JPS61181534A - プラズマ処理装置 - Google Patents

プラズマ処理装置

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JPS61181534A
JPS61181534A JP2085185A JP2085185A JPS61181534A JP S61181534 A JPS61181534 A JP S61181534A JP 2085185 A JP2085185 A JP 2085185A JP 2085185 A JP2085185 A JP 2085185A JP S61181534 A JPS61181534 A JP S61181534A
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vacuum chamber
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渡辺　猛志
Mitsuo Nakatani
中谷　光雄
Susumu Tsujiku
都竹　進
Masaaki Sato
正昭 佐藤
Masaaki Okunaka
正昭 奥中
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0273977A (ja) * 1988-09-09 1990-03-13 Sony Corp プラズマ装置
US5016564A (en) * 1986-12-29 1991-05-21 Sumitomo Metal Industries Ltd. Plasma apparatus
JP2007154239A (ja) * 2005-12-02 2007-06-21 Stanley Electric Co Ltd プラズマ成膜方法及びプラズマ成膜装置
JP2010516036A (ja) * 2007-01-12 2010-05-13 ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド イオン注入個所の磁界低減化技術

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5016564A (en) * 1986-12-29 1991-05-21 Sumitomo Metal Industries Ltd. Plasma apparatus
US5019117A (en) * 1986-12-29 1991-05-28 Sumitomo Metal Industries Ltd. Plasma apparatus
JPH0273977A (ja) * 1988-09-09 1990-03-13 Sony Corp プラズマ装置
JP2007154239A (ja) * 2005-12-02 2007-06-21 Stanley Electric Co Ltd プラズマ成膜方法及びプラズマ成膜装置
JP2010516036A (ja) * 2007-01-12 2010-05-13 ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド イオン注入個所の磁界低減化技術

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