JPS61174509A - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
液晶表示装置の製造方法Info
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- JPS61174509A JPS61174509A JP60015003A JP1500385A JPS61174509A JP S61174509 A JPS61174509 A JP S61174509A JP 60015003 A JP60015003 A JP 60015003A JP 1500385 A JP1500385 A JP 1500385A JP S61174509 A JPS61174509 A JP S61174509A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野］
この発明は液晶と液晶駆動用電極の間に、各画素に液晶
と直列に弗化学童論比からなるシリコン酸化膜またはシ
リコン窒化膜を形成したドツトマトリクス液晶表示装置
の製造方法に関する。
と直列に弗化学童論比からなるシリコン酸化膜またはシ
リコン窒化膜を形成したドツトマトリクス液晶表示装置
の製造方法に関する。
（発明の概要）
この発明は、液晶と液晶駆動用電極の各画素ごとに液晶
と直列に非線形抵抗素子を通線したドツトマトリクス液
晶表示装置の製造方法において、非線形抵抗素子として
、シリコン酸化ｇＩｋｔ７ｔはシリコン窒化膜であり、
原子組成比０７８ Ｓ ＝ｚ ＊Ｍ ／ Ｂ ｉ ＝
ｙ が、そｎぞｎｏ、１≦ｘり１ 、９．０．１≦１
≦１．８でありかつ水素を含有する薄膜を使用するもの
であり、製造工程中のフォトパターン形成回数が２回で
あり、パターン合せ芦度を大巾に緩和し、製造コストを
下げるようにし九。
と直列に非線形抵抗素子を通線したドツトマトリクス液
晶表示装置の製造方法において、非線形抵抗素子として
、シリコン酸化ｇＩｋｔ７ｔはシリコン窒化膜であり、
原子組成比０７８ Ｓ ＝ｚ ＊Ｍ ／ Ｂ ｉ ＝
ｙ が、そｎぞｎｏ、１≦ｘり１ 、９．０．１≦１
≦１．８でありかつ水素を含有する薄膜を使用するもの
であり、製造工程中のフォトパターン形成回数が２回で
あり、パターン合せ芦度を大巾に緩和し、製造コストを
下げるようにし九。
（従来技術】
小型、軽量、低消費電力の表示装置として液晶表示装置
が実用化さｎてｌｘ。近年この表示装置の表示情報光増
大化を計る目的で、金属−絶綴膜−金属からなる非線形
抵抗素子を用いたもの、ま九非線形素子としてｚ外０バ
リスターを用い穴、液晶表示装置などが知らｎている。
が実用化さｎてｌｘ。近年この表示装置の表示情報光増
大化を計る目的で、金属−絶綴膜−金属からなる非線形
抵抗素子を用いたもの、ま九非線形素子としてｚ外０バ
リスターを用い穴、液晶表示装置などが知らｎている。
第２ｖＡは従来から知らｎたＴα意０−を絶縁膜として
用いたＭＩＭ型液晶表示装置の製造方法を示す縦断面図
であり、簡単化するｔめに一画素のＭ工ＭＩＩｃついて
示す。第２図ｂ）は基板２１上に金ＪＩＩＴ ａ ２２
のパターン形成し元図、第２図の）は前記’ｒ、ｌ陽極
酸化処理七行い、Ｔα意０１薄膜２３を形成しｔ状態、
第２図（Ｃ）は、前記’Ｉ’ｉ、Ｏ，上に金属薄＠２４
ｆ：形成しパターニングをし元図、第２図りは工′１′
ｏなどからなる透明導電膜５を形成し画素電極としてパ
ターンを形成し九状態を示す基板断面図をそｎぞｎ示す
。
用いたＭＩＭ型液晶表示装置の製造方法を示す縦断面図
であり、簡単化するｔめに一画素のＭ工ＭＩＩｃついて
示す。第２図ｂ）は基板２１上に金ＪＩＩＴ ａ ２２
のパターン形成し元図、第２図の）は前記’ｒ、ｌ陽極
酸化処理七行い、Ｔα意０１薄膜２３を形成しｔ状態、
第２図（Ｃ）は、前記’Ｉ’ｉ、Ｏ，上に金属薄＠２４
ｆ：形成しパターニングをし元図、第２図りは工′１′
ｏなどからなる透明導電膜５を形成し画素電極としてパ
ターンを形成し九状態を示す基板断面図をそｎぞｎ示す
。
（発明が解決しようとする問題点）
第２図で示し九従来から知らｎたＭＩＸ型非型彫線形抵
抗素子成方法によｎば、使用マスク数が少なくとも８枚
以上必要であること、ま穴第１のＴＧ電極４に対する第
２の金属電極スおよび工？０の画素電極形成時における
パターン合せが必要であり、その精度は少なくとも５０
μ悟以下とする必要がある。このことは、表示画面が大
きくなる程コスト高、製造歩留り低下をｔ九す大きな原
因となる。また、絶縁１４１）ｆＨｎる非線形電流は、
トンネル電流また社ボールフレンケル電流であるために
、絶Ｉ＆属の膜厚を１００ム〜４００Ａと極めて薄く形
成する必要があり、電流密度が大きく電子のエネルギー
は５Ｘ１０”Ａ’ｖ以上となる。そのためＩＣ絶Ｗｋ破
戒が起きやすく寿命が短いという欠点がある。ま九、絶
縁膜厚が薄い几め、液晶配向膜のラビング処理による絶
縁破戒、とれによる製造歩留りの低下が問題となる。
抗素子成方法によｎば、使用マスク数が少なくとも８枚
以上必要であること、ま穴第１のＴＧ電極４に対する第
２の金属電極スおよび工？０の画素電極形成時における
パターン合せが必要であり、その精度は少なくとも５０
μ悟以下とする必要がある。このことは、表示画面が大
きくなる程コスト高、製造歩留り低下をｔ九す大きな原
因となる。また、絶縁１４１）ｆＨｎる非線形電流は、
トンネル電流また社ボールフレンケル電流であるために
、絶Ｉ＆属の膜厚を１００ム〜４００Ａと極めて薄く形
成する必要があり、電流密度が大きく電子のエネルギー
は５Ｘ１０”Ａ’ｖ以上となる。そのためＩＣ絶Ｗｋ破
戒が起きやすく寿命が短いという欠点がある。ま九、絶
縁膜厚が薄い几め、液晶配向膜のラビング処理による絶
縁破戒、とれによる製造歩留りの低下が問題となる。
（問題点を解決する几めの手段］
本発明は上記問題点を解決するために％第１１の導体薄
膜Ｏ形成、バターニング後に、非化学量論的組成を有す
るシリコン酸化膜または非化学量論的組成を有するシリ
コン窒化膜（８０ｍ膜と記す、Ｅｌａｍｔ−（０ｎｄＳ
ｃｔｉｖａ −Ｘｎ５ｓＬａｔｏｖ ） ＠形成し、次
に第２の導体薄膜を形成し、バターニングを行った。
膜Ｏ形成、バターニング後に、非化学量論的組成を有す
るシリコン酸化膜または非化学量論的組成を有するシリ
コン窒化膜（８０ｍ膜と記す、Ｅｌａｍｔ−（０ｎｄＳ
ｃｔｉｖａ −Ｘｎ５ｓＬａｔｏｖ ） ＠形成し、次
に第２の導体薄膜を形成し、バターニングを行った。
（作用）
本発明による液晶表示装置の製造方法は、ＢＯ工嘆ｔ−
５００Ａ形成する。ａａＸ膜は組成比もおよびＶを適切
に設定することにより、透明ま九は不透明に作成するこ
とができる。そのため、パターン形成回数を２回とする
ことができる。各パターン形成時のマスク合せ精度は４
００ｐｍから１０００μ惰程度であり、従来例と比較し
合せ精度を極めて粗くすることができる。８０士膜に印
加さｎる電界強反は２〜３Ｍｖ／ｃｆ１１８度であり、
くり返し寿命においては１０１０回以上を有する。ＳＯ
ｘ腹の膜厚が従来例と比較し２〜４倍厚く形成する九め
に、液晶配向処理時のラビング工程におけるブレークダ
ウンがほとんど問題とならない。以上まとめると、８０
ｘ膜を使用するととにより、パターン合せ精度が大巾に
緩和さｎ製造工程数が減少減少し、大巾なコストダウン
が期待できると同時に、極めて信頼性の高い液晶表示装
置の製造方法金提供するものである。
５００Ａ形成する。ａａＸ膜は組成比もおよびＶを適切
に設定することにより、透明ま九は不透明に作成するこ
とができる。そのため、パターン形成回数を２回とする
ことができる。各パターン形成時のマスク合せ精度は４
００ｐｍから１０００μ惰程度であり、従来例と比較し
合せ精度を極めて粗くすることができる。８０士膜に印
加さｎる電界強反は２〜３Ｍｖ／ｃｆ１１８度であり、
くり返し寿命においては１０１０回以上を有する。ＳＯ
ｘ腹の膜厚が従来例と比較し２〜４倍厚く形成する九め
に、液晶配向処理時のラビング工程におけるブレークダ
ウンがほとんど問題とならない。以上まとめると、８０
ｘ膜を使用するととにより、パターン合せ精度が大巾に
緩和さｎ製造工程数が減少減少し、大巾なコストダウン
が期待できると同時に、極めて信頼性の高い液晶表示装
置の製造方法金提供するものである。
（実施例］
第１図は本発明による液晶表示装置の製造方法を示す一
実施例を示し、説明を簡単化するｔめに１画素くついて
の縦断面構造によって工程順に説明する。
実施例を示し、説明を簡単化するｔめに１画素くついて
の縦断面構造によって工程順に説明する。
ｔａ１図ｂ）は絶縁基板１上に導体薄膜２を形成した縦
断面図である。絶１ｉｋ基板は通常のガラスや石英、を
几セラミック板を使用する。導体薄膜は表示用Ｉ−！電
極群の一方の電極群を形成するためのものであり、ムｚ
、ｏデ＃ ” ” ＃ ’ Ｓ ＃ム襲。
断面図である。絶１ｉｋ基板は通常のガラスや石英、を
几セラミック板を使用する。導体薄膜は表示用Ｉ−！電
極群の一方の電極群を形成するためのものであり、ムｚ
、ｏデ＃ ” ” ＃ ’ Ｓ ＃ム襲。
１７０などを使用することができる。第１図の）は、導
体薄！！Ｘ１ｔ−パターン形成し九基板の縦断面図であ
り、通常のフォトエツチングによって形成す、８０ｘ膜
の電気的性能、導体薄膜の抵抗によって決定さｎ１本発
明では、導体薄膜を０７１０００ムとし、ライン巾は５
０μ情、ラインＧ ａ ｐｌｏｏ。
体薄！！Ｘ１ｔ−パターン形成し九基板の縦断面図であ
り、通常のフォトエツチングによって形成す、８０ｘ膜
の電気的性能、導体薄膜の抵抗によって決定さｎ１本発
明では、導体薄膜を０７１０００ムとし、ライン巾は５
０μ情、ラインＧ ａ ｐｌｏｏ。
μ仇としている。パターン形成は、フォトエツチングの
他に高分子樹脂の印刷によって行っても良い。第１図（
６）は％８０］：ｇｉ８と導体薄膜４を形成した縦断面
図である。ＳＯｘ膜８はプラズマａＶＤ法によって、シ
ランガスと亜酸化窒素ガスの適切な混合ガスによって約
１０．ＯＯＡ Ｅｌ ｔ Ｏｚ膜ｆ形成し九。導体薄膜
４はスパッターくより、導明導電１１３工’ｒ Ｏｆ：
約５００人形成した。第８図（ロ）は本発明に使用する
ｓｏ工ｓの外赤吸収特性を示すグラフであり、＠８図−
）の５は波数２１００ＣＭ″″１付近の５４−ｍポンド
の吸収ピーク、第８図（ハ）の６は波数９００〜１１０
０ｒｙＩ＠−’付近の５（−００吸収ピークを示す。五
１！！８分析によｎば、前記８０±展の原素組成比０７
Ｂ Ｓ ＝Ｏ−５であり、しかも可視光領域において
は透過率８０％以上を有し九。第８図の）は本発明に使
用したＳＯｘ膜の電圧対電流特性図を示し、極めてすぐ
ｒｔｔｔ称性を示し、オペレーション電圧Ｖ６ｐに対し
電圧、ｖｏｐ／２に対し電流値は８ケタ以上低下しｔ、
なお本実施例においてはプラズマＯｖＤ法によってＳＯ
ｘ膜を形成し九が、とｎを常圧および減圧ｏｖｎ法によ
って形成しても良いし、スパッター法、光ａＶフ法など
によって形成しても良いことはいうまでもない。また本
実施例においてはＳＣＣ腹膜酸化膜とし九が、これをシ
ランガスとアンモニアガスま几は窒素ガスによるＢｉＨ
ｚｆＫとしても、第８図■に示すごとく非線形電流特性
が得られ九〇第１図（イ）は導体薄膜４は透明導電膜Ｉ
ＴＯからなる画素電極であり、レジストと右後、フォト
エツチングによってパターンを形成し１ｐ、８０工膜８
の素子機能は、導体薄膜１と導体薄膜４の重なり部分、
すなわち本発明においてＯｆ電極と工ＴＯ電極の重り部
分が、非線形抵抗膜として機能するものであり、隣り合
った画素とのもれ電流は少なくとも画素間距離を１０
Ｐ ％以上に設定するととにより無視することができる
。ｔｔ、導体薄膜１と導体簿膜４の重り部分は、画素電
極である導体薄膜４の中央部、エツジ部のどの部分でも
良い。
他に高分子樹脂の印刷によって行っても良い。第１図（
６）は％８０］：ｇｉ８と導体薄膜４を形成した縦断面
図である。ＳＯｘ膜８はプラズマａＶＤ法によって、シ
ランガスと亜酸化窒素ガスの適切な混合ガスによって約
１０．ＯＯＡ Ｅｌ ｔ Ｏｚ膜ｆ形成し九。導体薄膜
４はスパッターくより、導明導電１１３工’ｒ Ｏｆ：
約５００人形成した。第８図（ロ）は本発明に使用する
ｓｏ工ｓの外赤吸収特性を示すグラフであり、＠８図−
）の５は波数２１００ＣＭ″″１付近の５４−ｍポンド
の吸収ピーク、第８図（ハ）の６は波数９００〜１１０
０ｒｙＩ＠−’付近の５（−００吸収ピークを示す。五
１！！８分析によｎば、前記８０±展の原素組成比０７
Ｂ Ｓ ＝Ｏ−５であり、しかも可視光領域において
は透過率８０％以上を有し九。第８図の）は本発明に使
用したＳＯｘ膜の電圧対電流特性図を示し、極めてすぐ
ｒｔｔｔ称性を示し、オペレーション電圧Ｖ６ｐに対し
電圧、ｖｏｐ／２に対し電流値は８ケタ以上低下しｔ、
なお本実施例においてはプラズマＯｖＤ法によってＳＯ
ｘ膜を形成し九が、とｎを常圧および減圧ｏｖｎ法によ
って形成しても良いし、スパッター法、光ａＶフ法など
によって形成しても良いことはいうまでもない。また本
実施例においてはＳＣＣ腹膜酸化膜とし九が、これをシ
ランガスとアンモニアガスま几は窒素ガスによるＢｉＨ
ｚｆＫとしても、第８図■に示すごとく非線形電流特性
が得られ九〇第１図（イ）は導体薄膜４は透明導電膜Ｉ
ＴＯからなる画素電極であり、レジストと右後、フォト
エツチングによってパターンを形成し１ｐ、８０工膜８
の素子機能は、導体薄膜１と導体薄膜４の重なり部分、
すなわち本発明においてＯｆ電極と工ＴＯ電極の重り部
分が、非線形抵抗膜として機能するものであり、隣り合
った画素とのもれ電流は少なくとも画素間距離を１０
Ｐ ％以上に設定するととにより無視することができる
。ｔｔ、導体薄膜１と導体簿膜４の重り部分は、画素電
極である導体薄膜４の中央部、エツジ部のどの部分でも
良い。
重要なのは、重り部の面積である。したがって、導体薄
Ｊｊｇｌと導体薄膜４のパターン形成時のパターン合せ
精度は、導体薄膜４の画素パターン程展、すなわち本発
明の実施例においては１０００μ鴨程罠である。以下の
工程は、通常のマトリクス液晶パネル製造方法と同様で
あり、上下基板の接層、液晶注入封止、Ｔｌ１ｉ液晶°
を使用するときは偏光板を貼り合せ完成となる。
Ｊｊｇｌと導体薄膜４のパターン形成時のパターン合せ
精度は、導体薄膜４の画素パターン程展、すなわち本発
明の実施例においては１０００μ鴨程罠である。以下の
工程は、通常のマトリクス液晶パネル製造方法と同様で
あり、上下基板の接層、液晶注入封止、Ｔｌ１ｉ液晶°
を使用するときは偏光板を貼り合せ完成となる。
第４図は本発明による液晶表示装置Ｏ製造方法である他
の実施例を示すものであり、画素電極を第１導体薄膜と
じ迄場合である。以下、一画素について基板縦断面構造
によって工程順に説明する。第４図Ｇ）は絶縁基板３１
上にｇＩＣ１導体薄膜３２を形成し几縦断面図であり、
基板としてガラス、導体薄［３２として透明導電膜工Ｔ
ｏをスパッターによって厚さ約５０ＯＡ形成し几。次に
第４図の）は前記透明導電膜工ＴＯｔ−画素電極として
パターニングした縦断面図である。電極パターンは約１
０００μｍ０の面積を有し、電極間Ｇαｐはｍμ惰以上
とじ几。次に第４図（ｃ）は、ＳＯｘ膜お、導体薄膜誦
を形成しｔ縦断面図である。ＳａＸ＠はプラズマＯ”７
Ｄ法によって、シランガスと酸化窒素ガスまたは亜酸化
窒素ガスの適切な混合ガスによる、約１０００ムのａｉ
ｏｚ嘆である。ｓｚｏｇＪ［テロる。ｓｈｏ、膜は、通
常透明であるが、膜中のシリコン原子が多い場合は不透
明となるが、本実施例においては、不透明膜でちっても
表示品質には何ら影響をあ几見るものではない。第２の
導体薄］！＄３４は、ｘＹマ） ＩＪクス電極の一方の
電極群上成形するものであり、金属Ｃデ、ムＵの二層電
極構造を有し、スパッターによって形成した。第４図に
）に第２の導体薄ｍ ｓ’ａ ｓおよび、８０Ｉ膜３３
を連続的にパターン形成しｔときの縦断面図である。
の実施例を示すものであり、画素電極を第１導体薄膜と
じ迄場合である。以下、一画素について基板縦断面構造
によって工程順に説明する。第４図Ｇ）は絶縁基板３１
上にｇＩＣ１導体薄膜３２を形成し几縦断面図であり、
基板としてガラス、導体薄［３２として透明導電膜工Ｔ
ｏをスパッターによって厚さ約５０ＯＡ形成し几。次に
第４図の）は前記透明導電膜工ＴＯｔ−画素電極として
パターニングした縦断面図である。電極パターンは約１
０００μｍ０の面積を有し、電極間Ｇαｐはｍμ惰以上
とじ几。次に第４図（ｃ）は、ＳＯｘ膜お、導体薄膜誦
を形成しｔ縦断面図である。ＳａＸ＠はプラズマＯ”７
Ｄ法によって、シランガスと酸化窒素ガスまたは亜酸化
窒素ガスの適切な混合ガスによる、約１０００ムのａｉ
ｏｚ嘆である。ｓｚｏｇＪ［テロる。ｓｈｏ、膜は、通
常透明であるが、膜中のシリコン原子が多い場合は不透
明となるが、本実施例においては、不透明膜でちっても
表示品質には何ら影響をあ几見るものではない。第２の
導体薄］！＄３４は、ｘＹマ） ＩＪクス電極の一方の
電極群上成形するものであり、金属Ｃデ、ムＵの二層電
極構造を有し、スパッターによって形成した。第４図に
）に第２の導体薄ｍ ｓ’ａ ｓおよび、８０Ｉ膜３３
を連続的にパターン形成しｔときの縦断面図である。
パターン形成方法は、通常のフォトエツチング法で行つ
九。すなわち、レジストをと布乾燥し、マスクを使用し
露光現像乾燥し、次に五聾およびＣｒｔ−湿式方により
エツチングし比。次に、ＳＯ工膜田は０７番と酸素を混
合し九ガスによりドライエッチを行つ比。なおりＯ工、
嘆３３が透明であｎば前記ドライエッチ工程を省くこと
ができることはいうまでもない、本実施例においても第
１電極３２と第２電極あのパターン合せ精度は、第２電
極謁は画素電極である第１電極３２上のどの部分であっ
ても良く、そのためマスク合せ精度は約１０００μ惰８
度となることは、本発明による製造方法を示す第１図と
同様である。またｓａａｘｍはシランガスとアンモニア
ガスま几は窒素ガスなどを使用し元窒化シリコンｆｉＳ
１Ｎｇとすることができる。
九。すなわち、レジストをと布乾燥し、マスクを使用し
露光現像乾燥し、次に五聾およびＣｒｔ−湿式方により
エツチングし比。次に、ＳＯ工膜田は０７番と酸素を混
合し九ガスによりドライエッチを行つ比。なおりＯ工、
嘆３３が透明であｎば前記ドライエッチ工程を省くこと
ができることはいうまでもない、本実施例においても第
１電極３２と第２電極あのパターン合せ精度は、第２電
極謁は画素電極である第１電極３２上のどの部分であっ
ても良く、そのためマスク合せ精度は約１０００μ惰８
度となることは、本発明による製造方法を示す第１図と
同様である。またｓａａｘｍはシランガスとアンモニア
ガスま几は窒素ガスなどを使用し元窒化シリコンｆｉＳ
１Ｎｇとすることができる。
また、ＳＯ工膜を常圧または減圧ａｖ′Ｄやスパッター
等で作成しても良いことはいうまでもない。
等で作成しても良いことはいうまでもない。
（発明の効果）
以上述べてきｔ工うに、本発明による液晶表示装置の製
造方法によｎば、第１０導体薄膜と第２の導体薄膜との
間に、非化学量論比のシリコン酸化膜ま九はシリコン窒
化層からなるｇｏ工模膜１膜厚５００ム以上画面全面に
形成することにより、パターン形成回数が２回であり、
またパターン形成時のマスク合せ精度が１ｏｏｏｐ情程
度と極めて粗くすることができ友、その究め、工程数の
減少１マスク合せ精度の大巾緩和による大巾なコストダ
ウンが実現でき几。また、非線形抵抗機能を有するＳσ
工Ｑ’５００五以上と厚く作成することができる九め、
液晶配向膜作成時のラビング処理時のブレークダウがほ
とんどなく、信頼性の極めて高い表示装置を提供できる
というすぐｎた効果を有する。
造方法によｎば、第１０導体薄膜と第２の導体薄膜との
間に、非化学量論比のシリコン酸化膜ま九はシリコン窒
化層からなるｇｏ工模膜１膜厚５００ム以上画面全面に
形成することにより、パターン形成回数が２回であり、
またパターン形成時のマスク合せ精度が１ｏｏｏｐ情程
度と極めて粗くすることができ友、その究め、工程数の
減少１マスク合せ精度の大巾緩和による大巾なコストダ
ウンが実現でき几。また、非線形抵抗機能を有するＳσ
工Ｑ’５００五以上と厚く作成することができる九め、
液晶配向膜作成時のラビング処理時のブレークダウがほ
とんどなく、信頼性の極めて高い表示装置を提供できる
というすぐｎた効果を有する。
第１図に）〜に）は本発明による液晶表示装置の製造方
法の一実施例を、工程順に示した断面図、第２図（ロ）
〜に）社従来の？、の陽極酸化法によりＭＩＭ型素子に
よる製造方法を工程順に示し几断藺図、第８図に）は本
発明に使用するＭＢＸＪｌ［の赤外吸収特性を示すグラ
フ、第８図（６）は本発明の製造方法によるＭａｘ膜の
電圧対電流特性を示すグラフ、第４図１→〜■は本発明
による液晶表示装置の他の製造方法を工程順に示した断
面図である。 絶縁基板、、１，２１．３１ 第１導体薄膜、、２．３２ 第２導体薄膜、、４．３４ ＢＯＸＭｇ−−−−８ｍ３３ 陽極酸化膜１１＠＠Ｚ３ 金属電極０．２４ 透明導電膜０．２５ 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 第１図 第２図
法の一実施例を、工程順に示した断面図、第２図（ロ）
〜に）社従来の？、の陽極酸化法によりＭＩＭ型素子に
よる製造方法を工程順に示し几断藺図、第８図に）は本
発明に使用するＭＢＸＪｌ［の赤外吸収特性を示すグラ
フ、第８図（６）は本発明の製造方法によるＭａｘ膜の
電圧対電流特性を示すグラフ、第４図１→〜■は本発明
による液晶表示装置の他の製造方法を工程順に示した断
面図である。 絶縁基板、、１，２１．３１ 第１導体薄膜、、２．３２ 第２導体薄膜、、４．３４ ＢＯＸＭｇ−−−−８ｍ３３ 陽極酸化膜１１＠＠Ｚ３ 金属電極０．２４ 透明導電膜０．２５ 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 第１図 第２図
Claims (2)
- （１）、２枚の対向する基板、該基板間に挟持された液
晶層などからなる液晶表示装置の製造方法において、少
なくとも一方の基板上に第１の導体薄膜を形成し次に所
定の形状に第１の導体薄膜をパターニングする工程と、
前記パターンを形成した基板上にシリコン酸化膜ＳｉＯ
ｘまたはシリコン窒化膜ＳｉＮｙであり原子素成比Ｏ／
Ｓｉ＝ｘ、Ｎ／Ｓｉ＝ｙがそれぞれ０．１≦ｘ≦１．９
、０．１≦ｙ≦１．３である薄膜を形成する工程と、前
記シリコン酸化膜ＳｉＯｘまたはシリコン窒化膜ＳｉＮ
ｘ膜上に第２の導体薄膜を形成し所定の形状に第２の導
体薄膜をパターニングすることを特徴とする液晶表示装
置の製造方法。 - （２）、シリコン酸化膜またはシリコン窒化膜の形成時
に膜中に水素が含有することを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の液晶表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60015003A JPH0617956B2 (ja) | 1985-01-29 | 1985-01-29 | 液晶表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60015003A JPH0617956B2 (ja) | 1985-01-29 | 1985-01-29 | 液晶表示装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61174509A true JPS61174509A (ja) | 1986-08-06 |
| JPH0617956B2 JPH0617956B2 (ja) | 1994-03-09 |
Family
ID=11876721
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60015003A Expired - Lifetime JPH0617956B2 (ja) | 1985-01-29 | 1985-01-29 | 液晶表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0617956B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63253332A (ja) * | 1987-04-10 | 1988-10-20 | Citizen Watch Co Ltd | 液晶表示装置 |
| JPH02162327A (ja) * | 1988-12-16 | 1990-06-21 | Toshiba Corp | マトリックスアレイ基板 |
| JPH0611738A (ja) * | 1992-03-20 | 1994-01-21 | Philips Gloeilampenfab:Nv | 電子装置の製造方法 |
| US8355274B2 (en) | 2008-09-19 | 2013-01-15 | Panasonic Corporation | Current steering element, storage element, storage device, and method for manufacturing current steering element |
| US8422268B2 (en) | 2008-07-11 | 2013-04-16 | Panasonic Corporation | Current control element, memory element, and fabrication method thereof |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57197592A (en) * | 1981-05-29 | 1982-12-03 | Suwa Seikosha Kk | Liquid crystal display unit |
| JPS6194086A (ja) * | 1984-10-16 | 1986-05-12 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 液晶表示装置 |
-
1985
- 1985-01-29 JP JP60015003A patent/JPH0617956B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57197592A (en) * | 1981-05-29 | 1982-12-03 | Suwa Seikosha Kk | Liquid crystal display unit |
| JPS6194086A (ja) * | 1984-10-16 | 1986-05-12 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 液晶表示装置 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63253332A (ja) * | 1987-04-10 | 1988-10-20 | Citizen Watch Co Ltd | 液晶表示装置 |
| JPH02162327A (ja) * | 1988-12-16 | 1990-06-21 | Toshiba Corp | マトリックスアレイ基板 |
| JPH0611738A (ja) * | 1992-03-20 | 1994-01-21 | Philips Gloeilampenfab:Nv | 電子装置の製造方法 |
| US8422268B2 (en) | 2008-07-11 | 2013-04-16 | Panasonic Corporation | Current control element, memory element, and fabrication method thereof |
| US8355274B2 (en) | 2008-09-19 | 2013-01-15 | Panasonic Corporation | Current steering element, storage element, storage device, and method for manufacturing current steering element |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0617956B2 (ja) | 1994-03-09 |
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