JPS61181121A - 半導体薄膜の製造方法 - Google Patents
半導体薄膜の製造方法Info
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- JPS61181121A JPS61181121A JP2140585A JP2140585A JPS61181121A JP S61181121 A JPS61181121 A JP S61181121A JP 2140585 A JP2140585 A JP 2140585A JP 2140585 A JP2140585 A JP 2140585A JP S61181121 A JPS61181121 A JP S61181121A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
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- H01L21/02617—Deposition types
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ、産業上の利用分野
この発明は半導体基板の表面にＩ−Ｖ族化合物半導体、
例えばＧ５ＡｌＡｓ、Ｉｎｋ、ＩｎＧａＡｓ。
例えばＧ５ＡｌＡｓ、Ｉｎｋ、ＩｎＧａＡｓ。
ＩｎＧａＡｓＰ 等、トｌ族半導体、例えばＺｎ８ｅ
。
。
ＨｇＣｄＴｅ等、および単元素半導体、例えばＳｉ等の
半導体薄膜をエピタキシャル成長させる方法に関するも
のである。特に分子線エピタキシャル成長（ＭＢＥ法）
方法に適用して有効な方法である。
半導体薄膜をエピタキシャル成長させる方法に関するも
のである。特に分子線エピタキシャル成長（ＭＢＥ法）
方法に適用して有効な方法である。
口、従来技術
半導体基板に半導体結晶をエピタキシャル成長させるに
は一般に真空室内に基板を取り付けて複数の原料放出源
から原料物質を放出して基板上に結晶を薄膜として成長
させる。例えばＭＢＥ法による半導体薄膜成長では高真
空中で複数の分子線源からの分子線を加熱した基板上に
当てて分子を堆積させるようになっている。このＭＢＥ
法については、例えば「分子線エピタキシー技術」高橋
清著、■工業調査会発行、１９８４．１．１０゜及び多
くの特許文献等で多くの方法が公知となっているが、従
来の方法は室内に一枚の小さい径（例えば２インチ径）
の半導体基板を入れて成長させるようになっている。
は一般に真空室内に基板を取り付けて複数の原料放出源
から原料物質を放出して基板上に結晶を薄膜として成長
させる。例えばＭＢＥ法による半導体薄膜成長では高真
空中で複数の分子線源からの分子線を加熱した基板上に
当てて分子を堆積させるようになっている。このＭＢＥ
法については、例えば「分子線エピタキシー技術」高橋
清著、■工業調査会発行、１９８４．１．１０゜及び多
くの特許文献等で多くの方法が公知となっているが、従
来の方法は室内に一枚の小さい径（例えば２インチ径）
の半導体基板を入れて成長させるようになっている。
ところがこの方法では小さい半導体を一枚一枚加工する
ので生産性が悪い。これに対し、半導体基板の直径を大
きくして生産性を上げる方法や複数のウェハーを同時処
理することが提案されている。この方法は第４図に示す
ように超高真空容器（６）（以下「成長室」という）の
中に公転する平板（７）に複数の自転するウェハーホー
ルグー（２）をもうけ、基板（ウェハー）（１）をウェ
ハーホールグ−（２）の中にウェハー固定金具αＱによ
り取り付ける。成長室（６）の外部から軸（４）を回転
してベベルギア−（１１３゜（９）によって平板（７）
を回転する。ウェハーホールグー（２）は公転すると共
に空間に固定したギアー（８）とウェハーホールグー（
２）に連結したギアー（３）により自転する。このよう
に自転しつつ公転する平板上の複数の基板に分子線源（
５）から分子線を照射して同時に複数の基板に薄膜を成
長させることによって生産性を向上する方法である。
ので生産性が悪い。これに対し、半導体基板の直径を大
きくして生産性を上げる方法や複数のウェハーを同時処
理することが提案されている。この方法は第４図に示す
ように超高真空容器（６）（以下「成長室」という）の
中に公転する平板（７）に複数の自転するウェハーホー
ルグー（２）をもうけ、基板（ウェハー）（１）をウェ
ハーホールグ−（２）の中にウェハー固定金具αＱによ
り取り付ける。成長室（６）の外部から軸（４）を回転
してベベルギア−（１１３゜（９）によって平板（７）
を回転する。ウェハーホールグー（２）は公転すると共
に空間に固定したギアー（８）とウェハーホールグー（
２）に連結したギアー（３）により自転する。このよう
に自転しつつ公転する平板上の複数の基板に分子線源（
５）から分子線を照射して同時に複数の基板に薄膜を成
長させることによって生産性を向上する方法である。
ハ０発明が解決しようとする問題点
以上に説明した従来のＭＢＥ装置の方法ではいずれもひ
とつの平面上に置いたウェハーの表面に半導体薄膜を成
長させる構成となっているため、大面積のウェハーある
いは複数枚のウェハーに短時間で薄膜を成長させること
は難しい。即ちこれらの方法では分子線の当たる面積を
増大する必要があり、そのためには基板と分子線源の距
離を長くするか、あるいは分子線源のビーム放出角度を
大きくしなければならない。ところが距離を長くすると
分子線が拡散するので放出のフラックスを上げねばなら
ず、また分子線源の放出角度を大きくすると分子線の均
一性を向上させる必要があるが、いずれも技術的に困難
性があるので大面積のＭＢＥ成長は非常に難しいという
欠点があった。
とつの平面上に置いたウェハーの表面に半導体薄膜を成
長させる構成となっているため、大面積のウェハーある
いは複数枚のウェハーに短時間で薄膜を成長させること
は難しい。即ちこれらの方法では分子線の当たる面積を
増大する必要があり、そのためには基板と分子線源の距
離を長くするか、あるいは分子線源のビーム放出角度を
大きくしなければならない。ところが距離を長くすると
分子線が拡散するので放出のフラックスを上げねばなら
ず、また分子線源の放出角度を大きくすると分子線の均
一性を向上させる必要があるが、いずれも技術的に困難
性があるので大面積のＭＢＥ成長は非常に難しいという
欠点があった。
本発明はこれらの欠点を解消して同時に複数のウェハー
に均一に薄膜を形成することによってエピタキシャル薄
膜を成長させた半導体を大量生産する方法を提供するこ
とを目的とするものである。
に均一に薄膜を形成することによってエピタキシャル薄
膜を成長させた半導体を大量生産する方法を提供するこ
とを目的とするものである。
二０問題点を解決するための手段
この発明は複数のウェハーを平面上ではなく、自転軸と
公転軸が角度をもって自転及び公転するウェハーホール
グーに取り付は配置し且つ２組以上の分子線源を成長室
にもうけた装置によって薄膜を積層することを特徴とす
る半導体薄膜の製造方法であって前記欠点を解消したも
のである。
公転軸が角度をもって自転及び公転するウェハーホール
グーに取り付は配置し且つ２組以上の分子線源を成長室
にもうけた装置によって薄膜を積層することを特徴とす
る半導体薄膜の製造方法であって前記欠点を解消したも
のである。
以下図面を参照して本発明を説明する。
本発明の一実施例は、第１図に正面断面図、第２図にそ
の平面断面図を示すように、超高真空室（成長室）（６
）の両側面に各元素の分子線源（５）、 （５）１゜（
５）２． （５丁、 （ｓｆｌ、 （５／２．がもうけ
られている。成長室の下部には軸（２）によって回転す
るベベルギア−Ｏｐを有する基台（至）がもうけられ、
その上にベベルギア−０１）と噛み合うベベルギア−（
至）を有する４箇のウェハーホールグー（２）があり、
該ウェハーホールグー（２）は成長室の上部より駆動回
転させられる軸（４）によって回転する放射軸α侶と回
転自在に取り付けられている。この構造によりウェハー
ホールグー（２）は自転軸と公転軸が直角となるように
回転する。ウェハー（１）はウェハーホールグ−（２）
にウェハー固定金具αＱによって固定される。またウェ
ハー（１）は成長室内にもうけられた赤外線照射装置に
よって加熱されるか、あるいは内部のヒーターによって
加熱された基台（至）からベベルギア−を通して伝熱に
よって加熱されるようになっている。（装置は図示せず
） この装置を用いて基板に薄膜を成長させるには、先ず４
枚のウェハー（１）を各ウェハーホールグー（２）に取
り付けて成長室内を超高真空に排気し、ウェハー（１）
を所定の温度に加熱して各分子線源（５）、 （５）等
から分子線をウェハーに向けて放射する。その際軸（４
）を回転させるとウェハーホールグー（２）は基台の上
を円周上に公転し、且つベベルギア−０υとベベルギア
−（至）の噛み合いにより同時に自転する。
の平面断面図を示すように、超高真空室（成長室）（６
）の両側面に各元素の分子線源（５）、 （５）１゜（
５）２． （５丁、 （ｓｆｌ、 （５／２．がもうけ
られている。成長室の下部には軸（２）によって回転す
るベベルギア−Ｏｐを有する基台（至）がもうけられ、
その上にベベルギア−０１）と噛み合うベベルギア−（
至）を有する４箇のウェハーホールグー（２）があり、
該ウェハーホールグー（２）は成長室の上部より駆動回
転させられる軸（４）によって回転する放射軸α侶と回
転自在に取り付けられている。この構造によりウェハー
ホールグー（２）は自転軸と公転軸が直角となるように
回転する。ウェハー（１）はウェハーホールグ−（２）
にウェハー固定金具αＱによって固定される。またウェ
ハー（１）は成長室内にもうけられた赤外線照射装置に
よって加熱されるか、あるいは内部のヒーターによって
加熱された基台（至）からベベルギア−を通して伝熱に
よって加熱されるようになっている。（装置は図示せず
） この装置を用いて基板に薄膜を成長させるには、先ず４
枚のウェハー（１）を各ウェハーホールグー（２）に取
り付けて成長室内を超高真空に排気し、ウェハー（１）
を所定の温度に加熱して各分子線源（５）、 （５）等
から分子線をウェハーに向けて放射する。その際軸（４
）を回転させるとウェハーホールグー（２）は基台の上
を円周上に公転し、且つベベルギア−０υとベベルギア
−（至）の噛み合いにより同時に自転する。
この自転速度は軸（２）を回転することによって自由に
変化することができる。このようにして自転しつつ公転
している状態で複数のウェハーの表面に同時に半導体薄
膜を成長させる。
変化することができる。このようにして自転しつつ公転
している状態で複数のウェハーの表面に同時に半導体薄
膜を成長させる。
この方法によると分子線源の放出開き角度を増大するこ
となく且つ分子線源とウェハーの距離が一枚のウェハー
に薄膜成長させる場合と同じ距離で４枚のウェハーを同
時に短時間に複数枚（大量の）ウェハーに結晶のエピタ
キシャル成長をさせることができる。そしてウェハーは
自転しながら公転するので均一な組織と膜厚の薄膜を得
ることができる。
となく且つ分子線源とウェハーの距離が一枚のウェハー
に薄膜成長させる場合と同じ距離で４枚のウェハーを同
時に短時間に複数枚（大量の）ウェハーに結晶のエピタ
キシャル成長をさせることができる。そしてウェハーは
自転しながら公転するので均一な組織と膜厚の薄膜を得
ることができる。
第３図は本発明の他の実施方法である。この方法におい
てはウェハーホールグー（２）を公転させる軸（４）に
対し約６０度の角度を有する自転軸α４がもうけられて
おり、且つウェハーホールグー（２）のベベルギア−０
９は成長室（６）の下部に軸（２）により支持された基
台（至）のベベルギア−αυと噛み合っている。
てはウェハーホールグー（２）を公転させる軸（４）に
対し約６０度の角度を有する自転軸α４がもうけられて
おり、且つウェハーホールグー（２）のベベルギア−０
９は成長室（６）の下部に軸（２）により支持された基
台（至）のベベルギア−αυと噛み合っている。
また成長室の両側に複数筒の組の分子線源（５）、 （
５）等がもうけられている。
５）等がもうけられている。
この構造の場合にもウェハーホールグー（２）にウェハ
ー（１）を取りつけて、ウェハー（１）を自転しながら
公転させて分子線源（５）、 （５５等から分子線を放
出して前記実施例と同様に複数のウェハーに同時にうま
く成長させることができ、同様の効果を得ることができ
る。
ー（１）を取りつけて、ウェハー（１）を自転しながら
公転させて分子線源（５）、 （５５等から分子線を放
出して前記実施例と同様に複数のウェハーに同時にうま
く成長させることができ、同様の効果を得ることができ
る。
ホ、実施例
第１図の構造の成長装置を用いて、ＧａＡｓ基板上にＡ
ｌＧａＡｓ の薄膜成長を行った。
ｌＧａＡｓ の薄膜成長を行った。
ソープションポンプとイオンポンプを用い、内部にシュ
ラウドを配置して残留ガスと過剰分子線を除去できる真
空容器を成長室とした。成長室には１８０度対称の位置
に左右に、それぞれウエノへ−の垂線に３０度の角度に
なるように３種、Ｇａ。
ラウドを配置して残留ガスと過剰分子線を除去できる真
空容器を成長室とした。成長室には１８０度対称の位置
に左右に、それぞれウエノへ−の垂線に３０度の角度に
なるように３種、Ｇａ。
ＡＩ、Ａｓの３種、の口径３５ｍｍで開き内約６の分子
線源をウェハーが公転する円から約２５０−ａｍの距離
に取り付けた。ウェハーホールグーは４箇である。
線源をウェハーが公転する円から約２５０−ａｍの距離
に取り付けた。ウェハーホールグーは４箇である。
直径３インチφのＧａＡｓウェハーをＭＯ製のウェハー
ホールグーに、Ｉｎメタルによる接着を行わずに、ＭＯ
製のウェハー固定金具で押さえる方式とし、ウェハーと
ウェハーホールグーと外周及び中心部で接触させてウェ
ハーの温度が全面に均一となるようにした。成長室内を
１ＱＴｏｒｒ以上の高真空とし、ウェハーを６８０°Ｃ
に保ちつつ、ウェハーホールグーを約１５ ｒｐｍで自
転し且つ２ｒｐｍで公転させた。この状態でＡｔ Ｇ
ａ ＡｓのＡ１組成がＸ＝０．３となるように分子線源
の温度等を調整してＧａＡ ｓウェハーの表面にＡｌＧ
ａＡｓ薄膜層を成長させた。
ホールグーに、Ｉｎメタルによる接着を行わずに、ＭＯ
製のウェハー固定金具で押さえる方式とし、ウェハーと
ウェハーホールグーと外周及び中心部で接触させてウェ
ハーの温度が全面に均一となるようにした。成長室内を
１ＱＴｏｒｒ以上の高真空とし、ウェハーを６８０°Ｃ
に保ちつつ、ウェハーホールグーを約１５ ｒｐｍで自
転し且つ２ｒｐｍで公転させた。この状態でＡｔ Ｇ
ａ ＡｓのＡ１組成がＸ＝０．３となるように分子線源
の温度等を調整してＧａＡ ｓウェハーの表面にＡｌＧ
ａＡｓ薄膜層を成長させた。
この成長させたウェハー上のＡｌＧａＡｓ薄膜の厚さを
測定した結果、本方法によると各ウニ／％ −上の薄膜
成長速度は略０．８μｍ／時であり且つ同時に成長させ
た４枚の全べてのウェハー面内の膜厚は約±１．５％の
範囲内で均一性を有していることが分かった。
測定した結果、本方法によると各ウニ／％ −上の薄膜
成長速度は略０．８μｍ／時であり且つ同時に成長させ
た４枚の全べてのウェハー面内の膜厚は約±１．５％の
範囲内で均一性を有していることが分かった。
比較のため同装置を用いて上軸の回転を止めウェハーホ
ールグーの公転を停止し、下軸のみを回転してウェハー
を１５ｒｐｍで自転して片側の分子線源によりウェハー
上に薄膜を成長させたところ約２μｍ／時であった。従
って４枚のウェハー表面に２μｍの厚さの薄膜を成長さ
せるのには、従来の方法では約４時間を必要とするが、
本発明の方法によれば約３時間で成長させることができ
ることが分かった。
ールグーの公転を停止し、下軸のみを回転してウェハー
を１５ｒｐｍで自転して片側の分子線源によりウェハー
上に薄膜を成長させたところ約２μｍ／時であった。従
って４枚のウェハー表面に２μｍの厚さの薄膜を成長さ
せるのには、従来の方法では約４時間を必要とするが、
本発明の方法によれば約３時間で成長させることができ
ることが分かった。
一方この装置を用いてウェハーホールグーを公転させず
に両側の分子線源によって先ず２枚のウェハーに２μｍ
の膜厚の薄膜を成長させ、次ぎに軸（４）によって４箇
のウェハーホールグーの保持方向を９０度回転して他の
２枚のウェハーに同じく２μｍの膜厚の薄膜を成長させ
たところ所要時間は２時間であったが、２枚のウェハー
に薄膜を成長させている間に他の２枚のウェハー表面や
生成薄膜の表面が汚染されて良好な製品が得られず、ま
た両側の分子線源を完全に同じ条件になるように調整す
ることは困難で２枚のウェハーに成長した薄膜はＸ等の
値が異なっており均一な製品が得られなかった。
に両側の分子線源によって先ず２枚のウェハーに２μｍ
の膜厚の薄膜を成長させ、次ぎに軸（４）によって４箇
のウェハーホールグーの保持方向を９０度回転して他の
２枚のウェハーに同じく２μｍの膜厚の薄膜を成長させ
たところ所要時間は２時間であったが、２枚のウェハー
に薄膜を成長させている間に他の２枚のウェハー表面や
生成薄膜の表面が汚染されて良好な製品が得られず、ま
た両側の分子線源を完全に同じ条件になるように調整す
ることは困難で２枚のウェハーに成長した薄膜はＸ等の
値が異なっており均一な製品が得られなかった。
へ８発明の効果
以上に詳しく説明したように本発明は同時に複数枚のウ
ェハーに対し複数の分子線源の組を用い且つウェハーを
回転軸が相互に角度を有するように自転と公転をせしめ
つつ薄膜を成長させるようにしているので、従来の装置
より全べてのウェハーに均一で良好な結晶状態の薄膜を
効率的に成長させることができる有効な方法である。
ェハーに対し複数の分子線源の組を用い且つウェハーを
回転軸が相互に角度を有するように自転と公転をせしめ
つつ薄膜を成長させるようにしているので、従来の装置
より全べてのウェハーに均一で良好な結晶状態の薄膜を
効率的に成長させることができる有効な方法である。
従来方法の大面積の薄膜成長装置（第４図）に比し分子
線源とウェハーの距離は本発明の方法では約１／２で良
い。この距離が２倍となると分子線の放出能力として４
倍以上が必要となるが、このような大容量の分子線源で
は薄膜の均一性や品質を保証することが困難である。本
発明の方法ではかかる大面積用の分子線源を開発して使
用する必要がなく、良好な薄膜を得られる利点がある。
線源とウェハーの距離は本発明の方法では約１／２で良
い。この距離が２倍となると分子線の放出能力として４
倍以上が必要となるが、このような大容量の分子線源で
は薄膜の均一性や品質を保証することが困難である。本
発明の方法ではかかる大面積用の分子線源を開発して使
用する必要がなく、良好な薄膜を得られる利点がある。
なお以上では分子線成長方法（ＭＢＥ法）について説明
したが本発明の構成からＭＯ−ＣＶＤ法（有機金属化学
気相成長法）や他の蒸着法等にも応用できることは勿論
である。
したが本発明の構成からＭＯ−ＣＶＤ法（有機金属化学
気相成長法）や他の蒸着法等にも応用できることは勿論
である。
第１図は本発明に用いる薄膜成長装置の正面断面図、第
２図はその平面断面図であり、第３図は本発明の他の実
施法を示す正面断面図である。第４図は従来の装置の正
面断面図、第５図はそのウェハー支持部の正面図である
。 （１）・・・ウェハー、（２）・・・ウェハーホールタ
ー、（３）・・・ギアー、 （４）、Ｑ２・・・
軸（５）、 （５）１ 、 （５）２ 、 （５）、
（５）１ 、 （５）２・・・分子線源、（６）・・・
成長室、 （７）・・・平板、（８）・・・固定
ギアー、 （９１，Ｑｌ）、 Ｑ！１９． （Ａ−・・ベベルギア
−１αＯ・・・ウェハー固定金具、 α１・・・基台、 α４・・・放射軸。 第１図 第３図 ５ 第４図 ７ 第５図 手続補正書（自発） 昭和６０年／６月２２−日 昭和６０年特許願第０２１４０５号 ２、発明の名称 半導体薄膜の製造方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 大阪市東区北浜５丁目１５番地 名称（２１３） 住友電気工業株式会社代表者 社長
川上 舌部 市電ビル ４Ｆ 田中特許事務所 あるのをｒ Ａ Ｉｇ Ｇ ａ４−ＸＡ ｓ Ｊと補正
する＼、＝手続補正書（自発） 昭和６０年１０月２５日 特許庁長官 宇 賀 道 部 殿 ２、発明の名称 半導体薄膜の製造方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 大阪市東区北浜５丁目１５番地 名称（２１３） 住友電気工業株式会社代表者 社長
川上 舌部 ４、代理人 住所 大阪市西区鞍本町１丁目９番１８号布亀ビル ４
Ｆ 田中特許事務所 １、明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 １、明細書１頁１７行目、ｒＧｓ ＡＩ Ａｓ Ｊとあ
るのをｒＧａ ＡＩ Ａｓ Ｊと補正する。
２図はその平面断面図であり、第３図は本発明の他の実
施法を示す正面断面図である。第４図は従来の装置の正
面断面図、第５図はそのウェハー支持部の正面図である
。 （１）・・・ウェハー、（２）・・・ウェハーホールタ
ー、（３）・・・ギアー、 （４）、Ｑ２・・・
軸（５）、 （５）１ 、 （５）２ 、 （５）、
（５）１ 、 （５）２・・・分子線源、（６）・・・
成長室、 （７）・・・平板、（８）・・・固定
ギアー、 （９１，Ｑｌ）、 Ｑ！１９． （Ａ−・・ベベルギア
−１αＯ・・・ウェハー固定金具、 α１・・・基台、 α４・・・放射軸。 第１図 第３図 ５ 第４図 ７ 第５図 手続補正書（自発） 昭和６０年／６月２２−日 昭和６０年特許願第０２１４０５号 ２、発明の名称 半導体薄膜の製造方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 大阪市東区北浜５丁目１５番地 名称（２１３） 住友電気工業株式会社代表者 社長
川上 舌部 市電ビル ４Ｆ 田中特許事務所 あるのをｒ Ａ Ｉｇ Ｇ ａ４−ＸＡ ｓ Ｊと補正
する＼、＝手続補正書（自発） 昭和６０年１０月２５日 特許庁長官 宇 賀 道 部 殿 ２、発明の名称 半導体薄膜の製造方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 大阪市東区北浜５丁目１５番地 名称（２１３） 住友電気工業株式会社代表者 社長
川上 舌部 ４、代理人 住所 大阪市西区鞍本町１丁目９番１８号布亀ビル ４
Ｆ 田中特許事務所 １、明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 １、明細書１頁１７行目、ｒＧｓ ＡＩ Ａｓ Ｊとあ
るのをｒＧａ ＡＩ Ａｓ Ｊと補正する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、成長室内で基板（ウェハー）の表面に半導体薄膜を
成長させて半導体薄膜を製造する方法において、複数の
基板を同一平面でなく相互に直交或いは角度をもつた軸
を中心として自転と公転させつつ基板表面に薄膜を成長
させることを特徴とする半導体薄膜の製造方法 ２、複数の分子線源の組により複数の方向から基板表面
に薄膜を成長させることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の半導体薄膜の製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2140585A JPS61181121A (ja) | 1985-02-06 | 1985-02-06 | 半導体薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2140585A JPS61181121A (ja) | 1985-02-06 | 1985-02-06 | 半導体薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61181121A true JPS61181121A (ja) | 1986-08-13 |
Family
ID=12054133
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2140585A Pending JPS61181121A (ja) | 1985-02-06 | 1985-02-06 | 半導体薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61181121A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5415128A (en) * | 1991-04-12 | 1995-05-16 | Texas Instruments Incorporated | Rotation induced superlattice |
| JP2010171077A (ja) * | 2009-01-20 | 2010-08-05 | Lintec Corp | 光照射装置及び光照射方法 |
-
1985
- 1985-02-06 JP JP2140585A patent/JPS61181121A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5415128A (en) * | 1991-04-12 | 1995-05-16 | Texas Instruments Incorporated | Rotation induced superlattice |
| JP2010171077A (ja) * | 2009-01-20 | 2010-08-05 | Lintec Corp | 光照射装置及び光照射方法 |
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