JPS61180432A - パタ−ン検査方法 - Google Patents

パタ−ン検査方法

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JPS61180432A
JPS61180432A JP60019919A JP1991985A JPS61180432A JP S61180432 A JPS61180432 A JP S61180432A JP 60019919 A JP60019919 A JP 60019919A JP 1991985 A JP1991985 A JP 1991985A JP S61180432 A JPS61180432 A JP S61180432A
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JP
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pattern
signal
circuit
memory
layer
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JP60019919A
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Yozo Ouchi
大内 洋三
Haruo Yoda
晴夫 依田
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Hitachi Ltd
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Hitachi Ltd
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26

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  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、半導体素子及びその製造に用いられるマスク
等のパターン検査方法に係り、特に複数種類の単位パタ
ーンが一定の規則で繰返されているようなパターンの検
査に好適なパターン検査方法に関する。
〔発明の背景〕
以下に図を用いて従来のパターン検査方法を説明する。
第2図は従来のパターン検査方法の説明図である。なお
第2図において、21は被検査パターン、22は光学系
、23はイーメジセンサ。
24は比較部、25はパターン発生部、6は磁気テープ
装置である。この種の装置としては、「電子材料、 1
982年6月、第50〜54頁「レチクル・マスク自動
欠陥検査装置ヨ栗村大吉著」に示されるものがある。本
検査方法では、あらかじめ磁気テープ等の記憶装置に検
査対象となるパターン全体を基準パターンとして用意し
、イメージセンサ23が被検査パターン21を走査して
得た信号と磁気テープ装置26から読み出された信号と
を比較部24で比較照合し、パターン異常部を検出して
いる。しかし、本検査方法は、パターン全体のデータを
用いるため、取り扱うデータ量が膨大となり、装置が大
きくなるという欠点がある。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、このような従来方式の問題点を克服し
てパターンに関する設計データを効果的に利用すること
によって、複数種類の単位パターンから構成される被検
査パターンを能率よくかつ比較的小規模の装置構成で実
現可能なパターン検査方法を提供することにある。
〔発明の概要〕
本発明の要点は、前記の目的を達成するために、必要最
小限の単位パターンのみをメモリに格納し。
該単位パターンを一定の規則で読出すことによって被検
査パターンと同一のパターンを発生させ。
これを基準として、被検査パターン走査信号と比較照合
するところにある。
第3図、第4図を用いて本発明のパターン検査方法の基
本的な考え方を説明する。両図において、被検査パター
ン31.41を光学結像系32゜42を介してイメージ
センサ33,43により走査し、さらにA/D変換部3
4.44を介してディジタル化した走査信号を得る。一
方被検査データに関するパターン設計データに基づいて
、前述した単位パターンをパターンメモリ35.45に
格納するとともに、単位パターンの接続規則をパターン
読出部36.46に記憶させる。該パターン読出部36
.46では、先に述べた被検査パターン走査信号に同期
して、パターンメモリ35゜45からパターン接続規則
にしたがってパターンデータを発生する6第3図に示し
たように、被検査パターン走査信号及びパターンデータ
を比較部37で比較することにより、被検査パターンの
欠陥検出が可能となる。また第4図に示したように一旦
メモリ48に格納した被検査パターン走査信号を基準と
して、これとメモリ48を介さない被検査パターン走査
信号とを比較部49によって比較し、被検査パターンの
欠陥検出を行い、さらにこの欠陥信号が前述したパター
ンデータのどの位置に存在するかを比較部47にて比較
することによって求めるという、錐より詳細な検査が可
能となる。
以上のようにパターンデータを参照することによって高
機能の検査が実現できる。とくに、本発明のパターンデ
ータ参照方法は、予め格納しておくパターンデータの容
量を少なく押えることが可能であるため、上記の機能を
比較的小規模の装置で実現できる。
〔発明の実施例〕
以下本発明の一実施例を第1図、第5図〜第11図によ
って詳細に説明する。本実施例は第4図の例に対応する
ものである6第1図は本発明を用いたパターン検査装置
の全体構成図である。図において、1〜6は被検査パタ
ーンを撮像して電気信号に変えるための撮像系、7〜1
0は撮像系により得られた映像信号から被検査パターン
上の欠陥を検出した後、欠陥の特徴量を算出し、その結
果を格納する欠陥検査部、12〜14はパターンに対す
る検出欠陥の特徴量を算出するために用いるパターンデ
ータの続出部である。
まず撮像系について説明すると1図において1は被検査
パターン、2は被検査パターンを固定し移動させるため
の移動台、3は位置検出器、4は移動台制御回路、5は
照明器、6は被検査パターンの像を1次元的に走査して
電気信号に変換するラインセンサを示す。被検査パター
ン1は移動台上に固定され、移動台は移動台制御回路4
によってX方向に等速移動される。被検査パターン1は
照明器5によって照明され、その像はラインセンサ6に
よって結像する。同期信号発生回路16から発せられる
同期信号にしたがってラインセンサを繰返し駆動するこ
とによって被検査パターン1の像が映像信号S6として
出力されることになる。
さて、いま第5図に示したような複数の層で構成される
パターンを被検査パターンとする。第5図において、そ
の部分領域である(a)、(b)、(c)は同一のパタ
ーンである。そこでこの繰返しパターンのX方向の幅だ
けステージを移動するごとに、繰返しパターン内の同一
位置の映像信号が繰返して出力されることになる0次に
欠陥検査部について説明する。第1図において、7はA
/D変換器、8は入力映像信号を指定クロック遅らせ映
像信号を一時的に保持するための遅れ回路、9は遅れ回
路8を経由した映像信号を経由しない映像信号とを比較
するための比較回路、10は、パターンデータ発生部か
らのパターンデータを参照し、比較回路9で得られた信
号から検出欠陥の特徴量を算出しそれを格納するための
特徴抽出回路である。
さて、まず撮像系からの映像信号S6をA/D変換し、
ディジタル信号S7に変換する。このディジタル信号S
7は、前述した遅れ回路8に転送される。ここで被検査
パターンが、第5図に示したような繰返し性のあるパタ
ーンであるとき、遅れ回路8ではそのパターンの繰返し
幅に対応した時間分遅らせる。このとき、遅れ回路8の
出力信号S8には、A/D変換変換比力信号S7に対し
て繰返パターン前の映像信号が出力される。比較部9で
は、これら2つの映像信号S7.S8を入力し、両者の
差分信号を得た後、2値化処理を行う。
先に述べたように、映像信号S7.S8は、異なる繰返
パターン内の同一位置を走査して得たものであるため、
その差分信号は理想的には零となる。
しかし、比較パターン位置のどちらかに正常パターンと
は異なる部分が存在した場合、その部分に対応した差分
信号は、非零の値を示すことになる。
そこで5差分信号を適切な閾値で2値化すれば、欠陥領
域のみが1′となり、他がl □ l となる欠陥検出
信号S9が得られる。さらに欠陥特徴抽出回路10では
、欠陥信号S9に基づいて面積、位置など、欠陥領域に
関する特徴量S10を導出する。またこのとき、パター
ンデータ発生部から得られる被検査パターンに関する層
別、領域列のパターンデータを参照し、層別領域別に欠
陥特徴量を算出する。
さて上述した欠陥検査の開始、終了は、起動制御回路1
5によって管理する。この起動制御回路の詳細を第7図
に示す。図においてブロック151゜152はレジスタ
であり、検査に先立って計算機17から信号5171と
して検査開始座標X8、検査終了座標X、が書込まれる
。S3は位置検出器の出力信号であり、移動台の現在位
置X、Yが常時S3として一致回路153,154に入
力されている。ブロック155は一致回路の出力信号5
153.5154によってセット、リセットされるフリ
ップフロップである。検査開始とともに移動台がX方向
に移動を開始し、S3の位置Xがレジスタ151の検査
スタート座@X、に一致すると、フリップフロップ15
5がセットされ出力信号S15が1′となり、移動台が
さらに移動しレジスタ152の検査終了座標X6に一致
するとフリップフロップ155がリセットされS15が
0′となる。この検査信号S15は、第1図に示した同
期信号発生回路16に送られ、ここで欠陥検査部の同期
信号8163を発生する。同期信号発生回路16の詳細
は第8図に示した通りであり、同期信号発生器161か
ら発せられる同期信号8161は、前述したラインセン
サへの同期信号となる。さらに、同期信号8161と検
査信号S15との論理積をとった信号8165を発生す
る。−力筒1図における続出回路13では、検査部の動
作の一時的な停止を指定するためのクロック停止信号5
132を発生する。この信号は、被検査パターンの中で
、繰り返しパターン領域とは異なるパターン領域の検査
を省略するために用いる。このクロック停止信号513
2と前述の同期信号8165との論理積により得られる
信号8163が欠陥検査部への同期信号となる。また、
同期信号発生回路16には、これらの同期信号とは別に
、ラインセンサが何番目の画素を走査しているかを常時
検出できるように、ラインセンサの画素数Nを法(モー
ド)として同期信号8161のクロックをカウントする
Nmカウンタ162を付加している。このカウンタから
はカウンタ量5164及びキャリー信号8162が出力
される。
このカウンタデータは検出した欠陥の位置を知るために
用いられる。またキャリー信号8162は、ラインセン
サの全画素を走査終了する毎に発生するライン同期信号
であり、第1図に示したパターンデータ発生部内のパタ
ーンメモリ読出回路13への同期信号となる。
次に、パターンデータ発生部から得られる被検査パター
ンデータを参照し、層別、領域別に欠陥特徴量を算出す
る欠陥特性抽出回路10の具体的な実施例を、第9図を
用いて説明する。図におい1キ て、101klラインシフトレジスタ、102は1画素
シフトレジスタである。この回路を同期信号8163で
起動し、′欠陥′映像信号S9に対する5層5画素の局
所領域映像信号を得る。ブロック103,104は加算
器であり、並列出力された5層5画素の局所映像の中か
ら′1″の数を総和する。入力信号S9は欠陥部分が′
1′となる′欠陥′映像であるるので′1′の数は5層
5局所領域内の欠陥面積を示す。そこで欠陥面積信号5
104を閾値5171と比較回路105で比較すれば、
出力信号5105はある程度以上欠陥が大きい場合のみ
′1′、他は′0′になりわずかなノイズによって生じ
る1欠陥1信号を欠陥と誤まることなく欠陥判定するこ
とができる。比較回路105によって′1′が出力され
ると、それに対応した欠陥の面積5104がレジスタ1
06に、その時点での移動台座標信号53(X、Y)と
ラインセンサの走査位置信号8164が夫々レジスタ1
07a、bにセットされ、さらにワンショット回路10
8によってタイミングがとられて欠陥データメモリ10
9に記憶される。ここで得られた欠陥の特徴データは、
信号SIOとして第1図ビおける計算機17に読みとら
れる。
以上によって、′欠陥′信号S9を入力信号としたとき
の欠陥領域全体についての特徴量の算出方法を説明した
。一方、後述する領域分割回路14からパターンに関す
る層別、領域別の信号が並列して出力される。すなわち
、第5図のようにパターンがA層、B層、0層の3つの
層で構成されている場合について説明する。ただし、0
層は、A層、B層よりも下層であって、図示されていな
い。0層はA層と重なる部分を有する。A層内部パター
ン信号5141.A層境界部信号5142、A層外B層
内部信号5143、A層内B層境界部信号5144、A
層外B層境界部信号5144、A層外B層境界部信号5
145、A層内C層境界部信号8146の6種類のパタ
ーン部分領域信号が、同期信号8163に同期して出力
される。これらの信号の各々と′欠陥″信号S9との論
理積をとることによって1部分領域内部に存在する欠陥
領域のみが′1′、他はI O+ になる欠陥信号が得
られる。そこで、これら6種類の′欠陥′信号の各々に
、前述した面積算出回路110を割当てることによって
、パターン部分領域毎の欠陥面積を得ることができる。
これらの面積データは、すべて欠陥データメモリ109
に格納し、さらに計算機17に送られる。ここで、0層
については。
A層内C層境界部部分の欠陥しか検出していないのは、
この部分以外の0層について欠陥が生じても、チップに
影響がなく、特に検出するまでもないからである。
次に本発明の根幹である層別・領域別のパターンデータ
の発生部について詳しく説明する。被検査パターンデー
タの例としては、第5図に示したパターンを用いる。第
5図のパターンは、A層とB層の2層からなり、A層パ
ターンは、(a)。
(b)、(c)の部分領域を単位として繰り返されてい
る。また、これらの繰り返しの単位となるパターンは、
鏡像パターンも同一パターンと見做せばさらに小さい部
分パターンから構成されている。
すなわち、A層は、第6図に示した(a)、(b)から
構成され、B層は、第6図(c)の部分パターンで構成
されている。したがって基本的な考え方として、メモリ
には繰り返しの単位となる部分パターンのみを層別に記
憶し、これらを一定の規則にしたがって繰り返し読み出
すこととする。以上の考え方にもとづくパターンデータ
発生部の具体的実施例を第10図〜第11図を用いて説
明する。
まず第10図はパターンデータ読出回路の詳細な説明図
である。ここでは、第1図における起動制御回路15か
らの検査開始信号S15を入力信号として、層別パター
ンメモリ12の続出アドレス信号5131及び検査部の
クロックを停止するためのクロック停止信号5132を
出力する。ただし、層別パターンメモリはラインセンサ
のライン画素数単位にアドレス付けされている。なお、
第10図において、101はパターンメモリ読出しテー
ブルメモリであり、アドレスカウンタ102によって指
し示されたアドレスの内容が読出される。各アドレスに
は、パターンメモリの先頭アドレス、最終アドレス、ク
ロック停止指定データ、パターンメモリ読出し方向デー
タの4種類のデータを予め格納しておく。一連の動作を
信号の流れにしたがって説明する。まず検査開始信号S
15の立上がりをとらえてアドレスカウンタ102が動
作し、現在のカウンタ値が出力される。さらに、カウン
タの内容はクロックに同期して逐次更新される。なお、
アドレスカウンタ102の初期値には、予め計算機から
与えられた読出テーブルアドレスをセットする。すなわ
ち計算機から続出回路内部のレジスタへ読出しテーブル
メモリ先頭アドレス、読出テーブルメモリ最終アドレス
、ステージ移動方向が与えられる。これらのデータを読
出し、選択回路103を介して、ステージ移動方向が正
のときは、指定した読出しテーブルメモリ先頭アドレス
をアドレスカウンタ102にセットし、ステージ移動方
向が負のときは、最終アドレスをアドレスカウンタの初
期値としてセットする。またアドレスカウンタの更新は
、ステージ移動方向が正ならば順次増加させ、ステージ
移動方向が負ならば順次減少させる。
さて、パターンメモリ続出アドレステーブルメモリ10
1は、アドレスカウンタ102によってアドレス指定さ
れることにより、前述した4種類のデータが読出される
。このうち、パターンメモリ先頭アドレス及びパターン
メモリ最終アドレスは、それぞれ選択回路104,10
5へ送られる。
またパターンメモリ読出方向データも、ステージ移動方
向と排他的論理和をとった後、選択回路104.105
へ制御信号として送られる。ステージ移動方向、パター
ンメモリ読出方向が共に正または負のときは、選択回路
104ではパターンメモリ最終アドレスが出力され、選
択回路105ではパターンメモリ先頭アドレスが出力さ
れる。
また、ステージ移動方向及びパターンメモリ読出方向が
上記以外の条件の場合、選択回路104゜105では、
それぞれ上記と反対のアドレスが選択される。
ステージ移動方向、パターンメモリ読出方向が共に正の
場合について説明する。選択回路105では、前述した
ようにパターンメモリ先頭アドレスが出力され、アドレ
スカウンタ106の初期値として設定される。またこの
ときのアドレスカウンタの更新方向は選択回路104の
制御信号によって決定され、ライン同期信号8162に
同期して逐次増加する。さらに、アドレスカウンタ10
6の開始及び初期設定は、検査開始信号S15と一致回
路107の出力信号8107とを論理和した信号に基づ
いて実行される。したがって、検査開始信号S15が立
上がるタイミングで、パターンメモリ読出開始テーブル
メモリ101に格納しであるパターンメモリ先頭アドレ
スを初期値としてアドレスカウンタ106にセットし、
以後ライン同期信号8162に同期して逐次増加出力さ
れることとなる。このようにして、ラインセンサのライ
ン画素数単位にアドレス付けされている層別パターンメ
モリへの指定アドレスを得ることができる。
一方、ステージ移動方向、パターンメモリ読出方向が共
に正のとき1選択回路104からは、パターンメモリ最
終アドレスが出力され、−数回路107へ送られる。−
数回路107では、このパターンメモリ最終アドレスと
アドレスカウンタ106のカウンタ出力データとが一致
したとき。
すなわち、パターンメモリ指定アドレス5131がパタ
ーンメモリ最終アドレスに一致する迄更新したとき、ワ
ンショットパルスを出力し、クロヅク信号としてアドレ
スカウンタ102へ送られる。
アドレスカウンタ102では、この信号を受けてそのカ
ウンタデータを更新し、パターンメモリ読出しテーブル
メモリ101の読出しアドレスを変更するとともに、前
述したパターンメモリ指定アドレスの発生動作を繰り返
す。但し、アドレスカウンタ106の再開始及び初期設
定については、今度は一致回路107の出力信号510
7に基づいて行う0次に、パターンメモリ読出しテーブ
ルメモリ内のパターン読出方向が逆の場合について説明
する。このとき、アドレスカウンタ106の初期値には
、パターンメモリ最終アドレスが設定され、パターンメ
モリ指定アドレス5131は。
パターンメモリ最終アドレスを逐次減少していくデータ
となる。一方、パターンメモリ読出しテーブルメモリ内
のクロック停止データは、クロック停止信号5132と
して読み出され、同期信号発生回路へ送られる。
以上によって、第1図におけるパターンデータ読出し回
路13の動作を説明した。
さて、読出し回路13の使用例として、第5図に示した
2層パターンのうちA層を読出す場合について説明する
。このとき、第10図でのパターンメモリ読出しテーブ
ルメモリ101には以下のデータを設定する。まずテー
ブルメモリ101の先頭アドレスの内容として、層別パ
ターンメモリに格納した第6図における部分パターン(
a)。
(b)のうち1部分パターン(a)の先頭、終了アドレ
スを格納するとともに、クロック停止は行わず、パター
ン読出方向をアドレス増加方向によるように指定する。
読出テーブルメモリのこれに続くアドレスの内容として
4よ、今度は第6図における部分パターン(b)の先頭
、終了アドレスを格納する。
さらに、続出テーブルメモリの次のアドレスには、再び
第6図における部分パターン(a)の先頭、終了アドレ
スを格納する。ただし、このときのパターン読出方向は
、アドレス減少方向になるように指定する。パターンメ
モリ続出テーブルメモリにおいて、以上の3つの連続し
たアドレスを順次読出すことによって、第5図に示した
繰返しパターン(a)が読み出されることになる。第5
図(b)。
(Cン、(Q)、(f)は、繰返しパターン(a)と全
く同一・のパターンであり、前述した繰返しパターン(
a)を読み出す場合と同じ要領で読出すことができる。
これに対して、第5図(d)の領域には繰返しパターン
が存在しないためこの領域では、欠陥の検出ができない
。このためパターンメモリ読出テーブルメモリにおいて
、パターンメモリ先頭アドレス、終了アドレスとしてこ
の領域に相当する範囲を指定し、かつクロック停止を指
定する。こうすることによって、パターンデータが(d
)の領域を読出している間、欠陥検出動作は停止する。
したがって、第5図の(a)から(f)に至る検査では
、あたかも領域(d)が存在しなかった如く連続した検
査が実現できる。以上は、第5図におけるA層の読出し
方法について述べたが、B層についでもA層を読出す場
合と全く同じ回路によって実現できる。とくに、AM、
B層とで、パターンメモリ読出しテーブルメモリの内容
を一致するように設定すれば、パターン読出回路を共用
することができる。以上の考え方は、Jii/パターン
が3M1以上の場合にも拡張できることは明らかである
次に、このようにして得られた層別パターンデす 一夕をさらに1部分領域に分割たるための第1図に示し
た領域分割回路14を、第11図を用いて説明する。一
般に、欠陥の致命度を見極めるためには、欠陥の大きさ
、欠陥の存在層の他に、断線、欠け、ショート、突起な
どのように層パターンの境界部に関わる欠陥であるか、
ピンホールなどのように層パターンの内部に存在する欠
陥であるがを識別することが重要となる。第11図では
、層別パターンメモリー2からのAjl、B層、C14
3種類の層別パターン発生データを入力データとして、
A層内部、A層境界部、A層外B層内部、A層内B層境
界部、A層外B層境界部、A層内C層境界部の6種類の
部分領域データを生成する。すなわち、層別パターンメ
モリからは、同期信号8163に同期して、層別のパタ
ーンデータが並列に出力され、エツジ検出回路141,
142゜143へそれぞれ送られる6各工ツジ検出回路
の前段には、1ラインシフトレジスタと1画素シフトレ
ジスタを配し、3X3画素の局所領域信号を生成する。
さらに、局所領域内の中心画素の値が11′でかつその
周辺8画素のうち少なくとも1つの画素が′0′の場合
についてのみその中心画素の値を′1′、他の場合を′
0′とする処理を行うにのようにして、パターンデータ
のエツジデータを生成する。さらに、これらの層別のエ
ツジデータとエツジ検出回路を介さない層別パターンデ
ータとの間で論理演算することによって前述した6種類
の部分領域データを得る。これらの部分領域データは、
先に詳述した第1図における欠陥特徴抽出回路10へ送
られる。
以上の説明によって、本発明が具体的に実施可能である
ことは明示された。
本実施例においては、遅れ回路をもつ2パタ一ン比較方
式を説明したが、本発明の内容は、いったん基準パター
ンを記憶し、入カバターンと基準パターンとを比較する
方式にも適用可能である。
次に、もう一つ別の実施例を説明する。本実施例は第3
図の例に対応するものである。第12図は、本発明を用
いたパターン全体構成図である。
第1図に示した回路と同一のものは、同一符号が付しで
ある。比較回路9の入力データの一方を。
濃淡メモリ18の出力データとすることが、第1の実施
例と異なる。すなわち1本実施例では、層別パターンメ
モリ12に格納したデータと、ラインセンサ6を介して
入力した被検査パターンの映像データとを直接比較する
以下、この比較方法について説明する。層別パターンメ
モリ12からパターンデータを発生する方法は、第1の
実施例と全く同様である。パターンメモリ12から並列
して出力されるA層、B層。
0層の3層分のパターンデータは領域分割回路14′に
転送される。領域分割回路14’では、第13図に示し
たように1例えばA層パターンデータに対しては、A層
内部領域を1′、それ以外の領域を0′とする2値信号
5141’ 、及びA層境界部領域′1′、それ以外の
領域をO′とする2値信号5L42’の2つの2値信号
を得る。したがって3層分のパターンデータに対しては
、計6本の2値信号が出力される。これらの6本の2値
信号は、第12図における濃淡メモリ18のアドレスデ
ータとして使用される6′a淡メモリ18には、第14
図に示したように、パターン部分領域の明るさデータを
格納しておく。すなわち、例えば、層パターンの注目画
素がAFjパターン外部でかつB層パターン外部でかつ
C層パターン外部に位置するとき、領域分割回路14′
からの6本の2値信号はすべて(01の値を示し、濃淡
メモリ18に対しては、第0番地を指定する。
濃淡メモリ18の第0番地には、A層領域であすかつ8
層領域であり、かつC層領域である部分領域に対する明
るさが格納されており、この値が読み出される。このよ
うにして、被検査パターンに対応した濃淡パターンを合
成することができる。
以上の方法によって合成した濃淡データS18とライン
センサを介して実際に入力した被検査パターン映像デー
タS7とを比較回路9にて比較する。
比較回路9では、互いに比較する2つのパターンデータ
を、対応する画素ごとに差分した後、絶対変換処理、2
値化処理を施し、欠陥領域を1′とする′欠陥′パター
ンデータを得る。
これらの実施例の変形として、特定の部分領域をマスク
領域にして、この領域での欠陥検出を無視することが可
能である。これは、パターン境界部分のように、明かる
さの変動が大きく、濃淡データを簡単に割当てることが
できない場合に有効な方法である。具体的な実現方法と
しては、領域分割回路で得られた複数の部分領域信号の
うちの特定のいくつかの信号を論理和した信号、または
、領域分割回路で得られた部分領域信号をデコードした
信号のうちの特定のいくつかの信号を論理和した信号を
、′欠陥′パターンのマスク信号として使用することに
よって実現できる。
〔発明の効果〕
本発明によれば、参照するパターンデータとして、パタ
ーンを構成する複数種類の単位パターンのみを記憶すれ
ばよいため、検査装置の小型化が計られる。とくに、記
憶したパターンデータの鏡像データが読出せるため、記
憶するパターンデータをさらに少なくすることができる
。さらに、パターンデータの参照機能をもった検査を、
実時間で行うことが可能であり、高速で高精能のパター
ン検査が実現できる。また、実時間検査動作の一時的な
停止が実現可能なため、パターン中に、特殊なパターン
が含まれていても、連続した検査が可能である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例を示す全体構成図、第2図は従
来技術の説明図、第3図及び第4図は本発明の概要を示
す説明図、第5図は被検査パターン例、第6図は第5図
のパターンの単位パターン、第7図は起動制御回路の詳
細説明図、第8図は同期信号発明の詳細説明図、第9図
は欠陥特徴抽出回路の詳細説明図、第10図は続出回路
の詳細説明図、第11図は領域分割回路の詳細説明図、
第12図は本発明の他の実施例を示す全体構成図、第1
3図は第12図の実施例に用いる領域分割回路の詳細説
明図で、第14図は濃淡メモリの詳細な説明図である。 1・・・被検査パターン、2・・移動台、3・・・位置
検出器、4・・・移動台制御回路、5・・・照明器、6
・・・ラインセンサ、7・・・A/D変換器、8・・・
遅れ回路、9・・・比較回路、10・・・・・・欠陥特
徴抽出回路、12・・・層別パターンメモリ、13・・
・読出回路、14・・・領域分割回路、15・・・起動
制御回路、16・・・同期信号発明 第2図 第3図 頁 4 図 扁5図 U 冨 6 図 (^)    (b)    <(1)v  7 図 ン ■ 3 図 篤 10 図 ハ書ターンメとリシεth(テーノ′ルメLす■11図 第12図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、複数種類の単位パターンから構成されるパターンの
    検査において、検査すべきパターンに対する標準パター
    ンの構成要素となる複数種類の単位パターン及び該単位
    パターンの接続情報を記憶し、該接続情報に基づいて再
    構成して該標準パターンを得、該標準パターンと、被検
    査パターンを比較することを特徴とするパターン検査方
    法。 2、複数の層からなる被検査パターンに対して、単位パ
    ターンデータを層別に記憶することを特徴とする特許請
    求の範囲第1項記載のパターン検査方法。
JP60019919A 1985-02-06 1985-02-06 パタ−ン検査方法 Pending JPS61180432A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0485540A (ja) * 1990-07-30 1992-03-18 Fujitsu Ltd 検査装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54113262A (en) * 1978-02-24 1979-09-04 Hitachi Ltd Mask inspection unit
JPS57130423A (en) * 1981-02-06 1982-08-12 Hitachi Ltd Apparatus for pattern inspection

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54113262A (en) * 1978-02-24 1979-09-04 Hitachi Ltd Mask inspection unit
JPS57130423A (en) * 1981-02-06 1982-08-12 Hitachi Ltd Apparatus for pattern inspection

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0485540A (ja) * 1990-07-30 1992-03-18 Fujitsu Ltd 検査装置

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