JPS61176686A - 液晶組成物の為の応答時間短縮性ドーピング剤 - Google Patents
液晶組成物の為の応答時間短縮性ドーピング剤Info
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- JPS61176686A JPS61176686A JP61011188A JP1118886A JPS61176686A JP S61176686 A JPS61176686 A JP S61176686A JP 61011188 A JP61011188 A JP 61011188A JP 1118886 A JP1118886 A JP 1118886A JP S61176686 A JPS61176686 A JP S61176686A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mixture
- liquid crystal
- response time
- doping agent
- crystal composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K19/00—Liquid crystal materials
- C09K19/52—Liquid crystal materials characterised by components which are not liquid crystals, e.g. additives with special physical aspect: solvents, solid particles
- C09K19/58—Dopants or charge transfer agents
- C09K19/582—Electrically active dopants, e.g. charge transfer agents
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
- Developing Agents For Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、透過するまたは反射する光を電気制御的に変
調する為の並びに数字、記号および図形を表示する為の
電気光学的構成要素(ディスプレー)において用いるこ
とのできるネマチック組成物の為の応答時間(Scha
ltzeit)短縮性ドーピング剤に関する。ネマチッ
ク液晶は電気光学的構成要素(ディスプレー)において
利用することができるCG、メイナー(Meiner)
、E、ザンクマン(Sackmann)、J、G、グラ
ブマイアー(Grabmaier) :液晶の応用(A
pplication of 1iquid Crys
talg)、ベルリン、ニューヨーク、ロンドン197
5 )。
調する為の並びに数字、記号および図形を表示する為の
電気光学的構成要素(ディスプレー)において用いるこ
とのできるネマチック組成物の為の応答時間(Scha
ltzeit)短縮性ドーピング剤に関する。ネマチッ
ク液晶は電気光学的構成要素(ディスプレー)において
利用することができるCG、メイナー(Meiner)
、E、ザンクマン(Sackmann)、J、G、グラ
ブマイアー(Grabmaier) :液晶の応用(A
pplication of 1iquid Crys
talg)、ベルリン、ニューヨーク、ロンドン197
5 )。
ディスプレーに適するためには、液晶は多くの要求を満
足しなければならない。それらの要求には、中でも低い
粘度によって達成され得る非常に短い応答時間も属して
いる。
足しなければならない。それらの要求には、中でも低い
粘度によって達成され得る非常に短い応答時間も属して
いる。
粘度低下用添加物として現在までジアルキルビスフェノ
ール誘導体が知られている( J、クラウゼ(Kraa
se)、R,スタインストレーザー(Stein−st
rasser) s L、ボール(Pohl)、F、デ
ルピノ(delPino)、G、ウェーバ−(Webe
r) 、ドイツ特許出願2.548.360号〕。ビス
フェノール誘導体を用いる場合の欠点は、別つの物質の
添加によって再び高めなければならないことに成る清澄
点の低下がある。更に粘度を半減する為に約25重量部
のビスフェノール誘導体を添加する必要があり、この場
合しかし清澄点はほぼ20℃程しか低下しない。
ール誘導体が知られている( J、クラウゼ(Kraa
se)、R,スタインストレーザー(Stein−st
rasser) s L、ボール(Pohl)、F、デ
ルピノ(delPino)、G、ウェーバ−(Webe
r) 、ドイツ特許出願2.548.360号〕。ビス
フェノール誘導体を用いる場合の欠点は、別つの物質の
添加によって再び高めなければならないことに成る清澄
点の低下がある。更に粘度を半減する為に約25重量部
のビスフェノール誘導体を添加する必要があり、この場
合しかし清澄点はほぼ20℃程しか低下しない。
本発明の目的は、電気光学的構成要素の為の、短い応答
時間を有する液晶組成物である。
時間を有する液晶組成物である。
本発明の課題は、ネマチック液晶の回転粘度を下げそし
てこれによって短い応答時間をもたらし、更に優れた効
果を示しそして簡単に製造される物質にある。
てこれによって短い応答時間をもたらし、更に優れた効
果を示しそして簡単に製造される物質にある。
本発明者は、一般式
%式%
〔式中、mは10〜35を意味する。〕で表される化合
物の少なくとも一種類0.5〜30χの添加によってネ
マフチンク液晶物質の電気光学的応答時間が著しく短縮
されることを見出した。
物の少なくとも一種類0.5〜30χの添加によってネ
マフチンク液晶物質の電気光学的応答時間が著しく短縮
されることを見出した。
本発明を以下に実施例によって更に詳細に説明する。
ス11江」:
以下に挙げる混合物をシャプツトへルフリッヒーセル(
捩ネマチック構造、TNP−セル)のタイプの電気光学
的セルにおいて用いる。このセルは7〜25μmの間隔
でスペーサーによって固定された、内側に二酸化亜鉛が
付されている二枚のガラス板で構成されている。更に、
該内側は、板の間に存在する液晶が該仮に平行に配向す
るように公知の方法で前処理されている。しかし二枚の
板の所での優先方向は90’の角度をなし、その結果交
叉したまたは平行の電極の間に配置されている捩ネマチ
ック構造が生じる。
捩ネマチック構造、TNP−セル)のタイプの電気光学
的セルにおいて用いる。このセルは7〜25μmの間隔
でスペーサーによって固定された、内側に二酸化亜鉛が
付されている二枚のガラス板で構成されている。更に、
該内側は、板の間に存在する液晶が該仮に平行に配向す
るように公知の方法で前処理されている。しかし二枚の
板の所での優先方向は90’の角度をなし、その結果交
叉したまたは平行の電極の間に配置されている捩ネマチ
ック構造が生じる。
電場のスイチーオンまたはオフによってセルの光透過が
著しく変化する。
著しく変化する。
シャプツト−へルフリフヒーセルに以下の化合物の混合
物を入れる。
物を入れる。
基礎成分:
4− n−ペンチル−シクロヘキサンカルボン酸−4’
−シアンフェニルエステル ドーピング剤: n−エイコサン(n−C2oLz) 基礎成分とドーピング剤との混合物の性質を以下の表に
掲載する(測定周波数500hz 、測定温度42.5
℃、層厚さ10μm)。
−シアンフェニルエステル ドーピング剤: n−エイコサン(n−C2oLz) 基礎成分とドーピング剤との混合物の性質を以下の表に
掲載する(測定周波数500hz 、測定温度42.5
℃、層厚さ10μm)。
表中の記号は以下の意味を有する:
U o :10χの強度変化の為の電圧t iso:5
0χの強度変化が達成されるまでの、電場をかけた時間 t A5゜:50Xの強度変化が達成されるまでの、電
場のスイッチを切った後の時間 T:回転粘度 シNI:清澄温度 シKN:結晶−ネマチック状態転移温度ΔEE:立ち上
がり時間の活性エネルギードーピング剤(lIlolχ
)02810u 0/ v 1.10
1,12 1.17 1.18t tso(U=2Uo
)/ms 169 122 69 43t
ASII(V=5V )/ms 26 19
12 9jAso/lll5 75
47 19 11r/cP 82
41 15 11νNl /’C7975−7
665−6861−65シKN/”C4746,546
45,5実施例1に記載のシャプツトへルフリッヒーセ
ルのタイプの電気光学的セル(TNP−セル)を別の実
施例2〜7においても、一般式CI)の化合物各4χが
添加されている基礎物質混合物を用いて運転する。
0χの強度変化が達成されるまでの、電場をかけた時間 t A5゜:50Xの強度変化が達成されるまでの、電
場のスイッチを切った後の時間 T:回転粘度 シNI:清澄温度 シKN:結晶−ネマチック状態転移温度ΔEE:立ち上
がり時間の活性エネルギードーピング剤(lIlolχ
)02810u 0/ v 1.10
1,12 1.17 1.18t tso(U=2Uo
)/ms 169 122 69 43t
ASII(V=5V )/ms 26 19
12 9jAso/lll5 75
47 19 11r/cP 82
41 15 11νNl /’C7975−7
665−6861−65シKN/”C4746,546
45,5実施例1に記載のシャプツトへルフリッヒーセ
ルのタイプの電気光学的セル(TNP−セル)を別の実
施例2〜7においても、一般式CI)の化合物各4χが
添加されている基礎物質混合物を用いて運転する。
(二倍の閾値電圧U0のもとでの状態変化時間の測定)
実施例2〜6における基礎物質混合物は、混合物A
v NI=46℃ ΔE t =22.9kJmol
−’V/ ’CU o / V t tso/ms
、t ass/m520 1.34 156
6825 1.23 133
5030 1.17 106 4135
1.06 90 364
0 0.98 80 3
245 0.93 72
3150 0.88 67
30混合物A+4重量! (7)CzJs。
−’V/ ’CU o / V t tso/ms
、t ass/m520 1.34 156
6825 1.23 133
5030 1.17 106 4135
1.06 90 364
0 0.98 80 3
245 0.93 72
3150 0.88 67
30混合物A+4重量! (7)CzJs。
J/ NI=44℃ ΔE t =27.7kJrI
lol−’v/ ’CU o / V t iso/
lll5 t aso/m520 1.24
127 5125 1.11 86
4430 1.01 ?9
3535 0.93 55 3040
0.87 48 2745 0.8
0 45 2450 0.75 4
1 22混合物A+4重量%のC2゜H4□ νNI=44℃ ΔE t =10.7kJmol−
’ν/ ’CU o / V t iso/ms
t ass/m520 1.34 142
5025 1.19 121 4
430 1.05 114 4235
0.95 103 3840
0.85 100 354
5 0.77 96 32
50 0.69 92 2
9叉施且」 混合物A +10molχの シNh56℃ ΔE t =10.4kJmoド1シ
/ ’CU o / V t !so/ms
t Aso/m520 1.30
140 5925 1.22
130 4230 1.15
107 3435 1.09
98 3140 1.05
89 2845 0.9
7 82 2650 0.
92 74 25混合物へ+10m
olχのB+4重量%のCzaHs。
lol−’v/ ’CU o / V t iso/
lll5 t aso/m520 1.24
127 5125 1.11 86
4430 1.01 ?9
3535 0.93 55 3040
0.87 48 2745 0.8
0 45 2450 0.75 4
1 22混合物A+4重量%のC2゜H4□ νNI=44℃ ΔE t =10.7kJmol−
’ν/ ’CU o / V t iso/ms
t ass/m520 1.34 142
5025 1.19 121 4
430 1.05 114 4235
0.95 103 3840
0.85 100 354
5 0.77 96 32
50 0.69 92 2
9叉施且」 混合物A +10molχの シNh56℃ ΔE t =10.4kJmoド1シ
/ ’CU o / V t !so/ms
t Aso/m520 1.30
140 5925 1.22
130 4230 1.15
107 3435 1.09
98 3140 1.05
89 2845 0.9
7 82 2650 0.
92 74 25混合物へ+10m
olχのB+4重量%のCzaHs。
νNI=47 ℃ ΔE ! = 9,4kJ
mol−’ν/ ”CU o / V t Eso
/ms t Aso/11520 1.
23 118 4325 1
.17 110 3630
1.04 103 3135
0.98 97 2740
0.94 92 2445
0.89 87 2150 0
.85 85 18大隻勇」 混合物A +10molχのB + 10molχのC
νNI=67 ℃ ΔEt =10.0kJmo
l−’ν/ ℃U o / V t tso/ms
t aso/m520 2.01
168 11625 1.65
162 9830 1.52
155 8635 1.43
146 7540 1.33
138 6745 1.2
3 130 6150 1.
16 122 55混合物A +10
molχの8 + 10+++olχのC+4重量%の
C!4H5@ シNI=60 ℃ ΔE E = 7.2kJm
ol−’ν/ ℃U o / V j tso/
ms t as、、7m520 2.1
4 165 12225 1
.73 160 9730
1.49 151 7735
1.33 142 6540
1.20 135 5545
1.09 125 4650
0.98 100 38スm 混合物A +10molχのB + 10molχのD
シNI=74 ℃ ΔE t =19.4kJm
ol−’ν/ ”CUo/V txso/ms
taso/m530 1゜60 1
15 6435 1.49
101 5140 1.42
90 4145 1.35 8
6 3350 1.29 7
1 28混合物A +10a+olχの8
+ 10solχのD+4重量%のCtaHs。
mol−’ν/ ”CU o / V t Eso
/ms t Aso/11520 1.
23 118 4325 1
.17 110 3630
1.04 103 3135
0.98 97 2740
0.94 92 2445
0.89 87 2150 0
.85 85 18大隻勇」 混合物A +10molχのB + 10molχのC
νNI=67 ℃ ΔEt =10.0kJmo
l−’ν/ ℃U o / V t tso/ms
t aso/m520 2.01
168 11625 1.65
162 9830 1.52
155 8635 1.43
146 7540 1.33
138 6745 1.2
3 130 6150 1.
16 122 55混合物A +10
molχの8 + 10+++olχのC+4重量%の
C!4H5@ シNI=60 ℃ ΔE E = 7.2kJm
ol−’ν/ ℃U o / V j tso/
ms t as、、7m520 2.1
4 165 12225 1
.73 160 9730
1.49 151 7735
1.33 142 6540
1.20 135 5545
1.09 125 4650
0.98 100 38スm 混合物A +10molχのB + 10molχのD
シNI=74 ℃ ΔE t =19.4kJm
ol−’ν/ ”CUo/V txso/ms
taso/m530 1゜60 1
15 6435 1.49
101 5140 1.42
90 4145 1.35 8
6 3350 1.29 7
1 28混合物A +10a+olχの8
+ 10solχのD+4重量%のCtaHs。
シNI=65 ℃ ΔE ! =16.6kJ
mol−’v/ ”CU o / V t tso
/ms t ASO/115125 1.
68 99 50301.50
83 3835 1.40 7
2 3040 1.32 6
6 2445 1.25 60
2150 1.18 55
20ス111J 混合物A + 10solχのB + 10solχの
C+ 10solχのD νNI=77 ℃ ΔE E =12.5k
Jo+ol−’y/ ’CU o / V t
tso/InS t ass/m520
2.27 125 8025
1.99 116 6930
1.78 108 593
5 1.58 101 5
140 1.46 94
4245 1.36 87
3650 1.28 82
31混合物A + 10solχの8 + 10s
olχのC+ 10solχのD+ 4重量%のCza
Hs。
mol−’v/ ”CU o / V t tso
/ms t ASO/115125 1.
68 99 50301.50
83 3835 1.40 7
2 3040 1.32 6
6 2445 1.25 60
2150 1.18 55
20ス111J 混合物A + 10solχのB + 10solχの
C+ 10solχのD νNI=77 ℃ ΔE E =12.5k
Jo+ol−’y/ ’CU o / V t
tso/InS t ass/m520
2.27 125 8025
1.99 116 6930
1.78 108 593
5 1.58 101 5
140 1.46 94
4245 1.36 87
3650 1.28 82
31混合物A + 10solχの8 + 10s
olχのC+ 10solχのD+ 4重量%のCza
Hs。
シNI=65 ℃ ΔE E =10.8kJ
mol−’ν/ ”CU o / V t is
o/IIs j Aso/m520 1
.78 72 4325
1.63 64 3730
1.50 59 3235
1.38 55 2840
1.27 、)2 26
45 1.20 48 2
350 1.12 46
21スf 実施例7では基礎物質混合物がビスフェノール混合物E
5 (BDH)より成る。
mol−’ν/ ”CU o / V t is
o/IIs j Aso/m520 1
.78 72 4325
1.63 64 3730
1.50 59 3235
1.38 55 2840
1.27 、)2 26
45 1.20 48 2
350 1.12 46
21スf 実施例7では基礎物質混合物がビスフェノール混合物E
5 (BDH)より成る。
混合物E5
νNI=50℃ ΔB t =38.1kJraol
−’ν/ t: U 6 / V t iso/m
s t ass/m520 1.63 2
50 12625 1.46 206
9230 1.30 167 7
335 1.18 136 5540
1.07 99 4845 0.9
8 80 4550 0.90 6
2 41混合物E5÷ 4重量%の02゜H4t
y NI=48℃ At! ! =26.1kJo+
ol−’ν/ ’CU o / V t zso/m
s t ass/ass20 1.44
200 8825 1.38 170
7530 1.34 150 6
735 1.30 136 6140
1.26 126 5545
1.21 117 4950
1.17 105 45混合物E5
+ 4重量%のCtJs。
−’ν/ t: U 6 / V t iso/m
s t ass/m520 1.63 2
50 12625 1.46 206
9230 1.30 167 7
335 1.18 136 5540
1.07 99 4845 0.9
8 80 4550 0.90 6
2 41混合物E5÷ 4重量%の02゜H4t
y NI=48℃ At! ! =26.1kJo+
ol−’ν/ ’CU o / V t zso/m
s t ass/ass20 1.44
200 8825 1.38 170
7530 1.34 150 6
735 1.30 136 6140
1.26 126 5545
1.21 117 4950
1.17 105 45混合物E5
+ 4重量%のCtJs。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式 C_mH_2_m_+_2 〔式中、mは10〜35を意味する。〕 で表される化合物の少なくとも一種類を含有することを
特徴とする、液晶組成物の為の応答時間短縮性ドーピン
グ剤。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DD85272798A DD234278A1 (de) | 1985-01-28 | 1985-01-28 | Schaltzeitverkuerzende dotierungen fuer kristallin-fluessige gemische |
DD09K/272798-7 | 1985-01-28 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61176686A true JPS61176686A (ja) | 1986-08-08 |
Family
ID=5565013
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61011188A Pending JPS61176686A (ja) | 1985-01-28 | 1986-01-23 | 液晶組成物の為の応答時間短縮性ドーピング剤 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4767565A (ja) |
JP (1) | JPS61176686A (ja) |
CH (1) | CH666900A5 (ja) |
DD (1) | DD234278A1 (ja) |
DE (1) | DE3544292A1 (ja) |
GB (1) | GB2170215B (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5236737A (en) * | 1989-08-02 | 1993-08-17 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Electroconductive composition and process of preparation |
JP2006161034A (ja) * | 2004-11-09 | 2006-06-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶組成物及び液晶電気光学装置 |
JP2015537056A (ja) * | 2012-09-10 | 2015-12-24 | 蘇州漢朗光電有限公司Halation Photonics Corporation | スメクチックa相液晶材料 |
Families Citing this family (5)
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CH666900A5 (de) | 1988-08-31 |
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