JPS61176119A - レジスト塗布装置 - Google Patents
レジスト塗布装置Info
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- JPS61176119A JPS61176119A JP1729785A JP1729785A JPS61176119A JP S61176119 A JPS61176119 A JP S61176119A JP 1729785 A JP1729785 A JP 1729785A JP 1729785 A JP1729785 A JP 1729785A JP S61176119 A JPS61176119 A JP S61176119A
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- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims description 19
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はレジスト塗布装置、特に半導体ウェハの表面に
スピナ法によってフォトレジストを塗布するためのレジ
スト塗布装置に関する。
スピナ法によってフォトレジストを塗布するためのレジ
スト塗布装置に関する。
半導体装置の製造工程において、ウェハ上の酸化膜の窓
開けあるいはアルミニウムによる配線のパターニング等
を行う場合にフォトエツチング技術が盛んに用いられて
いる。このフォトエツチングは半導体ウェハに感光乳剤
からなるフォトレジストを塗布し、これを所望のバター
ニングに従って露光してエツチングを行う技術である。
開けあるいはアルミニウムによる配線のパターニング等
を行う場合にフォトエツチング技術が盛んに用いられて
いる。このフォトエツチングは半導体ウェハに感光乳剤
からなるフォトレジストを塗布し、これを所望のバター
ニングに従って露光してエツチングを行う技術である。
フォトレジストの塗布にはいくつかの方法が採用されて
いるが、このうちスピナ法と呼ばれている方法による従
来のレジスト塗布装置を第２図に示す。半導体ウェハ１
は吸着板３の上に吸引固着され、この上にフォトレジス
ト２″を滴下する。吸着板３がモータにより高速回転す
ると、滴下したフォトレジスト２′は表面張力と遠心力
の作用のもとに半導体ウェハ１上に拡がる。この結果膜
厚１μｍ程度のレジスト［１２が形成される。しかしな
がら、この表面張力と遠心力の作用だけでは、第３図に
示すように拡がり方が不均一になり易く、一様な膜厚を
得ることができない。そこで特会昭５３−−３７７０５
号公報には、第４図の一点鎖線による矢印に示すように
、半導体ウェハ１にほぼ垂直に空気流を噴射し、表面張
力と遠心力の他に更にこの空気流の作用により、一様な
膜厚のレジスト層２を形成させる方法が開示されている
。
いるが、このうちスピナ法と呼ばれている方法による従
来のレジスト塗布装置を第２図に示す。半導体ウェハ１
は吸着板３の上に吸引固着され、この上にフォトレジス
ト２″を滴下する。吸着板３がモータにより高速回転す
ると、滴下したフォトレジスト２′は表面張力と遠心力
の作用のもとに半導体ウェハ１上に拡がる。この結果膜
厚１μｍ程度のレジスト［１２が形成される。しかしな
がら、この表面張力と遠心力の作用だけでは、第３図に
示すように拡がり方が不均一になり易く、一様な膜厚を
得ることができない。そこで特会昭５３−−３７７０５
号公報には、第４図の一点鎖線による矢印に示すように
、半導体ウェハ１にほぼ垂直に空気流を噴射し、表面張
力と遠心力の他に更にこの空気流の作用により、一様な
膜厚のレジスト層２を形成させる方法が開示されている
。
前述の空気流を噴射するレジスト塗布装置を用いて、膜
厚のばらつき（最も厚い部分と最も薄い部分との差）が
１００Å以下のレジスト層を形成させるためには、噴射
する空気流の温度を５〜６℃以下にする必要がある。こ
れは、空気流温度が高いとフォトレジストの表面からの
溶媒の蒸発が促進され、レジスト層の表面部分と深層部
分との溶媒蒸発速度が異なり一様な膜厚のレジスト層が
形成されなくなるためである。ところが５〜６℃以下の
空気流を得るためには高効率な冷却装置が必要となる。
厚のばらつき（最も厚い部分と最も薄い部分との差）が
１００Å以下のレジスト層を形成させるためには、噴射
する空気流の温度を５〜６℃以下にする必要がある。こ
れは、空気流温度が高いとフォトレジストの表面からの
溶媒の蒸発が促進され、レジスト層の表面部分と深層部
分との溶媒蒸発速度が異なり一様な膜厚のレジスト層が
形成されなくなるためである。ところが５〜６℃以下の
空気流を得るためには高効率な冷却装置が必要となる。
空気流源としてはＮ２ガス等を用いることもできるが、
通常レジスト塗布装置はクリーンルームに設置されるた
め、クリーンルーム内の清浄な空気をそのまま利用する
方が有利である。
通常レジスト塗布装置はクリーンルームに設置されるた
め、クリーンルーム内の清浄な空気をそのまま利用する
方が有利である。
この場合、クリーンルーム内の空気を５〜６℃に冷却す
るためには、氷点下の温度をもった冷却部が必要となる
。ところが冷却部が氷点下になると空気中の水分が冷却
部に結露し、やがて氷結するという問題が生じ、このよ
うな問題に対処した冷却装置はかなり複雑なものとなっ
てしまう。冷却部の温度を氷点下以上に保ったまま、空
気を５〜６℃に冷却することも可能ではあるが、この場
合は冷却部の熱交換面積を大きくする必要が生じ、結局
レジスト塗布装置本体よりも大きな冷却装置が必要にな
ってしまう。
るためには、氷点下の温度をもった冷却部が必要となる
。ところが冷却部が氷点下になると空気中の水分が冷却
部に結露し、やがて氷結するという問題が生じ、このよ
うな問題に対処した冷却装置はかなり複雑なものとなっ
てしまう。冷却部の温度を氷点下以上に保ったまま、空
気を５〜６℃に冷却することも可能ではあるが、この場
合は冷却部の熱交換面積を大きくする必要が生じ、結局
レジスト塗布装置本体よりも大きな冷却装置が必要にな
ってしまう。
以上のように従来の装置には大規模な冷却装置が必要に
なるという欠点があった。
なるという欠点があった。
そこで本発明は大規模な冷却装置を必要とすることなし
に、一様な膜厚のレジスト層を得ることのできるレジス
ト塗布装置を提供することを目的とする。
に、一様な膜厚のレジスト層を得ることのできるレジス
ト塗布装置を提供することを目的とする。
本発明の特徴はレジスト塗布装置において、レジストを
塗布すべきウェハを固着回転する駆動装置と、前記ウェ
ハ上に７オトレジストを滴下するレジスト供給装置と、
前記ウェハ上に前記フォトレジストの溶媒蒸気を含んだ
空気を噴射する空気° 噴射装置と、を設け、大規模な
冷Ｗ＠隨を必要とすることなしに、一様な膜厚のレジス
ト層を形成できるようにした点にある。
塗布すべきウェハを固着回転する駆動装置と、前記ウェ
ハ上に７オトレジストを滴下するレジスト供給装置と、
前記ウェハ上に前記フォトレジストの溶媒蒸気を含んだ
空気を噴射する空気° 噴射装置と、を設け、大規模な
冷Ｗ＠隨を必要とすることなしに、一様な膜厚のレジス
ト層を形成できるようにした点にある。
以下本発明を図示する実施例に基づいて説明する。第１
図は本発明に係るレジスト塗布装置の一実施例の説明図
である。半導体ウェハ１は吸着板３の上に吸引固着され
、この吸着板３はモータ４によって高速回転させられる
。半導体ウェハ１上にはレジス］・供給装置（図示され
ていない）からフォトレジストが滴下され、レジスト層
２を形成する。このとぎ空気噴射装置５から７オトレジ
ストの溶媒蒸気を含んだ空気流６が、半導体ウェハ１上
に噴射される。空気噴射装置５は送風ファン７によって
クリーンルームの空気８を取込む。この空気８は空気冷
却部９を通り冷却空気１０となる。空気冷却部９は冷却
装置１１によって冷却される。一方溶媒蒸気発生部１２
では、フォトレジストの溶媒１３が超音波やＮ２バブリ
ング等の手段によって気化され、この蒸気は溶媒蒸気バ
イブ１４を経て送風ダクト１５へ送られる。この送風ダ
クト１５で、溶媒蒸気１６と冷却空気１０とが混合され
、空気流６となって半導体ウェハ１上に噴射される。
図は本発明に係るレジスト塗布装置の一実施例の説明図
である。半導体ウェハ１は吸着板３の上に吸引固着され
、この吸着板３はモータ４によって高速回転させられる
。半導体ウェハ１上にはレジス］・供給装置（図示され
ていない）からフォトレジストが滴下され、レジスト層
２を形成する。このとぎ空気噴射装置５から７オトレジ
ストの溶媒蒸気を含んだ空気流６が、半導体ウェハ１上
に噴射される。空気噴射装置５は送風ファン７によって
クリーンルームの空気８を取込む。この空気８は空気冷
却部９を通り冷却空気１０となる。空気冷却部９は冷却
装置１１によって冷却される。一方溶媒蒸気発生部１２
では、フォトレジストの溶媒１３が超音波やＮ２バブリ
ング等の手段によって気化され、この蒸気は溶媒蒸気バ
イブ１４を経て送風ダクト１５へ送られる。この送風ダ
クト１５で、溶媒蒸気１６と冷却空気１０とが混合され
、空気流６となって半導体ウェハ１上に噴射される。
このように溶媒蒸気を含んだ空気流を噴射することによ
り、半導体基板１上のレジスト表面の溶媒蒸気分圧が高
まり、表面からの溶媒揮発速度が抑制される。従ってレ
ジスト層からの溶媒蒸発速度が遅くなり、厚みが均一な
レジスト層が形成される。なお、噴射する空気流はｌａ
であっても、本発明の効果があられれるが、効果を高め
るためには本実施例のように冷却装置１１を設け、冷却
した空気流を噴射するのが好ましい。第５図は本発明の
効果を示すグラフである。同図（ａ）は従来の装置、同
図（ｂ）は本発明に係る装置、をそれぞれ用い厚み約１
μｍのレジスト層を形成した場合の、レジスト層の膜厚
のばらつきと空気流温度との関係を示すグラフである。
り、半導体基板１上のレジスト表面の溶媒蒸気分圧が高
まり、表面からの溶媒揮発速度が抑制される。従ってレ
ジスト層からの溶媒蒸発速度が遅くなり、厚みが均一な
レジスト層が形成される。なお、噴射する空気流はｌａ
であっても、本発明の効果があられれるが、効果を高め
るためには本実施例のように冷却装置１１を設け、冷却
した空気流を噴射するのが好ましい。第５図は本発明の
効果を示すグラフである。同図（ａ）は従来の装置、同
図（ｂ）は本発明に係る装置、をそれぞれ用い厚み約１
μｍのレジスト層を形成した場合の、レジスト層の膜厚
のばらつきと空気流温度との関係を示すグラフである。
従来の装置では、膜厚のばらつきを１００Ａ以下にする
ためには、空気流温度を５℃以下にしなければならない
が、本発明に係る装置では１０℃程度でよい。従って従
来のような大規模な冷却装置は必要ない。
ためには、空気流温度を５℃以下にしなければならない
が、本発明に係る装置では１０℃程度でよい。従って従
来のような大規模な冷却装置は必要ない。
以上のとおり本発明によれば、スピナ法によるレジスト
塗布装置において、フォトレジストの溶媒蒸気を含Ｉν
だ空気流を噴射するようにしたため、大規模な冷却装置
を必要とすることなしに、一様な膜厚のレジスト層を形
成することができる。
塗布装置において、フォトレジストの溶媒蒸気を含Ｉν
だ空気流を噴射するようにしたため、大規模な冷却装置
を必要とすることなしに、一様な膜厚のレジスト層を形
成することができる。
第１図は本発明に係るレジスト塗布装置の一実施例の説
明図、第２図は従来のスピナ法による一般的なレジスト
塗布装置の説明図、第３図は第２図に示す装置を用いた
レジストの塗布状態を示す説明図、第４図は従来の空気
流を噴射するレジスト塗布装置の説明図、第５図（ａ）
は第４図の従来装置を用いた場合の、同図（ｂ）は第１
図の本発明に係る装置を用いた場合の、それぞれ膜厚の
ばらつきを示すグラフである。 １・・・半導体ウェハ、２・・・レジスト層、３・・・
吸着板、４・・・モータ、５・・・空気噴射装置、６・
・・空気流、７・・・送風ファン、８・・・クリーンル
ームの空気、９・・・空気冷却部、１０・・・冷却空気
、１１・・・冷却装置、１２・・・ｍｔｓ蒸気発生部、
１３・・・フォトレジストの溶媒、１４・・・溶媒蒸気
バイブ、１５・・・送風ダクト、１６・・・溶媒蒸気。 出願人代理人 猪 股 清 第１図 第２図 第３Ｅ 第４図 第５図 （ａ） （ｂ）
明図、第２図は従来のスピナ法による一般的なレジスト
塗布装置の説明図、第３図は第２図に示す装置を用いた
レジストの塗布状態を示す説明図、第４図は従来の空気
流を噴射するレジスト塗布装置の説明図、第５図（ａ）
は第４図の従来装置を用いた場合の、同図（ｂ）は第１
図の本発明に係る装置を用いた場合の、それぞれ膜厚の
ばらつきを示すグラフである。 １・・・半導体ウェハ、２・・・レジスト層、３・・・
吸着板、４・・・モータ、５・・・空気噴射装置、６・
・・空気流、７・・・送風ファン、８・・・クリーンル
ームの空気、９・・・空気冷却部、１０・・・冷却空気
、１１・・・冷却装置、１２・・・ｍｔｓ蒸気発生部、
１３・・・フォトレジストの溶媒、１４・・・溶媒蒸気
バイブ、１５・・・送風ダクト、１６・・・溶媒蒸気。 出願人代理人 猪 股 清 第１図 第２図 第３Ｅ 第４図 第５図 （ａ） （ｂ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、レジストを塗布すべきウェハを固着回転する駆動装
置と、前記ウェハ上にフォトレジストを滴下するレジス
ト供給装置と、前記ウェハ上に前記フォトレジストの溶
媒蒸気を含んだ空気を噴射する空気噴射装置と、をそな
えることを特徴とするレジスト塗布装置。 ２、空気噴射装置が、噴射する空気を冷却する冷却装置
を有することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
レジスト塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1729785A JPS61176119A (ja) | 1985-01-31 | 1985-01-31 | レジスト塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1729785A JPS61176119A (ja) | 1985-01-31 | 1985-01-31 | レジスト塗布装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61176119A true JPS61176119A (ja) | 1986-08-07 |
Family
ID=11940060
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1729785A Pending JPS61176119A (ja) | 1985-01-31 | 1985-01-31 | レジスト塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61176119A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63133526A (ja) * | 1986-11-25 | 1988-06-06 | Tokyo Electron Ltd | レジスト塗布方法 |
| JPH021113A (ja) * | 1988-03-09 | 1990-01-05 | Tokyo Electron Ltd | レジスト処理装置 |
| US5472502A (en) * | 1993-08-30 | 1995-12-05 | Semiconductor Systems, Inc. | Apparatus and method for spin coating wafers and the like |
| US7018943B2 (en) | 1994-10-27 | 2006-03-28 | Asml Holding N.V. | Method of uniformly coating a substrate |
| US7030039B2 (en) | 1994-10-27 | 2006-04-18 | Asml Holding N.V. | Method of uniformly coating a substrate |
-
1985
- 1985-01-31 JP JP1729785A patent/JPS61176119A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63133526A (ja) * | 1986-11-25 | 1988-06-06 | Tokyo Electron Ltd | レジスト塗布方法 |
| JPH021113A (ja) * | 1988-03-09 | 1990-01-05 | Tokyo Electron Ltd | レジスト処理装置 |
| US5472502A (en) * | 1993-08-30 | 1995-12-05 | Semiconductor Systems, Inc. | Apparatus and method for spin coating wafers and the like |
| US7018943B2 (en) | 1994-10-27 | 2006-03-28 | Asml Holding N.V. | Method of uniformly coating a substrate |
| US7030039B2 (en) | 1994-10-27 | 2006-04-18 | Asml Holding N.V. | Method of uniformly coating a substrate |
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