JPS61163969A - 新規なトリスアゾ化合物およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、特に光導電性材料として有用な新規なトリス
アゾ化合物およびその製造方法に関する。

従来技術 従来よシミ子写真法において、セレン、硫化カドミウム
、酸化亜鉛などの無機光２４亀性材料を用いた無機感光
体が広く用いられている。「電子写真法」とは一般に光
導′電性の感光体′ｆ：まず暗所にてコロナ放′亀等に
より帯電せしめ、次いで像露光音節し、露光部の電荷を
選択的に放電せしめ、非露光部に静電潜像ｔ−浅し、更
にこの潜像をトナー等を用いた現像手段で可視化して画
像を形成する１ｉｉｉ像形成法の１つである。

このような電子写真法において用いられる感光体に要求
される基本的な特性としてに、（１）暗所で適当の帯電
せしめられること、（２）暗所における１、。あ、ユ、
、。１．５゜、７８１．ヶ４゜２゜　　　　　　［（３
）光感度が大で光照射によって速やかに電荷が放電する
こと。更には、機械的強度、可撓性に優れていること等
が挙げられる。

前記従来の無機感光体は、いくつかの長所を持っている
反面様々な欠点をも又有している。

例えば、現在広く用いられているセレン感光体は、前記
（１１〜（３）の条件についてはかなりの６度まで満足
するものの、機械的強度、可焼性については満足のいく
ものではない。

特に最近の電子写真法においては、椋々なプロセスのい
ずれにも適合する感光体が、要求される様になってきて
おシ、例えば形状については、可撓性のあるベルト状の
ものが、要求されるようになってきているが、前記セレ
ン感光体は可視性ｄｊ低く、そうした形状のものとして
作成することが困離である。

又セレン感光体以外の他の無機感光体についても同様の
欠点を挙げることができる。

近年、これら無機感光体の欠点を排除するために檀々の
有機光導電性材料を用いた有機電子写真用感光体が研究
・開発され、実用に供されている。

例えば、支持体上にポ１７−Ｎ−ビニルカルバゾールと
２．４．７−ドリニトロフルオレノンー９−オンを含有
する感光層を設けた感光体（米国特許第３．４８４，２
３７号公報参照）、ピリリウム塩系色素で増感したポリ
−Ｎ−ビニルカルバゾール含有の感光層を設けた感光体
（特公昭４８−２５６５８号会報参照）、ジスアゾ顔料
を生成分とする感光層を設けた感光体（特開昭４７−３
７５４３号会報参照）、染料と樹脂とからなる共晶錯体
を主成分とする感光層を設けた感光体（特開昭４７−１
０７３５号公報診照）などが挙げられる。

有機感光体の中でも、電荷担体の発生と、発生した電荷
担体の移動とを、それぞれ電荷発生物質と電荷移動物質
とにより行なう、機能分離をした感光体が注目されてい
る。そして、この種の感光体の典盤的な構成例としては
、電荷発生物質と電荷移動物質とを含む感光層を設けた
もの、および。

電荷移動物質を含む層（電荷移動層）とを積層した積層
型の感光層を設けたものが、知られている。

ていてもよい木葉、低級アルコキシ基、低級アル命ル蕪
、ハロゲン基、ニトリル基、ヒドロキシ基であシ、ｎは
１又は２の整数ｔ−辰わ丁、）で表わされる新規なトリ
スアゾ化合物に関するものであり、本発明の他の１つは
一般式（２）（但し、Ｘ、ｎは一般式（１１、＋Ｉｌｌ
と同義、Ａはアニオン残基を表わす、） で表わされるヘキサゾニウム塩と、一般式（ＩＶ）また
は閏 ；、２ノ （但し、几、２．は一般式（１１、（ＩＩ）と同義であ
る。）で表わされる化合物とを反応させることｔ−特徴
とする前記一般式（り又は（ＩＩ）のトリスアゾ化合物
の製造方法に関するものである。

本発明のトリスアゾ化合物は電子写真感光体の光導電材
料、とくに電荷発生物質として優れた特性を有するもの
である。

一般式（！）あるいは（［１のＢの具体例としては、ア
ル中ル、アルケニル、アルカジェニル等の鎖式炭化水素
基、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、イン
デン環、アセナフチレン環、フルオレ／環、アズレン環
、フェナントレン環等の芳香崇炭化水素基、シフはヘキ
サ／環、シクロヘキサジエン環等の環式炭化水素基、チ
オフェン環、ベンゾ（ｂ）チオフェン環、ナ７　）　［
：２．３−ｂ］チオフェン環、チアントレン環、７ラン
環、ビラ／環、イソベンゾフラン環、クロメン環、キサ
ンチン環、２Ｈ−ピロール環、ピロール環、イミダゾー
ル環、ピラゾール環、ピリジン環、ピラジノ環、ピリミ
ジン環、ピリダジン環、インドリジン環、インド−ル環
、フタラジン環、カルバゾール環、アクリジン環、フェ
ナジン環、チアゾール環、トリアジン環、７ラザン環、
モルホリン城等の複素環基が皐げられ、またこれら各炭
化水；Ｉｇ残基、複素環残基の置侠基としては、低級ア
ルキル基、低級アルコキシ基、ｇ、ａ、ａ−トリフ０ロ
メチル基、ジアルキルアミ７基、シアノ基、ニトロ基、
ヒドロキシ基、クロル基などが挙げられる。

これらトリスアゾ化合物の製造に用いられる−れる。

本発明の前記一般式＋１７又は（Ｉｌｌで示されるテト
ラアゾ化合物は、常温において黒紫から黒縁色の頴晶で
、新規な化合物である。

その具体例を、赤外線吸収（ＩＲ）スペクトルデーａ−
及び最柑駐礎長（λｍａｘ）ｓ質量分析［（ＤＡ／Ｌ）
と共に下記表−１および表−２５表−３、表−４、表−
５、表−６、表−７、表−８、表−９に示した。

尚、最大吸収波長はｎ−ブチルアミンとジメチルホルム
アミドの体積化で１：１の混合溶液中で測定を行なった
。

＊−ｉ 表−２ 表−３ 表−４ 表　−５ 本発明方法（従って実際に一般弐ＫまたはＨのトリスア
ゾ化合物を製造するには、一般式ｔＶｔ九はＶの化合物
と一般式厘のへキサゾニウム塩とを、Ｎ、Ｎ−ジメチル
ホルムアぐド、ジメチルスルホオ中シトなどの有機溶媒
に溶解し、これに約−１θ〜３０℃の温度下において、
トリエタノールアミン、酢酸ソーダ、苛性ソーダ等の水
溶液、又はエタノール溶敵のようなアルカリ溶ｇ、を滴
下すればよい。反応は５〜３０分程度でほぼ完結し、目
的とする本発明のトリスアゾ化合物が得られる。なお一
般式■またはＶの化合物の使用ｉは、一般式■の化合物
１モルに対し、３〜５モル程度が適当である。

一般弐■の化合物はｐ−ニトロベンジルブロマイド（ク
ロライド）とｐ−ニトロアニリン酵導体をアルカリ雁媒
中反応させて得られるジ（ｐ−＝トロベ／ジル）−ｐ−
ニトクアニリン綽尋体を鉄−酢酸、又は塩化錫−塩酸、
鉄−塩酸等によって還元を行ないトリアミノ体（下記構
造式）を得、これのジアゾ化によって容易に得られる。

（Ｘ％ｎは前項と同義） 効果 上記のようにして得られた本発明のトリスアゾ化合物は
電子写真用感光体の光導電材料として特に有用であろ０
例えば （１）トリスアゾ化合物をポリエステル、ポリアミド、
ポリウレタン、ポリケト／、ポリカーボネート、ポリス
チレン、ボリアリレート、ポリビニルトルエン、ポリビ
ニルブチラールなどの適当な樹脂結合剤に、微細粒子（
直径約０．０５〜５ｐ）として分散し六層を導電性支持
体上に設けたＩＩ＆光体。

（２）上記＜１）の系に、さらに無機光導電性材料（例
えば、公知の硫化カドミウム、酸化亜鉛、硫化カドミウ
ム−セレンその他）あるいは有機光導′屯材料（例えは
、ポリ−Ｎ−ビニルカルバシー／ｌ／、Ａ化−ｙｔｅリ
−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルアセナフチレン
、Ｎ、Ｎ−ジエチルアミノベンズアルデヒド−１，１−
ジフェニルヒドラゾン、Ｎ、Ｎ−ジベンジルアミノベン
ズアルデヒド−１，１−ジフェニルヒドラゾン、Ｎ、Ｎ
−ジ（ｐ−メチルベンジル）アミノベンズアルデヒド−
１−フェニル−１−メチルヒドラゾン、１，３゜５−ト
リフェニルピラゾリンその他）を添加した感光体。

：３）トリスアゾ化合物の薄層（′ｌｌ１ｃ荷発生層）
（約０．０５〜５μ）ｔ−導電性支持体上に適当な方法
によって形成せしめ、さらにその上に他の光導電性物質
の層（ＩＫ荷移動層）１形成せしめた積層タイ１の感光
体。

などが、新規トリスアゾ化合物の用途例としてあげるこ
とができる。このようにして作られた感光体は、従来の
それに比較して、何等の魅色もなく本発明の目的を充分
達成できるものである。

次に本発明の新規トリスアゾ化合物による効果を感光体
の用途列で説明する。

化合物４１４のトリスアゾ化合物２重量部及びテトラヒ
ドロフラン９８重、ｔｌｆｌｌｔ−ボールミル中で粉砕
混合し、得られた分散液をアルミニタム蒸着ポリエステ
ルフィルム上にドクターブレードｔ−ｍ布し自然乾燥し
て厚さ０．５μの電荷発生ノＩ＃を形成した。

一万Ｎ、Ｎ−ジエチルアミノベンズアルデヒド−１−フ
ェニル−１−アリルヒドラゾン２重蓋部およびポリカー
ボネート樹脂〔■ティジン製、パンライト１．）２］［
置部をテトラヒドロフラン１６］ｉ量部に浴解しこれを
前記電荷発生層上にドクターブレードで＃１布し、１２
０℃で１０分間乾燥して厚さ２０μの電荷移！ＩＩＪ層
を形成せしめ積ノｍ星感光体を得た。

次にこの感光体の感光層面に市販の靜Ｖ複写紙試Ｍ装置
によシ、−６ＫＶのコロナ放電ｔ−２０秒間行なって負
帯電させた後、２０秒間暗所に放置し、　　　　　　　
　　　１その時の表面電位Ｖｐｏ（ボルト）を測定し、
ついでタングステンラングから、その表面が照［２０ル
ツクスになるよう感光層に光照射を施し、その表面電位
がＶｐｏの１７２になる迄の時間（秒）を求めて半減露
光ｊｔＥ　１／２（ルックス・秒）とした。

その結果は、 Ｖｐｏ　　９８０　　ボルト Ｅｌ／２　２．０　　ルックス−秒 であった。又、このものの半導体レーザー光（７８０・
へ）におけろ光半減露光量Ｅ”／２ゾｒｇ／ｃｄ）は、
４．５　ｅｒｇ／ｊ　であった。

実施例１ 下記構造式で示されるＮ＋Ｎ−（ｐ−アミノベンジル）
−１）−７二二レンジアミン（颯点２３５〜２３７．５
℃）１．３Ｆを塩酸と亜硝酸ソーダによシ、ヘキサゾニ
ウム塩（但し、ＸはＣｔ）に変え、ξれｔ−費−１でカ
ップリング成分Ａ９として示される化合物３．６ｆとト
リエタノールアミン３．５ｆとをＮ、Ｎ−ジメチルホル
ムアミド２００＋ｄに溶解した溶液中に水冷下（約５〜
１０℃〕で１０分間に亘って滴下した後、室温で更に３
時間攪拌した。得られた實黒色沈織ｔＦ取し、Ｎ、Ｎ−
ジメチルホルムアミドで洗浄を行ない、さらに水２０？
“で２回熱洗した後・減圧下で乾燥して３・８ｆの例示
化合！ム９のトリスアゾ顔料を得た。

尚このものの赤外に吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）ｔ
−第１図に示した。

実施例２〜５ カップリング成分として表−２のＡ１４、表−３０墓２
２、表−７の／Ｉ＆６４、及びムロＥｋ各々用いた他は
実施例１と同じ方法で本発明の各櫨トリスアゾ化合物ヲ
製造した。

これらのトリスアゾ化合物の赤外吸収スペクトルｔ−第
２図、第３図、第４図、第５図に示した。

【図面の簡単な説明】

第１〜５図は各々、本発明のトリスアゾ化合物厘９、扁
１４．４２２．７ｆＩ６４、墓６５の赤外線吸収スペク
トル（ＫＢｒ錠剤法）である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、一般式（ I ）または（II） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（II） （但し、Ｒは置換もしくは無置換の鎖式炭化水素基、環
   式炭化水素基、芳香族炭化水素基、複素環基を表わし、
   Ｚはベンゼン環と縮合してナフタレン、アントラセン環
   、又はカルバゾール環、ベンゾカルバゾール環、ジベン
   ゾフラン環を形成するに必要な原子群を表わし、Ｘは同
   じでも、異なっていてもよい水素、低級アルコキシ基、
   低級アルキル基、ハロゲン基、ニトリル基、ヒドロキシ
   基であり、ｎは１又は２の整数を表わす。）で示される
   トリスアゾ化合物。 ２、一般式（III） ▲数式、化学式、表等があります▼（III） （但し、Ｘ、ｎは第１項と同義、Ａはアニオン残基を表
   わす。） で表わされるヘキサゾニウム塩と、一般式（IV）または
   （Ｖ） ▲数式、化学式、表等があります▼（IV） ▲数式、化学式、表等があります▼（Ｖ） （但し、Ｒは第１項と同義である。） で表わされる化合物とを反応させることを特徴とする一
   般式（ I ）または（II） ▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼ （但しＲ、Ｚ、Ｘ、ｎは第１項と同義である。）で表わ
   されるトリスアゾ化合物の製造方法。