JPS61167494A - シリコンウエ−ハ−研磨排水の処理方法 - Google Patents
シリコンウエ−ハ−研磨排水の処理方法Info
- Publication number
- JPS61167494A JPS61167494A JP684885A JP684885A JPS61167494A JP S61167494 A JPS61167494 A JP S61167494A JP 684885 A JP684885 A JP 684885A JP 684885 A JP684885 A JP 684885A JP S61167494 A JPS61167494 A JP S61167494A
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- water
- treatment
- waste water
- silicon wafer
- ultrafilter membrane
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体素子の製造工程で発生するシリコンウェ
ーハー研磨排水の処理方法に関する。更に詳しくは限外
濾過膜によるシリコンウェーハー研磨排水の処理方法の
改良に関する。
ーハー研磨排水の処理方法に関する。更に詳しくは限外
濾過膜によるシリコンウェーハー研磨排水の処理方法の
改良に関する。
従来、半導体素子の製造工程で発生するシリコンウェー
ハー研磨排水の処理には凝集沈澱法が用いられており、
硫酸アルミニウム、あるいは塩化第二鉄のような凝集剤
を加えた後、苛性ソーダ、石灰などの中和剤でｐＨを調
整することにより凝集を促進させ、上澄水とスラッジ分
に分け、上澄水は放流し、スラッジ分は脱水処理した後
、系外に廃棄されていた。
ハー研磨排水の処理には凝集沈澱法が用いられており、
硫酸アルミニウム、あるいは塩化第二鉄のような凝集剤
を加えた後、苛性ソーダ、石灰などの中和剤でｐＨを調
整することにより凝集を促進させ、上澄水とスラッジ分
に分け、上澄水は放流し、スラッジ分は脱水処理した後
、系外に廃棄されていた。
しかしながら前記の処理方法では、比較的懸濁物質濃度
の低い大量の排水に薬剤を加えて反応させる必要がある
ため、薬剤の使用量が多大になるという問題があるばか
りでなく、節水という観点から上澄水をイオン交換処理
などの高次処理に付し、工程水として再利用するにも、
薬剤の一部が溶解しているためイオン負荷が高く、経済
的に無理であった。加えて反応処理に長時間を要するた
め、設備規模が大きくなり、設置面積が大であるという
難点があった。
の低い大量の排水に薬剤を加えて反応させる必要がある
ため、薬剤の使用量が多大になるという問題があるばか
りでなく、節水という観点から上澄水をイオン交換処理
などの高次処理に付し、工程水として再利用するにも、
薬剤の一部が溶解しているためイオン負荷が高く、経済
的に無理であった。加えて反応処理に長時間を要するた
め、設備規模が大きくなり、設置面積が大であるという
難点があった。
これに対して、近年、高効率の分離操作として注目され
、利用範囲の拡大が進んでいる限外濾過膜を用いる処理
方法が提案され（特開昭５８−６３１９０号公報）、工
業的規模での使用も数多くなされているが、限外濾過膜
の劣化が早く、耐用期間が短いという問題がある。
、利用範囲の拡大が進んでいる限外濾過膜を用いる処理
方法が提案され（特開昭５８−６３１９０号公報）、工
業的規模での使用も数多くなされているが、限外濾過膜
の劣化が早く、耐用期間が短いという問題がある。
膜の耐用期間は経済性に著しく影響するので、可能な限
り延長されることが望ましく、そのための方法、施策が
待ち望まれているのが現状である。
り延長されることが望ましく、そのための方法、施策が
待ち望まれているのが現状である。
本発明者らはシリコンウェーハー研磨排水を限外濾過膜
にかけた場合に起こる膜の劣化について検討した結果、
高純度シリコンの研磨によって生じる微粉末は極めて活
性に富み、水と反応して原子状態の水素を発生させ、排
水は強い還元状態にあることを見い出し、このような還
元状態で濾過実験を行ったところ、膜の機械的強度が著
しく低下することを見い出した。そこで、還元力を減衰
させる方法について検討した結果、シリコンウェーハー
研磨排水を限外濾過膜にかける前に酸化処理をすること
によって耐用期間を大巾に延長させることに成功し、本
発明を完成させた。
にかけた場合に起こる膜の劣化について検討した結果、
高純度シリコンの研磨によって生じる微粉末は極めて活
性に富み、水と反応して原子状態の水素を発生させ、排
水は強い還元状態にあることを見い出し、このような還
元状態で濾過実験を行ったところ、膜の機械的強度が著
しく低下することを見い出した。そこで、還元力を減衰
させる方法について検討した結果、シリコンウェーハー
研磨排水を限外濾過膜にかける前に酸化処理をすること
によって耐用期間を大巾に延長させることに成功し、本
発明を完成させた。
本発明の方法によれば、還元雰囲気で使用されると機械
的強度の低下を招く高分子化合物からなるすべての限外
濾過膜の耐用期間を飛躍的に向上させることができる。
的強度の低下を招く高分子化合物からなるすべての限外
濾過膜の耐用期間を飛躍的に向上させることができる。
本発明の酸化処理とは酸素、空気など酸化力を有する気
体との接触、または過酸化水素、次亜塩素酸ソーダ、過
マンガン酸カリウム、重クロム酸カリウムなど酸化剤の
添加を言うものであり、特に限定されないが、酸化源の
選択及び、使用にあたっては、以下のような理由により
注意が必要である。
体との接触、または過酸化水素、次亜塩素酸ソーダ、過
マンガン酸カリウム、重クロム酸カリウムなど酸化剤の
添加を言うものであり、特に限定されないが、酸化源の
選択及び、使用にあたっては、以下のような理由により
注意が必要である。
例えば、限外濾過後、濾過水にイオン交換処理などの高
次処理を施し、研磨工程で再使用する場合にはイオン負
荷が問題となることから、酸素、空気、あるいは過酸化
水素により酸化処理することが好ましい。
次処理を施し、研磨工程で再使用する場合にはイオン負
荷が問題となることから、酸素、空気、あるいは過酸化
水素により酸化処理することが好ましい。
また酸化剤の添加により酸化処理を行う場合には、過剰
に酸化剤が添加されると逆に酸化作用により膜を劣化さ
せてしまうので注意が必要である。
に酸化剤が添加されると逆に酸化作用により膜を劣化さ
せてしまうので注意が必要である。
一般には実験により事前に酸化剤の添加量を決めておく
か、酸化還元電位計（ＯＲＰメーター）を使って添加量
を適宜コントロールする方法がとられる。酸化源として
酸素、空気を用いる場合の供給量についても同様である
。本発明の酸化処理の程度は、酸化還元電位を２００ｍ
Ｖ以下にすることが好ましく、最も好ましくは酸化還元
電位が５０１１ｖ以下である。次に酸化処理は限外濾過
装置の前に設けられる排水受槽を使って行うことはもち
ろんのこと、排水受槽に至る配管中、あるいは排水受槽
から限外濾過装置に至る配管の途中でも行うことができ
る。なお、酸化処理を行うことによる弊害は何もなく、
濾過速度、濾過速度の安定性、懸濁物質の除去性は、酸
化処理なしで濾過する場合と同等である。
か、酸化還元電位計（ＯＲＰメーター）を使って添加量
を適宜コントロールする方法がとられる。酸化源として
酸素、空気を用いる場合の供給量についても同様である
。本発明の酸化処理の程度は、酸化還元電位を２００ｍ
Ｖ以下にすることが好ましく、最も好ましくは酸化還元
電位が５０１１ｖ以下である。次に酸化処理は限外濾過
装置の前に設けられる排水受槽を使って行うことはもち
ろんのこと、排水受槽に至る配管中、あるいは排水受槽
から限外濾過装置に至る配管の途中でも行うことができ
る。なお、酸化処理を行うことによる弊害は何もなく、
濾過速度、濾過速度の安定性、懸濁物質の除去性は、酸
化処理なしで濾過する場合と同等である。
本発明の方法によれば、単純な前処理を付加するだけで
限外濾過膜の寿命が延長でき、結果としてより安価な費
用で排水処理可能となるので、シリコンウェーハー研磨
排水の工業的処理技術として有効である。
限外濾過膜の寿命が延長でき、結果としてより安価な費
用で排水処理可能となるので、シリコンウェーハー研磨
排水の工業的処理技術として有効である。
実施例１
還元電位３５０〜４００ｙｎＶのシリコンウェーハー研
磨排水を２０１！の受槽に受は入れ、この中に別の槽に
用意した１％の過酸化水素水を定量ポンプを使って１．
５＋＋ｉ／ｌｌｌ１ｎの速度で連続的に添加し、還元電
位を３０〜５０ｍＶに減衰させながら、並列に並べた下
記■、■に示す二種類の中空糸型限外濾過膜に、入口圧
力１．２ｋｇ／ｃｊ、出口圧力０．８ｋｇ／ｃｄの条件
で温度を２５℃以下に保ちながら連続的に供給し還流さ
せた。濾過水を系外に抜き出す一方、濾過水の１／１０
に相当する量を濃縮水として定量ポンプにより、受槽か
ら常時系外に抜き出した。また受槽には液面計を備えつ
け、濾過水と濃縮水の抜き出しによって液面が一定レベ
ルまで下がると一定量の排水が送り込まれる様にしてお
いた。３０日間経過したところで濾過を停止し、膜をと
り出して引張試験にかけた。サンプル数１０で測定した
引張伸度の平均値は、ポリアクリロニトリル系中空糸膜
、ポリスルホン中空糸膜共、同一ロットの未使用膜に対
する比で、それぞれ９８．３％、９９．１％のレベルに
あり、劣化は認められなかった。
磨排水を２０１！の受槽に受は入れ、この中に別の槽に
用意した１％の過酸化水素水を定量ポンプを使って１．
５＋＋ｉ／ｌｌｌ１ｎの速度で連続的に添加し、還元電
位を３０〜５０ｍＶに減衰させながら、並列に並べた下
記■、■に示す二種類の中空糸型限外濾過膜に、入口圧
力１．２ｋｇ／ｃｊ、出口圧力０．８ｋｇ／ｃｄの条件
で温度を２５℃以下に保ちながら連続的に供給し還流さ
せた。濾過水を系外に抜き出す一方、濾過水の１／１０
に相当する量を濃縮水として定量ポンプにより、受槽か
ら常時系外に抜き出した。また受槽には液面計を備えつ
け、濾過水と濃縮水の抜き出しによって液面が一定レベ
ルまで下がると一定量の排水が送り込まれる様にしてお
いた。３０日間経過したところで濾過を停止し、膜をと
り出して引張試験にかけた。サンプル数１０で測定した
引張伸度の平均値は、ポリアクリロニトリル系中空糸膜
、ポリスルホン中空糸膜共、同一ロットの未使用膜に対
する比で、それぞれ９８．３％、９９．１％のレベルに
あり、劣化は認められなかった。
なお、濾過速度は二種類のモジュール共濾過開始時と３
０日間後とでほとんど差がなかった。
０日間後とでほとんど差がなかった。
■ポリアクリロニトリル系限外濾過膜（中空糸内径０．
８ｍｍφ、膜面積０．２ｍ） ■ポリスルホン限外濾過膜（中空糸内径０．８ｍｍφ、
膜面積０．２ ｒｒｆ ） 実施例２ 酸化源が酸素であって、ボンベから酸素を０．５Ｎｎ？
／Ｈｒの速度で受槽に連続的に供給し、還元電位を５０
〜８０ｍＶに減衰させた以外、実施例１とまったく同様
の操作及び測定を行った結果は次の通りであった。
８ｍｍφ、膜面積０．２ｍ） ■ポリスルホン限外濾過膜（中空糸内径０．８ｍｍφ、
膜面積０．２ ｒｒｆ ） 実施例２ 酸化源が酸素であって、ボンベから酸素を０．５Ｎｎ？
／Ｈｒの速度で受槽に連続的に供給し、還元電位を５０
〜８０ｍＶに減衰させた以外、実施例１とまったく同様
の操作及び測定を行った結果は次の通りであった。
ポリアクリロニトリル系中空糸膜の平均引張伸度比（同
一ロットの未使用膜に対する比’）−９８，５％ポリス
ルホン中空糸膜の平均引張伸度比（同一ロットの未使用
膜に対する比）−９８，８％なお、濾過速度は二種類の
モジュール共、濾過開始時と３０日間後とでほとんど差
がなかった。
一ロットの未使用膜に対する比’）−９８，５％ポリス
ルホン中空糸膜の平均引張伸度比（同一ロットの未使用
膜に対する比）−９８，８％なお、濾過速度は二種類の
モジュール共、濾過開始時と３０日間後とでほとんど差
がなかった。
実施例３
１％の過酸化水素水を０．６ｍ ｌ ／ｌ１ｉｎの速度
で連続的に添加し、還元電位を１８０〜２００＋ｓＶに
減衰させた以外、実施例１とまったく同様の操作及び測
定を行った結果は次の通りであった。
で連続的に添加し、還元電位を１８０〜２００＋ｓＶに
減衰させた以外、実施例１とまったく同様の操作及び測
定を行った結果は次の通りであった。
ポリアクリロニトリル系中空糸膜の平均引張伸度比（同
一ロットの未使用膜に対する比）−・−９０，４％ポリ
スルホン中空糸膜の平均引張伸度比（同一ロットの未使
用膜に対する比） −−−９３，６％なお、濾過速度は
二種類のモジュール共、濾過開始時と３０日間後でほと
んど差がなかった。
一ロットの未使用膜に対する比）−・−９０，４％ポリ
スルホン中空糸膜の平均引張伸度比（同一ロットの未使
用膜に対する比） −−−９３，６％なお、濾過速度は
二種類のモジュール共、濾過開始時と３０日間後でほと
んど差がなかった。
比較例
受槽に過酸化水素水の注入をしない以外、実施例１と全
く同様の操作及び測定を行った結果は次の通りであった
。
く同様の操作及び測定を行った結果は次の通りであった
。
ポリアクリロニトリル系中空糸膜の平均引張伸度比（同
一ロットの未使用膜に対する比） −６４，５％ポリ
スルホン中空糸膜の平均引張伸度比（同一ロットの未使
用膜に対する比）−７８，２％なお、濾過速度は二種類
のモジュール共、濾過開始時と３０日間後とでほとんど
差がなかった。
一ロットの未使用膜に対する比） −６４，５％ポリ
スルホン中空糸膜の平均引張伸度比（同一ロットの未使
用膜に対する比）−７８，２％なお、濾過速度は二種類
のモジュール共、濾過開始時と３０日間後とでほとんど
差がなかった。
Claims (1)
- シリコンウェーハーの研磨によって生じるシリコン微粉
末を含む排水を、限外濾過膜で濾過し、濾過水と濃縮水
に分離するに際し、該排水を限外濾過膜にかける前に酸
化処理することを特徴とするシリコンウェーハー研磨排
水の処理方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP684885A JPS61167494A (ja) | 1985-01-18 | 1985-01-18 | シリコンウエ−ハ−研磨排水の処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP684885A JPS61167494A (ja) | 1985-01-18 | 1985-01-18 | シリコンウエ−ハ−研磨排水の処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61167494A true JPS61167494A (ja) | 1986-07-29 |
| JPH0439398B2 JPH0439398B2 (ja) | 1992-06-29 |
Family
ID=11649655
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP684885A Granted JPS61167494A (ja) | 1985-01-18 | 1985-01-18 | シリコンウエ−ハ−研磨排水の処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61167494A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01135580A (ja) * | 1987-11-24 | 1989-05-29 | Japan Organo Co Ltd | 半導体ウエハーの製造工程より排出される排水の処理方法 |
| JP2006095478A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Nippon Steel Corp | 硫黄化合物を含む廃水の処理方法 |
| JP2008000750A (ja) * | 2007-08-16 | 2008-01-10 | Japan Organo Co Ltd | Ｃｍｐ工程排水処理装置 |
| JP2010501349A (ja) * | 2006-08-25 | 2010-01-21 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 基板研磨液のユースポイント処理のための方法及びシステム |
| CN104609668A (zh) * | 2015-01-23 | 2015-05-13 | 先达恩那社水处理工程（天津）有限公司 | 芯片生产线的废水处理方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5266881A (en) * | 1975-10-28 | 1977-06-02 | Ebara Infilco Co Ltd | Process for separation by membrane |
| JPS5474285A (en) * | 1977-11-25 | 1979-06-14 | Sasakura Eng Co Ltd | Reverse osmotic pressure apparatus control method |
| JPS5687402A (en) * | 1979-12-14 | 1981-07-16 | Ebara Infilco Co Ltd | Membrane separation method |
| JPS5980387A (ja) * | 1982-10-27 | 1984-05-09 | Toray Eng Co Ltd | 半透性複合膜による電子部品洗浄廃水の逆浸透処理方法 |
| JPS59189987A (ja) * | 1983-04-11 | 1984-10-27 | Nec Corp | シリコンウエ−ハ−研摩排水の循環利用方法 |
-
1985
- 1985-01-18 JP JP684885A patent/JPS61167494A/ja active Granted
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5266881A (en) * | 1975-10-28 | 1977-06-02 | Ebara Infilco Co Ltd | Process for separation by membrane |
| JPS5474285A (en) * | 1977-11-25 | 1979-06-14 | Sasakura Eng Co Ltd | Reverse osmotic pressure apparatus control method |
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| JPS59189987A (ja) * | 1983-04-11 | 1984-10-27 | Nec Corp | シリコンウエ−ハ−研摩排水の循環利用方法 |
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| JPH01135580A (ja) * | 1987-11-24 | 1989-05-29 | Japan Organo Co Ltd | 半導体ウエハーの製造工程より排出される排水の処理方法 |
| JP2006095478A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Nippon Steel Corp | 硫黄化合物を含む廃水の処理方法 |
| JP2010501349A (ja) * | 2006-08-25 | 2010-01-21 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 基板研磨液のユースポイント処理のための方法及びシステム |
| JP2008000750A (ja) * | 2007-08-16 | 2008-01-10 | Japan Organo Co Ltd | Ｃｍｐ工程排水処理装置 |
| CN104609668A (zh) * | 2015-01-23 | 2015-05-13 | 先达恩那社水处理工程（天津）有限公司 | 芯片生产线的废水处理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0439398B2 (ja) | 1992-06-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |