JPS61166024A - 微細パタ−ンの形成法 - Google Patents
微細パタ−ンの形成法Info
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- JPS61166024A JPS61166024A JP702585A JP702585A JPS61166024A JP S61166024 A JPS61166024 A JP S61166024A JP 702585 A JP702585 A JP 702585A JP 702585 A JP702585 A JP 702585A JP S61166024 A JPS61166024 A JP S61166024A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置等の製造に必要な微細パターン
の形成に関し、特にその形成法に関するものである。
の形成に関し、特にその形成法に関するものである。
第２図は従来の二層レジスト構造を用いた微細パターン
形成法を工程順に示している。図において、１は可視光
線あるいは電子ビーム、２は珪素を含有した感光性樹脂
膜（以下上層レジストと称す）、３は厚い樹脂膜（以下
下層レジストと称す）、４は下地膜、５は現像液である
。
形成法を工程順に示している。図において、１は可視光
線あるいは電子ビーム、２は珪素を含有した感光性樹脂
膜（以下上層レジストと称す）、３は厚い樹脂膜（以下
下層レジストと称す）、４は下地膜、５は現像液である
。
次に工程順に微細パターンの形成法について説明する。
まず、上層レジスト２に光露光法あるいは電子ビーム露
光法を用いてパターンの描画を行なう（第２図（ａ）参
照）。次に現像液５によりパターンの現像を行ない（第
２図（ｂ）参照）、最後にこの現像されたパターンをマ
スクとして下層レジスト３のエツチングを行ない、所望
の厚い樹脂膜３のパターンを得る（第２図（Ｃ）参照）
。
光法を用いてパターンの描画を行なう（第２図（ａ）参
照）。次に現像液５によりパターンの現像を行ない（第
２図（ｂ）参照）、最後にこの現像されたパターンをマ
スクとして下層レジスト３のエツチングを行ない、所望
の厚い樹脂膜３のパターンを得る（第２図（Ｃ）参照）
。
このように従来の二層レジスト法においては、上層レジ
ストの現像は現像液による湿式現像法に頼らざるを得す
、現像特性の安定化が困難であり、又下層レジストエツ
チングにおいて上層レジストのマスクとしての耐性も十
分ではない等の問題点があった。
ストの現像は現像液による湿式現像法に頼らざるを得す
、現像特性の安定化が困難であり、又下層レジストエツ
チングにおいて上層レジストのマスクとしての耐性も十
分ではない等の問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、上層レジストに相当する膜の現像特性を安定
化できるとともに、下層レジストエツチングにおけるマ
スクとしての耐性も向上できる微細パターンの形成法を
得ることを目的とするものである。
たもので、上層レジストに相当する膜の現像特性を安定
化できるとともに、下層レジストエツチングにおけるマ
スクとしての耐性も向上できる微細パターンの形成法を
得ることを目的とするものである。
この発明に係る微細パターンの形成法は、二層構造の上
層のレジストに回転塗布可能なガラス膜（Ｓｐｉｎ Ｏ
ｎ Ｇｌａｓｓ ：以下Ｓ、Ｏ０Ｇ、膜と称呼す）を
用い、このＳ、Ｏ，Ｇ、膜にビームを用いてパターンを
直接描画し、これをガスプラズマにより現像し、そのの
ちｓ、ｏ、Ｇ、 膜をマスクとして下層のレジスト膜を
エツチングするようにしたものである。
層のレジストに回転塗布可能なガラス膜（Ｓｐｉｎ Ｏ
ｎ Ｇｌａｓｓ ：以下Ｓ、Ｏ０Ｇ、膜と称呼す）を
用い、このＳ、Ｏ，Ｇ、膜にビームを用いてパターンを
直接描画し、これをガスプラズマにより現像し、そのの
ちｓ、ｏ、Ｇ、 膜をマスクとして下層のレジスト膜を
エツチングするようにしたものである。
この発明においては、上層レジストにＳ、Ｏ。
Ｇ、膜を用いへこれをパターン描画するようにしたから
、ビームによる直接描画ができ、またビームのエネルギ
によりＳ、Ｏ，Ｇ、膜の膜質が変化するから、該Ｓ、Ｏ
，Ｇ、膜を上記パターン描画ののちガスプラズマを用い
て現像でき、さらに下層レジストのエツチングにおける
耐性も向上できる。
、ビームによる直接描画ができ、またビームのエネルギ
によりＳ、Ｏ，Ｇ、膜の膜質が変化するから、該Ｓ、Ｏ
，Ｇ、膜を上記パターン描画ののちガスプラズマを用い
て現像でき、さらに下層レジストのエツチングにおける
耐性も向上できる。
以下、この発明の実施例を図について説明する。
第１図はこの発明の一実施例による微細パターンの形成
法を工程順に示している。第１図において、第２図と同
一符号は同−又は相当部分を示し、６は酸素イオンの集
束イオンビーム、７は上層レジストとして用いられたＳ
、Ｏ，Ｇ、膜、８は四フフ化炭素ガスあるいはこれと酸
素ガスとの混合ガスのガスプラズマである。
法を工程順に示している。第１図において、第２図と同
一符号は同−又は相当部分を示し、６は酸素イオンの集
束イオンビーム、７は上層レジストとして用いられたＳ
、Ｏ，Ｇ、膜、８は四フフ化炭素ガスあるいはこれと酸
素ガスとの混合ガスのガスプラズマである。
以下、工程順に微細パターンの形成法を説明する。
まず、集束イオンビーム６によりＳ。０．Ｇ。
ｙ４７にパターン描画を行ない（第１図（ａ）参照）、
次に、ガスプラズマ８によりＳ、Ｏ，Ｇ、膜７の現像を
行なう（第１図（ｂ）参照）。最後に、現像されたＳ、
Ｏ，Ｇ。膜７をマスクとして下層レジスト膜３のエツチ
ングを行ない、所望の厚い樹脂膜のパターンを得る（第
１図（ｅ）参照）。
次に、ガスプラズマ８によりＳ、Ｏ，Ｇ、膜７の現像を
行なう（第１図（ｂ）参照）。最後に、現像されたＳ、
Ｏ，Ｇ。膜７をマスクとして下層レジスト膜３のエツチ
ングを行ない、所望の厚い樹脂膜のパターンを得る（第
１図（ｅ）参照）。
このように本実施例の方法によれば、上層レジストにＳ
。０゜Ｇ、膜を用いて該レジストのパターン描画をした
ので、集束イオンビームによりレジストパターンを直接
描画でき、また該ビームのエネルギによりＳ、Ｏ，Ｃ，
膜の膜質が変化してガスプラズマに対する耐性が向上す
るので、ガスプラズマによる乾式現像法を用いて上層レ
ジストパターンを現像でき、しかもその現像特性を安定
化できる。さらに該パターンの下層レジストエツチング
におけるマスクとしての耐性も向上する。
。０゜Ｇ、膜を用いて該レジストのパターン描画をした
ので、集束イオンビームによりレジストパターンを直接
描画でき、また該ビームのエネルギによりＳ、Ｏ，Ｃ，
膜の膜質が変化してガスプラズマに対する耐性が向上す
るので、ガスプラズマによる乾式現像法を用いて上層レ
ジストパターンを現像でき、しかもその現像特性を安定
化できる。さらに該パターンの下層レジストエツチング
におけるマスクとしての耐性も向上する。
なお、上記実施例ではＳ、 Ｏ，Ｇ、 ＮＩＡへのパタ
ーン描画に集束イオンビームを用いたが、これに限らず
、Ｓ、Ｏ，Ｇ、膜を変質させガスプラズマ耐性を向上さ
せるものであれば、例えばレーザ光線や電子ビームであ
ってもよい。
ーン描画に集束イオンビームを用いたが、これに限らず
、Ｓ、Ｏ，Ｇ、膜を変質させガスプラズマ耐性を向上さ
せるものであれば、例えばレーザ光線や電子ビームであ
ってもよい。
以上のように、この発明に係る微細パターンの形成法に
よれば、上層レジストにＳ、Ｏ，Ｇ、膜を用いたので、
ビームによる直接パターン描画が可能であり、又これを
ガスプラズマにより現像でき、現像特性を安定化できる
効果がある。さらに、下層レジストのエツチングにおけ
る耐性も向上できる効果がある。
よれば、上層レジストにＳ、Ｏ，Ｇ、膜を用いたので、
ビームによる直接パターン描画が可能であり、又これを
ガスプラズマにより現像でき、現像特性を安定化できる
効果がある。さらに、下層レジストのエツチングにおけ
る耐性も向上できる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による微細パターンの形成
法を工程順に示す断面図、第２図は従来法を工程順に示
す断面図である。 ３・・・下層レジスト、６・・・集束イオンビーム、７
・・・Ｓ、Ｏ，Ｃ，膜、８・・・ガスプラズマ。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
法を工程順に示す断面図、第２図は従来法を工程順に示
す断面図である。 ３・・・下層レジスト、６・・・集束イオンビーム、７
・・・Ｓ、Ｏ，Ｃ，膜、８・・・ガスプラズマ。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (3)
- （１）二層レジスト構造を用いた微細パターンの形成法
において、上層レジストに回転塗布可能なガラス膜を用
い、このガラス膜にビームを用いてパターンを直接描画
し、このパターン描画されたガラス膜をガスプラズマに
より現像し、そののち上層レジストのパターンを介して
下層レジストをエッチングすることを特徴とする微細パ
ターンの形成法。 - （２）上記ビームは酸素イオンの集束イオンビームであ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の微細パ
ターンの形成法。 - （３）上記ガスプラズマは四フッ化炭素ガスあるいはこ
れと酸素ガスとの混合ガスであり、これによる乾式現像
を行なうことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
微細パターンの形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP702585A JPS61166024A (ja) | 1985-01-17 | 1985-01-17 | 微細パタ−ンの形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP702585A JPS61166024A (ja) | 1985-01-17 | 1985-01-17 | 微細パタ−ンの形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61166024A true JPS61166024A (ja) | 1986-07-26 |
Family
ID=11654497
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP702585A Pending JPS61166024A (ja) | 1985-01-17 | 1985-01-17 | 微細パタ−ンの形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61166024A (ja) |
-
1985
- 1985-01-17 JP JP702585A patent/JPS61166024A/ja active Pending
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