JPS61161403A - プリント基板の導体パタ−ンの表面処理方法 - Google Patents
プリント基板の導体パタ−ンの表面処理方法Info
- Publication number
- JPS61161403A JPS61161403A JP242185A JP242185A JPS61161403A JP S61161403 A JPS61161403 A JP S61161403A JP 242185 A JP242185 A JP 242185A JP 242185 A JP242185 A JP 242185A JP S61161403 A JPS61161403 A JP S61161403A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reflectivity
- printed circuit
- circuit board
- conductor pattern
- conductive pattern
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はプリント基板の導体バター゛ンの光学的外観検
査に関するものである。
査に関するものである。
プリント基板に搭載する電子部品の形状が小型化し、部
品に収容する素子数が増大して、部品の端子配列が１．
２７ 龍ピッチのグリッドとな゛す、対応するプリント
基板の導体パターンも゛亦１．２７ｎピッチのグリッド
で形成され、導体パターンは従前の導体パターンに比べ
数倍の高密度となり、微細化され導体パターンは僅少な
面積の欠陥によっても機能障害となるため、プリント基
板の製造過程及び完成時に導体パターンの表面状態を丹
念に検査する必要があるが、この検査を目視によって行
なう時、導体パターン密度が高くかつ微細であることに
より検査対象量が大となり欠陥の検出力は低下し、また
検査もれを生じやすくなるため光を媒体とした検査装置
が用いられるが、検査の精度を高めるために検査すべき
導体パターンの表面を処理して照射された光の反射率を
高める必要がある。
品に収容する素子数が増大して、部品の端子配列が１．
２７ 龍ピッチのグリッドとな゛す、対応するプリント
基板の導体パターンも゛亦１．２７ｎピッチのグリッド
で形成され、導体パターンは従前の導体パターンに比べ
数倍の高密度となり、微細化され導体パターンは僅少な
面積の欠陥によっても機能障害となるため、プリント基
板の製造過程及び完成時に導体パターンの表面状態を丹
念に検査する必要があるが、この検査を目視によって行
なう時、導体パターン密度が高くかつ微細であることに
より検査対象量が大となり欠陥の検出力は低下し、また
検査もれを生じやすくなるため光を媒体とした検査装置
が用いられるが、検査の精度を高めるために検査すべき
導体パターンの表面を処理して照射された光の反射率を
高める必要がある。
検査すべきプリント基板の導体パターンは、エポキシ又
はポリイミド樹脂等による平板上に張られた銅箔上に折
型のパターンをなすＮｉ又はＳｎメッキをレジストとし
て銅をエツチングして形成し、第２図に示す如くレーザ
ーガンから投射され散し、光学レンズ３で補正して１つ
の反射鏡２の回転移動に対し１本の走査線を得てプリン
ト基板４の表面を走査し、機材５と導体パターン６及び
導体パターン６の表面状態の異なる反射率のレーザービ
ーム１が投射の進路と逆行して反射し、反射鏡２で経時
的に一本のビームとなしたる後、ハーフミラ−７で分離
しホトマルチプライヤ−８に入力し、レーザービームｌ
の反射量を電気信号に変換し、情報処理をして導体パタ
ーン６の形状及び導体パターン６の表面状態を認識する
めが、導体パターン６の表面はエツチングレジスト９の
Ｎｉ又はＳｎの金属層で被覆され、レーザービーム１の
反射率が小さいためホトマルチプライヤ−８の入力レベ
ルが小さくレーザービーム１の反射の解像度が低く検査
の精度は良好でなく、導体パターン６の欠陥の検出能力
が低く、充分な検査結果かえられないという問題点があ
った。
はポリイミド樹脂等による平板上に張られた銅箔上に折
型のパターンをなすＮｉ又はＳｎメッキをレジストとし
て銅をエツチングして形成し、第２図に示す如くレーザ
ーガンから投射され散し、光学レンズ３で補正して１つ
の反射鏡２の回転移動に対し１本の走査線を得てプリン
ト基板４の表面を走査し、機材５と導体パターン６及び
導体パターン６の表面状態の異なる反射率のレーザービ
ーム１が投射の進路と逆行して反射し、反射鏡２で経時
的に一本のビームとなしたる後、ハーフミラ−７で分離
しホトマルチプライヤ−８に入力し、レーザービームｌ
の反射量を電気信号に変換し、情報処理をして導体パタ
ーン６の形状及び導体パターン６の表面状態を認識する
めが、導体パターン６の表面はエツチングレジスト９の
Ｎｉ又はＳｎの金属層で被覆され、レーザービーム１の
反射率が小さいためホトマルチプライヤ−８の入力レベ
ルが小さくレーザービーム１の反射の解像度が低く検査
の精度は良好でなく、導体パターン６の欠陥の検出能力
が低く、充分な検査結果かえられないという問題点があ
った。
以上記したように導体パターンにレーザービーム等を照
射して導体パターンの表面状態を検査するのに、導体パ
ターンの表面を被覆するＮｊ又はＳｎ等のレジストの金
属面の反射率が小さく表面状態の解像が良好でなく、検
査の精度が低い欠点がある。
射して導体パターンの表面状態を検査するのに、導体パ
ターンの表面を被覆するＮｊ又はＳｎ等のレジストの金
属面の反射率が小さく表面状態の解像が良好でなく、検
査の精度が低い欠点がある。
上記の問題点は、導体パターンの表面を被覆するＮｉ又
はＳｎ等の金属の表面をレーザービームに対して反射率
の高い金属層で更に被覆することを特徴とするプリント
基板の導体パターンの表面処理方法によって解決される
。
はＳｎ等の金属の表面をレーザービームに対して反射率
の高い金属層で更に被覆することを特徴とするプリント
基板の導体パターンの表面処理方法によって解決される
。
本発明はプリント基板の中間層又は表面層に形成した導
体パターンの形状と表面の欠陥を検出する光学的検査装
置の検出能力を高め、高い検査精度を得るのに使用する
レーザービームに特定し反射率を高める方法として、エ
ツチングレジストのＮｉ又はＳｎ等の金属被膜の表面に
銅の被膜を形成し、Ｎｉ又はＳｎに照射したレーザービ
ームの反射率に対比し２〜３倍の反射率によりＳ／Ｎの
高い検査結果の信号を得るものである。
体パターンの形状と表面の欠陥を検出する光学的検査装
置の検出能力を高め、高い検査精度を得るのに使用する
レーザービームに特定し反射率を高める方法として、エ
ツチングレジストのＮｉ又はＳｎ等の金属被膜の表面に
銅の被膜を形成し、Ｎｉ又はＳｎに照射したレーザービ
ームの反射率に対比し２〜３倍の反射率によりＳ／Ｎの
高い検査結果の信号を得るものである。
第１図は本発明によるプリント基板の導体パターンと光
学的検査を示す。
学的検査を示す。
銅に照射して反射率が他の金属に比較して２〜３倍高い
Ｈｅ−Ｎｅによるレーザーを１０ｕｍｌ”ザービーム１
を平行にし走査する幅を規定し、検査すべきプリント基
板４に垂直に照射し、照射された検査対象体よりの反射
率の異なる反射レーザービーム１の逆行をハーフミラ−
７で分離し、ホトマルチプライヤ−８に入力し信号の情
報処理をなすが、導体パターン６の表面にエツチングレ
ジスト９としてのＮｉ又はＳｎの金属被膜の表面に無電
解メッキによる銅の被膜１０を２μｍ厚程度に形成する
ことにより、導体パターン６に照射したレーザービーム
１の反射率は銅層１０を形成しないエツチングレジスト
９のＮｉ又はＳｎの金泥被膜９に対して２〜３倍高い反
射率で反射するため、ホトマルチプライヤ−８の入力レ
ベルも亦２〜３倍高いために信号処理精度を高（なし得
る。
Ｈｅ−Ｎｅによるレーザーを１０ｕｍｌ”ザービーム１
を平行にし走査する幅を規定し、検査すべきプリント基
板４に垂直に照射し、照射された検査対象体よりの反射
率の異なる反射レーザービーム１の逆行をハーフミラ−
７で分離し、ホトマルチプライヤ−８に入力し信号の情
報処理をなすが、導体パターン６の表面にエツチングレ
ジスト９としてのＮｉ又はＳｎの金属被膜の表面に無電
解メッキによる銅の被膜１０を２μｍ厚程度に形成する
ことにより、導体パターン６に照射したレーザービーム
１の反射率は銅層１０を形成しないエツチングレジスト
９のＮｉ又はＳｎの金泥被膜９に対して２〜３倍高い反
射率で反射するため、ホトマルチプライヤ−８の入力レ
ベルも亦２〜３倍高いために信号処理精度を高（なし得
る。
以上説明したように本発明の実施によるプリント基板の
導体パターンの光学的検査に於いて、導体ハターンの欠
陥を検出するレーザービームの反射率を２〜３倍高くな
し得る事により、ホトマルチプライヤ−の入力レベルが
高く、導体パターンの欠陥の検出を高いＳ／Ｎでなし得
るため、精度の高い導体パターンの検査をなし得るもの
であり、導体パターンの面積又は線幅が１００μｍ程度
である時特に有効である。
導体パターンの光学的検査に於いて、導体ハターンの欠
陥を検出するレーザービームの反射率を２〜３倍高くな
し得る事により、ホトマルチプライヤ−の入力レベルが
高く、導体パターンの欠陥の検出を高いＳ／Ｎでなし得
るため、精度の高い導体パターンの検査をなし得るもの
であり、導体パターンの面積又は線幅が１００μｍ程度
である時特に有効である。
エツチングレジスト金属被膜上に形成したｗ４Ｎは検査
後必要に応じて除去する。
後必要に応じて除去する。
第１図は本発明によるプリント基板の導体バタ図に於い
て１はレーザービーム、４はプリント基板、６は導体パ
ターン、９はエツチングレジスト、１０は銅の被膜をそ
れぞれ示す。 第１ 閃 第 ２ 図
て１はレーザービーム、４はプリント基板、６は導体パ
ターン、９はエツチングレジスト、１０は銅の被膜をそ
れぞれ示す。 第１ 閃 第 ２ 図
Claims (1)
- 光学的検装置でプリント基板の導体パターンの表面を検
査するのに検査すべき光源に対し反射率の高い金属被膜
を検査面に被覆形成せしめることを特徴とする、プリン
ト基板の導体パターンの表面処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP242185A JPS61161403A (ja) | 1985-01-10 | 1985-01-10 | プリント基板の導体パタ−ンの表面処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP242185A JPS61161403A (ja) | 1985-01-10 | 1985-01-10 | プリント基板の導体パタ−ンの表面処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61161403A true JPS61161403A (ja) | 1986-07-22 |
Family
ID=11528783
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP242185A Pending JPS61161403A (ja) | 1985-01-10 | 1985-01-10 | プリント基板の導体パタ−ンの表面処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61161403A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63255646A (ja) * | 1987-04-13 | 1988-10-21 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 被検査物の欠陥検出方法 |
| WO2006076248A1 (en) * | 2005-01-11 | 2006-07-20 | Applied Materials, Inc. | Patterned wafer thickness detection system |
| US7534298B2 (en) | 2003-09-19 | 2009-05-19 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method of detecting the electroless deposition endpoint |
| CN101806753A (zh) * | 2009-02-17 | 2010-08-18 | 日东电工株式会社 | 配线电路板的制造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55136902A (en) * | 1979-04-12 | 1980-10-25 | Hitachi Cable Ltd | Device for measuring pattern on surface of article |
-
1985
- 1985-01-10 JP JP242185A patent/JPS61161403A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55136902A (en) * | 1979-04-12 | 1980-10-25 | Hitachi Cable Ltd | Device for measuring pattern on surface of article |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63255646A (ja) * | 1987-04-13 | 1988-10-21 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 被検査物の欠陥検出方法 |
| US7534298B2 (en) | 2003-09-19 | 2009-05-19 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method of detecting the electroless deposition endpoint |
| WO2006076248A1 (en) * | 2005-01-11 | 2006-07-20 | Applied Materials, Inc. | Patterned wafer thickness detection system |
| CN101806753A (zh) * | 2009-02-17 | 2010-08-18 | 日东电工株式会社 | 配线电路板的制造方法 |
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