JPS6116050A - 情報記録媒体 - Google Patents
情報記録媒体Info
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- JPS6116050A JPS6116050A JP13598084A JP13598084A JPS6116050A JP S6116050 A JPS6116050 A JP S6116050A JP 13598084 A JP13598084 A JP 13598084A JP 13598084 A JP13598084 A JP 13598084A JP S6116050 A JPS6116050 A JP S6116050A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は磁性合金Ｈ膜からなる記録層を有する情報記録
媒体に係り、特に耐腐蝕性を向上させた情報記録媒体に
関する。
媒体に係り、特に耐腐蝕性を向上させた情報記録媒体に
関する。
〔発明の技術的背景とその問題点）
レーザ光のような光ビームの照射により情報の記録、再
生および消去が可能な光ディスクとして、極力−効果を
利用した光熱磁気記録媒体が注目されている。この光熱
磁気記録媒体は、膜面に垂直方向に磁化容易軸を有する
磁性合金薄膜からなる記録層を基体上に形成した構造を
有し、情報信号に応じて変調された光ビームの照射によ
り記録層が局部的にキューリ一点近傍に加熱されること
によって、情報を磁化反転の形で記録する。一方、記録
された情報の再生は、磁化反転が局部的に生じている記
録層に光ビームを照射し、その際に記録層表面から反射
される偏光面の回転、すなわち極力−効果を利用して行
なわれる。
生および消去が可能な光ディスクとして、極力−効果を
利用した光熱磁気記録媒体が注目されている。この光熱
磁気記録媒体は、膜面に垂直方向に磁化容易軸を有する
磁性合金薄膜からなる記録層を基体上に形成した構造を
有し、情報信号に応じて変調された光ビームの照射によ
り記録層が局部的にキューリ一点近傍に加熱されること
によって、情報を磁化反転の形で記録する。一方、記録
された情報の再生は、磁化反転が局部的に生じている記
録層に光ビームを照射し、その際に記録層表面から反射
される偏光面の回転、すなわち極力−効果を利用して行
なわれる。
このような極力−効果を利用する光熱磁気記録媒体の記
録層としては、ＴｂＦｅ、ＧｄＦｅ。
録層としては、ＴｂＦｅ、ＧｄＦｅ。
ＧｄＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣ。
等の稀土類−遷移金属非晶質合金薄膜が知られている。
これらの非晶質合金薄膜はいずれもカー回転角θＫが大
きく、キューリ一点が比較的低いという特徴を持つ。ま
た、大面積で均一な記録層の作成し易さ、すなわち成膜
性、小さな光熱エネルギーで情報を寵込むための記録効
率、再生出力のＳ／Ｎ等の点でも、これらの非晶質合金
１１１０は光熱磁気記録媒体の記録層として優れている
。
きく、キューリ一点が比較的低いという特徴を持つ。ま
た、大面積で均一な記録層の作成し易さ、すなわち成膜
性、小さな光熱エネルギーで情報を寵込むための記録効
率、再生出力のＳ／Ｎ等の点でも、これらの非晶質合金
１１１０は光熱磁気記録媒体の記録層として優れている
。
しかしながら、これらの稀土類−遷移金属非晶質合金薄
膜を記録層とする光熱磁気記録媒体は、一般的に耐腐蝕
性が極めて悪く、このことが光磁気記録方式の実用化へ
の大きな障害となっている。
膜を記録層とする光熱磁気記録媒体は、一般的に耐腐蝕
性が極めて悪く、このことが光磁気記録方式の実用化へ
の大きな障害となっている。
このため、従来では記録層の上に透明誘電体膜を形成し
て耐腐蝕性を改善しようとする試みがなされている。と
ころが、誘電体膜として用いられる５ｉＱ２．ＳｉＯ等
の薄膜は高周波スパッタ等により形成されるため、スパ
ッタ時の輻射熱やゴミの影響で膜内部にピンホール等の
欠陥が生じ易い。
て耐腐蝕性を改善しようとする試みがなされている。と
ころが、誘電体膜として用いられる５ｉＱ２．ＳｉＯ等
の薄膜は高周波スパッタ等により形成されるため、スパ
ッタ時の輻射熱やゴミの影響で膜内部にピンホール等の
欠陥が生じ易い。
従って、長時間が経過する間に、この欠陥を通して大気
中の水分が侵入し、記録層の腐蝕が発生するという問題
があり、誘電体膜の形成は耐腐蝕性の向上にはあまり有
効でなかった。また、光磁気記録用でなく通常の磁気記
録用の磁気記録媒体においても、特に磁性合金１膜を記
録層とするものでは同様に誘電体膜を保護層として表面
に形成するため、上記と同様の問題があった。
中の水分が侵入し、記録層の腐蝕が発生するという問題
があり、誘電体膜の形成は耐腐蝕性の向上にはあまり有
効でなかった。また、光磁気記録用でなく通常の磁気記
録用の磁気記録媒体においても、特に磁性合金１膜を記
録層とするものでは同様に誘電体膜を保護層として表面
に形成するため、上記と同様の問題があった。
（発明の目的〕
本発明の目的は、磁性合金薄膜からなる記録層の耐腐蝕
性を向上させた情報記録媒体を提供することにある。
性を向上させた情報記録媒体を提供することにある。
［発明の概要］
こ′の目的を達成するため、本発明に係る情報記録媒体
では、膜面に垂直方向に磁化容易軸を有する稀土類−遷
移金属非晶質合金薄膜等の磁性合金薄膜からなる記録層
上に形成される耐腐蝕性向上のための保護層を、記録層
の表面を水溶液中で陽極酸化することにより形成した酸
化物薄膜からなる第１保護層と、この第１保護層上に形
成された誘電体膜からなる第２保Ｉｔ層との二層構造ど
することを特徴とする。
では、膜面に垂直方向に磁化容易軸を有する稀土類−遷
移金属非晶質合金薄膜等の磁性合金薄膜からなる記録層
上に形成される耐腐蝕性向上のための保護層を、記録層
の表面を水溶液中で陽極酸化することにより形成した酸
化物薄膜からなる第１保護層と、この第１保護層上に形
成された誘電体膜からなる第２保Ｉｔ層との二層構造ど
することを特徴とする。
本発明における酸化物薄膜からなる保Ｆａ層の形成に用
いられる陽極酸化のための水溶液としては、例えばホウ
酸溶液、ホウ酸−ホウ酸塩緩衝溶液。
いられる陽極酸化のための水溶液としては、例えばホウ
酸溶液、ホウ酸−ホウ酸塩緩衝溶液。
リン酸溶液、リン酸−リン酸塩緩衝溶液、リン酸塩水溶
液、エチレングリコール−水−アルカリ金属水酸化物混
合溶液、エチレングリコール−水−硝酸塩混合溶液のい
ずれか一種類の溶液、あるいはギ酸−ギ酸塩！！衝溶液
、酢酸−酢酸塩緩衝溶液。
液、エチレングリコール−水−アルカリ金属水酸化物混
合溶液、エチレングリコール−水−硝酸塩混合溶液のい
ずれか一種類の溶液、あるいはギ酸−ギ酸塩！！衝溶液
、酢酸−酢酸塩緩衝溶液。
プロピオン酸−プロピオン酸塩ｆＩｉ衝溶液のいずれか
一種類の溶液が適当である。
一種類の溶液が適当である。
一方、第２保護層を構成する誘電体膜としては、例えば
ＡβＮ、Ｓ！０２のような、金属または半導体の酸化物
あるいは窒化物の少なくとも一種の膜を用いることがで
きる。
ＡβＮ、Ｓ！０２のような、金属または半導体の酸化物
あるいは窒化物の少なくとも一種の膜を用いることがで
きる。
本発明によれば、記録層の保護層のうち第１保護層は記
録層そのものを構成する素地合金成分の酸化物薄膜から
なっているため、従来のスパッタ等により形成した誘電
体膜のみを保護層と異なって非常にち密であり、また膜
の内部にピンホールのような欠陥が生じることがない。
録層そのものを構成する素地合金成分の酸化物薄膜から
なっているため、従来のスパッタ等により形成した誘電
体膜のみを保護層と異なって非常にち密であり、また膜
の内部にピンホールのような欠陥が生じることがない。
また、こうして形成された酸化物薄膜からなる第１保護
層は記録層の表面部分が酸化物に変質したものであるた
め、記録層との密着性にも優れている。
層は記録層の表面部分が酸化物に変質したものであるた
め、記録層との密着性にも優れている。
そして、本発明では記録層を水溶液中で陽極酸化して形
成した酸化物薄膜からなる第１保護層の上に、さらに誘
電体膜からなる第２保護層を積層した構造であるため、
誘電体膜あるいは酸化物薄膜を単独で甲いた保護層に比
べ、耐腐蝕性が飛躍的に向上する。すなわち、第１保護
層は上述したようにピンホール等の欠陥が生じにくいと
いう利点を有する反面、水溶液中での陽極酸化という工
程で形成されるものであるために、膜厚を十分に厚くす
ることは難しく、また陽極酸化時に水を結合水として膜
内部に取込む性質がある。従って、この１１Ｍ１ｔ ｉ
化により形成された酸化物薄膜が外部環境にさらされる
と、膜中の結合水の量が環境によって変化し、耐腐蝕性
が損われる。しかし、この第１保護層の上に誘電体膜か
らなる第２保護層を形成して二層構造の保護層とすれば
、陽極酸化による酸化物薄膜が外部環境に対しシールさ
れて結合水の変化が抑えられる結果、これら酸化物薄膜
と誘電体膜両者の短所が相互に補われ、全体として非常
に腐蝕防止効果に富んだ保ｖ！Ｌ層が実現されることに
なる。
成した酸化物薄膜からなる第１保護層の上に、さらに誘
電体膜からなる第２保護層を積層した構造であるため、
誘電体膜あるいは酸化物薄膜を単独で甲いた保護層に比
べ、耐腐蝕性が飛躍的に向上する。すなわち、第１保護
層は上述したようにピンホール等の欠陥が生じにくいと
いう利点を有する反面、水溶液中での陽極酸化という工
程で形成されるものであるために、膜厚を十分に厚くす
ることは難しく、また陽極酸化時に水を結合水として膜
内部に取込む性質がある。従って、この１１Ｍ１ｔ ｉ
化により形成された酸化物薄膜が外部環境にさらされる
と、膜中の結合水の量が環境によって変化し、耐腐蝕性
が損われる。しかし、この第１保護層の上に誘電体膜か
らなる第２保護層を形成して二層構造の保護層とすれば
、陽極酸化による酸化物薄膜が外部環境に対しシールさ
れて結合水の変化が抑えられる結果、これら酸化物薄膜
と誘電体膜両者の短所が相互に補われ、全体として非常
に腐蝕防止効果に富んだ保ｖ！Ｌ層が実現されることに
なる。
第１図は本発明の一実施例の情報記録媒体の断面図であ
る。図において、基体１は例えばガラス基板であり、口
の基体１上に膜面に垂直方向に磁化容易軸を有する、例
えばＴｂＦｅ、ＧｃｊＦｅ。
る。図において、基体１は例えばガラス基板であり、口
の基体１上に膜面に垂直方向に磁化容易軸を有する、例
えばＴｂＦｅ、ＧｃｊＦｅ。
ＧｄＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣ。
等の稀土類−遷移金属非晶質合金薄膜からなる記録層２
が形成されている。この記録層２上には、記録層２の表
面を水溶液中で陽極酸化することにより形成した第１保
護層３が設けられ、さらにこの第１保護ｌ１３上に誘電
体膜からなる第２保ｒ！１Ｍ４が形成されている。
が形成されている。この記録層２上には、記録層２の表
面を水溶液中で陽極酸化することにより形成した第１保
護層３が設けられ、さらにこの第１保護ｌ１３上に誘電
体膜からなる第２保ｒ！１Ｍ４が形成されている。
記録層２としてＴｂＦｅ膜を形成した光熱磁気記録媒体
を例にとり、その製造工程の具体例を説明する。
を例にとり、その製造工程の具体例を説明する。
記録層２の形成のために高層８波スパッタ装置を用意し
、５インチのＦｅ円板ターゲット上に１０ｍ角のＴｂベ
レットをＦｅ円板ターゲットの面積に対して３９％とな
るように配置し、Ａｒガスを１０ （ＳＣＣＭ）流して
スパッタを行ない、基体１を構成するガラス基板上にＴ
ｂＦｅ膜を１０００人の厚さに記録層２として形成させ
た。このＴｂＦｅ躾表面に電気的導通用にＩｎを圧着し
て導線を接続し、第１表中の番号＃１の処理法に基いて
、定電位電解により１ｌｊｉ極酸化物薄膜をｄ＝２００
人の厚さに第１保護層３として形成させた。
、５インチのＦｅ円板ターゲット上に１０ｍ角のＴｂベ
レットをＦｅ円板ターゲットの面積に対して３９％とな
るように配置し、Ａｒガスを１０ （ＳＣＣＭ）流して
スパッタを行ない、基体１を構成するガラス基板上にＴ
ｂＦｅ膜を１０００人の厚さに記録層２として形成させ
た。このＴｂＦｅ躾表面に電気的導通用にＩｎを圧着し
て導線を接続し、第１表中の番号＃１の処理法に基いて
、定電位電解により１ｌｊｉ極酸化物薄膜をｄ＝２００
人の厚さに第１保護層３として形成させた。
但し、設定電位は飽和カロメル電極（ＳＣＥ）に対する
値である。
値である。
次いで、この陽極酸化物薄膜からなる第１保護層３上に
、第２表中に示すように高周波（ＲＦ）スパッタ法によ
り誘電体薄膜、例えばｓ ： ｏ２ Ｂを第２保護層４
として積層させた。
、第２表中に示すように高周波（ＲＦ）スパッタ法によ
り誘電体薄膜、例えばｓ ： ｏ２ Ｂを第２保護層４
として積層させた。
以上の方法でＴｂＦｅ膜の陽極酸化物膜からなる第１保
護Ｎ３と、ＳｉＯ２からなる第２保護層４とを保護層と
して積層形成したＴｂＦｅ膜のサンプル （Ｓ ｉ ０
２ ／Ａｎｏｄｉｃ Ｑ×ｉｄｅ／ ７ ｂ Ｆ ｅＩ
ＩＩ）、および保護層の形成を全く行なわない比較用’
ｒｂＦｅｓのサンプルを、７０℃−８５％ＲＨの恒温・
恒湿槽へ４８時間入れて耐腐蝕性加速試験を実施した後
の表面状態を第２図および第３図の光学顕微鏡写真にそ
れぞれ示す。さらに、従来から行なわれてきたＴｂＦｅ
膜上に耐腐蝕性向上のための透明誘電体膜として、膜厚
６００人のｓ ＋ ０２を電子ビーム加熱による蒸着で
コートしたサンプルの同加速試験後の表面状態を第４図
の光学顕微鏡写真に示す。倍率は第２図〜第４図とも１
００倍である。
護Ｎ３と、ＳｉＯ２からなる第２保護層４とを保護層と
して積層形成したＴｂＦｅ膜のサンプル （Ｓ ｉ ０
２ ／Ａｎｏｄｉｃ Ｑ×ｉｄｅ／ ７ ｂ Ｆ ｅＩ
ＩＩ）、および保護層の形成を全く行なわない比較用’
ｒｂＦｅｓのサンプルを、７０℃−８５％ＲＨの恒温・
恒湿槽へ４８時間入れて耐腐蝕性加速試験を実施した後
の表面状態を第２図および第３図の光学顕微鏡写真にそ
れぞれ示す。さらに、従来から行なわれてきたＴｂＦｅ
膜上に耐腐蝕性向上のための透明誘電体膜として、膜厚
６００人のｓ ＋ ０２を電子ビーム加熱による蒸着で
コートしたサンプルの同加速試験後の表面状態を第４図
の光学顕微鏡写真に示す。倍率は第２図〜第４図とも１
００倍である。
これらの顕微鏡写真から、本発明に基＜ ５ｉ０２
／Ａｎｏｄｉｃ Ｑｘｉｄｅ／Ｔ ｂ Ｆ ｅｌｍの表
面はピンホール等の欠陥に起因する腐蝕は全く認められ
ず、極めて均一な表面状態を保っているが、保護層を形
成しなかったＴｂＦｅ膜表面は腐蝕による膜のふくれが
明瞭に観察されている。また、５ｉ０２をコートしたＴ
ｂＦｅ膜も、ピンホール部分からのＴｂＦｅ１！の劣化
が認められている。
／Ａｎｏｄｉｃ Ｑｘｉｄｅ／Ｔ ｂ Ｆ ｅｌｍの表
面はピンホール等の欠陥に起因する腐蝕は全く認められ
ず、極めて均一な表面状態を保っているが、保護層を形
成しなかったＴｂＦｅ膜表面は腐蝕による膜のふくれが
明瞭に観察されている。また、５ｉ０２をコートしたＴ
ｂＦｅ膜も、ピンホール部分からのＴｂＦｅ１！の劣化
が認められている。
次に、記録層を構成する磁性合金ａ膜としての特性を振
動試料型磁力計（ＶＳＭ）で測定した保磁力Ｈｃおよび
飽和磁化Ｍｓを第３表および第１表にそれぞれ示す。こ
れらの保磁力Ｈｃおよび飽和磁化Ｍｓは、いずれもＴ
ｌ） Ｆ ｅ膜の膜面に垂直方向の磁場を印加した場合
のものである。なお、加速条件はＴｂＦｅ１！の表面状
態を観察したときと同一条件とした。また、参考までに
陽極配化物薄膜のみを保護層として形成したＴ ｂ Ｆ
ｅ ＩＩ＊（Ａ ｎｏｄｉｃ Ｑ ｘｉｄｅ／ Ｔ
ｂ Ｆ ｅ膜）の保磁力Ｈｃ、ｂよび飽和磁化Ｍｓにつ
いても示しである。
動試料型磁力計（ＶＳＭ）で測定した保磁力Ｈｃおよび
飽和磁化Ｍｓを第３表および第１表にそれぞれ示す。こ
れらの保磁力Ｈｃおよび飽和磁化Ｍｓは、いずれもＴ
ｌ） Ｆ ｅ膜の膜面に垂直方向の磁場を印加した場合
のものである。なお、加速条件はＴｂＦｅ１！の表面状
態を観察したときと同一条件とした。また、参考までに
陽極配化物薄膜のみを保護層として形成したＴ ｂ Ｆ
ｅ ＩＩ＊（Ａ ｎｏｄｉｃ Ｑ ｘｉｄｅ／ Ｔ
ｂ Ｆ ｅ膜）の保磁力Ｈｃ、ｂよび飽和磁化Ｍｓにつ
いても示しである。
このように本発明に基く陽極酸化物薄膜からなる第１保
護層とＳｉＯ２膜からなる第２保護層を積層したＴｂＦ
ｅ膜は、加速試験前後においてＨｃ、Ｍｓともにほとん
ど変化しないが、このような保護層を形成しないＴ ｂ
’Ｆ ｅ膜ではＨｃは１１５に、またＭｓは〜１／３
に減少した。また、５ｉ０２をコートしたＴｂＦｅ１ｌ
ＩｒはＨｃは１／２に、Ｍｓは２／３に減少した。さら
に、陽極酸化膜のみを保護層として形成したＴｂＦｅ膜
は加速試験後に保磁力ＨＣおよび飽和磁化ＭＳが僅かに
低下しているが、これは前述したように陽極酸化物薄膜
中に取込まれた結合水が外部環境によって変化すること
が原因となっているものと考えられる。同様な結果が第
１表の番号＃１〜＃６の処理法により形成された陽極酸
化物膜からなる第１保護層と、第２表中に示す誘電体膜
からなる第２保護層との任意の組合せの保護層を形成し
た場合において７も得られることが実験的に確認された
。
護層とＳｉＯ２膜からなる第２保護層を積層したＴｂＦ
ｅ膜は、加速試験前後においてＨｃ、Ｍｓともにほとん
ど変化しないが、このような保護層を形成しないＴ ｂ
’Ｆ ｅ膜ではＨｃは１１５に、またＭｓは〜１／３
に減少した。また、５ｉ０２をコートしたＴｂＦｅ１ｌ
ＩｒはＨｃは１／２に、Ｍｓは２／３に減少した。さら
に、陽極酸化膜のみを保護層として形成したＴｂＦｅ膜
は加速試験後に保磁力ＨＣおよび飽和磁化ＭＳが僅かに
低下しているが、これは前述したように陽極酸化物薄膜
中に取込まれた結合水が外部環境によって変化すること
が原因となっているものと考えられる。同様な結果が第
１表の番号＃１〜＃６の処理法により形成された陽極酸
化物膜からなる第１保護層と、第２表中に示す誘電体膜
からなる第２保護層との任意の組合せの保護層を形成し
た場合において７も得られることが実験的に確認された
。
以上のように、本発明に係る情報記録媒体においてはＴ
ｂＦｅ膜等の記録層の表面を水溶液中で陽極酸化するこ
とにより形成した酸化物薄膜からなる第１保護層と、誘
電体膜からなる第２保護層とを積層することによって、
記録層の耐腐蝕性を著しく向上させることができる。ま
た、第１保護層は記録層との密着性が極めて良好であり
、実際、セロテープによる張付は一引剥試験によっても
全く剥離は生じなかった。しかも、本発明では第１保護
層の形成に水溶液中での酸化処理を用いているので、真
空等の限定された雰囲気によらず、大気圧下での簡易な
処理でこのような優れた効果が得られるという有利性が
ある。
ｂＦｅ膜等の記録層の表面を水溶液中で陽極酸化するこ
とにより形成した酸化物薄膜からなる第１保護層と、誘
電体膜からなる第２保護層とを積層することによって、
記録層の耐腐蝕性を著しく向上させることができる。ま
た、第１保護層は記録層との密着性が極めて良好であり
、実際、セロテープによる張付は一引剥試験によっても
全く剥離は生じなかった。しかも、本発明では第１保護
層の形成に水溶液中での酸化処理を用いているので、真
空等の限定された雰囲気によらず、大気圧下での簡易な
処理でこのような優れた効果が得られるという有利性が
ある。
また、第１表中に示した処理溶液はＴｂＦｅ膜のみなら
ず、ＧｄＴｂＦｅ１１１．ＴｂＦｅＣｏ１１１等の他の
稀土類−遷移金属非晶質合金膜の陽極酸化処理にも、全
く同様に適用できる。
ず、ＧｄＴｂＦｅ１１１．ＴｂＦｅＣｏ１１１等の他の
稀土類−遷移金属非晶質合金膜の陽極酸化処理にも、全
く同様に適用できる。
さらに、陽極酸化のための処理溶液のｌ）Ｈが上記のよ
うな範囲であれば、例えば番号＃１〜＃３の処理法によ
ると、記録層は活性溶解反応を呈することなく表面に陽
極酸化膜を形成する。一方、番号＃４〜＃６の処理法に
おいては記録層は活性溶解反応を呈するが、その後不１
ｉＩｌ態化して表面にやはり陽極酸化膜を形成する。従
って、いずれの場合も表面状態は極めて良好である。こ
れは陽極酸化処理前後の分光反射率の変化を測定したと
ころ、波長λ＝８３０ｎｍで、５％以下であることがら
も明らかとなった。これは再生時におけるＳ／Ｎの向上
に寄与することになり、好都合である。
うな範囲であれば、例えば番号＃１〜＃３の処理法によ
ると、記録層は活性溶解反応を呈することなく表面に陽
極酸化膜を形成する。一方、番号＃４〜＃６の処理法に
おいては記録層は活性溶解反応を呈するが、その後不１
ｉＩｌ態化して表面にやはり陽極酸化膜を形成する。従
って、いずれの場合も表面状態は極めて良好である。こ
れは陽極酸化処理前後の分光反射率の変化を測定したと
ころ、波長λ＝８３０ｎｍで、５％以下であることがら
も明らかとなった。これは再生時におけるＳ／Ｎの向上
に寄与することになり、好都合である。
本発明は上述した実施例に限定されるものではなく、例
えば以上の説明では記録層が光磁気記録用の稀土類−遷
移金属非晶質合金薄膜の場合を述べたが、通常の垂直磁
化記録用のＧｏ−Ｃｒ系の磁性合金薄膜を記録層とする
磁気記録媒体においても、記録層表面を水溶液中で陽極
醸化することにより第１保護層を形成し、さらにその上
に誘電体膜からなる第２保護層を積層することで、同様
の効果を得ることができる。
えば以上の説明では記録層が光磁気記録用の稀土類−遷
移金属非晶質合金薄膜の場合を述べたが、通常の垂直磁
化記録用のＧｏ−Ｃｒ系の磁性合金薄膜を記録層とする
磁気記録媒体においても、記録層表面を水溶液中で陽極
醸化することにより第１保護層を形成し、さらにその上
に誘電体膜からなる第２保護層を積層することで、同様
の効果を得ることができる。
第１図は本発明の一実施例に係る情報記録媒体の断面図
、第２図は同実施例に係る情報記録媒体における陽極酸
化により形成した酸化物薄膜からなる第１保護層と誘電
体膜からなる第２保護層を積層形成したＴｂＦｅ１ｌ！
の耐腐蝕性試験後の表面状態を示す光学顕微鏡写真、第
３図は保護層を形成しないＴ、 ｂ Ｆ ｅ膜表面の耐
腐蝕性試験後の表面状態を示す光学顕微鏡写真、第４図
は陽極酸化処理しないＴｂＦｅ膜表面に５ｉ０２を保護
層としてコートした場合の耐腐蝕試験後の表面状態を示
す光学顕微鏡写真である。 １・・・基体、２・・・記録層、３・・・第１保護層、
４・・・第２保護層。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 ｍＮ ｆ− 区 区 （ｖ′１
ぐ厩 仁手続ネ甫正
書（方式） ］ １、事件の表示 特願昭５９−１３５９８０＠ ２、発明の名称 情報記録媒体 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （’３０７） 株式会社 東芝 ４、代理人 東京都港区虎ノ門１Ｔ目２６番５号 第１７森ビル〒１
０５ 電話 ０３ （５０２）３１８１ （大代表）昭
和５９年１０月３０日 ６、補正の対象 ４、図面の簡単な説明 ７６補正の内容 （１） 明細書第１８頁第２行〜第３行の「表面状態
」を「表面の金属組織」と訂正する。 （２） 明細書第１８頁第４行〜第５行の「表面状態
づを「表面の金属組織」と訂正する。 （３） 明細書第１８頁第７行の「表面状態」を「表
面の金属組織」と訂正する。 手続補正書 昭和５９年１１和・ 日
、第２図は同実施例に係る情報記録媒体における陽極酸
化により形成した酸化物薄膜からなる第１保護層と誘電
体膜からなる第２保護層を積層形成したＴｂＦｅ１ｌ！
の耐腐蝕性試験後の表面状態を示す光学顕微鏡写真、第
３図は保護層を形成しないＴ、 ｂ Ｆ ｅ膜表面の耐
腐蝕性試験後の表面状態を示す光学顕微鏡写真、第４図
は陽極酸化処理しないＴｂＦｅ膜表面に５ｉ０２を保護
層としてコートした場合の耐腐蝕試験後の表面状態を示
す光学顕微鏡写真である。 １・・・基体、２・・・記録層、３・・・第１保護層、
４・・・第２保護層。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 ｍＮ ｆ− 区 区 （ｖ′１
ぐ厩 仁手続ネ甫正
書（方式） ］ １、事件の表示 特願昭５９−１３５９８０＠ ２、発明の名称 情報記録媒体 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （’３０７） 株式会社 東芝 ４、代理人 東京都港区虎ノ門１Ｔ目２６番５号 第１７森ビル〒１
０５ 電話 ０３ （５０２）３１８１ （大代表）昭
和５９年１０月３０日 ６、補正の対象 ４、図面の簡単な説明 ７６補正の内容 （１） 明細書第１８頁第２行〜第３行の「表面状態
」を「表面の金属組織」と訂正する。 （２） 明細書第１８頁第４行〜第５行の「表面状態
づを「表面の金属組織」と訂正する。 （３） 明細書第１８頁第７行の「表面状態」を「表
面の金属組織」と訂正する。 手続補正書 昭和５９年１１和・ 日
Claims (5)
- （１）膜面に垂直方向に磁化容易軸を有する磁性合金薄
膜からなる記録層と、この記録層上に形成された保護層
とを有する情報記録媒体において、前記保護層が前記記
録層の表面を水溶液中で陽極酸化することにより形成し
た酸化物薄膜からなる第１保護層と、この第１保護層上
に形成された誘電体膜からなる第２保護層とで構成され
ることを特徴とする情報記録媒体。 - （２）記録層を構成する磁性合金薄膜は、稀土類−遷移
金属非晶質合金薄膜であることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の情報記録媒体。 - （３）第１保護層を構成する酸化物薄膜は、ホウ酸溶液
、ホウ酸−ホウ酸塩緩衝溶液、リン酸溶液、リン酸−リ
ン酸塩緩衝溶液、リン酸塩。水溶液、エチレングリコー
ル−水−アルカリ金属水酸化物混合溶液、エチレングリ
コール−水−硝酸塩混合溶液のいずれか一種類の溶液中
で記録層を陽極酸化することにより形成したものである
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の情報記録
媒体。 - （４）第１保護層を構成する酸化物薄膜は、ギ酸−ギ酸
塩緩衝溶液、酢酸−酢酸塩緩衝溶液、プロピオン酸−プ
ロピオン酸塩緩衝溶液のいずれか一種類の溶液中で記録
層を陽極酸化することにより形成したものであることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の情報記録媒体。 - （５）第２保護層を構成する誘電体膜は、金属または半
導体の酸化物あるいは窒化物の少なくとも一種からなる
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の情報記録
媒体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13598084A JPS6116050A (ja) | 1984-06-30 | 1984-06-30 | 情報記録媒体 |
| US06/746,728 US4666759A (en) | 1984-06-30 | 1985-06-20 | Data recording medium |
| EP85304452A EP0170393B1 (en) | 1984-06-30 | 1985-06-21 | Data recording medium |
| DE8585304452T DE3566056D1 (en) | 1984-06-30 | 1985-06-21 | Data recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13598084A JPS6116050A (ja) | 1984-06-30 | 1984-06-30 | 情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6116050A true JPS6116050A (ja) | 1986-01-24 |
Family
ID=15164372
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13598084A Pending JPS6116050A (ja) | 1984-06-30 | 1984-06-30 | 情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6116050A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2625590A1 (fr) * | 1987-12-30 | 1989-07-07 | Bull Sa | Milieu magneto-optique d'enregistrement resistant a la corrosion en atmosphere humide |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52153407A (en) * | 1976-06-15 | 1977-12-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic recording medium |
-
1984
- 1984-06-30 JP JP13598084A patent/JPS6116050A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52153407A (en) * | 1976-06-15 | 1977-12-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic recording medium |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2625590A1 (fr) * | 1987-12-30 | 1989-07-07 | Bull Sa | Milieu magneto-optique d'enregistrement resistant a la corrosion en atmosphere humide |
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