JPS6116512A - 薄膜形成方法 - Google Patents
薄膜形成方法Info
- Publication number
- JPS6116512A JPS6116512A JP13761584A JP13761584A JPS6116512A JP S6116512 A JPS6116512 A JP S6116512A JP 13761584 A JP13761584 A JP 13761584A JP 13761584 A JP13761584 A JP 13761584A JP S6116512 A JPS6116512 A JP S6116512A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- deposited
- electron beam
- gas
- molecule
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02538—Group 13/15 materials
- H01L21/02546—Arsenides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、デポジションさせるべき材料を含んだガス雰
囲気中において基板上に電子ビームを照射し、基板上に
雰囲気ガスに含まれるデポジション材料をデポジション
させる薄膜形成方法である。
囲気中において基板上に電子ビームを照射し、基板上に
雰囲気ガスに含まれるデポジション材料をデポジション
させる薄膜形成方法である。
（従来技術とその問題点）
従来、基板上にパターンを形成する場合、第４図および
第５図で示されている工程が行なわれている。
第５図で示されている工程が行なわれている。
第４図（１）、 （２）、 （３）、 （４）、 （５
）では、基板４１上にパターン形成材料４２を蒸着やス
パッタ法により形成する（（１）図）。さらにレジスト
４３を塗布しく（２）図）。
）では、基板４１上にパターン形成材料４２を蒸着やス
パッタ法により形成する（（１）図）。さらにレジスト
４３を塗布しく（２）図）。
次に光露光や電子ビーム露光にょタレシスト４３のバタ
ーニングをする（（３）図）。そして、レジストパター
７４３をマスクとしてケミカルエツチングまたは、ドラ
イエツチングにょクパターン形成材料４２ヘパターント
ランスファーヲ行なう（（４）図）。
ーニングをする（（３）図）。そして、レジストパター
７４３をマスクとしてケミカルエツチングまたは、ドラ
イエツチングにょクパターン形成材料４２ヘパターント
ランスファーヲ行なう（（４）図）。
そして、レジスト６をはくりする（（５）図）。
第５図（１）・（２）、 （３１・（４）ではリフトオ
フ工程を示している。基板５１上にレジスト５２を塗布
しく（１）図）、次に光露光や電子ビーム露光にょタレ
シスト５２のバターニングをする（ （２）ＷＪ）。次
にパターン材料５３を蒸着しく（３）図）、レジスト５
２をはぐシすることにより、基板５工土にパターン材料
５３をパターン形成できる（（４）図）。
フ工程を示している。基板５１上にレジスト５２を塗布
しく（１）図）、次に光露光や電子ビーム露光にょタレ
シスト５２のバターニングをする（ （２）ＷＪ）。次
にパターン材料５３を蒸着しく（３）図）、レジスト５
２をはぐシすることにより、基板５工土にパターン材料
５３をパターン形成できる（（４）図）。
この従来の方法では基板上にパターン材料を形成するの
に工程がきわめて長いという欠点を有していた。
に工程がきわめて長いという欠点を有していた。
（発明の目的）
本発明の目的は、レジスト等のマスクを必要とせず、高
純度、高精度の微細な薄膜パターンを簡単に形成するこ
とのできる、電子ビームを用いた薄膜形成方法を提供す
ることである。
純度、高精度の微細な薄膜パターンを簡単に形成するこ
とのできる、電子ビームを用いた薄膜形成方法を提供す
ることである。
（発明の構成）
本発明によれば、少なくとも堆積させるべき材料を構成
元素として含んだハロゲン化物ガスと水素ガスを被堆積
基板上に流し、基板の所望の部分に電子ビームを照射し
て前記材料を基板上に堆積させることを特徴とする薄膜
形成方法が得られる。
元素として含んだハロゲン化物ガスと水素ガスを被堆積
基板上に流し、基板の所望の部分に電子ビームを照射し
て前記材料を基板上に堆積させることを特徴とする薄膜
形成方法が得られる。
（発明の原理）
次に、本発明の原理と作用について第１図を用い淘説明
する。デポジションさせるべき材料を含んだハロゲン化
物ガス分子１３と水素ガス分子の雰囲気中に被デポジシ
ョン基板１１を設置すると、ハロゲン化物ガス分子１３
が被デポジション基板１１の表面上に吸着する。１２が
その吸着ハロゲン化物ガス分子を示している。電子ビー
ム１６を基板１１上に照射すると、照射された部分のハ
ロゲン化物ガスの吸着分子１２が電子ビーム１６のエネ
ルギーによりハロゲン化物ガス吸着分子１２１Ｃ含まれ
るデポジシラン材料元素１４とハロゲン分子１５に分解
し、デポジシラン材料元素１４は基板表面に析出する。
する。デポジションさせるべき材料を含んだハロゲン化
物ガス分子１３と水素ガス分子の雰囲気中に被デポジシ
ョン基板１１を設置すると、ハロゲン化物ガス分子１３
が被デポジション基板１１の表面上に吸着する。１２が
その吸着ハロゲン化物ガス分子を示している。電子ビー
ム１６を基板１１上に照射すると、照射された部分のハ
ロゲン化物ガスの吸着分子１２が電子ビーム１６のエネ
ルギーによりハロゲン化物ガス吸着分子１２１Ｃ含まれ
るデポジシラン材料元素１４とハロゲン分子１５に分解
し、デポジシラン材料元素１４は基板表面に析出する。
一方ハロゲン分子１５は水素ガス分子と結合しハロゲン
化水素と浸って排出される。
化水素と浸って排出される。
以上の様な原理によシ被デポジション基板１１表面上に
電子ビーム照射によシ、直接、雰囲気ガス中に含まれる
デポジション材を析出させパターニングする。
電子ビーム照射によシ、直接、雰囲気ガス中に含まれる
デポジション材を析出させパターニングする。
（実施例）
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。第２図は本実施例で用いる装置の構成図である。本装
置は電子ビーム照射系２１１、試料室２０９、副試料室
２０７、及び雰囲気ガス材料収納室２０１とから構成さ
れている。本実施例においては、シリコンを構成元素と
して含む四塩化シリコン８ｉ（Ｊ＜ を雰囲気ガスとし
て用い、集束された電子ビーム照射によ５ＱａＡｓ基板
上に８ｉをデポジションさせた。８ｉＣ１ｌａ ２０２
を雰囲気ガス材料収納室２０１に入れ、Ｓｉをデポジシ
ョンさせるＧａＡｓ基板２０６を試料台２０５ Ｋセッ
トする。電子ビーム照射系２１１と試料室２０９を１０
−’Ｔｏｒｒ程度以上の高真空に排気する。副試料室２
０７に設置されたピンホール２０８は副試料室２０７内
部と外部との差圧を保つためと、電子ビーム２１３
をデポジションさせる基板２０６上に照射するための通
路として設置されている。副試料室２０７と雰囲気ガス
材料収納室２０１とは配管２０４によ−って接続されて
おシ、試料室２０９を真空排気することにより、ピンホ
ール２０８を通して、副試料室内部および雰囲気ガス材
料収納室２０１内部が真空排気される。
。第２図は本実施例で用いる装置の構成図である。本装
置は電子ビーム照射系２１１、試料室２０９、副試料室
２０７、及び雰囲気ガス材料収納室２０１とから構成さ
れている。本実施例においては、シリコンを構成元素と
して含む四塩化シリコン８ｉ（Ｊ＜ を雰囲気ガスとし
て用い、集束された電子ビーム照射によ５ＱａＡｓ基板
上に８ｉをデポジションさせた。８ｉＣ１ｌａ ２０２
を雰囲気ガス材料収納室２０１に入れ、Ｓｉをデポジシ
ョンさせるＧａＡｓ基板２０６を試料台２０５ Ｋセッ
トする。電子ビーム照射系２１１と試料室２０９を１０
−’Ｔｏｒｒ程度以上の高真空に排気する。副試料室２
０７に設置されたピンホール２０８は副試料室２０７内
部と外部との差圧を保つためと、電子ビーム２１３
をデポジションさせる基板２０６上に照射するための通
路として設置されている。副試料室２０７と雰囲気ガス
材料収納室２０１とは配管２０４によ−って接続されて
おシ、試料室２０９を真空排気することにより、ピンホ
ール２０８を通して、副試料室内部および雰囲気ガス材
料収納室２０１内部が真空排気される。
雰囲気ガス材料であるＳ ｉ ＣＪＩ ４は大気中では
液体であるが真空にひくことにより、容易に蒸発し雰囲
気ガス材料収納室２０１へ導入された水素ガスと共に配
管２０４を通り、副試料室２０７内部が雰囲気ガスであ
る８ｉＣ１ａとＨ！ガスで充満される。
液体であるが真空にひくことにより、容易に蒸発し雰囲
気ガス材料収納室２０１へ導入された水素ガスと共に配
管２０４を通り、副試料室２０７内部が雰囲気ガスであ
る８ｉＣ１ａとＨ！ガスで充満される。
圧力は５Ｑｍ’［’□ｒｒ程度である。この様にして、
ＧａＡｓ基板２０６の雰囲気が５ｉＣ１ａと水素ガスと
なシ、電子ビーム２１３をピンホール２０８を通して基
板２０６の所望の部分に照射することにより基板２０６
表面上に吸着され一！ｃＳｉＣ１ａを分解する。
ＧａＡｓ基板２０６の雰囲気が５ｉＣ１ａと水素ガスと
なシ、電子ビーム２１３をピンホール２０８を通して基
板２０６の所望の部分に照射することにより基板２０６
表面上に吸着され一！ｃＳｉＣ１ａを分解する。
その分解の結果Ｓｉと塩素（ＣＺ）に分かれる。
Ｓｉは基板２０６上に析出する。一方（Ｊは水素分子と
結合して揮発塩化水素（Ｈ（Ｊ）ガスとして排出され゛
る。
結合して揮発塩化水素（Ｈ（Ｊ）ガスとして排出され゛
る。
この様にしてＳｉが基板２０６表面の所望の部分にデポ
ジションされる。第３図は実験結果である。
ジションされる。第３図は実験結果である。
照射量に対するデポジション厚さの関係を示している。
第３図に示されている様に本実施例により簡単に基板上
にＳｉをデポジションできる。本実施例において、線幅
０．１μｍのＳｉパターンが形成された。
にＳｉをデポジションできる。本実施例において、線幅
０．１μｍのＳｉパターンが形成された。
Ｈ：を添加しないときには、デボした８ｉ膜をＸＭＡで
分析するとＣＺが膜中に３０重量％含まれていたが、Ｈ
２を添加するととにより５重ｔｅＩｂに低下した。
分析するとＣＺが膜中に３０重量％含まれていたが、Ｈ
２を添加するととにより５重ｔｅＩｂに低下した。
また基板上に段差がある場合でも、段差面上も平坦面と
ほぼ同程度の厚さにＳｉ膜が堆積できる。
ほぼ同程度の厚さにＳｉ膜が堆積できる。
本発明においては電子ビーム露光と同様のビーム制御技
術を用いることができ、線幅、膜厚を十分制御して堆積
ができる。パターン線幅は電子ビームの径に依存し、一
方デポジション厚さは照射量に依存するので、線幅と厚
さはそれぞれほぼ独立に設定することができ、アスペク
ト比の高いパターンを形成することができる。
術を用いることができ、線幅、膜厚を十分制御して堆積
ができる。パターン線幅は電子ビームの径に依存し、一
方デポジション厚さは照射量に依存するので、線幅と厚
さはそれぞれほぼ独立に設定することができ、アスペク
ト比の高いパターンを形成することができる。
本実施例では、デポジション材料トシテｓｉを含む８ｉ
（Ｊ４を雰囲気ガスとして用いたが、ＷＣｌ６やＷＣ／
ｓを用いても同様の効果を示す。。
（Ｊ４を雰囲気ガスとして用いたが、ＷＣｌ６やＷＣ／
ｓを用いても同様の効果を示す。。
構成元素としてＭＯを含むＭｏＣ１１ｓ、構成元素とし
てＴａを含むＴａＣｌ５、構成元素として’Ｉ’ｉ′ｆ
：含むＴｉ（Ｊ４等の化合物に対しても同様の効果を示
す。ＭｏＣ１１ｓを用いるとＭＯが堆積され、Ｔａｃｋ
ｓを用いるとＴａが堆積され、Ｔｉ Ｃ１３４を用いる
とＴｉが堆積される。
てＴａを含むＴａＣｌ５、構成元素として’Ｉ’ｉ′ｆ
：含むＴｉ（Ｊ４等の化合物に対しても同様の効果を示
す。ＭｏＣ１１ｓを用いるとＭＯが堆積され、Ｔａｃｋ
ｓを用いるとＴａが堆積され、Ｔｉ Ｃ１３４を用いる
とＴｉが堆積される。
またＧａ（Ｊ’ｓとＡｓＣＪｓ を同時に流してビー
ムを照射するとＧａＡ ｓが堆積できる。
ムを照射するとＧａＡ ｓが堆積できる。
以上述べｆｃ Ｓｉ 、 Ｗ、 Ｍｏ、 Ｔａ、 Ｔ
ｉ等はＩＣ。
ｉ等はＩＣ。
ＬＳＩにおいて配線、ゲート電極等に用いることができ
る。
る。
また本発明の方法で堆積できる薄膜材料は何も金属に限
るわけではない。例えば原料として５ｉＨＣＡ？ｓ、
５ｉｌ−ｈＣ！ｊｘ、 ５ｉＨｓＣＡ’ガスを用いても
Ｓｉ膜を堆積できる。一方Ｂｅｄｓを用いればＢ、 Ｐ
Ｏ（Ｊ。
るわけではない。例えば原料として５ｉＨＣＡ？ｓ、
５ｉｌ−ｈＣ！ｊｘ、 ５ｉＨｓＣＡ’ガスを用いても
Ｓｉ膜を堆積できる。一方Ｂｅｄｓを用いればＢ、 Ｐ
Ｏ（Ｊ。
を用いればＰを堆積でき、また基板中にとのＢやＰをド
ープできる。
ープできる。
更に基板上での流量比や圧力を調整すればＢやＰがドー
プされたＳｉ膜を基板上に形成できる。また前記のよう
にＢ＋Ｐ’を堆積あるいはドープできるから、３ｉやＧ
ａＡｓ等の半導体基板表面にｐｎ接合を形成することが
できる。
プされたＳｉ膜を基板上に形成できる。また前記のよう
にＢ＋Ｐ’を堆積あるいはドープできるから、３ｉやＧ
ａＡｓ等の半導体基板表面にｐｎ接合を形成することが
できる。
また塩化物に限らず、臭化物、ヨウ化物も用いることが
できる。
できる。
タトえばＷＢｒ ｌ＃ ＷＢｒ ａ、 ＭｏＢｒ ＩＩ
、 Ｔａ１３ｒ ｓ。
、 Ｔａ１３ｒ ｓ。
Ｔｉ Ｉ４． ＺｒＩａ、 ＢＢｒａ モ用イルｊ ト
カＴｅ ル。
カＴｅ ル。
以上述べた金属膜等の堆積方法において原料のガス以外
ＫＡｒ等のキャリアガスを流せば、堆積速度を大きくす
ることができる。原料ガスを固体の昇華や液体の蒸発で
得ている場合はその固体や液体を加熱すれば堆積速度を
大きくすることができる。
ＫＡｒ等のキャリアガスを流せば、堆積速度を大きくす
ることができる。原料ガスを固体の昇華や液体の蒸発で
得ている場合はその固体や液体を加熱すれば堆積速度を
大きくすることができる。
なお前記実施例では集束された電子ビームを用いたが、
集束されていない電子ビームを用いてもよい。
集束されていない電子ビームを用いてもよい。
以上の説明では、本発明を、高純度で微細な薄膜パター
ンを形成する方法、あるいは単に高純度の薄膜を形成す
る方法として述べたが、本発明によれば、それほど高純
度でない原料からでも高純度な膜を堆積できる。つまシ
原料の精製と膜の堆積とが同時に進行するわけである。
ンを形成する方法、あるいは単に高純度の薄膜を形成す
る方法として述べたが、本発明によれば、それほど高純
度でない原料からでも高純度な膜を堆積できる。つまシ
原料の精製と膜の堆積とが同時に進行するわけである。
（発明の効果）
本発明は以上説明した様に、デボジシ冒ン材料を含む雰
囲気ガス中において基板表面に電子ビームを照射するこ
とによりデボジシ冒ン材料を高純度にしかも微細なパタ
ーンで、簡単に析出させることができる。
囲気ガス中において基板表面に電子ビームを照射するこ
とによりデボジシ冒ン材料を高純度にしかも微細なパタ
ーンで、簡単に析出させることができる。
第４図（１）、 （２）、 （３）、 （４）、 （５
）および第５図（１）、 （２）。 （３）、 （４）は基板上にパターンを形成する従来の
方法を説明するための図で、主要工程における基板の断
面を順次水した模式的断面図である。第１図は本発明の
原理と作用を説明する模式図である。第２図は本発明の
実施例で用いる装置の構成図である。第３図は、第２図
で示した実施例の実験データを示す図である。 図において ４１．５１・・・・・・基板、４２．５３・・・・・・
パターン材料、招、５２・・・・・・レジスト、４１・
・・・・・基板、１３・・・・・・雰囲気ガス分子、１
２・・・・・・基板表面に吸着した雰囲気ガス分子、１
４・・・・・・電子ビーム照射により、基板表面に吸着
した雰囲気ガス分子が分解した結果析出したデポジシ璽
ン材料分子、１５・・・・・・電子ビーム照射によシ、
基板表面に吸着した雰囲気ガス分子が、分解した結果生
成された揮発性物質分子、１６・・・用電子ビーム、２
０１・・・・・・雰囲気ガス材料収納室、２０２・・・
・・・デポジション材料を含む雰囲気ガス材料、２０３
・・・・・・氷菓ガス、２０４・・・・・・雰囲気ガス
材料収納室と副試料室とを接続する配管、２ｏ訃川・・
試料台、２０６・・・・・・デポジションさせる基板、
２０７・・・・・・副チェンバー、２０８・・・・・・
ピンホール、２０９・・・・・・試料室、２１０・・・
・・・電子ビーム収束レンズ、２１１・・・・・・電子
ビーム鏡筒、２１２・川・・電子ビームガン。
）および第５図（１）、 （２）。 （３）、 （４）は基板上にパターンを形成する従来の
方法を説明するための図で、主要工程における基板の断
面を順次水した模式的断面図である。第１図は本発明の
原理と作用を説明する模式図である。第２図は本発明の
実施例で用いる装置の構成図である。第３図は、第２図
で示した実施例の実験データを示す図である。 図において ４１．５１・・・・・・基板、４２．５３・・・・・・
パターン材料、招、５２・・・・・・レジスト、４１・
・・・・・基板、１３・・・・・・雰囲気ガス分子、１
２・・・・・・基板表面に吸着した雰囲気ガス分子、１
４・・・・・・電子ビーム照射により、基板表面に吸着
した雰囲気ガス分子が分解した結果析出したデポジシ璽
ン材料分子、１５・・・・・・電子ビーム照射によシ、
基板表面に吸着した雰囲気ガス分子が、分解した結果生
成された揮発性物質分子、１６・・・用電子ビーム、２
０１・・・・・・雰囲気ガス材料収納室、２０２・・・
・・・デポジション材料を含む雰囲気ガス材料、２０３
・・・・・・氷菓ガス、２０４・・・・・・雰囲気ガス
材料収納室と副試料室とを接続する配管、２ｏ訃川・・
試料台、２０６・・・・・・デポジションさせる基板、
２０７・・・・・・副チェンバー、２０８・・・・・・
ピンホール、２０９・・・・・・試料室、２１０・・・
・・・電子ビーム収束レンズ、２１１・・・・・・電子
ビーム鏡筒、２１２・川・・電子ビームガン。
Claims (1)
- 少なくとも堆積させるべき材料を構成元素として含んだ
ハロゲン化物ガスと水素ガスを被堆積基板上に流し、基
板の所望の部分に電子ビームを照射して前記材料を基板
上に堆積させることを特徴とする薄膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59137615A JPH0666261B2 (ja) | 1984-07-03 | 1984-07-03 | 薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59137615A JPH0666261B2 (ja) | 1984-07-03 | 1984-07-03 | 薄膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6116512A true JPS6116512A (ja) | 1986-01-24 |
| JPH0666261B2 JPH0666261B2 (ja) | 1994-08-24 |
Family
ID=15202816
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59137615A Expired - Lifetime JPH0666261B2 (ja) | 1984-07-03 | 1984-07-03 | 薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0666261B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0295486A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-06 | Seitaro Nishibayashi | 連続洗浄装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5972720A (ja) * | 1982-10-19 | 1984-04-24 | Inoue Japax Res Inc | 半導体製作方法 |
-
1984
- 1984-07-03 JP JP59137615A patent/JPH0666261B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5972720A (ja) * | 1982-10-19 | 1984-04-24 | Inoue Japax Res Inc | 半導体製作方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0295486A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-06 | Seitaro Nishibayashi | 連続洗浄装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0666261B2 (ja) | 1994-08-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS60236219A (ja) | プラズマ生成したソースガスを用いた蒸着方法 | |
| US4698238A (en) | Pattern-forming method | |
| JPH0319690B2 (ja) | ||
| Kubena et al. | Selective area nucleation for metal chemical vapor deposition using focused ion beams | |
| JPH0458178B2 (ja) | ||
| JPS6116512A (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JPS6276521A (ja) | 電子ビ−ムエツチング方法 | |
| JPS62263973A (ja) | 金属薄膜とその製造方法 | |
| JPS58186935A (ja) | パタ−ン形成法 | |
| JPH1116856A (ja) | パターニング方法およびパターニング装置 | |
| JPS61228633A (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JPS586133A (ja) | 微細パタ−ン形成装置 | |
| JPS61268028A (ja) | ホトレジスト中にマスク像を現像する方法 | |
| JPS6046372A (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JPS6242417A (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JP3218024B2 (ja) | 金属パターン膜の形成方法及びその装置 | |
| JP3461219B2 (ja) | ガリウム砒素基板における選択的結晶成長方法 | |
| JP2937380B2 (ja) | 配線形成方法およびその装置 | |
| RU2017191C1 (ru) | Способ формирования маскирующего слоя фотошаблона | |
| JP3950774B2 (ja) | 導電性膜の製造方法 | |
| JPS6311672A (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JPS6245019A (ja) | 薄膜微細パタ−ン形成法 | |
| JPS63152120A (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JP2648144B2 (ja) | 完全ドライリソグラフィー方法 | |
| JPS6052018A (ja) | 砒化ガリウム高抵抗パタ−ン形成方法 |