩ）
除去されて試料ｌＯは防食処理される。このような後処
理が完了した時点で、後処理室６０内への後処理ガスの
導入は停止さｎ、　Ｐｉ留ガスは後処理室ω外へ排気さ
れる。また、対向電枦６４への高周波電力の印加並びに
電気ヒータ７１の放熱も停止さｎる。その後、電極軸６
５を上昇させることでベルジャ６１並びに対向１！極６
４は上昇させられる。その後、後処理済みの試料１０は
、搬送アーム１３７の作動で電［！６２から受渡しステ
ージ１５１１二渡され、搬送ベルト１３９．１４１を作
動することで他のバッファ室５０から開放されたゲート
バルブ１１３を介して開耳空室１２３に搬入されカセッ
ト１６３に回収さｎる。

本実施例では１次のような効果を得ることができる。

（１１後処理である防食処理とレジストの灰化処理とを
同一装置を月いて行なえるため、装置価格の増大及び設
置床面積の増大を抑制できる。

（２）　　後処理である防食処理とレジストの灰化処理
とを同時に行なえるため、単位時間当＋１の処理量（以
下、スルーブツトと略）を向上できる。

（３）後処理期間中に後処理さｎる試料を加熱するよう
にしているため、後処理時間を短縮できスループットを
更に向上できる。

（４）　　プラズマエツチング処理された試料を大気に
一旦取り出すことなしに真空雰囲気下で後処理室に搬入
できるため、この間におけるプラズマエツチング処理さ
れた試料への不純物の付着を防止でき１例えば、不純物
による配線切ｎ等の不都合を防止できる。

（５１プラズマエツチング装置に自由に連設でき、プロ
セス変更やライン変更等にフレキシブルに対応できる。

尚１本実施例では、プラズマエツチング装置のバッファ
室に後処理装置のバッファ室をゲートバルブを介して連
設しているが、二の他に、そｎぞｎのバッファ室をゲー
トバルブを用いることな（朧に連通して連設するように
しても良い。また、プラズマエツチング＊ｔの副真空室
ｌこ後処理装置の副真空室な連通して連設し−プラズマ
エツチング処理さｎた試料をプラズマエツチング装置の
バッファ室、副真空室、後処理装置の副真空室、バッフ
ァ室を介して後処理室に搬入するようにり、でも良い。

又、ベルジャ、対向電極を固定して設は試料設置用の電
極を往復動可能に設けるようにＬ／でも良い。また、試
料設置用の電極を熱媒により加熱し、二〇により後処理
さｎる試料を加熱するようにしても良い。

〔発明の効果〕

本発明は１以上説明したように、後処理である防食処理
とレジストの灰化処理とを同一装置を用いて行なえるの
で、装置価格の増大及び設置床面積の増大を抑制できる
という効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明による後処理装置の一実施例を示す平
面図、第２図は、第１図のＡ−人捜断面図である。 ω・・・・・・後処理室、６２・・・・・・電極、６４
・・・・・・対向１１！極、７０・・・・・・加熱手段
、８０・・・・・・？ｉＥ周波」１９０・・・・・・ガ
ス導入系、、１００・・・・・・排気系 へ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １　後処理室と、該室に内設されアースされた試料設置
   用の電極と、該電極を加熱する加熱手段と、前記電極と
   対向して前記後処理室に内設された対向電極と、該電極
   が接続された電源と、前記後処理室内に後処理ガスを導
   入するガス導入系と、前記後処理室内を排気する排気系
   とを具備したことを特徴とする後処理装置。