JPS61168438A - チヤツク機構における半導体ウエハの取外し方法 - Google Patents

チヤツク機構における半導体ウエハの取外し方法

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JPS61168438A
JPS61168438A JP60005787A JP578785A JPS61168438A JP S61168438 A JPS61168438 A JP S61168438A JP 60005787 A JP60005787 A JP 60005787A JP 578785 A JP578785 A JP 578785A JP S61168438 A JPS61168438 A JP S61168438A
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JP
Japan
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wafer
chuck mechanism
concave
chuck
mechanism body
Prior art date
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Application number
JP60005787A
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English (en)
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JPH0217300B2 (ja
Inventor
Kazuo Kobayashi
一雄 小林
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Shibayama Kikai Co Ltd
Original Assignee
Shibayama Kikai Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、研削盤における吸着型チャック機構から、特
に極薄状の半導体ウェハを安全に開放し。
取外すことのできるウェハの取外し方法に関する。
現今における弛まざる技術革新は目覚ましいものがあり
、其の先端技術による開発によって、優れた様々な商品
群が多数送出されている。
本発明に係る特にこの種のコンピュータ、マイコン等を
搭載した電子関連機器の開発は、実に日進月歩り感があ
り、更により高度な応用技術の開発に鏑を削っている実
状にある。
このため半導体は、より超高度の質性と、小型化に繋が
る或は大量集積回路化の図れるような、極薄のシリコン
ウェハが要求されてきている。
従来、この種の吸着型チャック機構では、研削後の比較
的肉厚のウェハの場合にあっては、ウェハを何等かの方
法によってそのまま剥がしても問題点は生じなかったが
、前記の如く、益々超高精度の品質性が要求され、シリ
コンウェハの極薄化傾向が高まっている現時点において
は、0 、4 mn程度の肉厚のウェハであっても、バ
キュー11吸引によって取外そうとした場合に、ウェハ
の折損事故が頻繁に発生する。このためウェハを極薄た
る0,2mに仕上げる研削技術は可能であるが、然し乍
らこれをチャック機構から、研削済みの鏡面に傷を付け
ず或は折損を起せずに、ウェハを取外す方法はいまだに
確立されていない。
本発明は上記の事由に鑑みて鋭意研錯の結果、これらの
チャック機構における極薄(0,2mwn)ウェハを、
安全に然も確実に取外すことのできる取外し方法を創作
し、これを供せんとするものである。
斯る目的を達成せしめた本発明チャック機構における半
導体ウェハの取外し方法による実施例を、以下図面によ
って説明する。
第1図は本発明の一実施例として複数箇所にチャック機
構を有する研削盤チャック+[1ff本体より本発明の
、一部分の構成要部を現した概要図である。
第2図はチャック機構からウェハが浮上した状態を現し
た概要説明図であり、該第2図、第3図。
第4図はウェハを取外すまでの過程を順記して本発明の
取外し手段を示した概要説明図である。
本発明は、第1図による構成要部を現した図示の如く、
研削盤のチャック機構本体2に、研削するウェハAを吸
着させるための機構を形成する陥部2を、チャック機構
本体1の規模に合わせて複数箇序へ穿設すると共に、該
下面のほぼ中心辺へ水流を噴出するための注水口3を形
成せしめて、前記陥部2内へ該陥部の表面と同等か若し
くは若干表J°させ且つ底部との間に間隙部5を設けて
、ポーラス状又はほぼ垂直に多孔性を有するセラミック
4を回転自在に軸承固定せしめ、加えて該近傍辺へ、先
端部7にエアー吸着パッド8を備え水平方向に回動かつ
進退し、並びに貝降可能なウェハΔの移送アーlx 6
を軸支併設せしめて本発明を構成したものである。
この様にしてチャック機構を構成したことによって、エ
アーバキュームにより吸着されているウェハA、並びに
液面張力によって吸着されたウェハAのいずれの方法で
吸着したウェハであっても、前記チャック機も3本体1
に穿設した陥部2の注水口3から、水流を注入噴出せし
めることにより、ウェハAは噴出する水圧によって確実
に開放されて浮上し、これを更に前記ウェハの移送アー
A 6先端部7に設けたエアー吸着パッド8によって吸
着せしめ、該研削後の極薄ウェハに負担がかからぬよう
ウェハを、一旦ずらせてから」二向きに引上げて取外し
、これを別のシステム装置へ移送することができるもの
である。
即ち1本発明は噴流水圧によって浮上せしめた極薄のウ
ェハを、更に安全に回収して移送するため、水平方向の
回動は勿論のこと、更には進退する該ウェハAの移送ア
ーム6を軸支併設せしめて構成したことを特徴とするも
のであり、又吸着したウェハの取外しに際しては、チャ
ック機もηよりウェハを一旦ずらせ、ショックレス的に
成してから昇降せしめて回収することを特徴とするもの
である。
以上の如く、本発明は実に研削後の鏡面に、何等障害を
及ぼす作為、又は余分な負担等をかける虞れの全く存し
ない安全かつ確実なウェハの取外し方法であって、当初
の目的とする極薄の半導体ウェハにおいても、充分対応
できて余りある取外し手段となるため、其の貢献性は計
り知れないものがあり、極めて有意義な効果を奏するこ
とができる+1のである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例として複数箇所にチャックI
枯を有する研削盤のチャック機構本体より本発明の、−
・部分の構成要部を現した概要図である。第2図はチャ
ック機構からウェハが浮上した状態を呪した概要説明図
であり、該第2図、第3図、第4図はウェハを取外すま
での過程を順記して本発明の取外し手段を示した概要説
明図である。A−ウェハ。 1−チャック機構本体、2−陥部、3−注水1」、4−
多孔性セラミック、5−間隙部、6−ウェハの移送アー
11.7−同アームの先端部、8−エアー吸着パッド美

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 液面張力又はエアー吸着機構を有し複数個の半導体ウェ
    ハをチャックして研削する研削盤のチャック機構本体に
    おいて、 該チャック機構をポーラス状又は垂直に多孔性を有する
    セラミックで形成すると共に、チャック機構本体の吸着
    機構が位置する下面へ該多孔性セラミックの底面より表
    面へ向けて水流を噴出せしめるための注水口を設け、加
    えて先端にエアー吸着パッドを備え水平方向に回動かつ
    進退し、並びに昇降可能なウェハの移送アームを併設せ
    しめて構成し、研削後の吸着されているウェハのチャッ
    ク機構を、上記水流による噴出水圧によってウェハを浮
    上せしめ、これを更に前記移送アームにより該ウェハを
    若干ずらせてから引き上げて取外す様に成したことを特
    徴とするチャック機構における半導体ウェハの取外し方
    法。
JP60005787A 1985-01-18 1985-01-18 チヤツク機構における半導体ウエハの取外し方法 Granted JPS61168438A (ja)

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