JPS61168843A - 偏向ヨ−ク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、インライン型カラー陰極線管に内蔵される
自己集中型式の偏向ヨークに係り、とくに、スクリーン
面のコーナ付近での異方性非点収是の発生を軽減させた
偏向ヨークに関するものである。

［従来の技術］ 従来、インライン形式の電子銃を内蔵したインライン型
カラー陰極線管において、自己集中型式偏向ヨークを装
着し、水平偏向磁界をビンクッション状に、そして、垂
直偏向磁界をバレル状にそれぞれ歪ませることが行なわ
れている。この場合、複雑なコンバーゼンス手段を用い
ることなくスクリーン面の全域において３％子ビームを
都合よく集中させることができる。

このような自己集中型式偏向ヨークには、サドル−トロ
イダル型のものと、サドル−サドル型のものとがあり、
前者は第５図に示すように、サドル型に巻回された水モ
偏向巻線（１）と、その外側に設けられた高透磁率コア
（２）と、このコア（２）にトロイダル型に巻回された
垂直偏向巻線（３）とからなる、また、後者は第６図に
示すよ・うに、サドルをに巻回された水平偏向巻線（１
）と、その外側に設けられたサドル型垂直偏向巻線（０
と、さらにその外側に設けられた高透磁率コア（５）と
からなる。

トロイダル型垂直偏向巻線（３）またはサドル型垂直偏
向巻線（４）の軸方向長ＬＶがサドル型水平偏向巻線（
１）の軸方向長Ｌ）ｌと略等しいとさ、これらの巻線に
よって生じる主偏向磁界の管軸（２軸）上での磁束密度
分布は第７図に示すものとなる。ただし、同図はサドル
型水平偏向巻線（１）の磁束密度分布（Ｂ）、サドル型
垂直偏向巻線（４）の磁束密度分布（７）およびトロイ
ダル型垂直偏向巻線（３）の磁束密度分布（８）をそれ
ぞれの軸上磁束密度分布の最大値で正規化して示した分
布図であり、図中、３個の巻線の最大値の２位置は一般
には若干具なるものの、以下の考察においては不都合を
生しないので、ＺＸＯで一致しているものとする。

ｚｂはサドル型水平偏向巻線（１）の後端（電子銃側）
を示し、Ｚｆは同巻線（１）の前端（スクリーン面側）
を示し、これらはサドル型水平偏向巻線（１）とその磁
界分布との相対位置を与える。サドル型水平偏向！！線
（１）の磁束密度力＆　（６）とサドル型垂直偏向Ｓ線
（４）の磁束密度力＆　（７）とは略等しいが、トロイ
ダル型垂直偏向巻線（３）の磁束密度力＊　Ｃ８）は、
サドル型巻線（１）　、　（４）の磁束密度分布（８）
　、　（７）に比べて巻線の前後方向への発散が大きい
。

ところで、従来の自己集中型式偏向ヨークを用いた場合
、第８図に例示するような非点収差をスクリーン面に生
じる。ここで、Ｂ、Ｇ、Ｒはスクリーン面側からみた３
つの電子ビーム放射源を示し、破線（８）は電子ビーム
放射源Ｂから放射された電子ビームによる青色パターン
、一点鎖線（１０）は電子ビーム放射源Ｇかも放射され
た電子ビームによる緑色パターン、実線（１１）は電子
ビーム放射源Ｒから放射された電子ビームによる赤色パ
ターンを示す。

水平軸上の両端部（１２）、　（１３）では、青色パタ
ーン（９）が赤色パターン（１１）の左側に現われ１両
パターン間距離がΔＸＨである非点収差を生じている。

また、垂直軸上の両端部（１４）、（１５）では、青色
パターン（Ｓｔ）が赤色パターン（１１）の左側に現わ
れ、両パターン間距離がΔｘｖである非点収差を生じて
いる。

このような水平−軸上および垂直軸上での非点収差を等
方性非点収差と呼び、水平軸上に生じているパターンを
ピンクッション形等方性非点収差、垂直軸上に生じてい
るパターンをバレル形等方性非点収差と呼ぶ、また、ス
クリーン面の上下に現われているＸ字状の非点収差は水
平、垂直偏向時にのみ現われるもので、これを異方性非
点収差と呼ぶ、そして、スクリーン面の右上の＄１象限
で、緑色パターン（１０）に対して赤色パターン（１１
）が下方に現われ、青色パターン（９）が上方に現われ
、実線（１１）と破線（９）とが垂直軸上で交わるＸ字
状となり、かつスクリーン面の左上の第２象限では実線
（１１）と破線（９）との上下関係が第１象限とは逆に
なり、しかもスクリーン面の下方では水平軸を基準にし
て線対称の関係にある非点収差を正の異方性非点収差と
呼ぶ。

＠９図、第１θ図は水平偏向磁界のビンクッション状歪
みの程度および垂直偏向磁界のバレル状歪みの程度を適
当に選んで、等方性非点収差ΔＸＨとΔｘｖとを零にし
たときに、スクリーン面の上下に現われる異方性非点収
差を示したものである。

第９図ではサドル−トロイダル型偏向ヨークを用いてい
るので、第７図で説明したように、水平偏向巻線による
軸上磁束密度分＃　（８）に比べて垂直偏向巻線による
軸上磁束密度分＊　（８）の発散が電子銃側で大きく現
われ、正の異方性非点収差を生じるが、サドル−サドル
型偏向ヨークを用いた第１０図では、負の異方性非点収
差を生じている。

すなわち、軸上磁束密度分布を考えたとき、サドル型水
平偏向巻線（１）による軸上磁束密度分布（６〕よりも
裾野が広すざると（トロイダル型垂直偏向巻線（３）の
つくる軸上磁束密度分布（８）がこれに対応する）、正
の異方性非点収差が生じ、逆に裾野がサドル型水平偏向
巻線（１）による軸上磁束畜度分布（６）よりほんのわ
ずかに広いと（サドル型垂直偏向巻線（４）のつくる軸
上磁束密度分布（７）がこれに対応する）、負の異方性
非点収差となる。したがって、何らかの工夫によって、
垂直偏向巻線のつくる軸上磁束密度分布をサドル型垂直
偏向巻線（４）のつくる分＊　（７）とトロイダル型垂
直偏向巻線（３）のつくる分布（８）の中間の分布（１
６）にすると、異方性非点収差を零にできるわけである
。

［発明が解決しようとする閏照点］ 前記異方性非点収差を除去するための方策として、サド
ル−トロイダル型偏向ヨークの場合、水平偏向磁界に対
して垂直偏向磁界をスクリーン面側へ移動させることが
考えられる。これを第１１図によって説明すると、垂直
偏向巻線（３）の軸方向長が水平偏向巻線（１）の軸方
向長と略等しいときのコア（２）の電子銃側端部ａを切
除し、このコア（２）の電子銃側端部を端部すとなして
、この端部すとスクリーン面側端部Ｃとの間に垂直偏向
巻線（３）を巻回する。このようにすると、ｔ！１ＩＪ
１２図に示すように、トロイダル型垂直偏向ｅ線（３）
による磁束密度分布（８）がスクリーン面側に移動し、
破線（１Ｂ）で示す位置にくるから、第９図に示した正
の異方性非点収差を除去することがでさる。しかし、前
記切除によってコア（２）を短小にすると、偏向能率に
低下をきたし好ましくない。

他方、サドル−サドル型偏向ヨークの場合には２第１０
図に示すような負の異方性非点収差を生じ、この収差は
サドル−トロイダル型のようなコアの移動では除去し得
ない、なぜなら、負の異方性非点収差を零にするために
、換言すれば第１２図の磁束密度分布（１Ｂ）を得るた
めに、第６図の垂直偏向巻線（０を電子銃側へ延長させ
ようとすると、サドル型水平偏向巻線（１）の電子銃側
ベント７ツプ（ｌａ）にサドル型垂直偏向巻線（０の電
子銃側ベントアップ（４ａ）が当接してしまうからであ
る。

この発明は上記のような従来の欠点を除去するためにな
されたもので、サドル型垂直偏向巻線に比べてコスト安
であるトロイダル型垂直偏向巻線の長所を生かしつつ、
異方性非点収差の発生を軽減できる偏向ヨークを提供す
ることを目的としている。

［問題点を解決するための手段］ この発明にかかる偏向ヨークは、コアの電子銃側端の上
下中央部の磁５４抵抗を左右に比べて大きくしたもので
ある。

［作用］ この発明においては、磁気抵抗を大きくする手段として
たとえば切り欠き部を設けた場合、水平偏向磁界の分布
にはほとんど変化はおこらないが、■直偏向磁界は上記
切り欠き部において磁気抵抗が増加するため磁力線が通
りにくくなる。その結果、電子銃側の軸上磁束密度分布
は第７図の曲線（８）から曲線（１６）へと向かい、ｙ
４方性非点収差を零にすることが可能となる。

［実施例］ 以下、この発明の実施例を図面にもとづいて説明する。

第１図ないし第３図はこの発明の第１の実施例を示して
いる０図において、（１）はサドル型水平偏向巻線、（
３）はトロイダル型垂直偏向巻線で、これらは第５図に
示したものと同じである。第５図と異なる点は、高透磁
率コア（２）の構造である。すなわち、コア（２）の電
子銃側端の上下中央部、つまりコア（２）の突き合わせ
面（１８）と９０°の角度をなす位置に、切り欠き部（
１７）を設けである。

切り欠き部（１７）がないときの軸上の磁束密度分布を
考えると、サドル−トロイダル型の偏向ヨークであるか
ら、垂直偏向磁界は第７図の曲線（８）の分布をし、水
平偏向磁界は第７図の曲線（６）の分布となる。ここで
、切り欠き部（１７）が形成される部分の垂直偏向磁界
および水平偏向磁界の大きさを考えると、第２図に示す
ように、垂直偏向磁界（１８）はこの部分で最大磁束密
度となり、大量の磁力線が通過するが、第３図に示すよ
うに水平偏向磁界（２０）はこの部分では最小磁束密度
となる。

したがって、このような状況下でコア（２）の電子銃側
の上下中央部に切り欠き部（１７）を設けると、水平偏
向磁界（２０）の分布にはほとんど変化はおこらないが
、垂直偏向磁界（１９）は切り欠き部（１７）による磁
気抵抗の増加のために磁力線が通りにくくなる。その結
果、電子銃側の軸上磁束密度分布が第７図の曲線−（８
）から曲線（１Ｂ）へと向かい。

切り欠き部（１７）の幅Ｗおよび深さｄ（第２図参照）
を適切に選ぶことにより、異方性非点収差を零にするこ
とができる。

なお、上記実施例では切り欠き部（１７）は長方形状に
形成したが、くさび状でもよいし、長円状でもよく、任
意形状で同様の効果を奏する。また、磁気抵抗を大きく
する手段は切り欠き部である必要はなく、要するに電子
銃側のコア内の磁力線を考えた場合に、水平偏向磁界の
分布にほとんど影響を与えずに、垂直偏向磁界のみが小
さくなるようにコアの電子銃側の磁気抵抗を左右に比べ
て大きくすればよい。

こめ発明の第２の実施例を第４図に示す、第４図はコア
（２）を電子銃側よりみたものであり、コア（２）の電
子銃側端の肉厚を上下中央部（２ａ）のみ左右に比べて
薄く形成することによって磁気抵抗を大きくしたもので
ある。この実施例においても、前記切り欠き部（１７）
を設けた場合と同様の効果が得られることは明白である
。

［発明の効果］ 以上のように、この発明によれば、サドル型垂直偏向巻
線に比べてコスト安であるトロイダル型偏向巻線を採用
し、ただ単にコアの電子銃側端の上下中央部の磁気抵抗
を左右に比べて大きくするという非常に簡単な改良を施
すだけで、低コストでしかもコンバーゼンス品位の高い
偏向ヨークが得られる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は、この発明の第１の実施例によるサドル−トロ
イダルを偏向ヨークの側断０面図、第２図は第１図の偏
向ヨークのコアにおける垂直偏向磁界の説明図、第３図
は同じく水平偏向磁界の説明図、第４図はこの発明の第
２の実施例によるコアを電子銃側からみた図、第５図は
従来のサドル−トロイダル型偏向ヨークの側断面図、第
６図は従来のサドル−サドル型偏向ヨークの側断面図、
第７図は各種偏向巻線の磁束密度分布を示す図、第。 ８図はスクリーン面に発生する等方性非点収差と異方性
非点収差とを説明するための図、第９図および第１０図
はそれぞれ正の異方性非点収差および負の異方性非点収
差を示す図、第１１図は正の異方性非点収差を除去する
従来方法の説明図、第１２図は第１１図の偏向ヨークの
磁束密度分布を示す図である。 （１）・・・サドル型水平偏向巻線、（２）・・・コア
、（３）・・・トロイダル型垂直偏向巻線、　（１７）
・・・切り欠き部。 なお、図中、同一符号は同一または相畠部分を示す。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）サドル型水平偏向巻線と、このサドル型水平偏向
   巻線の外側に設けられたコアと、このコアに巻回された
   トロイダル型垂直偏向巻線とを備えた自己集中型式偏向
   ヨークにおいて、前記コアの電子銃側端の上下中央部の
   磁気抵抗を左右に比べて大きくしたことを特徴とする偏
   向ヨーク。
2. （２）前記コアの電子銃側端の上下中央部に切り欠きを
   設けたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の偏
   向ヨーク。
3. （３）前記コアの電子銃側端の上下中央部の肉厚を左右
   に比べて薄くしたことを特徴とする特許請求の範囲第１
   項記載の偏向ヨーク。