JPH02501427A - プリント配線板基板のレジストをパターン化する方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 プリント配線板基板のレジストをパターン化する方法〔産業上の利用分野〕 本発明は本願の譲受人に付与された「多層回路板製造法」（グラセント。レイク ）と題する同時出願第７４２，７４７号（１９８５年６月１０日）に関する。上 記出願は参考として本文中に組込んである。

〔従来の技術〕

本発明は全体として電気部品のプリント配線板の製造方法、殊にプリント配線板 を写真処理する技術に関する。

電子回路部品の５１１１化と小型化の進行は過去２０年にわたってプリント配線 板技術の制約に対して増々大きくなる挑戦となっている。印刷回路板より正確に 述べれば印刷配線板（ＰＷＢ）は幾つかの基軸的な役割を演じている。まづ、特 別に実装されるｓｉ積回路や抵抗の如き電気部品は通常丈夫でカード形のフラッ トボードの面上に取付けられるか担われる。そのなめＰＷＢは部品の支持体とし ての働きを行う、第２にボード面上に化学的にエツチングもしくはめつきした導 通パターンを使用してＰＷＢは部品間に所望の電気接続を形成する。更に、ＰＷ Ｂはヒートシンクとしての働きを行うメタル領域を備える。

導通パターンは銅箔クラッドエポキシファイバグラス基板をホトエツチングする ことにより形成されるのが普通である。銅箔にはホトレジスト層があてがわれし ばしば「アートワーク」と称されるパターンを通して投射された紫外線（ＵＶ） 光にさらされることによってパターン化される。

ホトレジスト上にさらされる領域はポリマー化される。ポリマー化されない領域 は化学溶液により除去され残りのポリマー化された硬化ホトレジストの保護障壁 下方に所望の導通パターンである銅領域を残す、その後露出した銅はエツチング して取られ残るホトレジストは化学的に取除かれてその結果書られる導通パター ンをさらす、そのかわり、ホトレジストをパターン化して導通パターンを無電界 めっきするためのチャネルを形成することもできる。この手続きにももちろん多 数の変形が存在するがそれらは全てレジスト層のホトパターン化を要する。゛集 積回路の使用が多くなるにつれて入出力用相互接続端子の高密度はボードの他の 側上に導通パターンを使用して追加的な相互接続が形成される両側ＰＷＢを必要 とするようになった。

回路集積度が大きくなるにつれて表面取付は技術（ＳＭＴ）は電子回路の高密度 化を促進している０表面取付デバイス（ＳＭＤ）はＰＷＨの表面に直かにあてが われ気相、赤外ｔ！（Ｉ　Ｒ）その他の技術を用いてはんだ付けされる。ＳＭＴ は組立費を約５０％だけ少なくし部品密度を４０％以上増加させ信頼性を向上さ せることによって電子部品製造産業を革命しつつある。ＳＭＤ上の端子アレイは 従来コンピュータ上のそれよりも高密度もしくは微細なピッチを有している。各 端子は依然ボード上の各導線に適当に電気接続する必要があるためにＳＭＤの位 置合わせはＰＷＤ導線ラインに対して高い解像度を要求している。事実、３Ｍ０ 回路は非常に高密度になっているので両側ボードは必要とされる電気結線を全て 収容することは不可能である。かくして多層ＰＷＢが注意の焦点となっており幾 つかの競合する技術が開発されつつある。スタックもしくは層形成の導線パター ンに依存する技術は所与の層内に導線パターンの正確な線幅と間隔を有する他に 眉間位置合せを行う必要がある０位置合せに際して４つもしくはそれ以上の層の 深さにわたって３−５シルオーダのすこぶる微細な線を作ることは非常に困難で ある。

ＳＭＴの出現により提供される利点を最大限に利用するためには基板とボードを 製造する上で新しい製造工程を開発する必要がある。過去においてＰＷＨの製造 における問題領域の一つはホトレジスト層をパターン化するためにアートワーク 陰画を生成し利用することであった。写真フィルムもしくはガラスプレートを使 用することは安定性、位置合せ、運搬、保管において固有の困難をつくりだして いる。

ボード製造工程からアートワーク陰画を排除することは長いこと産業上のの目標 であって高速ＵＶレーザプロッタの開発を促進したものである。幾つかの機械が 今日利用されているがそれらは全て非常に高価で開発段階の初期にある。これら の機械はアートワークなしにＵＶ！５受性のレジストを直接パターン化している 。導線パターンはコンピュータ支援設計法（ＣＡ　Ｄ　）を用いて設計される。

上記方法は経路の座標と次元を全てデジタル化してそれらをＵＶレーザＸＹプロ ッタに対する制御信号に変換する。（シかしながら）それらの費用が非常に高い 他にこれらのシステムは微細な線と高密度の作業において著しくなる一連の制約 をもっている。これらの制約の中でも主なものはＵＶ感受性を有するレジストが 低コントラスト材料であって高レベルの露光エネルギーを要する点である。その 結果、ラインエツジの解像度は制約される。高いプロット速度を得るためこれら のシステムは全てマスクスキャン方式で動作する。マスクスキャニングにより相 当なエツジの不規則性がつくりだされ、それらはプロッティング角ラインで非常 に著しい。

精度と最小ライン幅の制約はこれらマスクプロット方式の特徴となっている。現 存方式のもう一つの問題はレーザ源の寿命が短いことである。写真処理層を直接 ＣＡＤ　ＵＶプロットする場合の問題点はそれがポリマー化する前に検査するこ とを許さない点である。もしプロットに誤差が生ずると、誤りが自動的にＵ　Ｖ 　ｇ受性層内に埋込まれることになる。レジストの場合にはボードはレジスト層 全体を除去して清掃した後水分から自由なボードを再度ベーキングすることによ ってしか回収できない、ＵＶによりプロットされたはんだマスクの場合にはパタ ーン中のグリッチのためパネル全体を投棄しなければならないはめになる。

従って、本発明の目的は全体としてボード製造工程において操作しなければなら ない個別のアートワークマスタを除去する一方、直接ＵＶプロッタのエツジ解像 問題を回避することである。本発明の目的は更に本質的により信卸性の高い装置 を用いて低コストと高速度で眉間の位置合せの狂いを最小にして極度に微細なラ インパターンを提供することである。

本発明の以上その他の目的はＣＡＤレイアウトから直接駆動される非常に簡単な 基板／ボード製造手段を与えるシステムにより得られる。上記プロセスはレジス トや恒久的な絶縁材料の如きホト処理層で被覆した基板上に直接ラミネート化し た非常に薄い高コントラストの感光性剥離膜を利用する。その代わり、ホト処理 層と膜は最初共にラミネート化し基板に対するコンポジットとしてあてがわれる 。その結果得られる構造は下に位置するレジスト層内に著しいポリマ化を行うこ との不可能な従来の低エネルギー白色光プロッタを用いてＣＡＤからボード上で 露光することができる。露光後腹層は従来の膜現像法もしくは使用される膜の種 類にふされしいその他の工程を使用してボード上で開発される。現像は下部レジ ストを撹乱しない、その結果得られる高コントラストの膜映像は下部に位置する レジストを次いで均一にＵｖフラッド露光するための現場マスクを形成する。Ｕ Ｖ露光後、膜は殊にそれを基板から剥離することによって除去することが望まし い、それ以上の基板の処理は従来手段により実行することができる。上記工程は 別個のアートワークマスクを操作することにより位置合わせ誤差を誘発せずに多 重層に対して反復することができる。上記方式はマスクスキャンプロツタを使用 することもできる。８角形斑点は走査方向に４５°もしくは９０°の角度をなし て真直ぐなエツジ線をつくる９Ｍは高いコントラストを示すため、下部のレジス トの直接ＵＶパターン化と異なり極度に微細な解像度をつくりだす光度の低い光 が露光にとってふされしい、そのため、本発明はＣＡＤ駆動プロッタの利点をボ ード上における直接パターン形成と結合するが高いコントラストと低エネルギー と白色光プロッティングを用いることによってより鋭いパターンをつくりだす。

更に、現像膜上の可視像はｕｖｇ光前に完全に検査可能であって必要とあらばタ ッチアラ１のために使用できる。もし映像が受容れることができなければ、膜を 剥離して非露光腔を再びあてがうことができる。上記方式はレジストの場合と同 じ形ではんだマスクや永久的な乾燥膜絶縁層等をパターン化するためにも使用で きる。

図面の簡単な説明 第１Ａ−ＩＧ図はエツチングされた減色技術を用いて直接ＣＡＤからホトレジス トをパターン化する一連のステップを被膜するＰＷ１３の線形断面図、 第２図は複合体として基本にあてがう前にレジストと写真フィルムを共に予めラ ミネート化する装置の線形機能図、第３図は写真フィルムをレジストコーチング した基板にあてがう装置の線形機能図、 第４Ａ−４Ｆ図は本発明の一連のステップでパターン化された永久乾燥膜を装着 される印刷配線板の線形断面図、第５Ａ−５Ｆは標準的なパターンめっき工程を 用いた本発明のパターン化手順の線形断面図、 第６Ａ−６Ｂ図は本発明の等辺８角形スポットラスクスキャンホトプロツタの線 形図、 第７Ａ−７Ｂ図は本発明の非等辺８角形スポツトラスクスキヤンホトブロツタの 線形図である。

〔実施例〕

第１Ａ図に示すようにＰＷＢの層の導線パターンの設計はＣＡＤＩＯにより行わ れる。ＰＷＢは１８Ｘ２４インチの典型的な最大値までの任意の大きさとするこ とができる。パターンの座標はデジタル化して制御入力として互換可能なデジタ ル形でＸＹプロッタ１２、例えばガーバーモデル３５に伝送される。アートワー クマスタを作るために使用されるのが普通のこのタイプのプロッタに可動手−プ ル（図示せず）を有していてそれに対して膜が添えられる。テーブルは別個のＸ 、ＹのステップモータとスクリュードライバによりＸ、Ｙ両軸方向に同時に並進 運動することができる。プロッティングヘッドは一連の選択可能なアパーチャを 有する白色光源１４、この場合には黄色フィルタ１６から成り望ましくないＵＶ 成分を除去する。プロッタは暗室内にセットアツプされ膜に対して移動する光１ ８のビームは通常幅が変化するラインのパターンを膜上に「書込む」。

第１Ａ図に示すように基板２０、例えばエポキシファイバガラスシートは均一な メタル層、例えば銅層２２を担う、ＵＶ先に敏感なホトレジスト層２４は銅層２ ２上に重ね合わされる。ストリップベース写真展２６の薄いシートがホトレジス ト２４上に位置する。

膜２６は４分の１ないし２分の１ミルの厚さであることが望ましい、第１Ａ図の 複合構造３０は幾つかの異なった方法で準備できる。第２図に示す如く、レジス ト２４と膜２６は３２でホットローリングによりラミネート状とすることによっ て複合２プライシート３４を形成することができる。上記シート３４はその後３ ６で被覆されていない基板３８上にロールラミネート化される。その代わり（第 ３図に示すように、写真Ｍ２６を直接レジスト被覆基板にロールラミネートする こともできる。

何れの場合にも、その結果得られる構造３０がプロッタ１２の可動テーブル（図 示せず）上に取付けられ腹２６はビーム１８により露光される。−たん露光され ると膜２６は従来の写真現像法を使用して、例えば構造全体３０を暗室内の所望 系列の浴内に浸すことによって現像される。映像４２は薄い膜２６の上部エマル ジョン層内で現像される。

！２６はストリップベース銀膜とすることができる。ネガもしくはポジ作業形の 適当な膜は３−Ｍ社より入手することができる。膜の化学現像は使用される特殊 な下部レジスト、殊に半分水性もしくは溶剤タイプのレジストの完全な状態に影 響を及ぼさない。

本発明に関連して使用される優れた膜は乾燥銀映像展である。

このタイプの腹も３−Ｍ社より入手可能であるが、白色光に感光し比較的高いコ ントラストを有するが映像を現像するために薬品を要しない、映像は短時間高温 で膜を加熱するかより長時間比較的中程度の温度で加熱するがして現像する。こ の性質のために乾燥銀膜はそれが中程度の温度の下でさえ一定時間後くもったと きに非常に乏しいアーキトレーブ性を有する。このタイプの膜は然しなから本発 明にとって理想的である。何故ならばそれは基板、例えばレジストやはんだマス クと接触した状態でエマルジョン側を下にしてあてがうことができるからである 。

エマルジョン側を直接ホト処理可能な層に向けて置くことによって現場のマスク 性質は向上する。何故ならばマスク背後でＵＶはエマルジョンを担う膜基板材料 を通過する必要がないからである。いいかえると、ＵＶはＵｖ感光層に入る直前 にエマルジョン内の膜映像によりマスクされる。この工程における乾燥銀膜の欠 点はそれが従来の方法により現像されるストリップベース膜よりも低いコントラ ストを示す点である。更に、現像された乾燥銀膜がＵＶ露先前ボード上で検査で きる一方、それは容易にはレタッチできない点である。

映像４２を９２６内に固定後、複合構造３０は第１Ｃ図に示すようにＵｖフラッ ドランプ４４に露光される。膜２６の映像中の暗領域４２は紫外線光を吸収し下 部レジストをシールドする。しかしながら、［２６が透光性のままである場合に は、紫外線光がレジスト層２４へ移り下部部分４６をポリマ化する。実際にはフ ラッシュランプから出るＵＶエネルギーの短いバーストを使用してより均一なポ リマ化をつくりだすことが望ましいと思われる。

ボードをＵＶ露光装置４４から取外した後の次のステップは膜２６を剥離するこ とである。−たん膜２６を取外すとパターン化されたホトレジスト２４が露わに なる。基板の残りの処理は従来の方法（レジスト現像、エツチング、メッキ等） で行われる９例えば第１Ｅ図、ＩＦ図、およびＩＧ図に示すように、ホトレジス ト２４の非ポリマ化部分は化学作用により取除くことによって選ばれた銅層２２ の領域にポリマ化部分だけを残すことができる。

次に、銅をエツチングして銅線パターン４８を形成し、第１Ｇ図に示すようにレ ジスト４６のポリマ化部分を化学的に除去して最初のＣＡＤ設計により指定され た銅線パターン４８を残す。

本発明ははんだマスクと絶縁層の作成にも使用することができる。第４Ａ−４Ｅ 図に示す如く、エポキシファイバグラスその他の適当な材質から成る銅箔クラッ ド基板２０′を従来技術もしくは第１Ａ−ＩＧ図に示す本発明の技術を用いてパ ターン化する。第４Ａ図には導線箔パターン５０が示されている。第２図の如き ストリップベース銀Ｍ２６とロールラミネート化した永久乾燥膜（ＰＤＦ）５４ の複合体５２を直接導通パターン５０をカバーする基板２０′にあてがう、その 代わり、ＰＤＦ層４をまづあてがい被覆基板を形成した後それに対して［２６と 第３図のようにあてがうこともできる。

第４Ｃ図に示す如く、複合被覆構造は第１Ａ、ＩＢ、ＩＣ，およびＩＤ図に示す のと同一のステップにさらす、膜２６のエマルジョン層内に形成された直接ＣＡ Ｄからプロットされた映像５５は導線箔パターン５０上でＰＤＦの下部領域を選 択的にシールドし現場マスクとしての働きを行う、第４Ｄ図において、導通パタ ーン５０上のＰＤＦの非露光領域はポリマ化された硬質ＰＤＦ絶縁層６０を残し て化学的に除去される。

第４Ｄ図内の露光されたメタル部位は溶融はんだ浴内に浸すことによりはんだづ けして絶縁層６０内の空隙チャネルもしくはアパーチャをはんだ６２で満たす、 （第４Ｅ図）フランジ面を得るため構造の頂層ははんだ６２の頂面を回流する高 温エアナイフにさらされる。その結果ＳＭＤをとりつけるためのなめらかな面が 準備される。実際にははんだペーストが第４Ｅ図の構造の表面上におおわれ、Ｓ ＭＤが取付けられｉ造が例えば気相プロセスで加熱されボード配線とＳＭＤ間に 電気接続が形成される。

その代わりに第４Ｆ図に示す如く、ＰＤＦを上記した我々の同時係属多層装着法 に開示したタイプの多層構造内に眉間絶縁体として使用することもできる。第４ Ｄ図の銅箔パターン５０は無電界めっきの接触部位を形成する。ＰＤＥ絶縁層６ ０内に形成されたチャネルは無電界めっきして一体の銅線６４（第４図）をつく る９次いで層を第４Ｆ図に示す構造の上部にあてがい多層回路を形成することに なろう。

本発明の直接ＣＡＤから現場ホトマスクをつくる技術を用いるパターンめっき法 を第５Ａ−５Ｆ図に示す。

第５Ａ図に示す如く、基板２０は箔２２の上層、レジスト層２４および映像現像 膜層２６を担う、形は第１Ａ図に示したものと同一であるが、ネガ作業レジスト を使用するときに膜が第１Ａ図に示すようなポジタイプのストリップベース膜で なくてネガタイプのストリップベース膜とすることが望ましい点が異なる。

膜層は第５Ｂ図に示すようにボード上に露光（プロット）して現像して映像７０ をつくりだす、その後ボードをＵＶ源に露光してレジスト層２４の非シールド部 分をポリマ化する。第５Ｂ図に示すようにその目的を果し終ったｗＡｚｓは剥離 され投棄される。

次に第５Ｃ１１２において非ポリマ化レジストを取除いて硬化レジスト７２の領 域を［２２の均一層上に残す。

銅層が無傷であるため、電気めっきを使用することができる。

銅と共にホール（図示せず）内をレジスト内を露光したチャネルがめっきされる 。レジスト７２により被覆された領域は電気めっきによる影響を受けない、この ことが有利なのは導通パターン（およびホール）だけがめっきされるために外部 から電気めっきされた銅を除去する必要がないからである。

第５Ｄ図に示すように鋼＠２２’が電気めっきされた後、すずはんだのコーチン グが適当な浴内で銅線２２′の上面上に電気めっきされる。すずめっきコーチン グ７４は所望の導通パターンを被覆する。第５Ｅ図に示すように硬化したポリマ 化レジスト７２を取除いた後構造はエツチング浴内におかれる。すずはんだコー チング７４は銅エツチング剤に対するレジストとしての働きを行う、その結果、 銅箔層２２はパターンがすずはんだによりめっきされた箇所を除いて至る処で除 去されることによって第５Ｆ図に示すような所望のすず被覆鋼パターンを残す０ 図面（第５Ｆ図）に示す最終段階につづいて同構造はＩＲもしくは高温オイル処 理により加熱されすずはんだ層７４を銅パターンのエツチングされたエツジ７６ （第５Ｆ図）上に回流させる。

ＣＡＤから直接現場の銀膜マスク上にホトプロットする利点は多い、特に、非常 に薄い高コントラストの現場膜マスクはレジストを直ｔｆＣＡＤからＵｖプロッ トする方法よりはるかにすぐれた高解像パターン化能力を有する。ＣＡＤからの 直接露光は頻繁に配置変えすることを要する高エネルギーＵＶレーザを要する高 コストの複雑なＵＶプロット方式に対して低コストの標準白色光ホトプロッタを 用いて行うことができる。ホトプロットした現場マスクは高精度の眉間位置合せ と多層プリント配線ボードの基礎を提供する。ＭｔＥ光はレジスト露光に先立っ て検査可能で安定的である。

検査可能性をもつことはＵ■プロットに対して特に重要な利点である。ＵＶポリ マパターンの誤差もしくはアーチファクトは容易には外科的に除去できない、そ の代わり、レジストを溶解し去ってボードを清掃と乾燥の後再び塗布するかボー ドを単に投棄する必要がある。無電界めっきした多層ボードを上記同時係属出願 中に開示の工程により製造するさい、ＵＶ感光性のＰＤＦ層の帰結は誠に深刻で ある。黙しながら、本工程を用いてボード上で現像された腹はプロッティンググ リッチ、毛髪、はこり等によって作り出されたアーチクラフトを容易にチェッり することができる、多くの場合、旧膜を剥取り新しい膜をあてがうかわりに現場 ホトマスクはＵＶの不透明な万年筆を用いるか偽って露出されたエマルジョンの 些細な部分を正確なナイフで励起させることによってレタッチできる。何れの場 合にも、もし必要とあらば悪いマスクを迅速に剥離して新しい膜片で再び試みる ことができる０重要な差異はたとえボードがＣＡＤレイアウトから直接プロット されてもＵＶｆｉ光層は撹乱されない点である。上記方式は更に現在のレーザ装 置の制約が全くなく生産用途の高速ラスクスキャン方式に使用することができる 。

考察中の白色光源はビームを平行にしたキセノンストローブランプである。

ラスクスキャンビームに対して８角形のアパーチャを使用すると０°ライン即に 走査方向に対して平行な方向と４５°と９０゜ラインの両方向のエツジ不規則性 を全て排除することができる。

第６Ａ図と第６Ｂ１ｇに示す如く、ラスクスキャンプロツタは殊にステンシルの 形をした８角形アパーチヤを有する簡単な白色光源を備えることができる。８角 形スポツトは膜内のエマルジョン上に焦点をあてられる。第６Ａ図において走査 方向は指示される如くｙ軸に沿い、目標はＸ方向にラインを描くか映像化するこ とである。このことを行うため、ストローブランプはぴったり正確なｙ座標（第 ６Ａ図のｙ＋）で駆動され第１の走査中に８角形９０を股上に露光する０次の走 査でストローブランプは位Ｉｆ　ｙ　＋で再びフラッシュして図の如く第２の８ 角形像９２を露光する。走査量間隔は図の如く８角形の幅のほぼ３分の１とする ことによって例えば側部９０ａ　、　９２ｍが整合し接触するか１度オーバラッ プするようにする。連続的走査の後にその結果得られたスタガしたオーバラップ する８角形はラインを十分に輪郭のとれた直線エツジでプロットする。更に、第 ６Ｂ図に示す如く、４５°上の対角形もまた３分の１スポット幅で隔ったｙ方向 に逐次走査した後８角形スポツトにより形成された真直ぐなエツジ９４ａ、９６ ｍを有するパターンをつくりだす。

第６ＡＩ］と第６Ｂ図に示す８角形は等辺もしくは正８角形であるから側部のオ ーバラップ量は４５°経路（第６Ｂ図）よりも９０°経路（第６Ａ図）の場合の 方が大きい、この効果は走査方向に対して第７Ａ図と第７Ｂ図に示す如く２の略 平方根の８角形辺に対する比をとる等しい長さに使用することによって排除する ことができる。この設計において８角形は均一に３つに分割されることによって 対角線と８角形線をつくるときのオーバラップは同一となることになろう、然し なから、もし８角形線の幅が３単位であれば、結果として得られる対角線の幅は ２．８２８単位となろう、しかしながら、もしラスタプロッタが例えば自動ズー ムレンズを有しているならば倍率を変更することによって、もしくは露出接続時 間を適当に調節することによって等しくして光がｙ方向に僅かに延びた８角形を 掃き出し対角線を作るときにその小さくなった対角線幅を補償することができる ようにすることもできよう、上記精密化と現場銀膜マスク方式を含む現存のラス ク方式は実際に１プロツトあたり５秒に近い生産速度で実用的高品質基板製造プ ロセスをつくりだすことになろう、　現場マスク方式はポジもしくはネガタイプ のストリップベース膜を収納することができる。今日使用できるレジストの大多 数はネガ作用であるから、減法減色プロセスではポジ形のストリップベース膜が 望ましい、もしボードが第５Ａ−５Ｆ図に示すようにネガ作用レジストと共にパ ターンめっきプロセスを用いて作られるならばネガタイプストリップベース膜を 同一の方法で使用することになろう。

現場膜マスクＰＷＢ方式の上記解説は例解的なものであってそれに限定されるも のではない０例えば、上記例は一方側のボードのみを示したものであるけれども 、同一プロセスを同時にもしくは順次基板両側に続いて両側ボードを作ることが できる。

本文中に述べたステップもしくは材料に対する多くの変形もしくは追加ももちろ ん本発明の原理もしくは精神から逸脱せずに可能であるがその範囲は添附請求範 囲により示される。

浄書（内容に変更なし） 浄書（内容に変更なし） ５Ｑ 浄書（内容に変更なし） 浄書（内容に変更なし） ＦＩＧ、６Ａ 浄書（内容に変更なし） ＦＩＧ、７Ａ 手続補正書 １、事件の表示 ＰＣＴ／ＵＳ８６１０２７０９ ２、発明の名称 プリント配線板基板のレジストをパターン化する方法３、補正をする者 名　称　ザ・フォックスボロ・カンパニー４、代理人 住　所　東京都千代田区大手町二丁目２番１号新大手町ビル　２０６区 ５、補正の対象 国際調査報告 １１１１−伸−ＩＡｅ＠ｋｔｌ−＠ｌｌ１ｌｖ　ＰｃＴ／ｌＪｓ　８６１０２７ ０９λＮＮ三Ｘ　Ｔｏ　′：Ｈ＝　工二：″：三λＮぽ：Ｏ：く入−Ｓ三入三： Ｅ　λ三ＦＯＲＴ　Ｃゞ−＋＋＋＋＋−御−−―――＋Ｉ＋鈴−＋−―＋＋−− 轡・−―＋―幹−−−−−――−・−―

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．ホト処理層をプリント記線板基板上にパターン化するプロセスにおいて、 基板を指向エネルギーの第１のスペクトルに感光するホト処理材料の上部層によ り作成し、 指向エネルギーの第２のスペクトルに感光する非露光非現像の写真映像膜の層を ホト処理層上の基板にあてがい、基板上の上記膜を上記第２のスペクトルを含む 実質上上記第１のスペクトルを排除するビームを発する自動ホトブロックで露光 することによってホト処理材料の下部層に影響を与えずに膜を活性化させ、 膜を巷板上に現像させ、 ホト処理層を現場マスクとして上記膜層内に現像された映像を通して基板上に実 賃上均一に分布した上記第１のスペクトル内のエネルギーに露光させ、 上記膜層を除去し、 上記ホト処理層を処理することにより低エネルギープロット法を用いて高解像の 検査可能なボード上マスクをつくりだすこと、を特徴とする前記方法。 ２．上記膜を除去する上記ステップが上記膜を上記基板から剥離することによっ て行われる請求項１の方法。 ３．露光後の上記ホト処理層の処理が上記ホト処理層の露出もしくは非露出部分 の何れかを化学的に除去することによって行われる請求項１の方法。 ４．上記第１のスペクトルがＵＶで上記第２のスペクトルが可視光である請求項 １の方法。 ５．上記膜を自動ホトプロッタにより露光させる上記ステップが導通パターンの デジタル表示を作成し上記ホトプロツタを上記デジタル表示により制御する予備 ステップを含む請求項１の方法。 ６．上記ホトプロッタが白色光ｘｙプロッタである請求項５の方法。 ７．上記ホトプロッタが駆動可能な白色光源を有するラスタスキャンプロッタで ある請求項５の方法。 ８．上記白色光源が８角形の形をした腹にあてられ、走査間距離が隣接しあう走 査の８角形辺が整合し互いに実質上接触し走査方向に対し０°，４５°，もしく は９０°で真直ぐなエッジラインを形成する請求項７の方法。 ９．上記腰がそのエマルジョン側を上記ホト処理層に隣接させた形であてがわれ る請求項１の方法。 １０．上記膜が乾燥銀膜である請求項１の方法。 １１．上記膜が熱現像膜である請求項１の方法。 １２．上記膜がそのエマルジョン側を上記ホト処理層に隣接した形であてがわれ る熱現像膜である請求項１の方法。 １３プリント配線板に対してホト処理層をパターン化する方法において、第■の スペクトル内の指向エネルギーに感光するホト処理材料の層を第２のスペクトル 内の指向エネルギーに感光する非電光非現像の写真映像膜の層により共にラミネ ート化して複合体を形成し、 頂部に膜層を有する上記複合体を基板にあてがい、上記膜層を上記第２のスペク トルを含み実質上上記第１のスペクトルを排除するビームを発する自動ホトプロ ッタにより選択的に露光してホト処理材料の下層に影響を与えずに膜を清住化し 、 膜を基板上で現像させ、 上記膜層内に現場マスクとして現像した映像を通して基板上に実質上均一に分布 した上記第１のスペクトル内のエネルギーにホト処理層を露出し、 上記膜層を除去し、 上記ホト処理層を処理することによって低エネルギープロット法を使用して高解 像ボード上マスクをつくりだすこと、を特徴とする前記方法。 １４．上記膜層を除去する上記ステップが上記膜を上記基板から剥離することに よって行われる請求項１３の方法。 １５．露光後内上記ホト処理層の処理が上記ホト処理層の露光もしくは非露光部 分の何れか一方を化学的に除去することによって行われる請求項１３の方法。 １６．上記第１のスペクトルがＵＶで上記第２のスペクトルが可視光である請求 項１３の方法。 １７．上記膜を自動ホトプロッタで露光する上記ステップが導通パターンのデジ タル表示をつくりだし上記ホトプロッタを上記デジタル表示により制御すること によって行われる請求項１３の方法。 １８．上記ホトプロッタが白色光のｘ−ｙホトプロッタである請求項１７の方法 。 １９．上記ホトプロッタが駆動可能な白色光源を有するラスタスキャンホトプロ ッタである請求項１７の方法。 ２０．上記光源が８角形の膜にあてられ走査間間隔が８角形の辺どうしが整合し 互いに実質上接触し走査方向に対して０°，４５°，および９０°で真直ぐなエ ッジラインを形成するような値である請求項１９の方法。 ２１．上記膜がそのエマルジョン側を上記ホト処理層に隣接してあてがわれる請 求項１３の方法。 ２２．上記膜が乾燥銀膜である請求項１３の方法。 ２３．上記腹が熱現像可能な膜である請求項１３の方法。 ２４．上記膜がそのエマルジョン側が上記ホト処理層に隣接した熱現像可能な膜 である請求項１３の方法。 ２５．駆動エネルギービームを５角形の上記エネルギーに敏感な膜上に向け、 上記ビームを対応する連続的な位置で連続した走査で駆動しラインを形成し、走 査間間隔が露光された５角形の整合した隣接しあう辺が接触して連続的な真直ぐ なエッジを形成することによってラインが走査方向と所定角度をなすときに上記 ラインの輪郭を描く段階より成るラスタスキャンラインプロット法。 ２６．上記５角形が８角形である請求項２５の方法。 ２７．上記所定の角が９０°と４５°から成る請求項２６の方法。 ２８．走査方向に対して対角線状の８角形の辺の長さが矩形辺に対してほぼ１． ４の比をとる請求項２７の方法。 ２９．上記エネルギーが白色光の形をとり上記膜が銀膜である請求項２６の方法 。 ３０．基板と、 上記基板頂部の第１スペクトル内の指向エネルギーに敏感な接若ホト処理層と、 上記ホト処理層の項部上に剥離可能にラミネートされた非電光、非現像、剥離可 能な映像膜の層とから成り、上記膜が第２スペクトル内の指向エネルギーに対し て敏感であるため低エネルギープロッティングを使用して高解像の検査可能なボ ード上マスクをつくりだすことができる印刷配線ボードを作るための複合構造。 ３１．上記基板がパターン化可能な導電層を担う基板から成る請求項３０の構造 。 ３２．上記ホト処理層がホトレジストの層である請求項３１の構造。 ３３．上記第１のスペクトルがＵＶで上記第２のスペクトルが可視光である請求 項３０の構造。 ３４．上記基板が直線の表面バクーンを担う基板を含む請求項３０の構造。 ３５．上記ホト処理層がパターン化可能な永久絶縁層である請求壇３４の構造。 ３６．上記絶縁層がＰＤＦである請求項３５の構造。 ３７．上記絶縁層がはんだマスク材料である請求項３５の構造。 ３８．上記膜がそのエマルジョン膜が上記ホト処理層に隣接した形であてがわれ る請求項３０の構造。 ３９．上記膜が乾燥銀膜である請求項３０の構造。 ４０．上記膜が熱現像可能な膜である請求項３０の構造。 ４１．上記腹がそのエマルジョン膜が上記ホト処理層に隣接した熱現像可能な膜 である請求項３０の構造。