JPS61180075A - 電歪体駆動の可変絞り弁 - Google Patents
電歪体駆動の可変絞り弁Info
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- JPS61180075A JPS61180075A JP2133685A JP2133685A JPS61180075A JP S61180075 A JPS61180075 A JP S61180075A JP 2133685 A JP2133685 A JP 2133685A JP 2133685 A JP2133685 A JP 2133685A JP S61180075 A JPS61180075 A JP S61180075A
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- Japan
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- fluid
- flow
- valve
- throttle valve
- valve body
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- Electrically Driven Valve-Operating Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電圧の印加に応じて伸縮する電歪体を利用し
て弁体を駆動する電歪体駆動の可変絞り弁に関するもの
で、油圧回路等の高応答性絞り弁として用いて有効であ
る。
て弁体を駆動する電歪体駆動の可変絞り弁に関するもの
で、油圧回路等の高応答性絞り弁として用いて有効であ
る。
従来、油圧回路等の流量制御に用いられる絞り弁は、モ
ータ等の駆動源により絞り弁体を開閉して制御が行われ
てきた。ところが近年、エレクトロニクスの進歩により
、油圧回路も電気的な制御が行われるようになってきた
。このため、モータ等による制御では、十分な応答速度
が得られないという問題が生じた。そこで、リニアソレ
ノイド等によって制御される開閉弁、もしくは絞り弁が
提案されている。
ータ等の駆動源により絞り弁体を開閉して制御が行われ
てきた。ところが近年、エレクトロニクスの進歩により
、油圧回路も電気的な制御が行われるようになってきた
。このため、モータ等による制御では、十分な応答速度
が得られないという問題が生じた。そこで、リニアソレ
ノイド等によって制御される開閉弁、もしくは絞り弁が
提案されている。
また一方で、電歪効果を有する電歪素子が、電気的制御
に対して極めて応答速度が速いということで、様々の用
途のアクチュエータとして検討されている。ところが、
電歪素子を複数積層してその全体の変位量を増大するよ
うにしたものにおいて、数百ポルトの高電圧を印加して
も、その伸び量(変位量)は数十ミクロンと非常に少な
いという欠点をもつ。この欠点の改善案として、電歪素
子の変位を大面積のピストンから、密封空間に封入され
た非圧縮性液体を媒体として、小面積のロッドに伝達す
る、いわゆるパスカルの原理を応用した変位量拡大機構
を用いるものが考案されている。ところが、上記変位量
拡大機構は、封入される液体及び他の構成部材が温度変
化によって熱膨張するために、温度変化に対して影響を
まぬがれることができない。あるいはその拡大率が上記
ピストンとロッドの面積比に依存するためにせいぜい数
十倍であるといった問題点を有していることが判明した
。
に対して極めて応答速度が速いということで、様々の用
途のアクチュエータとして検討されている。ところが、
電歪素子を複数積層してその全体の変位量を増大するよ
うにしたものにおいて、数百ポルトの高電圧を印加して
も、その伸び量(変位量)は数十ミクロンと非常に少な
いという欠点をもつ。この欠点の改善案として、電歪素
子の変位を大面積のピストンから、密封空間に封入され
た非圧縮性液体を媒体として、小面積のロッドに伝達す
る、いわゆるパスカルの原理を応用した変位量拡大機構
を用いるものが考案されている。ところが、上記変位量
拡大機構は、封入される液体及び他の構成部材が温度変
化によって熱膨張するために、温度変化に対して影響を
まぬがれることができない。あるいはその拡大率が上記
ピストンとロッドの面積比に依存するためにせいぜい数
十倍であるといった問題点を有していることが判明した
。
そこで、本発明は上記の点に鑑みてなされるもので、そ
の目的は、応答速度の極めて速い電歪素子を利用し、か
つその電歪素子の微少変位量を拡大し、しかも温度変化
に対して影響を受けることのない可変絞り機構を提供す
ることにある。
の目的は、応答速度の極めて速い電歪素子を利用し、か
つその電歪素子の微少変位量を拡大し、しかも温度変化
に対して影響を受けることのない可変絞り機構を提供す
ることにある。
上記問題点を解決するための手段として、非圧縮性流体
の流通する流路(7,8)の流通面積を変化する弁体(
9)を有する絞り弁において、電圧の印加に応じて伸縮
する電歪体(1)と、この電歪体(1)の伸縮によって
前記流路(7,8)から流体が流入するのみを許容する
、もしくは前記流路へ流体が流出するのみを許容するこ
とによって流体量が変化する空間、(ポンプ室10、も
しくは作動室18)とを設け、この空間の流体量に応じ
て前記弁体(9)が移動するようにしたことを特徴とす
るものである。
の流通する流路(7,8)の流通面積を変化する弁体(
9)を有する絞り弁において、電圧の印加に応じて伸縮
する電歪体(1)と、この電歪体(1)の伸縮によって
前記流路(7,8)から流体が流入するのみを許容する
、もしくは前記流路へ流体が流出するのみを許容するこ
とによって流体量が変化する空間、(ポンプ室10、も
しくは作動室18)とを設け、この空間の流体量に応じ
て前記弁体(9)が移動するようにしたことを特徴とす
るものである。
以上のように構成すると、電圧の印加に応じて伸縮をす
る電歪体(1)の変位によって空間(10、又↓よ10
と18)が容積変化する。この変化に伴って空間(10
)には、流路(7,8)から流体が流入する、もしくは
流路(7,8>へ流体が流出することによって、その空
間内を満たす流体量が増加、もしくは減少して変化する
。この空間内の流体量の変化は、弁体(9)に作用して
弁体(9)を変位させて、弁体(9)が流路の流通面積
を変化させることになる。
る電歪体(1)の変位によって空間(10、又↓よ10
と18)が容積変化する。この変化に伴って空間(10
)には、流路(7,8)から流体が流入する、もしくは
流路(7,8>へ流体が流出することによって、その空
間内を満たす流体量が増加、もしくは減少して変化する
。この空間内の流体量の変化は、弁体(9)に作用して
弁体(9)を変位させて、弁体(9)が流路の流通面積
を変化させることになる。
以下、本発明の第1実施例を図面に基いて説明する。
第1図は第1実施例の可変絞り弁を、その中心軸に沿っ
て切断して示す縦断面図である。
て切断して示す縦断面図である。
第1図において、可変絞り弁は、流体の流通する流路7
,8と、流路7,8の流通面積を変化させる弁体9と、
電歪素子積層体1によって容積変動するポンプ室10、
ポンプ室10内への流体の流入のみを許容する逆止弁1
1とを具備する。
,8と、流路7,8の流通面積を変化させる弁体9と、
電歪素子積層体1によって容積変動するポンプ室10、
ポンプ室10内への流体の流入のみを許容する逆止弁1
1とを具備する。
電歪素子積層体1は、円柱上のハウジング2内に穿設さ
れた円筒状の穴2a内に配設されており、その下端面は
円盤状の取付板3に同心円上に固定され、その上端面に
はピストン4が設けられている。ピストン4は、ハウジ
ング2内の円筒状の穴2aの軸方向に摺動自在で、かつ
油密的に設けられて、電歪素子積層体1によって図中上
下方向に駆動変位される。また、電歪素子積層体1は、
薄い(約0.5m)円盤状の電歪素子を数十枚積層して
円柱状にしたものである。電歪素子はPZTと呼ばれる
セラミックであり、チタン酸−ジルコン酸鉛を主成分と
しており、その厚み方向の数百Vの電圧を印加すると約
μm伸びる。この電歪素子を数十枚積層して、各々の素
子の厚み方向に上記電圧を印加すると、全体として数十
μmの伸長が得られる。この電圧を解除するか又は若干
の負電圧を印加すれば縮小して元の長さに戻る。
れた円筒状の穴2a内に配設されており、その下端面は
円盤状の取付板3に同心円上に固定され、その上端面に
はピストン4が設けられている。ピストン4は、ハウジ
ング2内の円筒状の穴2aの軸方向に摺動自在で、かつ
油密的に設けられて、電歪素子積層体1によって図中上
下方向に駆動変位される。また、電歪素子積層体1は、
薄い(約0.5m)円盤状の電歪素子を数十枚積層して
円柱状にしたものである。電歪素子はPZTと呼ばれる
セラミックであり、チタン酸−ジルコン酸鉛を主成分と
しており、その厚み方向の数百Vの電圧を印加すると約
μm伸びる。この電歪素子を数十枚積層して、各々の素
子の厚み方向に上記電圧を印加すると、全体として数十
μmの伸長が得られる。この電圧を解除するか又は若干
の負電圧を印加すれば縮小して元の長さに戻る。
またピストン4の上面の外周に沿っては、0リング5が
設けられており、Oリング4はピストン4の上下変位を
吸収して変形する。尚、電歪素子積層体1は、図中下方
向より約100〜200 kg重程度の荷重を加えた状
態で、固定部材6及び固定せぬボルト等の固定手段によ
ってハウジング1に固定されている。また、取付板3及
びピストン4には、積層体1と当接又は固定される側端
面に、環状の溝3a、4aが形成されて、積層体1の上
下端面の外周部分が直接的に取付板3及びピストン4と
接触しない構造である。またハウジング2の円筒状の穴
2aは、連通路2bを介して外部と連通しており、電歪
素子積層体1はこの連通路2bを介して図示せぬリード
線によってパルス電圧が印加される。
設けられており、Oリング4はピストン4の上下変位を
吸収して変形する。尚、電歪素子積層体1は、図中下方
向より約100〜200 kg重程度の荷重を加えた状
態で、固定部材6及び固定せぬボルト等の固定手段によ
ってハウジング1に固定されている。また、取付板3及
びピストン4には、積層体1と当接又は固定される側端
面に、環状の溝3a、4aが形成されて、積層体1の上
下端面の外周部分が直接的に取付板3及びピストン4と
接触しない構造である。またハウジング2の円筒状の穴
2aは、連通路2bを介して外部と連通しており、電歪
素子積層体1はこの連通路2bを介して図示せぬリード
線によってパルス電圧が印加される。
ハウジング2には、非圧縮性液体例えば作動油等の作れ
る流路7,8が形成されている。流路7゜8の間には、
スプール弁体9が図中上下方向に摺動自在に設けられ、
弁体9の軸方向にはその上。
る流路7,8が形成されている。流路7゜8の間には、
スプール弁体9が図中上下方向に摺動自在に設けられ、
弁体9の軸方向にはその上。
下端面を連通ずる流路9aが設けられるとともに、流路
9aと弁体9の外周面を連通ずる通路9bが形成されて
、流路7,8及び弁体9によって絞り弁が構成される。
9aと弁体9の外周面を連通ずる通路9bが形成されて
、流路7,8及び弁体9によって絞り弁が構成される。
弁体9の下端面及びピストン4の上端面によって、ポン
プ室10が区画形成される。弁体9の通路9aには、流
路7もしくは流路8からポンプ室10への流体の流入の
みを許容する応答性の良い逆止弁11が設けられている
。また弁体9は、取付部材12に支持されたスプリング
13によって図中下方向に付勢されているとともに、弁
体9の外周には環状の段差部9cが形成されており、こ
の段差部9cがハウジング2ストップ部2cと当接する
ことにより弁体9の最下位置が規制される。
プ室10が区画形成される。弁体9の通路9aには、流
路7もしくは流路8からポンプ室10への流体の流入の
みを許容する応答性の良い逆止弁11が設けられている
。また弁体9は、取付部材12に支持されたスプリング
13によって図中下方向に付勢されているとともに、弁
体9の外周には環状の段差部9cが形成されており、こ
の段差部9cがハウジング2ストップ部2cと当接する
ことにより弁体9の最下位置が規制される。
また、弁体9の段差部9cの下方の外周面には、その軸
方向に沿うリザーブ溝9dが形成されている。リリーフ
9dは、流路7,8側とポンプ室10とを連通して、ポ
ンプ室lo内の流体を流路7゜8側へ流すものである。
方向に沿うリザーブ溝9dが形成されている。リリーフ
9dは、流路7,8側とポンプ室10とを連通して、ポ
ンプ室lo内の流体を流路7゜8側へ流すものである。
溝9dを通って流れる流量は、逆止弁11を介してポン
プ室10内へ流入する流量よりも少なくなるように設定
されている。
プ室10内へ流入する流量よりも少なくなるように設定
されている。
次に、上述の構成に基いてその作動について説明する。
電歪素子積層体1に800V程度のパルス電圧を印加す
る。尚、このパルス電圧は、図示せぬ制御回路によって
制御されて、周波数が数百ヘルツ、1回のパルス毎の電
圧印加時間が、積層体1の応答時間(電圧を印加してか
ら積層体1が完全に伸びるまでの時間)よりも長いもの
である。すると積層体1は上下方向に伸縮し、ピストン
4を上下に駆動する。このピストン4は、ゴム等の弾性
体から成る0リング5の変形、復元によて容易に上下方
向に移動して、ポンプ室10の容積を増減変化させる。
る。尚、このパルス電圧は、図示せぬ制御回路によって
制御されて、周波数が数百ヘルツ、1回のパルス毎の電
圧印加時間が、積層体1の応答時間(電圧を印加してか
ら積層体1が完全に伸びるまでの時間)よりも長いもの
である。すると積層体1は上下方向に伸縮し、ピストン
4を上下に駆動する。このピストン4は、ゴム等の弾性
体から成る0リング5の変形、復元によて容易に上下方
向に移動して、ポンプ室10の容積を増減変化させる。
ポンプ室10の容積が増加する、すなわちピストン4が
下方へ移動する時、弁体9に設けられた逆止弁11が開
き、流路7,8の流体が通路9aからポンプ室10内に
流入して、ポンプ室10内の流体量が増加する。ただし
逆止弁11の開弁力は、ピストン4が下方へ移動して弁
体9が下方へ移動しようとする際に、弁体9に作用する
慣性力よりも小さく設定されているので、ピストン4の
下方移動に伴って逆止弁11は容易に開弁する。一方、
ポンプ10の容積が減少する、すなわちピストン4が上
方へ移動する時、逆止弁11は閉じられるために(弁体
9の外周の溝9dから微少量の流体の洩れはあるものの
)、ポンプ室10内の非圧縮性流体は、スプリング13
の付勢力に抗して弁体9を上方へ移動させることになる
。
下方へ移動する時、弁体9に設けられた逆止弁11が開
き、流路7,8の流体が通路9aからポンプ室10内に
流入して、ポンプ室10内の流体量が増加する。ただし
逆止弁11の開弁力は、ピストン4が下方へ移動して弁
体9が下方へ移動しようとする際に、弁体9に作用する
慣性力よりも小さく設定されているので、ピストン4の
下方移動に伴って逆止弁11は容易に開弁する。一方、
ポンプ10の容積が減少する、すなわちピストン4が上
方へ移動する時、逆止弁11は閉じられるために(弁体
9の外周の溝9dから微少量の流体の洩れはあるものの
)、ポンプ室10内の非圧縮性流体は、スプリング13
の付勢力に抗して弁体9を上方へ移動させることになる
。
すなわち電歪素子積層体1へのパルス電圧印加毎に、ポ
ンプ室10内の流体量が増加して、弁体9が上方へ移動
することになる。ここで1回のパルス電圧印加による弁
体9の移動距離は、ピストン4すなわち電歪素子積層体
l変位量、°及びピストン4と弁体9の径の比等によっ
てほぼ決まるものである。そしてパルス電圧を電歪素子
積層体1に繰り返して印加すると、1回のパルス電圧毎
にポンプ室10内の流体量が増加して、弁体9が上方へ
移動し、流路7,8の通路面積を絞り、ついには流路7
.8を閉塞する。
ンプ室10内の流体量が増加して、弁体9が上方へ移動
することになる。ここで1回のパルス電圧印加による弁
体9の移動距離は、ピストン4すなわち電歪素子積層体
l変位量、°及びピストン4と弁体9の径の比等によっ
てほぼ決まるものである。そしてパルス電圧を電歪素子
積層体1に繰り返して印加すると、1回のパルス電圧毎
にポンプ室10内の流体量が増加して、弁体9が上方へ
移動し、流路7,8の通路面積を絞り、ついには流路7
.8を閉塞する。
一方、パルス電圧の印加を停止すると、弁体9に作用す
るスプリング13の付勢力により、ポンプ室10内の流
体は、弁体9の外周の溝9dを通って流路7,8側へ徐
々に流出する。よって、ポンプ室10内の流体量が減少
して、弁体9は徐々に下方へ移動し、流路7.8を開放
する。
るスプリング13の付勢力により、ポンプ室10内の流
体は、弁体9の外周の溝9dを通って流路7,8側へ徐
々に流出する。よって、ポンプ室10内の流体量が減少
して、弁体9は徐々に下方へ移動し、流路7.8を開放
する。
上記動作を第2図に示すと、数回のパルス電圧の印加(
第2図においては3回のパルス電圧の印加)によって、
前述した様に弁体9は上昇して絞り弁を閉塞する。その
後パルス電圧を印加し続けられると、弁体7は絞り弁を
閉塞した状態を維持する。パルス電圧の印加を停止する
と、前述した様に弁体9は下降し絞り弁を開いてゆくこ
とになる。
第2図においては3回のパルス電圧の印加)によって、
前述した様に弁体9は上昇して絞り弁を閉塞する。その
後パルス電圧を印加し続けられると、弁体7は絞り弁を
閉塞した状態を維持する。パルス電圧の印加を停止する
と、前述した様に弁体9は下降し絞り弁を開いてゆくこ
とになる。
また第2図に示したパルス電圧の代わりに、第3図に示
す様なパルス電圧を印加することによって、絞り弁を任
意の開度にすることができる。このパルス電圧は、電圧
を印加する時間と、電圧印加を停止する時間との比、い
わゆのデユーティ比を変えたものである。印加する時間
が長い場合は、電歪素子積層体1が完全に伸び(これを
以下ロングパルス電圧と呼ぶ)、印加する時間が短い場
合は、積層体1完全に伸びる前の途中の伸びで停止する
(これを以下ショートパルス電圧と呼ぶ)。
す様なパルス電圧を印加することによって、絞り弁を任
意の開度にすることができる。このパルス電圧は、電圧
を印加する時間と、電圧印加を停止する時間との比、い
わゆのデユーティ比を変えたものである。印加する時間
が長い場合は、電歪素子積層体1が完全に伸び(これを
以下ロングパルス電圧と呼ぶ)、印加する時間が短い場
合は、積層体1完全に伸びる前の途中の伸びで停止する
(これを以下ショートパルス電圧と呼ぶ)。
このロングパルス電圧とショートハルスミl圧1i宜組
み合せるとともに、各パルス電圧印加にする時間的間隔
を制御することによって、第3図に示す様に弁体9の移
動量を任意に制御することが可能となり、絞り弁の開度
を任意に制御することができる。
み合せるとともに、各パルス電圧印加にする時間的間隔
を制御することによって、第3図に示す様に弁体9の移
動量を任意に制御することが可能となり、絞り弁の開度
を任意に制御することができる。
次に第2実施例を第4図に基いて説明する。
第1実施例との相違点は、逆止弁11がポンプ室10内
から流体の流出する方向のみの流れを許容するように設
けられている点にある。また、スプリング13は、弁体
9の段差部9cとハウジング2ストップ部2cの間に設
けられて弁体9を上方に付勢している0段差部9cには
、スプリング13の設けられる空間と流路7,8に連通
する通路9bを連通する穴14が設けられて、スプリン
グ13の設けられる空間が油密状態とならないようにな
っている。また弁体9は、その上端面が取付部材12の
ストップ部12aに当接することによって、上方位置が
規制される。尚、その他の構成は第1実施例と同様であ
るので、同一符号を付してその説明は省略する。
から流体の流出する方向のみの流れを許容するように設
けられている点にある。また、スプリング13は、弁体
9の段差部9cとハウジング2ストップ部2cの間に設
けられて弁体9を上方に付勢している0段差部9cには
、スプリング13の設けられる空間と流路7,8に連通
する通路9bを連通する穴14が設けられて、スプリン
グ13の設けられる空間が油密状態とならないようにな
っている。また弁体9は、その上端面が取付部材12の
ストップ部12aに当接することによって、上方位置が
規制される。尚、その他の構成は第1実施例と同様であ
るので、同一符号を付してその説明は省略する。
第4図において、電歪素子積層体1が伸びてピストン4
が上方へ移動する時、ポンプ室10内の容積が減少し、
逆止弁11を通してポンプ室10内の流体が流して、そ
の流体量が減少する。次にピストン4が上方へ移動する
時は、逆止弁11が閉じるので弁体9はピストン4の下
降にともなって、スプリング13の付勢力に抗して下方
へ移動する。すなわち1回のパルス電圧印加毎に、ポン
プ室10内の流体量が減少して、弁体9が下方へ移動す
ることになる。ゆえに前述の第1実施例で説明した様に
パルス電圧を繰り返して印加すると、弁体9は絞り弁を
絞り、ついには流路7.8を閉塞する。
が上方へ移動する時、ポンプ室10内の容積が減少し、
逆止弁11を通してポンプ室10内の流体が流して、そ
の流体量が減少する。次にピストン4が上方へ移動する
時は、逆止弁11が閉じるので弁体9はピストン4の下
降にともなって、スプリング13の付勢力に抗して下方
へ移動する。すなわち1回のパルス電圧印加毎に、ポン
プ室10内の流体量が減少して、弁体9が下方へ移動す
ることになる。ゆえに前述の第1実施例で説明した様に
パルス電圧を繰り返して印加すると、弁体9は絞り弁を
絞り、ついには流路7.8を閉塞する。
一方、パルス電圧の印加を停止すると、スプリング13
の付勢力により、ポンプ室10内には穴14及び弁体9
の外周の溝9dを通って流体が徐々に流入するので、弁
体9は上方へ移動して、流路7,8を開放する。
の付勢力により、ポンプ室10内には穴14及び弁体9
の外周の溝9dを通って流体が徐々に流入するので、弁
体9は上方へ移動して、流路7,8を開放する。
つぎに第3実施例を第5図に基いて説明する。
第1実施例との相違は、ポンプ室10に吸入用逆止弁1
6、吐出用逆止弁17を設けることによって、ポンプ室
10から吐出された流体を作動室18導くことにより弁
体9を移動する点にある。
6、吐出用逆止弁17を設けることによって、ポンプ室
10から吐出された流体を作動室18導くことにより弁
体9を移動する点にある。
ハウジング2には、流路7もしくは流路8と連通ずる吸
入通路15が設けられている。吸入通路15がポンプ室
10に開口する部分には、ポンプ室10内に流体が流入
するのみを許容する吸入用逆止弁いわゆる吸入弁16が
設けられている。また吸入弁16と逆方向の流れのみを
許容する、すなわちポンプ室10内から流体が流出する
のみを許容する吐出用逆止弁いわゆる吐出弁17がハウ
ジング2内部に設けられている。この吐出弁17と弁体
9との間に作動室18が形成されており、この作動室1
8にはポンプ室10から吐出弁17を介して吐出された
流体が導かれる。尚、その他の構成は第1実施例と同様
であるので同一符号を付して、その説明は省略する。
入通路15が設けられている。吸入通路15がポンプ室
10に開口する部分には、ポンプ室10内に流体が流入
するのみを許容する吸入用逆止弁いわゆる吸入弁16が
設けられている。また吸入弁16と逆方向の流れのみを
許容する、すなわちポンプ室10内から流体が流出する
のみを許容する吐出用逆止弁いわゆる吐出弁17がハウ
ジング2内部に設けられている。この吐出弁17と弁体
9との間に作動室18が形成されており、この作動室1
8にはポンプ室10から吐出弁17を介して吐出された
流体が導かれる。尚、その他の構成は第1実施例と同様
であるので同一符号を付して、その説明は省略する。
第5図にいて、ピストン4が下方へ移動すると、ポンプ
室10は、吸入通路15及び吸入弁16を介して流体を
吸入し、ピストン4が上方へ移動すると吐出弁17を介
して作動室18へ流体を吐出する。作動室18の流体量
が増加することによって、弁体9はスプリング13の付
勢力に抗して上方へ移動して絞り弁として作動する。一
方、ポンプ室が作動室18へ流体を吐出しないときは、
スプリング13によって、作動室18内の流体が弁体9
の外周の溝9dを通って流出するので、弁体9は下方へ
移動する。よって、第1.第2実施例においてはピスト
ン4の移動に伴って弁体9が微少量移動する現象があっ
たが、上述の様に吸入弁16、吐出弁17を設けること
によりその現象もなくなり、弁体9が絞り弁として確実
に移動することができるようになる。尚、上述の実施例
において、吸入弁16、吐出弁17を交換して設けるこ
とによって、作動室18内の流体量を減少させて弁体9
を移動させることは言うまでもない。
室10は、吸入通路15及び吸入弁16を介して流体を
吸入し、ピストン4が上方へ移動すると吐出弁17を介
して作動室18へ流体を吐出する。作動室18の流体量
が増加することによって、弁体9はスプリング13の付
勢力に抗して上方へ移動して絞り弁として作動する。一
方、ポンプ室が作動室18へ流体を吐出しないときは、
スプリング13によって、作動室18内の流体が弁体9
の外周の溝9dを通って流出するので、弁体9は下方へ
移動する。よって、第1.第2実施例においてはピスト
ン4の移動に伴って弁体9が微少量移動する現象があっ
たが、上述の様に吸入弁16、吐出弁17を設けること
によりその現象もなくなり、弁体9が絞り弁として確実
に移動することができるようになる。尚、上述の実施例
において、吸入弁16、吐出弁17を交換して設けるこ
とによって、作動室18内の流体量を減少させて弁体9
を移動させることは言うまでもない。
次に第4実施例を第6図に基いて説明する。
第1実施例との相違点は、逆止弁11及び弁体9の外周
のリリーフ溝9dの代わりに、一方の流れに対しては容
易に流し、その逆方向の流れに対しては大きな流通抵抗
をもつ通路、いわゆる流体ダイオード19を弁体9の通
路9aに設けた点にある。この流体ダイオード19は、
ポンプ室10内へ流入する流体に対しては容易に流し、
ポンプ室10から流出する流体に対して大きな流通抵抗
をもつように設けられている。このため、前述の如くに
ピストン4が上下移動すると、ポンプ室10内の流体が
流入し、流体量が増加し、弁体9は上方へ移動して絞り
弁として作動する。他の構成及び作動は、第1実施例と
同様である。尚、流体ダイオード19を第7図(a)に
拡大図に示す、またその他の流体ダイオードとして、第
711!Jffi)、 (C)。
のリリーフ溝9dの代わりに、一方の流れに対しては容
易に流し、その逆方向の流れに対しては大きな流通抵抗
をもつ通路、いわゆる流体ダイオード19を弁体9の通
路9aに設けた点にある。この流体ダイオード19は、
ポンプ室10内へ流入する流体に対しては容易に流し、
ポンプ室10から流出する流体に対して大きな流通抵抗
をもつように設けられている。このため、前述の如くに
ピストン4が上下移動すると、ポンプ室10内の流体が
流入し、流体量が増加し、弁体9は上方へ移動して絞り
弁として作動する。他の構成及び作動は、第1実施例と
同様である。尚、流体ダイオード19を第7図(a)に
拡大図に示す、またその他の流体ダイオードとして、第
711!Jffi)、 (C)。
(d)に示す様なものを利用しても良い。
次に第5実施例を第8図に基いて説明する。これは、第
1実施例の弁体9の位置をポテンションメータ等の検出
装置20で検出して、図示せぬ制御回路へフィードバッ
クして、パルス電圧を制御することによって、絞り弁の
開度を精度良く制御するものである。
1実施例の弁体9の位置をポテンションメータ等の検出
装置20で検出して、図示せぬ制御回路へフィードバッ
クして、パルス電圧を制御することによって、絞り弁の
開度を精度良く制御するものである。
スプール弁体9の上方には、スプールロフト21が延長
して設けてあり、このロッド21の先端の位置が検出装
置20で検出されて、電気的信号に変換される。弁体9
には弁体9が容易に摺動するようにスプールロッド21
の根本部には孔9eが設けられ、弁体9の段差部9Cの
下部には孔9fが設けている。また、この検出装置は、
リミットスイチ、発光受光素子等の検出手段でも良いこ
とは言うまでもない。
して設けてあり、このロッド21の先端の位置が検出装
置20で検出されて、電気的信号に変換される。弁体9
には弁体9が容易に摺動するようにスプールロッド21
の根本部には孔9eが設けられ、弁体9の段差部9Cの
下部には孔9fが設けている。また、この検出装置は、
リミットスイチ、発光受光素子等の検出手段でも良いこ
とは言うまでもない。
また上述の第1.第2.第4実施例において、弁体9に
逆止弁11、もしくは流体ダイオード19を設けるよう
にしたが、ハウジング2に流体7゜8とポンプ室10と
を連通ずる通路を設け、その通路の途中に弁体11もし
くは流体ダイオード19を設けるようにしても良い。
逆止弁11、もしくは流体ダイオード19を設けるよう
にしたが、ハウジング2に流体7゜8とポンプ室10と
を連通ずる通路を設け、その通路の途中に弁体11もし
くは流体ダイオード19を設けるようにしても良い。
以上述べた様に、電圧の印加に応じた伸縮する電歪体(
1)の変位によって、空間(10又は1Oと18)が容
積変化すると、空間には流路(7゜8)から流体が流入
する、もしくは空間がら流路(7,8>へ流出し、その
空間内を満たす流体量が増加、もしくは減少する。この
空間内の流体量の変化は、弁体(9)に作用して弁体(
9)を移動させることになり、弁体(9)は流路の流通
面積を変化することが可能となる。したがうて、弁体(
!l)は応答速度の極めて速い電歪体(応答速度は数十
μsec、)によって駆動されるため、ソレノイドによ
って駆動される弁、電磁弁(これらの応答速度は数十m
5ec、程度)と比較して、高速駆動される。また、多
数回のパルス電圧の印加によって電歪体を伸縮すると、
空間を満たす流体量は大きく変化するため、電歪体の微
少変位量は空間を満たす流体によって大きく拡大されて
弁体を駆動することになる。さらに上述空間は、従来技
術において説明した様な密封空間と、温度変化の影響を
うけにくいとともに、密封空間を形成する厳密な部材が
不要となるという効果も有する。
1)の変位によって、空間(10又は1Oと18)が容
積変化すると、空間には流路(7゜8)から流体が流入
する、もしくは空間がら流路(7,8>へ流出し、その
空間内を満たす流体量が増加、もしくは減少する。この
空間内の流体量の変化は、弁体(9)に作用して弁体(
9)を移動させることになり、弁体(9)は流路の流通
面積を変化することが可能となる。したがうて、弁体(
!l)は応答速度の極めて速い電歪体(応答速度は数十
μsec、)によって駆動されるため、ソレノイドによ
って駆動される弁、電磁弁(これらの応答速度は数十m
5ec、程度)と比較して、高速駆動される。また、多
数回のパルス電圧の印加によって電歪体を伸縮すると、
空間を満たす流体量は大きく変化するため、電歪体の微
少変位量は空間を満たす流体によって大きく拡大されて
弁体を駆動することになる。さらに上述空間は、従来技
術において説明した様な密封空間と、温度変化の影響を
うけにくいとともに、密封空間を形成する厳密な部材が
不要となるという効果も有する。
第1図は本発明の第1実施例の縦断面図、第2図、第3
図は本発明の詳細な説明するに供するパルス電圧とスプ
ール弁体の移動量を示す図、第4図は本発明の第2実施
例の縦断面図、第5図は本発明の第3実施例の縦断面図
、第6図は本発明の第4実施例の縦断面図、第7図は流
体ダイオードを示す説明図、第8図は本発明の第5実施
例の縦断面図である。 1・・・電歪素子積層体、2・・・ハウジング、4・・
・ピストン、5・・・0リング、7.8・・・流路、9
・・・スプール弁体、10・・・ポンプ室、11・・・
逆止弁、13・・・スプリング、15・・・吸入通路、
16・・・吸入弁、I7・・・吐出弁、18・・・作動
室、19・・・流体ダイオード、20・・・位置検出装
置。
図は本発明の詳細な説明するに供するパルス電圧とスプ
ール弁体の移動量を示す図、第4図は本発明の第2実施
例の縦断面図、第5図は本発明の第3実施例の縦断面図
、第6図は本発明の第4実施例の縦断面図、第7図は流
体ダイオードを示す説明図、第8図は本発明の第5実施
例の縦断面図である。 1・・・電歪素子積層体、2・・・ハウジング、4・・
・ピストン、5・・・0リング、7.8・・・流路、9
・・・スプール弁体、10・・・ポンプ室、11・・・
逆止弁、13・・・スプリング、15・・・吸入通路、
16・・・吸入弁、I7・・・吐出弁、18・・・作動
室、19・・・流体ダイオード、20・・・位置検出装
置。
Claims (6)
- (1)非圧縮性流体の流通する流路の流通面積を変化す
る弁体を有する絞り弁において、パルス電圧の印加に応
じて伸縮する電歪体と、この電歪体の伸縮によって前記
流路から流体が流入するのみを許容する、もしくは前記
流路へ流体が流出することのみを許容するによって流体
量の変化する空間とを具備し、この空間の流体量に応じ
て前記弁体が移動するようにしたことを特徴とする電歪
体駆動の可変絞り弁。 - (2)前記空間は前記電歪体の伸縮によって容積変化す
るポンプ室であるとともに、このポンプ室は前記流路か
ら流体が流入する、もしくは前記流路へ流体が流出する
一方向の流れのみを容易に許容する流体一方向流通手段
を介して、前記流路と連通していることを特徴とする特
許請求の範囲第1項記載の電歪体駆動の可変絞り弁。 - (3)前記空間は、前記電歪体の伸縮によって容積変化
するとともに一方向の流れのみを容易に許容する流体一
方向流通手段を介して前記流路と連通するポンプ室と、
前記流体一方向流通手段と逆方向の流れのみを容易に許
容する第2の流体一方向流通手段を介して前記ポンプ室
に連通する作動室であることを特徴とする特許請求の範
囲第1項記載の電歪体駆動の可変絞り弁。 - (4)前記流体一方向流通手段は、逆止弁である特許請
求の範囲第2項又は第3項記載の電歪体駆動の可変絞り
弁。 - (5)前記流体一方向流通手段は、一方向の流れのみ容
易に許容し、その逆方向の流れに対して流通抵抗を有す
る流体ダイオードである特許請求の範囲第2項又は第3
項記載の電歪体駆動の可変絞り弁。 - (6)前記電歪体は、電圧の印加によって伸縮する電歪
素子を複数積層した電歪素子積層体である特許請求の範
囲第1項記載の電歪体駆動の可変絞り弁。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2133685A JPS61180075A (ja) | 1985-02-05 | 1985-02-05 | 電歪体駆動の可変絞り弁 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2133685A JPS61180075A (ja) | 1985-02-05 | 1985-02-05 | 電歪体駆動の可変絞り弁 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61180075A true JPS61180075A (ja) | 1986-08-12 |
JPH0465271B2 JPH0465271B2 (ja) | 1992-10-19 |
Family
ID=12052279
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2133685A Granted JPS61180075A (ja) | 1985-02-05 | 1985-02-05 | 電歪体駆動の可変絞り弁 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61180075A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0236672U (ja) * | 1988-09-02 | 1990-03-09 |
-
1985
- 1985-02-05 JP JP2133685A patent/JPS61180075A/ja active Granted
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0236672U (ja) * | 1988-09-02 | 1990-03-09 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0465271B2 (ja) | 1992-10-19 |
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