JPS61166025A - 微細パタ−ンの形成法 - Google Patents
微細パタ−ンの形成法Info
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- JPS61166025A JPS61166025A JP702685A JP702685A JPS61166025A JP S61166025 A JPS61166025 A JP S61166025A JP 702685 A JP702685 A JP 702685A JP 702685 A JP702685 A JP 702685A JP S61166025 A JPS61166025 A JP S61166025A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置等の製造に必要な微細パターン
の形成に関し、特にその形成法に関するものである。
の形成に関し、特にその形成法に関するものである。
第２図は従来の集束イオンビームを用いた微細パターン
の形成法を工程順に示している０図において、１は集束
イオンビーム発生源、２は集束イオンビーム、３は感光
性樹脂膜、４は被加工膜、５は下地膜である。また６は
現像液である。
の形成法を工程順に示している０図において、１は集束
イオンビーム発生源、２は集束イオンビーム、３は感光
性樹脂膜、４は被加工膜、５は下地膜である。また６は
現像液である。
次にパターンの形成手順について説明する。
まず、集束イオンビーム２を用いて感光性樹脂１１１Ｗ
３にパターン描画を行なう（第２図（ａ）参照）。
３にパターン描画を行なう（第２図（ａ）参照）。
次に現像液６を用いて感光性樹脂膜３の現像を行なう（
第２図…）参照）。最後に、感光性樹脂膜３に形成され
たパターンをマスクにしてドライエツチング法等により
エツチングし、被加工膜４に所望のパターンを得る（第
２図（Ｃ）参照）。
第２図…）参照）。最後に、感光性樹脂膜３に形成され
たパターンをマスクにしてドライエツチング法等により
エツチングし、被加工膜４に所望のパターンを得る（第
２図（Ｃ）参照）。
このように従来法においては、感光性樹脂膜にパターン
描画を行なうが、この膜は後の被加工膜のエツチングに
おいて、そのエツチング耐性が＋分でなく、このため感
光性樹脂膜の膜厚を厚くしなければならず、結果として
微細パターンの形成が困難であった。又、パターンの現
像も湿式現像法に頼らざるを得ず、現像特性の安定化が
困難である等の問題点があった。
描画を行なうが、この膜は後の被加工膜のエツチングに
おいて、そのエツチング耐性が＋分でなく、このため感
光性樹脂膜の膜厚を厚くしなければならず、結果として
微細パターンの形成が困難であった。又、パターンの現
像も湿式現像法に頼らざるを得ず、現像特性の安定化が
困難である等の問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、微細パターンの形成を容易にでき、さらには
現像特性を安定化できる微細パターンの形成法を得るこ
とを目的とするものである。
たもので、微細パターンの形成を容易にでき、さらには
現像特性を安定化できる微細パターンの形成法を得るこ
とを目的とするものである。
この発明に係る微細パターンの形成法は、集束イオンビ
ームにより直接パターン描画される膜として回転塗布可
能な薄いガラス膜を用い、これにパターン描画し、この
パターン描画されたガラス膜をガスプラズマにより現像
し、該パターンを介して被加工膜をエツチングするよう
にしたものである。
ームにより直接パターン描画される膜として回転塗布可
能な薄いガラス膜を用い、これにパターン描画し、この
パターン描画されたガラス膜をガスプラズマにより現像
し、該パターンを介して被加工膜をエツチングするよう
にしたものである。
この発明においては、回転塗布可能な薄いガラス膜にパ
ターン描画を行なうようにしたから、微細パターンの形
成が容易になる。また上記ガラス膜は集束イオンビーム
の持つエネルギーによりその膜質が変化し、ガスプラズ
マに対する耐性が向上するから、現像特性を安定化でき
る。
ターン描画を行なうようにしたから、微細パターンの形
成が容易になる。また上記ガラス膜は集束イオンビーム
の持つエネルギーによりその膜質が変化し、ガスプラズ
マに対する耐性が向上するから、現像特性を安定化でき
る。
以下、この発明の実施例を図について説明する。
第１図はこの発明の一実施例による微細パターンの形成
法を工程順に示している。図において、１は集束イオン
ビーム発生源、２は酸素イオンからなる集束イオンビー
ム、７は回転塗布可能なガラス膜（Ｓｐｉｎ Ｏｎ Ｇ
ｌａｓｓ膜）であり、該ガラス膜７は薄いものとなって
いる。４は被加工膜、５は下地膜、８はガスプラズマで
あり、これは四フッ化炭素ガスプラズマあるいはこれと
酸素ガスとの混合ガスプラズマである。
法を工程順に示している。図において、１は集束イオン
ビーム発生源、２は酸素イオンからなる集束イオンビー
ム、７は回転塗布可能なガラス膜（Ｓｐｉｎ Ｏｎ Ｇ
ｌａｓｓ膜）であり、該ガラス膜７は薄いものとなって
いる。４は被加工膜、５は下地膜、８はガスプラズマで
あり、これは四フッ化炭素ガスプラズマあるいはこれと
酸素ガスとの混合ガスプラズマである。
次にパターン形成手順について説明する。
まず、集束イオンビーム２により回転塗布可能な薄いガ
ラス膜７に直接パターン描画を行なう （第１図（ａ）
参照）。次に、ガスプラズマ８によりパターン描画され
たガラス膜７の現像を行なう（第１図（ｂ）参照）。最
後に、回転塗布可能な薄いガラスｌ＊ ７に形成された
パターンをマスクにして被加工膜４をエツチングし、該
膜４に所望のパターンを形成する（第１図（Ｃ）参照）
。
ラス膜７に直接パターン描画を行なう （第１図（ａ）
参照）。次に、ガスプラズマ８によりパターン描画され
たガラス膜７の現像を行なう（第１図（ｂ）参照）。最
後に、回転塗布可能な薄いガラスｌ＊ ７に形成された
パターンをマスクにして被加工膜４をエツチングし、該
膜４に所望のパターンを形成する（第１図（Ｃ）参照）
。
このように本実施例の方法によれば、集束イオンビーム
でパターン描画を行なう膜として、後の被加工膜のエツ
チングにおいて耐性の高い回転塗布可能なガラス膜を用
いるようにしたので、該ガラス膜の膜厚を薄くでき、こ
れにより被加工膜に所望の極微細パターンを容易に形成
できる。
でパターン描画を行なう膜として、後の被加工膜のエツ
チングにおいて耐性の高い回転塗布可能なガラス膜を用
いるようにしたので、該ガラス膜の膜厚を薄くでき、こ
れにより被加工膜に所望の極微細パターンを容易に形成
できる。
また、上記ガラス膜は集束イオンビームの持つエネルギ
ーによりその膜質が変化しガスプラズマに対する耐性が
向上するから、この回転塗布可能なガラス膜をガスプラ
ズマにさらすことにより乾式現像法によるパターン現像
が可能となる。従ってこれにより集束イオンビームによ
りエネルギーを与えられた部分以外の部分は除去され、
現像されることになり、現像特性を安定化できる。
ーによりその膜質が変化しガスプラズマに対する耐性が
向上するから、この回転塗布可能なガラス膜をガスプラ
ズマにさらすことにより乾式現像法によるパターン現像
が可能となる。従ってこれにより集束イオンビームによ
りエネルギーを与えられた部分以外の部分は除去され、
現像されることになり、現像特性を安定化できる。
以上のように、この発明に係る微細パターンの形成法に
よれば、集束イオンビームによりパターン描画される膜
として回転塗布可能なガラス膜を用いたので、膜厚を薄
くすることができ、容易に微細パターンを形成できる。
よれば、集束イオンビームによりパターン描画される膜
として回転塗布可能なガラス膜を用いたので、膜厚を薄
くすることができ、容易に微細パターンを形成できる。
さらに、このガラス膜はガスプラズマによる現像が可能
であるので、現像特性を安定化できる効果がある。
であるので、現像特性を安定化できる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による微細パターンの形成
法を工程順に示す断面図、第２図は従来７法を工程順に
示す断面図である。 ｌ・・・集束イオンビーム発生源、２・・・集束イオン
ビーム、４・・・被加工膜、７・・・回転塗布可能なガ
ラス膜、８・・・ガスプラズマ。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
法を工程順に示す断面図、第２図は従来７法を工程順に
示す断面図である。 ｌ・・・集束イオンビーム発生源、２・・・集束イオン
ビーム、４・・・被加工膜、７・・・回転塗布可能なガ
ラス膜、８・・・ガスプラズマ。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (2)
- （１）集束イオンビームを用いた微細パターンの形成法
において、パターン描画を行なう膜に回転塗布可能な薄
いガラス膜を用い、このガラス膜に集束イオンビームを
用いてパターンを直接描画し、このパターン描画された
ガラス膜をガスプラズマにより現像し、該パターンを介
して被加工膜をエッチングすることを特徴とする微細パ
ターンの形成法。 - （２）上記ビームは酸素イオンビームであり、上記ガス
プラズマは四フッ化炭素ガスプラズマあるいはこれと酸
素ガスとの混合ガスプラズマであり、これによる乾式現
像を行なうことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の微細パターンの形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP702685A JPS61166025A (ja) | 1985-01-17 | 1985-01-17 | 微細パタ−ンの形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP702685A JPS61166025A (ja) | 1985-01-17 | 1985-01-17 | 微細パタ−ンの形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61166025A true JPS61166025A (ja) | 1986-07-26 |
Family
ID=11654528
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP702685A Pending JPS61166025A (ja) | 1985-01-17 | 1985-01-17 | 微細パタ−ンの形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61166025A (ja) |
-
1985
- 1985-01-17 JP JP702685A patent/JPS61166025A/ja active Pending
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