JPS61170565A - スパツタ装置 - Google Patents
スパツタ装置Info
- Publication number
- JPS61170565A JPS61170565A JP1218585A JP1218585A JPS61170565A JP S61170565 A JPS61170565 A JP S61170565A JP 1218585 A JP1218585 A JP 1218585A JP 1218585 A JP1218585 A JP 1218585A JP S61170565 A JPS61170565 A JP S61170565A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- substrate
- targets
- cylindrical body
- sputtering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁性膜等を形成するスパッタ装置に係り、特に
高速に成膜が可能なスパッタ装置に関する。
高速に成膜が可能なスパッタ装置に関する。
例えば、高密度記録用薄膜磁気ディスクを製造する場合
、非磁性基板上にスパッタ法にて、０．１μ−程度の厚
さのα−Ｆｅ２０ｇ膜を形成し、これを還元、および酸
化熱処理することにより、γＦ ｅｔ Ｏａ ＷＩＭｌ
ｌの磁気ディスクを製造している。
、非磁性基板上にスパッタ法にて、０．１μ−程度の厚
さのα−Ｆｅ２０ｇ膜を形成し、これを還元、および酸
化熱処理することにより、γＦ ｅｔ Ｏａ ＷＩＭｌ
ｌの磁気ディスクを製造している。
この工程に於いて、スパッタ工程を短縮することが要望
されている。
されている。
このようなスパッタ装置としては、従来より第３図に示
すように気密容器１内に、基板２上に形成すべき成分よ
りなるターゲット３どうしを対向して配置し、この対向
ターゲ、フト３に対して垂直方向に基板２を設置する基
板設置台４を設ける。
すように気密容器１内に、基板２上に形成すべき成分よ
りなるターゲット３どうしを対向して配置し、この対向
ターゲ、フト３に対して垂直方向に基板２を設置する基
板設置台４を設ける。
この容器１内を排気ポンプ（図示せず）を用いて１Ｏ−
６ｔｏｒｒの真空度に成るまで排気し、基板２とターゲ
ット３間に高電圧を印加してから、容器１内にアルゴン
（Ａｒ）ガス等のスパッタ用ガスを導入して、このスパ
ッタ用ガスをターゲット３に衝突させて、ターゲット３
の成分を叩きだし、このターゲット３の成分を基板ｚ上
に被着形成している。
６ｔｏｒｒの真空度に成るまで排気し、基板２とターゲ
ット３間に高電圧を印加してから、容器１内にアルゴン
（Ａｒ）ガス等のスパッタ用ガスを導入して、このスパ
ッタ用ガスをターゲット３に衝突させて、ターゲット３
の成分を叩きだし、このターゲット３の成分を基板ｚ上
に被着形成している。
このようにターゲツト３同士を対向配置し、そのターゲ
ット３に対して垂直方向に基板を設置するスパッタ装置
は、スパッタされたターゲットの成分が、ターゲット３
の間で、スパッタ用ガスの分子と多重に繰り返して衝突
するため、単位容積のスパッタガス内に含有されるガス
イオンの密度が増加し、基板２上にターゲット３の成分
が効率良く付着するようになる。
ット３に対して垂直方向に基板を設置するスパッタ装置
は、スパッタされたターゲットの成分が、ターゲット３
の間で、スパッタ用ガスの分子と多重に繰り返して衝突
するため、単位容積のスパッタガス内に含有されるガス
イオンの密度が増加し、基板２上にターゲット３の成分
が効率良く付着するようになる。
然し、従来のスパッタ装置では、ターゲットの成分が効
率良く基板上に到達せず、基板の周囲に分散して飛散す
る問題があり、基板上の成膜速度が遅く、そのため薄膜
磁気ディスクの製造工数が増大する問題がある 〔問題点を解決するための手段〕 上記問題点は、ターゲ・ト門外筒体と内筒体とよりなる
二重筒体で構成し、かつ該ターゲットを構成する筒体の
一方の開放端面に対向して被膜形成用の基板を設置可能
とした本発明のスパッタ装置によって解決される。
率良く基板上に到達せず、基板の周囲に分散して飛散す
る問題があり、基板上の成膜速度が遅く、そのため薄膜
磁気ディスクの製造工数が増大する問題がある 〔問題点を解決するための手段〕 上記問題点は、ターゲ・ト門外筒体と内筒体とよりなる
二重筒体で構成し、かつ該ターゲットを構成する筒体の
一方の開放端面に対向して被膜形成用の基板を設置可能
とした本発明のスパッタ装置によって解決される。
即ち、本発明のスパッタ装置は、両端部がそれぞれ開放
され、直径がそれぞれ異なり、基板上に形成すべき成分
よりなる内筒体と外筒体とからなるターゲットを気密容
器内に設け、この内筒体と外筒体の一対のターゲットの
開放端部に基板を設置して、容器内を真空に排気してか
ら、このターゲットと基板間に電圧を印加するとともに
、容器内にスパッタ用ガスを導入し、このターゲットの
スパッタされた成分に方向性を持たせて集束させながら
基板上に効率良く到達するようにし、以て成膜速度の向
上したスパッタ装置を得るようにしたものである。
され、直径がそれぞれ異なり、基板上に形成すべき成分
よりなる内筒体と外筒体とからなるターゲットを気密容
器内に設け、この内筒体と外筒体の一対のターゲットの
開放端部に基板を設置して、容器内を真空に排気してか
ら、このターゲットと基板間に電圧を印加するとともに
、容器内にスパッタ用ガスを導入し、このターゲットの
スパッタされた成分に方向性を持たせて集束させながら
基板上に効率良く到達するようにし、以て成膜速度の向
上したスパッタ装置を得るようにしたものである。
以下、図面を用いながら本発明の実施例につき詳細に説
明する。
明する。
第１図は本発明のスパッタ装置の第１の実施例の要部を
示す説明図である。
示す説明図である。
本実施例をアルミニウム等の非磁性円板状基板にγ−Ｆ
ｅ２Ｏ３の薄膜磁性膜を形成する装置について述べる。
ｅ２Ｏ３の薄膜磁性膜を形成する装置について述べる。
図示するように両端部が開放で、内部が中空の円筒状の
鉄（Ｆｅ）よ゛りなり外筒体を構成するターゲット１１
と、このターゲット１１と同一の中心軸を持ち、かつこ
のターゲット１１より直径が小さく内筒体を構成するタ
ーゲット１２の一対のターゲットよりなり、この両方の
ターゲット１１．１２の両端部が開放した状態で気密容
器（図示せず）内に設けられている。
鉄（Ｆｅ）よ゛りなり外筒体を構成するターゲット１１
と、このターゲット１１と同一の中心軸を持ち、かつこ
のターゲット１１より直径が小さく内筒体を構成するタ
ーゲット１２の一対のターゲットよりなり、この両方の
ターゲット１１．１２の両端部が開放した状態で気密容
器（図示せず）内に設けられている。
この外筒体となるターゲット１１、および内筒体となる
ターゲット１２のいずれにも、このターゲットを水冷す
るための冷却管１３．１４が、ターゲット内に埋設して
設けられており、このターゲット１１とターゲット１２
の一方の開放端部Ａに対向して基板設置台１５が設けら
れ、その上に円板状基板１６が配設されている。
ターゲット１２のいずれにも、このターゲットを水冷す
るための冷却管１３．１４が、ターゲット内に埋設して
設けられており、このターゲット１１とターゲット１２
の一方の開放端部Ａに対向して基板設置台１５が設けら
れ、その上に円板状基板１６が配設されている。
このようなターゲット１１とターゲット１２、および円
板状基板１６を設置している気密容器（図示せず）の内
部を１０＝ ｔｏｒｒの真空度になるまで排気し、この
ターゲット１１．１２はいずれも負電圧となるようにす
る。更に該ターゲット１１．１２の不要部分のスパッタ
現象を防止する目的で、ターゲット１１の表面と水冷管
１３の表面とを被覆するアースシールド１７と、ターゲ
ット１２の表面の一部を被覆するアースシールド１８を
設ける。
板状基板１６を設置している気密容器（図示せず）の内
部を１０＝ ｔｏｒｒの真空度になるまで排気し、この
ターゲット１１．１２はいずれも負電圧となるようにす
る。更に該ターゲット１１．１２の不要部分のスパッタ
現象を防止する目的で、ターゲット１１の表面と水冷管
１３の表面とを被覆するアースシールド１７と、ターゲ
ット１２の表面の一部を被覆するアースシールド１８を
設ける。
更に基板設置台１５はアース電位となるようにして、こ
の基板設置台１５とターゲット１１．１２間に直流電源
（図示せず）を用いて電圧を印加し、容器内に酸素ガス
が容量で５０％含有されているアルゴン（Ａｒ）ガスよ
りなるスパッタ用ガスを導入する。
の基板設置台１５とターゲット１１．１２間に直流電源
（図示せず）を用いて電圧を印加し、容器内に酸素ガス
が容量で５０％含有されているアルゴン（Ａｒ）ガスよ
りなるスパッタ用ガスを導入する。
するとこのスパッタ用ガスがプラズマ状となり、このプ
ラズマ状のスパッタ用ガスが、更にターゲット１１．．
１２に衝突することで、ターゲット１１．１２の成分を
スパッタさせる。
ラズマ状のスパッタ用ガスが、更にターゲット１１．．
１２に衝突することで、ターゲット１１．１２の成分を
スパッタさせる。
このターゲット１１．１２のスパッタされた成分が、円
板状基板１６表面に付着するようになる。
板状基板１６表面に付着するようになる。
このようにして基板１６上にαＦｅ２Ｏ３が形成され、
これを熱処理してγＦｅ２Ｏ３として磁性膜とする。
これを熱処理してγＦｅ２Ｏ３として磁性膜とする。
このようにすれば、ターゲット１１．１２からのスパフ
タされた成分が集束されて基板１６上に被着するので従
来の装置に比較して成膜速度の向上したスパッタ装置が
得られる効果がある。
タされた成分が集束されて基板１６上に被着するので従
来の装置に比較して成膜速度の向上したスパッタ装置が
得られる効果がある。
また円板状基板上に均一にスパッタされた被膜が形成さ
れるようにするため、基板を回転しても良く、更に他の
基板を、円筒状の陰極よりなるターゲットの他の開放端
部Ｂに設けるようにしても良い。
れるようにするため、基板を回転しても良く、更に他の
基板を、円筒状の陰極よりなるターゲットの他の開放端
部Ｂに設けるようにしても良い。
また本実施例の他に第２の実施例として、第２図に示す
ように、ステンレス等を用いて形成した内筒体２１の表
面にＦｅよりなるターゲット成分の被膜２２を蒸着法等
で形成し、更にステンレス等で形成した外筒体２３の内
面にＦｅよりなるターゲット成分の被膜２４を蒸着法等
で形成し、これによってターゲット成分が消耗すると容
易にターゲット成分よりなる被膜２２．２４を被着でき
るようにした構造としても良い。
ように、ステンレス等を用いて形成した内筒体２１の表
面にＦｅよりなるターゲット成分の被膜２２を蒸着法等
で形成し、更にステンレス等で形成した外筒体２３の内
面にＦｅよりなるターゲット成分の被膜２４を蒸着法等
で形成し、これによってターゲット成分が消耗すると容
易にターゲット成分よりなる被膜２２．２４を被着でき
るようにした構造としても良い。
以上述べたように本発明のスパッタ装置によれば、ター
ゲットのスパッタされた成分が方向性を以て集束されて
基板上に被着されるので、成膜速度の向上した高効率の
スパッタ装置が得られる効果がある。
ゲットのスパッタされた成分が方向性を以て集束されて
基板上に被着されるので、成膜速度の向上した高効率の
スパッタ装置が得られる効果がある。
第１図は本発明のスパッタ装置の第１の実施例の要部を
示す模式図、 第２図は本発明のスパッタ装置の第２の実施例の要部を
示す模式図、 第３図は従来のスパッタ装置の要部を示す模式図に於い
て１１．１２はターゲット、１３．１４は水冷管、１５
は基板設置台、１６は基板、１７．１８はアースシール
ド、２１は内筒体、２３は外筒体、２２．２４は被膜、
ＡＳＢはターゲットの端部を示す。 第１図 第２因 第３図
示す模式図、 第２図は本発明のスパッタ装置の第２の実施例の要部を
示す模式図、 第３図は従来のスパッタ装置の要部を示す模式図に於い
て１１．１２はターゲット、１３．１４は水冷管、１５
は基板設置台、１６は基板、１７．１８はアースシール
ド、２１は内筒体、２３は外筒体、２２．２４は被膜、
ＡＳＢはターゲットの端部を示す。 第１図 第２因 第３図
Claims (2)
- （１）ターゲットを外筒体と内筒体とよりなる二重筒体
で構成し、かつ該ターゲットを構成する筒体の一方の開
放端面に対向して被膜形成用の基板を設置可能としたこ
とを特徴とするスパッタ装置。 - （２）前記内筒体と外筒体とがそれぞれ導電性材料より
成形され、該内筒体の表面および該外筒体の内面にそれ
ぞれターゲット成分が被覆されていることを特徴とする
特許請求の範囲第（１）項に記載のスパッタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1218585A JPS61170565A (ja) | 1985-01-24 | 1985-01-24 | スパツタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1218585A JPS61170565A (ja) | 1985-01-24 | 1985-01-24 | スパツタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61170565A true JPS61170565A (ja) | 1986-08-01 |
Family
ID=11798352
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1218585A Pending JPS61170565A (ja) | 1985-01-24 | 1985-01-24 | スパツタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61170565A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004088683A1 (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-14 | Japan Science And Technology Agency | 超小型製品用の微小、高性能希土類磁石とその製造方法 |
-
1985
- 1985-01-24 JP JP1218585A patent/JPS61170565A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004088683A1 (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-14 | Japan Science And Technology Agency | 超小型製品用の微小、高性能希土類磁石とその製造方法 |
| JP2004304038A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Japan Science & Technology Agency | 超小型製品用の微小、高性能希土類磁石とその製造方法 |
| CN100394520C (zh) * | 2003-03-31 | 2008-06-11 | 独立行政法人科学技术振兴机构 | 超小型制品用的微小稀土磁铁及其制造方法 |
| US7402226B2 (en) | 2003-03-31 | 2008-07-22 | Japan Science And Technology Agency | Minute high-performance rare earth magnet for micromini product and process for producing the same |
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