JPS61166548A - フオトマスク - Google Patents
フオトマスクInfo
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- JPS61166548A JPS61166548A JP60005761A JP576185A JPS61166548A JP S61166548 A JPS61166548 A JP S61166548A JP 60005761 A JP60005761 A JP 60005761A JP 576185 A JP576185 A JP 576185A JP S61166548 A JPS61166548 A JP S61166548A
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- Japan
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- pellicle
- photomask
- stand
- pattern
- outside
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
- G03F1/64—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof characterised by the frames, e.g. structure or material, including bonding means therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明はフォトマスク表面への異物の付着を防止して異
物による転写パターン欠陥を防止したフォトマスクに関
し、特にフォトマスク上にペリクルを付設してなるフォ
トマスクに関するものである。
物による転写パターン欠陥を防止したフォトマスクに関
し、特にフォトマスク上にペリクルを付設してなるフォ
トマスクに関するものである。
半導体装置の製造工程ではフォトマスクのパターンを半
導体ウェーハに転写してパターン形成を行うフォトリソ
グラフィ工程が必要不可欠であるが、このときフォトマ
スクのパターン面に埃等の異物が付着しているとこれが
ウェーハにも転写されパターン欠陥を生じて半導体装置
の製造歩留を低下させる。
導体ウェーハに転写してパターン形成を行うフォトリソ
グラフィ工程が必要不可欠であるが、このときフォトマ
スクのパターン面に埃等の異物が付着しているとこれが
ウェーハにも転写されパターン欠陥を生じて半導体装置
の製造歩留を低下させる。
このため、特開昭５４−８００８２号で代表されるよう
に、フォトマスクの周囲に設けたスタンド（周壁）を用
いてフォトマスクの表面（パターン面）から適宜離れた
位置にニトロセルロース等の有機質の極めて薄い膜、す
なわちペリクルを張設し、これらスタンドとペリクルと
でフォトマスク表面を気密にカバーしてフォトマスクの
パターン面への埃の付着を防止するようにしたペリクル
方式のフォトマスクが提案されている。このペリクルに
はパターン面から被写界深度（焦点深度）以上の間隔を
おいているため、ペリクル表面に異物が付着してもこれ
がウェーハに転写されることはない。
に、フォトマスクの周囲に設けたスタンド（周壁）を用
いてフォトマスクの表面（パターン面）から適宜離れた
位置にニトロセルロース等の有機質の極めて薄い膜、す
なわちペリクルを張設し、これらスタンドとペリクルと
でフォトマスク表面を気密にカバーしてフォトマスクの
パターン面への埃の付着を防止するようにしたペリクル
方式のフォトマスクが提案されている。このペリクルに
はパターン面から被写界深度（焦点深度）以上の間隔を
おいているため、ペリクル表面に異物が付着してもこれ
がウェーハに転写されることはない。
ところが、このペリクル方式のフォトマスクを実際に使
用すると１〜数力月も経過すると密封されているはずの
フォトマスクパターン面に異物が付着し、転写パターン
の欠陥を発生するおそれが生じることが判明した。本発
明者がこの原因について検討したところ、ペリクルの表
面（内面）に施している表面保護膜や反射防止膜等のコ
ーテイング膜を構成するコーテイング材がペリクル形成
時に内部に封止された空気中の酸素、水素等のガス成分
と反応して化学変化され、これにより生成された結晶が
異物となってペリクル内部に発生し、これがパターン面
に付着することが明らかとされた。またペリクル形成時
に内部に封じ込められた空気中の水分によって内部でか
びやバクテリアが発生しこれが異物となることも推定で
きる。さらに、異物とは別に封じ込められた水分が外部
温度との差によって水滴となり、ペリクルやフォトマス
クの表面に付着して光の透過率を下げパターンのコント
ラストやシャープ性を低下させることも不具合の一つと
なることも判明した。
用すると１〜数力月も経過すると密封されているはずの
フォトマスクパターン面に異物が付着し、転写パターン
の欠陥を発生するおそれが生じることが判明した。本発
明者がこの原因について検討したところ、ペリクルの表
面（内面）に施している表面保護膜や反射防止膜等のコ
ーテイング膜を構成するコーテイング材がペリクル形成
時に内部に封止された空気中の酸素、水素等のガス成分
と反応して化学変化され、これにより生成された結晶が
異物となってペリクル内部に発生し、これがパターン面
に付着することが明らかとされた。またペリクル形成時
に内部に封じ込められた空気中の水分によって内部でか
びやバクテリアが発生しこれが異物となることも推定で
きる。さらに、異物とは別に封じ込められた水分が外部
温度との差によって水滴となり、ペリクルやフォトマス
クの表面に付着して光の透過率を下げパターンのコント
ラストやシャープ性を低下させることも不具合の一つと
なることも判明した。
本発明の目的はペリクル内部において発生する異物をす
みやかにペリクル内部から排出してフォトマスク面への
付着を防止し、フォトマスクパターンの転写パターン欠
陥の発生を防止することのできるフォトマスクを提供す
ることにある。
みやかにペリクル内部から排出してフォトマスク面への
付着を防止し、フォトマスクパターンの転写パターン欠
陥の発生を防止することのできるフォトマスクを提供す
ることにある。
また、本発明の他の目的はペリクルやフォトマスク内面
への水滴の付着を防止して光透過率の低下やコントラス
ト低下等を防止することのできるフォトマスクを提供す
ることにある。
への水滴の付着を防止して光透過率の低下やコントラス
ト低下等を防止することのできるフォトマスクを提供す
ることにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。すなわち、
フォトマスクの周囲に立設してペリクルを張設するスタ
ンドに気孔を設け、この気孔を通してペリクル内外を連
通させることにより、ペリクル内部でのかびやバクテリ
ア等の発生を防ぎかつ水滴付着を防止できる。
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。すなわち、
フォトマスクの周囲に立設してペリクルを張設するスタ
ンドに気孔を設け、この気孔を通してペリクル内外を連
通させることにより、ペリクル内部でのかびやバクテリ
ア等の発生を防ぎかつ水滴付着を防止できる。
さらに好ましくは、スタンドに透孔を形成し、ペリクル
内部に生じた異物をこの透孔を通して外部に排出するこ
とによりペリクル内での異物の発生にかかわらずフォト
マスクへの異物の付着を防止することができる。
内部に生じた異物をこの透孔を通して外部に排出するこ
とによりペリクル内での異物の発生にかかわらずフォト
マスクへの異物の付着を防止することができる。
第１図は本発明の一実施例を一部破断して示す斜視図で
ある。フォトマスク１は透明のガラス（石英ガラス）板
２の表面にＣｒ（クロム）等の金属膜からなる光年透明
膜３を所要のパターンに形成し、これをマスクパターン
として構成している。前記ガラス板２０表面にはアルミ
ニウム材からなる板状のスタンド４を枠状に構成し前記
マスクパターン３を囲むようにして全円周にわたって立
設し接着剤によってガラス板２の表面に固着している。
ある。フォトマスク１は透明のガラス（石英ガラス）板
２の表面にＣｒ（クロム）等の金属膜からなる光年透明
膜３を所要のパターンに形成し、これをマスクパターン
として構成している。前記ガラス板２０表面にはアルミ
ニウム材からなる板状のスタンド４を枠状に構成し前記
マスクパターン３を囲むようにして全円周にわたって立
設し接着剤によってガラス板２の表面に固着している。
そして、このスタンド４の上縁にはニトロセルロース等
の有機材からなる透明薄膜、つまりペリクル５を緊張状
態で張設して接着し、このペリクル５とスタンド４とで
前記ガラス板２の表面つまりフォトマスク１のパターン
面を外部と隔絶させている。なお、このパターン面を含
む内部を便宜的にペリクル内部と称する。前記ペリクル
５はその表面（内外面）に保護用または反射防止用の薄
膜をコーティングしていることは言うまでもない。また
、スタンド４の高さはフォトマスクｌの通常使用におけ
る被写界深度以上の高さであることはもちろんである。
の有機材からなる透明薄膜、つまりペリクル５を緊張状
態で張設して接着し、このペリクル５とスタンド４とで
前記ガラス板２の表面つまりフォトマスク１のパターン
面を外部と隔絶させている。なお、このパターン面を含
む内部を便宜的にペリクル内部と称する。前記ペリクル
５はその表面（内外面）に保護用または反射防止用の薄
膜をコーティングしていることは言うまでもない。また
、スタンド４の高さはフォトマスクｌの通常使用におけ
る被写界深度以上の高さであることはもちろんである。
一方、前記スタンド４は第２図に併せて示すようにその
周囲に複数個の気孔６を配設している。
周囲に複数個の気孔６を配設している。
この気孔６は、本例ではべりクル５の内部と外部との間
で空気が通流できるように構成している。
で空気が通流できるように構成している。
すなわち、スタンド４の厚さ方向に貫通孔７を形成した
上でこの貫通孔７内にアルミナや砥石等の多孔質材料８
を充填ないし埋設しており、気体ないし超微粒子のみを
通過できるようにしている。
上でこの貫通孔７内にアルミナや砥石等の多孔質材料８
を充填ないし埋設しており、気体ないし超微粒子のみを
通過できるようにしている。
以上の構成によれば、ペリクル内部はガラス板２、スタ
ンド４、ペリクル５によって外部と隔絶されていても、
気孔６を通して外部と空気の通流は可能なため、ペリク
ル５の形成時に水分を含んだ空気をペリクル５の内部に
封し込めた場合にも、この水分を含んだ空気を外部に排
気させることができる。これにより、ペリクル内部に滞
留される空気の成分や水分が原因とされる化学変化を抑
制できまたかびやハタテリアの発生を抑制し、異物の発
生を防止する。これにより、パターン面への異物の付着
を防止し、転写パターンの欠陥の発生を未然に防止する
。また、水分が原因とされるペリクル内部でのくもり等
を防止し、転写パターンのコントラスト、シャープネス
を向上できる。
ンド４、ペリクル５によって外部と隔絶されていても、
気孔６を通して外部と空気の通流は可能なため、ペリク
ル５の形成時に水分を含んだ空気をペリクル５の内部に
封し込めた場合にも、この水分を含んだ空気を外部に排
気させることができる。これにより、ペリクル内部に滞
留される空気の成分や水分が原因とされる化学変化を抑
制できまたかびやハタテリアの発生を抑制し、異物の発
生を防止する。これにより、パターン面への異物の付着
を防止し、転写パターンの欠陥の発生を未然に防止する
。また、水分が原因とされるペリクル内部でのくもり等
を防止し、転写パターンのコントラスト、シャープネス
を向上できる。
第３図は気孔６の変形例を示し、この例では気孔６を透
孔７Ａにて構成している。この透孔７Ａは開口径が内部
から外部に向かって漸減されたテーパ状とし、ガラス板
２の上面に沿って形成している。その他の構成は第１図
、第２図と全く同じである。
孔７Ａにて構成している。この透孔７Ａは開口径が内部
から外部に向かって漸減されたテーパ状とし、ガラス板
２の上面に沿って形成している。その他の構成は第１図
、第２図と全く同じである。
この例によれば、透孔７Ａを通してペリクル内部と外部
との空気を通流することにより、前述と同様にペリクル
内部のコーテング材の化学変化を防止して異物の発生を
防止しかつ水滴によるくもりを防止できる。さらにこれ
に加えて、仮にペリクル内部で異物が発生したとしても
、フォトマスク全体に振動等を加えて異物をガラス板２
上に落下させてこれを傾けることにより異物を透孔７Ａ
から外部に排出できる。このとき、透孔７Ａの一部から
内部に清浄空気を噴入させ、他の透孔７Ａからこれを強
制排除することもできる。なお、透孔７Ａはテーパ状で
あるため外部から内部への異物の侵入を防止できる。
との空気を通流することにより、前述と同様にペリクル
内部のコーテング材の化学変化を防止して異物の発生を
防止しかつ水滴によるくもりを防止できる。さらにこれ
に加えて、仮にペリクル内部で異物が発生したとしても
、フォトマスク全体に振動等を加えて異物をガラス板２
上に落下させてこれを傾けることにより異物を透孔７Ａ
から外部に排出できる。このとき、透孔７Ａの一部から
内部に清浄空気を噴入させ、他の透孔７Ａからこれを強
制排除することもできる。なお、透孔７Ａはテーパ状で
あるため外部から内部への異物の侵入を防止できる。
第４図はこの透孔をさらに変形したもので、透孔７Ｂを
大径の横穴９，９と細径の縦穴１０とでクランク状に形
成したものである。図中、■１は縦穴１０を形成すると
きに形成された穴を埋めている充填材である。
大径の横穴９，９と細径の縦穴１０とでクランク状に形
成したものである。図中、■１は縦穴１０を形成すると
きに形成された穴を埋めている充填材である。
この例も第３図の場合と同じであり、ペリクル内部と外
部との空気の通流を図って異物の発生を防止しくもりを
防止できる。また、ペリクル内部の異物を透孔７Ｂを通
して外部に排出できる。この例では、透孔７Ｂを横穴９
．９と縦穴１０とでクランク状に構成しているので、異
物の排出は若干困難であるが、その分外部からペリクル
内部への異物の侵入をさらに効果的に防止できる。
部との空気の通流を図って異物の発生を防止しくもりを
防止できる。また、ペリクル内部の異物を透孔７Ｂを通
して外部に排出できる。この例では、透孔７Ｂを横穴９
．９と縦穴１０とでクランク状に構成しているので、異
物の排出は若干困難であるが、その分外部からペリクル
内部への異物の侵入をさらに効果的に防止できる。
（１）スタンドに気孔を形成してペリクル内部と外部と
で空気が通流できるようにしているので、ペリクル内部
での化学反応やかび、ハタテリアの発生を抑制し、異物
の発生を防止でき、パターン欠陥の発生を防止する。
で空気が通流できるようにしているので、ペリクル内部
での化学反応やかび、ハタテリアの発生を抑制し、異物
の発生を防止でき、パターン欠陥の発生を防止する。
（２）ペリクル形成時に封入された空気中に水分が含ま
れていても、気孔を通じて排気できるのでペリクル内部
で水滴が生じることもなく、くもりを防止して転写パタ
ーンのコントラスト、シャープネスを向上できる。
れていても、気孔を通じて排気できるのでペリクル内部
で水滴が生じることもなく、くもりを防止して転写パタ
ーンのコントラスト、シャープネスを向上できる。
（３）気孔を透孔として構成することにより、ペリクル
内部で異物が発生した場合にもこの異物を気孔を通じて
ペリクル外部に排出でき、パターン面に付着してパター
ン欠陥を発生させることもない。
内部で異物が発生した場合にもこの異物を気孔を通じて
ペリクル外部に排出でき、パターン面に付着してパター
ン欠陥を発生させることもない。
（４）透孔をテーパ状、クランク状とすることにより異
物の排出を可能にする一方で外部から内部への埃の侵入
を防止する。
物の排出を可能にする一方で外部から内部への埃の侵入
を防止する。
以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。たとえば、スタンド自
体を多孔質材で形成してもよい。また、透孔を構成する
場合にもその断面形状は適宜に変更できる。
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。たとえば、スタンド自
体を多孔質材で形成してもよい。また、透孔を構成する
場合にもその断面形状は適宜に変更できる。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である半導体ウェーハにパ
ターンを転写するフォトマスクに適用した場合について
説明したが、それに限定されるものではなく、たとえば
レチクルへの適用も可能であり、要はフォトリソグラフ
ィ技術をもちいるパターン転写用マスクの全てに適用で
きる。
をその背景となった利用分野である半導体ウェーハにパ
ターンを転写するフォトマスクに適用した場合について
説明したが、それに限定されるものではなく、たとえば
レチクルへの適用も可能であり、要はフォトリソグラフ
ィ技術をもちいるパターン転写用マスクの全てに適用で
きる。
第１図は本発明の一実施例の一部を破断して示す全体斜
視図、 第２図はその縦断面図、 第３図は変形例の要部の断面図、 第４図は他の変形例の要部の断面図である。 １・・・フォトマスク、２・・・ガラス板、３・・・パ
ターン、４・・・スタンド、５・・・ペリクル、６・・
・気孔、７．７Ａ、７Ｂ・・・透孔、８・・・多孔質材
、９・・・横穴、第 １ 図
視図、 第２図はその縦断面図、 第３図は変形例の要部の断面図、 第４図は他の変形例の要部の断面図である。 １・・・フォトマスク、２・・・ガラス板、３・・・パ
ターン、４・・・スタンド、５・・・ペリクル、６・・
・気孔、７．７Ａ、７Ｂ・・・透孔、８・・・多孔質材
、９・・・横穴、第 １ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、フォトマスクの周囲にスタンドを立設し、このスタ
ンドにペリクルを張設してフォトマスクのパターン面を
封止したペリクル方式のフォトマスクであって、前記ス
タンドにはペリクル内部と外部とを連通する気孔を形成
したことを特徴とするフォトマスク。 ２、気孔に多孔質材を充填してなる特許請求の範囲第１
項記載のフォトマスク。 ３、気孔は透孔であり、この透孔を通してペリクル内に
発生した異物を外部に排出し得る特許請求の範囲第１項
または第２項記載のフォトマスク。 ４、透孔は外部に向かってその開口径が漸減されるテー
パ状に形成してなる特許請求の範囲第３項記載のフォト
マスク。 ５、透孔はクランク状に形成して外部からの埃がペリク
ル内部に入り難く構成してなる特許請求の範囲第３項記
載のフォトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60005761A JPS61166548A (ja) | 1985-01-18 | 1985-01-18 | フオトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60005761A JPS61166548A (ja) | 1985-01-18 | 1985-01-18 | フオトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61166548A true JPS61166548A (ja) | 1986-07-28 |
Family
ID=11620106
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60005761A Pending JPS61166548A (ja) | 1985-01-18 | 1985-01-18 | フオトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61166548A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20110055454A (ko) * | 2009-11-19 | 2011-05-25 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 리소그래피용 펠리클 |
-
1985
- 1985-01-18 JP JP60005761A patent/JPS61166548A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20110055454A (ko) * | 2009-11-19 | 2011-05-25 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 리소그래피용 펠리클 |
| JP2011107519A (ja) * | 2009-11-19 | 2011-06-02 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | リソグラフィ用ペリクル |
| US8445165B2 (en) | 2009-11-19 | 2013-05-21 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Pellicle for lithography |
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