JP3610376B2 - 気相成長装置用基板保持装置 - Google Patents

気相成長装置用基板保持装置 Download PDF

Info

Publication number
JP3610376B2
JP3610376B2 JP31681995A JP31681995A JP3610376B2 JP 3610376 B2 JP3610376 B2 JP 3610376B2 JP 31681995 A JP31681995 A JP 31681995A JP 31681995 A JP31681995 A JP 31681995A JP 3610376 B2 JP3610376 B2 JP 3610376B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
substrate holding
vapor phase
phase growth
holding member
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP31681995A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH09162128A (ja
Inventor
邦全 植松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Taiyo Nippon Sanso Corp
Original Assignee
Taiyo Nippon Sanso Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Taiyo Nippon Sanso Corp filed Critical Taiyo Nippon Sanso Corp
Priority to JP31681995A priority Critical patent/JP3610376B2/ja
Publication of JPH09162128A publication Critical patent/JPH09162128A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3610376B2 publication Critical patent/JP3610376B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Manipulator (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、気相成長装置用基板保持装置に関し、詳しくは、気相成長面を下向きにして基板を保持するフェースダウン型の気相成長装置用基板保持装置に関する。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
有機金属化合物と水素化合物等の原料ガスを反応管内に導入し、反応管内に設置した基板付近で反応・分解させて基板面に所定の半導体薄膜を形成する気相成長方法が知られている。この方法を実施する気相成長装置では、従来、基板の気相成長面を上向きにして反応管内に設置していたが、反応・分解により生じた生成物がパーティクルとして基板面に付着し、薄膜の品質を損なうことがあった。
【0003】
このため、基板の気相成長面を下向きにして生成物の落下による影響を無くしたフェースダウン型の気相成長装置が用いられるようになってきた。さらに、基板の温度均一性,薄膜成長速度の均一性を得るために基板自体を回転させたり、基板を保持する部材を回転させたりすることも行われるようになってきている。しかし、このように、基板を自転させたり、公転させたりすることにより、基板の温度均一性や薄膜成長速度の均一性をある程度向上させることはできるが、自転のみ、あるいは公転のみでは未だ十分ではなかった。
【0004】
そこで本発明は、気相成長面を下向きにして基板を保持するとともに、温度均一性や薄膜の均一性を大幅に向上させることができる気相成長装置用基板保持装置を提供することを目的としている。
【0005】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の気相成長装置用基板保持装置は、気相成長装置の反応管内で、気相成長面を下向きにした基板を保持する基板保持装置であって、基板を保持する円筒状の基板保持部材と、該基板保持部材が回転可能に挿入される複数個の基板保持部材挿入孔を有する円盤状のテーブルと、該テーブルの外周に回転可能に支持される内歯車付きリングとを備えている。
【0006】
そして、前記基板保持部材は、中空円筒体の中空部底部に基板を支持する基板支持部材を有するとともに、中空円筒体の上部外周に、前記リングの内歯車に歯合する外歯車を備えたフランジを有し、前記テーブルは、その上面に反応管内の所定位置に設けられた回転駆動部材に係合する係合部を有し、前記リングは、反応管内の所定位置に設けられた回転止めに係止する係止突片を有していることを特徴としている。
【0007】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を、図面を参照してさらに詳細に説明する。図は、本発明を適用した気相成長装置用基板保持装置の一例を示すもので、図1は平面図、図2は分解断面図、図3は基板保持装置と反応管内の部材との関係を示す説明図、図4は同じく平面図である。
【0008】
まず、図1及び図2において、基板保持装置1は、基板2を保持する4個の円筒状の基板保持部材10と、該基板保持部材10を保持する円盤状のテーブル20と、該テーブル20の外周に設けられる内歯車付きリング30とにより構成され、基板保持部材10及び内歯車付きリング30は、それぞれ上方からテーブル20にセットされ、複数の止めネジ3により上方への抜けが防止されて一体的に形成される。
【0009】
基板保持部材10は、中空円筒体の中空部底部に基板2を保持するものであって、中空円筒体の底面には、内方に向かって突出する複数の爪状の基板支持部材11が設けられている。この基板支持部材11は、中空円筒体胴部を円筒体軸線方向に貫通する軸部11aの下端に設けられており、軸部11aは、中空円筒体の上面から突出するネジ部11bがナット11cで固定されている。また、基板保持部材10の中空円筒体の上部外周には、外歯車12を備えたフランジ13が設けられている。
【0010】
基板2は、その底面(気相成長面)の周辺部が前記基板支持部材11に支持された状態で中空部底部に保持され、該基板2の上面には、基板2を均一に加熱するための均熱板4が載置される。なお、基板2の加熱は、従来と同様の高周波コイル等により行うことができる。
【0011】
前記テーブル20は、内周部に、基板保持部材10を回転可能に挿入する4個の基板保持部材挿入孔21を等間隔で配置するとともに、外周部に、前記内歯車付きリング30を回転可能に載置するリング保持縁22を設けたもので、基板保持部材挿入孔21の上縁部には、基板保持部材10のフランジ13を載置するベアリング23aと、基板保持部材10の中空円筒体胴部外周をガイドするベアリング23bとが設けられ、リング保持縁22の上面には、内歯車付きリング30の下面を支持するベアリング24aと、リング30の下面に設けられた周状突縁31の側面をガイドするベアリング24bとが設けられている。
【0012】
すなわち、テーブル20に対して、基板保持部材10は、その下半部を基板保持部材挿入孔21内に挿入した状態でベアリング23a,23bにより回転可能に支持され、リング30は、周状突縁31をベアリング24a,24b間に挿入した状態でテーブル20の外周部に回転可能に支持されるとともに、止めネジ3の頭部によりテーブル20に組付けられる。この組付け状態において、基板保持部材10とテーブル20とは、基板保持部材10の下端がテーブル20の下面と面一になり、基板保持部材10内に保持される基板2の気相成長面も、テーブル20の下面と面一になるように各部の寸法が設定されている。
【0013】
また、テーブル20の上面には、一対の逆L字型の係合部25が相対向するように突設されており、前記内歯車付きリング30の外周対向部には、係止突片32が突設されている。
【0014】
図3及び図4に示すように、上述の基板保持装置1は、テーブル20の外縁を支持するフォーク5により水平方向に搬送され、テーブル20の係合部25は、反応管(図示せず)の所定位置に設けられた円盤状の回転駆動部材6に側方から係合する。この状態で回転駆動部材6を僅かに上昇させてフォーク5を後退させると、テーブル20は、回転駆動部材6に係合部25が係合して吊上げられた状態となり、回転駆動部材6をモーター7等により回転駆動すると、回転駆動部材6とテーブル20及び該テーブル上の各部材が一体に回転する。そして、内歯車付きリング30の係止突片32は、該内歯車付きリング30がテーブル20とともに回転したときに、反応管内の所定位置に設けられた回転止め8に係止して内歯車付きリング30の回転を阻止する。
【0015】
これにより、回転止め8で回転を阻止された内歯車付きリング30に対してテーブル20が回転する状態となり、該テーブル20の基板保持部材挿入孔21に装着されている基板保持部材10がテーブル20とともに回転し、該基板保持部材10にセットされている基板2がテーブル20の回転軸を中心として公転する状態となる。
【0016】
さらに、基板保持部材10のフランジ13に設けられた外歯車12が内歯車付きリング30の歯に噛み合って基板保持部材10が回転するので、基板2は、テーブル20の回転により公転しながら基板保持部材10の回転により自転する状態となる。
【0017】
このように、気相成長面を下向きにして保持した基板2を公転させながら自転させることにより、公転のみ、あるいは自転のみの場合に比べて、薄膜の均一性を大幅に向上させることができ、フェースダウン型自体の利点であるパーティクルの付着防止効果と併せて、高品質な薄膜を効率よく製造することができる。
【0018】
なお、細部の構造は、上記構成に限定されるものではなく、保持する基板の大きさや枚数等により適宜な形状にすることが可能である。また、回転駆動部材や回転止めは、反応管内に設けた適宜な支持部材を介して設置すればよく、装置の大きさなどにより任意の構造を採用することができる。さらに、基板保持装置が保持する基板の交換は、従来と同様に、反応管の一側に基板交換室を設けることにより行うことができる。
【0019】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、フェースダウン状態で保持した基板を公転及び自転させながら気相成長を行うことができるから、基板の温度均一性や、形成される薄膜の均一性を大幅に向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】気相成長装置用基板保持装置の一例を示す平面図である。
【図2】同じく分解断面図である。
【図3】基板保持装置と反応管内の部材との関係を示す説明図である。
【図4】同じく平面図である。
【符号の説明】
1…基板保持装置、2…基板、3…止めネジ、4…均熱板、5…フォーク、6…回転駆動部材、7…モーター、8…回転止め、10…基板保持部材、11…基板支持部材、12…外歯車、13…フランジ、20…テーブル、21…基板保持部材挿入孔、22…リング保持縁、23a,23b,24a,24b…ベアリング、25…係合部、30…内歯車付きリング、31…周状突縁、32…係止突片

Claims (1)

  1. 気相成長装置の反応管内で、気相成長面を下向きにした基板を保持する基板保持装置であって、基板を保持する円筒状の基板保持部材と、該基板保持部材が回転可能に挿入される複数個の基板保持部材挿入孔を有する円盤状のテーブルと、該テーブルの外周に回転可能に支持される内歯車付きリングとを備え、前記基板保持部材は、中空円筒体の中空部底部に基板を支持する基板支持部材を有するとともに、中空円筒体の上部外周に、前記リングの内歯車に歯合する外歯車を備えたフランジを有し、前記テーブルは、その上面に反応管内の所定位置に設けられた回転駆動部材に係合する係合部を有し、前記リングは、反応管内の所定位置に設けられた回転止めに係止する係止突片を有していることを特徴とする気相成長装置用基板保持装置
JP31681995A 1995-12-05 1995-12-05 気相成長装置用基板保持装置 Expired - Fee Related JP3610376B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31681995A JP3610376B2 (ja) 1995-12-05 1995-12-05 気相成長装置用基板保持装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31681995A JP3610376B2 (ja) 1995-12-05 1995-12-05 気相成長装置用基板保持装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH09162128A JPH09162128A (ja) 1997-06-20
JP3610376B2 true JP3610376B2 (ja) 2005-01-12

Family

ID=18081277

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP31681995A Expired - Fee Related JP3610376B2 (ja) 1995-12-05 1995-12-05 気相成長装置用基板保持装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3610376B2 (ja)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4537566B2 (ja) 2000-12-07 2010-09-01 大陽日酸株式会社 基板回転機構を備えた成膜装置
KR100448180B1 (ko) * 2002-02-26 2004-09-10 디지웨이브 테크놀러지스 주식회사 화학기상증착장치의 반응기내 유성기어의 구조
JP4470680B2 (ja) 2004-10-12 2010-06-02 日立電線株式会社 気相成長装置
JP4706531B2 (ja) * 2006-03-27 2011-06-22 日立電線株式会社 気相成長装置
JP2008196031A (ja) * 2007-02-15 2008-08-28 Taiyo Nippon Sanso Corp 気相成長装置
KR100943090B1 (ko) * 2007-12-07 2010-02-18 주식회사 시스넥스 대면적 화학기상증착기용 유도가열장치
JP2012153927A (ja) * 2011-01-25 2012-08-16 Sharp Corp 回転支持構造を有する成膜装置
JP2013219217A (ja) * 2012-04-10 2013-10-24 Taiyo Nippon Sanso Corp 気相成長装置
JP2019137892A (ja) * 2018-02-09 2019-08-22 漢民科技股▲分▼有限公司 成膜装置
JP7257941B2 (ja) * 2019-11-28 2023-04-14 東京エレクトロン株式会社 自転駆動機構及び自転駆動方法、並びにこれらを用いた基板処理装置及び基板処理方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH09162128A (ja) 1997-06-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3610376B2 (ja) 気相成長装置用基板保持装置
JP2008121103A (ja) 真空蒸着装置
CN111206225B (zh) 3d蒸镀的公自转镀锅结构
JP2006114547A (ja) 気相成長装置
KR20070017673A (ko) 다중 기판의 화학 기상 증착 장치
KR940011099B1 (ko) 기상반응장치
JP2000282234A (ja) スパッタリング装置
JPH05275355A (ja) 気相成長装置
KR100674872B1 (ko) 다중 기판의 화학 기상 증착 장치
JP2009099770A (ja) 気相成長装置
JPH0794711B2 (ja) イオンプレーティング装置用回転テーブル
JP2542476B2 (ja) 自公転型気相成長装置
CN108330468B (zh) 一种化学气相沉积炉的基体支撑装置及基体旋转驱动装置
JP2945169B2 (ja) 半導体ウエハの気相成長装置
JPH0385724A (ja) 半導体気相成長方法およびその装置
JPH0710932U (ja) 気相成長装置
CN221645054U (zh) 一种样品位置转换组件
JPH08319560A (ja) 真空蒸着装置および真空蒸着方法
JPH04313220A (ja) 有機金属気相成長装置
JPH0343233Y2 (ja)
JPH0195514A (ja) 半導体気相成長装置
JPH0650980Y2 (ja) 基板回転機構付きカーボンペデスタル
JPH0510464U (ja) カルーセル型スパツタリング装置
JPS61181121A (ja) 半導体薄膜の製造方法
JPH11350116A (ja) 薄膜製造装置

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20040831

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20040927

R150 Certificate of patent (=grant) or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081029

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081029

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091029

Year of fee payment: 5

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees