JPS6115860A - 2,4−ジベンジリデン−3−オキソグルタレ−ト誘導体 - Google Patents
2,4−ジベンジリデン−3−オキソグルタレ−ト誘導体Info
- Publication number
- JPS6115860A JPS6115860A JP13553284A JP13553284A JPS6115860A JP S6115860 A JPS6115860 A JP S6115860A JP 13553284 A JP13553284 A JP 13553284A JP 13553284 A JP13553284 A JP 13553284A JP S6115860 A JPS6115860 A JP S6115860A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxoglutarate
- dibenzylidene
- derivative
- formula
- photosensitive
- Prior art date
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- Granted
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光架橋性樹脂に対して高い増感効果を示す新規
な2,4−ジベンジリデン−3−オキソグルタレート誘
導体に関する。
な2,4−ジベンジリデン−3−オキソグルタレート誘
導体に関する。
従来、5−ニトロアセナフテンやテトラニトロフルオレ
ンの如きニトロ化合物;1.8−ジメトキシアントラキ
ノン、アンスロン、ミヒラーズケトン等のケトン化合物
が光架橋性樹脂の増感剤として用いられて来た。これら
の増感剤を用いた光架橋性樹脂は印刷版、LSI素子な
どの画像形成材料として利用されている、が、ニトロ化
合物やミヒい。
ンの如きニトロ化合物;1.8−ジメトキシアントラキ
ノン、アンスロン、ミヒラーズケトン等のケトン化合物
が光架橋性樹脂の増感剤として用いられて来た。これら
の増感剤を用いた光架橋性樹脂は印刷版、LSI素子な
どの画像形成材料として利用されている、が、ニトロ化
合物やミヒい。
近年、網点フィルムを通した画像の焼付けではなく、し
−ザー光線を用いて電気的な画像信号から直接感光層に
画像を焼付ける簡略化さ扛た製版方法が提案されている
。
−ザー光線を用いて電気的な画像信号から直接感光層に
画像を焼付ける簡略化さ扛た製版方法が提案されている
。
しかし、現在製版用に使用可能なレーザー、例えばアル
ゴンイオンレーザ−やヘリウム−カドミウムレーザーは
発光エネルギーの大部分が440 nm以上の可視領域
にあり、従来の増感剤を用いた感光材料では可視領域で
の光感度が不充分なため、高出力の大型レーザーを用い
て、その紫外領域の発光エネルギーを使用せざるを得な
いのが実情である。このため感光材料の島感度化が望ま
れている。
ゴンイオンレーザ−やヘリウム−カドミウムレーザーは
発光エネルギーの大部分が440 nm以上の可視領域
にあり、従来の増感剤を用いた感光材料では可視領域で
の光感度が不充分なため、高出力の大型レーザーを用い
て、その紫外領域の発光エネルギーを使用せざるを得な
いのが実情である。このため感光材料の島感度化が望ま
れている。
このような目的に使用される増感剤として、2−ベンゾ
イルメチレン−1−メチル−β−ナフトチアゾリン、2
−〔ビス(2−フロイル)メチレンツー1−メチルナン
ド[1,2−d]チアゾリン等のチアゾリン訪導体(米
国特許第4062686号);6−ペンジイル−ツーメ
トキシクマリン、3.3’−カルボニルビス(7−シメ
チルアミノクマリン)等の3−ケトクマリン訪導体(米
国特許第4147552号);2.4.6−トリ(4−
メトキシフェニル)チアピリリウムバークロレート、4
−(4−ブトキシフェニル)−2,6−シフエニルチア
ピリリウムバークロレート等のチアピリリウム塩類(特
開昭56−48626)が報告されている。しかしなが
ら、これらの増感剤は、製造、精製及び原料の入手が困
難である等の経済性、或いは、感光性樹脂に対する相溶
性等の点で充分とは言えない。
イルメチレン−1−メチル−β−ナフトチアゾリン、2
−〔ビス(2−フロイル)メチレンツー1−メチルナン
ド[1,2−d]チアゾリン等のチアゾリン訪導体(米
国特許第4062686号);6−ペンジイル−ツーメ
トキシクマリン、3.3’−カルボニルビス(7−シメ
チルアミノクマリン)等の3−ケトクマリン訪導体(米
国特許第4147552号);2.4.6−トリ(4−
メトキシフェニル)チアピリリウムバークロレート、4
−(4−ブトキシフェニル)−2,6−シフエニルチア
ピリリウムバークロレート等のチアピリリウム塩類(特
開昭56−48626)が報告されている。しかしなが
ら、これらの増感剤は、製造、精製及び原料の入手が困
難である等の経済性、或いは、感光性樹脂に対する相溶
性等の点で充分とは言えない。
〔発明が解決しようとする問題点〕
本発明の目的は紫外線領域から可視領域までの広い波長
領域で増感効果を示し、製造精製が容易で、樹脂との相
溶性、危険性や毒性等の問題の無い増感剤の提供にある
。
領域で増感効果を示し、製造精製が容易で、樹脂との相
溶性、危険性や毒性等の問題の無い増感剤の提供にある
。
本発明は、一般式
(上記(I)式中、2つのR1は各々独立的に水素原子
。
。
炭素原子数が1〜5のアルキル基又はアリール基を表わ
し、2つのR2は各々独立的に水素原子、アルコキシ基
又は炭素原子数が2〜8のジアルキルアミノ基金表わす
。)で表ワサれる2、4−ジベンジリデン−3−オキソ
グルタレート誘導体を提供することによシ前記目的を達
成した。
し、2つのR2は各々独立的に水素原子、アルコキシ基
又は炭素原子数が2〜8のジアルキルアミノ基金表わす
。)で表ワサれる2、4−ジベンジリデン−3−オキソ
グルタレート誘導体を提供することによシ前記目的を達
成した。
本発明に係る一般式(I)の2,4−ジベンジリデン−
3−オキソグルタレート誘導体の好ましい具体例として
、例えば、ジメチル−2,4−ビス(p−ジエチルアミ
ノベンジリデン)−3−オキソグルタレート、ジメチル
−2゜4−ビス(p−ジメチルアミノベンジリデン)−
3−オキソグルタレート、ジエチル−2,4−ビス(p
−ジエチルアミノベンジリデン)−6−オキソグルタレ
ート、ジエチル−2,4−ビス(p−ジメチルアミノベ
ンジリデン)−3−オキソグルタレート、ジメチル−2
,4−ビス(p−メトキシベンジリデン)−3−オキソ
グルタレート、ジエチル−2,4−ビス(p−メトキシ
ベンジリデン)−3−オキソグルタレート等が挙げられ
る。
3−オキソグルタレート誘導体の好ましい具体例として
、例えば、ジメチル−2,4−ビス(p−ジエチルアミ
ノベンジリデン)−3−オキソグルタレート、ジメチル
−2゜4−ビス(p−ジメチルアミノベンジリデン)−
3−オキソグルタレート、ジエチル−2,4−ビス(p
−ジエチルアミノベンジリデン)−6−オキソグルタレ
ート、ジエチル−2,4−ビス(p−ジメチルアミノベ
ンジリデン)−3−オキソグルタレート、ジメチル−2
,4−ビス(p−メトキシベンジリデン)−3−オキソ
グルタレート、ジエチル−2,4−ビス(p−メトキシ
ベンジリデン)−3−オキソグルタレート等が挙げられ
る。
本発明の2.4−ジベンジリデン−6−オキソグルタレ
ート誘導体は例えば、 一般式 %式%() (上記(U)中、R1は水素原子、炭素原子数が1〜5
のアルキル基又はアリール基を表わす。)で表わされる
3−オキソグルタレート類を。
ート誘導体は例えば、 一般式 %式%() (上記(U)中、R1は水素原子、炭素原子数が1〜5
のアルキル基又はアリール基を表わす。)で表わされる
3−オキソグルタレート類を。
一般式
R意
(上記(III)式中、R1は水素原子、アルコキシ基
又は炭素原子数が2〜8のジアルキルアミノ基を表わす
。)で表わされるベンズアルデヒド類と脱水縮合反応さ
せることにより容易に製造することができる。
又は炭素原子数が2〜8のジアルキルアミノ基を表わす
。)で表わされるベンズアルデヒド類と脱水縮合反応さ
せることにより容易に製造することができる。
一般式(n)で表わされる6−オキソグルタレート類(
以下、オキソグルタレート類という。)としては、例え
ば、アセトンジカルボン酸、アセトンジカルボン酸ジメ
チル、アセトンジカルボン酸ジエチル、アセトンジカル
ボン酸イソブチル、アセトンジカルボン酸ジーte’r
j−ブチル。
以下、オキソグルタレート類という。)としては、例え
ば、アセトンジカルボン酸、アセトンジカルボン酸ジメ
チル、アセトンジカルボン酸ジエチル、アセトンジカル
ボン酸イソブチル、アセトンジカルボン酸ジーte’r
j−ブチル。
アセトンジカルボン酸ジフェニル、アセトンジカルボン
酸ジベンジル等が挙げられる。
酸ジベンジル等が挙げられる。
一般式(III)で表わされるベンズアルデヒド類(以
下。
下。
ベンズアルデヒド類という。)としては、例えば、ベン
ズアルデヒド、p−ジエチルアにノベンズアルデヒド、
m−ジエチルアミノベンズアルデヒド、p−ジメチルア
ミノベンズアルデヒド、m−ジメチルアミノベンズアル
デヒド。
ズアルデヒド、p−ジエチルアにノベンズアルデヒド、
m−ジエチルアミノベンズアルデヒド、p−ジメチルア
ミノベンズアルデヒド、m−ジメチルアミノベンズアル
デヒド。
p−メトキシベンズアルデヒド、m−メトキシベンズア
ルデヒド、0−メトキシベンズアルデヒド、p−エトキ
シベンズアルデヒド、m−エトキシベンズアルデヒド、
0−エトキシベンズアルデヒド等が準げられる。
ルデヒド、0−メトキシベンズアルデヒド、p−エトキ
シベンズアルデヒド、m−エトキシベンズアルデヒド、
0−エトキシベンズアルデヒド等が準げられる。
オキソグルタレート類とベンズアルデヒド類の反応に際
しては、オキソグルタレート類1モルに対してベンズア
ルデヒド類2モルの割合で配合比を選ぶことが望筐しい
。
しては、オキソグルタレート類1モルに対してベンズア
ルデヒド類2モルの割合で配合比を選ぶことが望筐しい
。
オキソグルタレートaとベンズアルデヒド類との脱水縮
合反応は、所定量の3−オキソグルタレート類とベンズ
アルデヒド類とを適当な溶媒に溶解して、脱水触媒の存
在下で行うことができる。好ましい反応温度は使用する
触媒の反応性、溶媒の種類等によシ異なるが、室温〜1
10℃であシ、場合によシ加熱環流下5反応系外に水を
除去しながら反応させる。反応時間ill:1〜6時間
が好ましい。
合反応は、所定量の3−オキソグルタレート類とベンズ
アルデヒド類とを適当な溶媒に溶解して、脱水触媒の存
在下で行うことができる。好ましい反応温度は使用する
触媒の反応性、溶媒の種類等によシ異なるが、室温〜1
10℃であシ、場合によシ加熱環流下5反応系外に水を
除去しながら反応させる。反応時間ill:1〜6時間
が好ましい。
本発明において使用される触媒は、酢酸、酢酸−酢酸ア
ンそン、酢酸−ピベリジン、安息香酸−ピペリジン、ピ
ペリジン、水酸化ナトリウム、ナトリウムメトキサイド
、ナトリウムエトキサイド等が挙げられ、その使用量は
、3−オキソグルタレート類1モルに対して、0.1〜
0.5モルが好ましい。
ンそン、酢酸−ピベリジン、安息香酸−ピペリジン、ピ
ペリジン、水酸化ナトリウム、ナトリウムメトキサイド
、ナトリウムエトキサイド等が挙げられ、その使用量は
、3−オキソグルタレート類1モルに対して、0.1〜
0.5モルが好ましい。
本発明において使用される溶媒は前記した触媒に対して
不活性な溶媒が挙げられ、例えば、ベンゼン、トルエン
、メタノール、エタノール等が挙げられる。
不活性な溶媒が挙げられ、例えば、ベンゼン、トルエン
、メタノール、エタノール等が挙げられる。
脱水縮合反応終了後は、溶媒を留去し、より極性の低い
溶媒、例えば石油エーテル、リグロイン、n−ヘキサン
。
溶媒、例えば石油エーテル、リグロイン、n−ヘキサン
。
エーテル等を少倉加えることにより、生成した2、4−
ジベンジリデン−3−オキソグルタレート誘導体を結晶
化し、沖過し、f%i′製し、採取するか、もしくは、
反応終了後溶媒を留去しシリカゲルカラムクロマトグラ
フィー等で精製採取する。
ジベンジリデン−3−オキソグルタレート誘導体を結晶
化し、沖過し、f%i′製し、採取するか、もしくは、
反応終了後溶媒を留去しシリカゲルカラムクロマトグラ
フィー等で精製採取する。
本発明の2.4−ジベンジリデン−3−オキソグルタレ
ート誘導体は元素分析、赤外線吸収スペクトル、核磁気
共鳴スペクトル、紫外線吸収スペクトル、質量分析スペ
クトル等の通常の構造決定の手段によシ確認することが
できる。
ート誘導体は元素分析、赤外線吸収スペクトル、核磁気
共鳴スペクトル、紫外線吸収スペクトル、質量分析スペ
クトル等の通常の構造決定の手段によシ確認することが
できる。
本発明の2,4−ジベンジリデン−3−オキソグルタレ
ート誘導体は、桂皮酸やフェニレンジアクリル酸等から
誘導される感光性二重結合を含有する光架橋性樹脂に対
して特に優れた増感効果を示す。
ート誘導体は、桂皮酸やフェニレンジアクリル酸等から
誘導される感光性二重結合を含有する光架橋性樹脂に対
して特に優れた増感効果を示す。
本発明の2.4−ジベンジリデン−3−オキソグルタレ
ート誘導体は感光性二重結合を官有する光架橋性樹脂1
00重量部に対して、好適には1重量部以上添加するの
が望ましく、5重量部以上が更に一層望ましい。
ート誘導体は感光性二重結合を官有する光架橋性樹脂1
00重量部に対して、好適には1重量部以上添加するの
が望ましく、5重量部以上が更に一層望ましい。
本発明の2.4−ジベンジリデン−3−オキソグルタレ
ート誘導体は、他の一般に用いら扛ている増感剤や顔料
等と併用してもさしつかえない。
ート誘導体は、他の一般に用いら扛ている増感剤や顔料
等と併用してもさしつかえない。
以下、本発明を実施例、参考例及び比較例にょp1具体
的に説明するが、本発明はその要旨を越えない限り、以
下の実施例に限定されるものではない。
的に説明するが、本発明はその要旨を越えない限り、以
下の実施例に限定されるものではない。
実施例 1〜4
第1表のAiに記載した配合組成を持つ各混合物を30
01のベンゼン及び第1表のB欄に記載した触媒と共に
、攪拌装置、水分離装置(ディーン1スターク装置)を
取シ付けた還流装置及び温度計を備えた反応器に仕込み
、反応温度75〜82℃で、加熱還31E下、生成する
水を除去しつつ6時間に亘って攪拌を続けた後、溶媒を
減圧留去した。その後エーテル600dを加えて、析出
した結晶を戸数し、引き続いて、得られた結晶をベンゼ
ンよシ再結晶して、2゜4−ジベンジリデン−6−オキ
ソグルタレート誘導体ヲ得た。
01のベンゼン及び第1表のB欄に記載した触媒と共に
、攪拌装置、水分離装置(ディーン1スターク装置)を
取シ付けた還流装置及び温度計を備えた反応器に仕込み
、反応温度75〜82℃で、加熱還31E下、生成する
水を除去しつつ6時間に亘って攪拌を続けた後、溶媒を
減圧留去した。その後エーテル600dを加えて、析出
した結晶を戸数し、引き続いて、得られた結晶をベンゼ
ンよシ再結晶して、2゜4−ジベンジリデン−6−オキ
ソグルタレート誘導体ヲ得た。
得ら扛た2、4−ジベンジリデン−3−オキソグルタレ
ート誘導体の構造確認は、紫外線吸収スペクトル、赤外
線吸収スペクトル、核磁気共鳴スペクトル、質量分析、
元素分析のデータを基にして行った。
ート誘導体の構造確認は、紫外線吸収スペクトル、赤外
線吸収スペクトル、核磁気共鳴スペクトル、質量分析、
元素分析のデータを基にして行った。
参考例1〜4及び比較例1〜4
前記実施例1〜4で得た2、4−ジベンジリデン−3−
オキソグルタレート誘導体の感光性二重結合を有する光
架橋性樹脂に対する増感効果を測定した。
オキソグルタレート誘導体の感光性二重結合を有する光
架橋性樹脂に対する増感効果を測定した。
光架橋性樹脂としてp−フェニレンジアクリル酸ジエチ
ル1.0モルとビスフェノールA(1モル)のエチレン
オキサイド(6,2モル)付加体1.0モルを反応して
得たポリエステル前駆体をジフェニルテレフタレートで
鎖伸長した感光性樹脂(重量平均分子量55,000)
を使用した。
ル1.0モルとビスフェノールA(1モル)のエチレン
オキサイド(6,2モル)付加体1.0モルを反応して
得たポリエステル前駆体をジフェニルテレフタレートで
鎖伸長した感光性樹脂(重量平均分子量55,000)
を使用した。
前記の樹脂の3gを97.9のモノクロルベンゼンに溶
解した溶液(以下、感光液と言う。)を調整し、この感
光液3011に0.05gのフタロシアニン顔料と増感
剤として0.05.9の2,4−ジベンジリデン−3−
オキソグルタレート誘導体を加えた感光性組成物を調整
した。この組成物を砂目立て後、陽極酸化したアルミニ
ウム板にホワラーで塗布し、これを乾燥して厚さ1μの
感光層を有する感光性画像形成材料を作製した。
解した溶液(以下、感光液と言う。)を調整し、この感
光液3011に0.05gのフタロシアニン顔料と増感
剤として0.05.9の2,4−ジベンジリデン−3−
オキソグルタレート誘導体を加えた感光性組成物を調整
した。この組成物を砂目立て後、陽極酸化したアルミニ
ウム板にホワラーで塗布し、これを乾燥して厚さ1μの
感光層を有する感光性画像形成材料を作製した。
得られた感光性画像形成材料に段差0.15のステップ
ウェッジを密着させ、■画像形成材料から1m離扛た位
置に設けた出力1腑のメタルハライドランプ〔岩崎電気
■社製「アイドルフィン1000J’l、又は、0画像
形成材料からo、sm離nた位置に設けた4 40 n
m以下の光合カツトする干渉フィルター〔東芝硝子−社
MrV−Y44J :]を取9付けた500Wのキセノ
ンランプ〔ウシオ電気■社製rUxt、−300DJ
:)を用いて鮪光した。
ウェッジを密着させ、■画像形成材料から1m離扛た位
置に設けた出力1腑のメタルハライドランプ〔岩崎電気
■社製「アイドルフィン1000J’l、又は、0画像
形成材料からo、sm離nた位置に設けた4 40 n
m以下の光合カツトする干渉フィルター〔東芝硝子−社
MrV−Y44J :]を取9付けた500Wのキセノ
ンランプ〔ウシオ電気■社製rUxt、−300DJ
:)を用いて鮪光した。
その後、この画像形成材料をγ−ブチロラクトンー85
%リン酸(98/2容普比)混合液で現像し、ステップ
ウェッジの第5段を不溶化せしめるに要する露光時間(
但し、メタルハライドランプの場合は7.5秒露光、キ
セノンランプの場合は4秒露光の不溶化段数より換算し
た。)をもって光感度とした。
%リン酸(98/2容普比)混合液で現像し、ステップ
ウェッジの第5段を不溶化せしめるに要する露光時間(
但し、メタルハライドランプの場合は7.5秒露光、キ
セノンランプの場合は4秒露光の不溶化段数より換算し
た。)をもって光感度とした。
比較の丸めに、前記感光液に0.051iのフタロシア
ニン顔料と第2表に示した公知の増感剤を加えた感光性
組成物を調整し、参考例と同様の条件で、画像形成材料
を作製し、露光し、現像し、光感度を測定した。
ニン顔料と第2表に示した公知の増感剤を加えた感光性
組成物を調整し、参考例と同様の条件で、画像形成材料
を作製し、露光し、現像し、光感度を測定した。
上記の各側の内容及び結果を第」表〜第2表にまとめて
掲げた。
掲げた。
尚、表中の薫1)及び釜2)は以下に示す通りである。
昔1)δ・・・・・・分子吸収係数全表わす。
餐2)チアピリリウム塩・・・・・・4 (4n−ア
ミロキシフェニル)−2,6−ジ(4−メトキシフェニ
ル)チアピリリウムバークロレートを表わす。
ミロキシフェニル)−2,6−ジ(4−メトキシフェニ
ル)チアピリリウムバークロレートを表わす。
第 2 表
〔発明の効果〕
本発明の2,4−ジベンジリデン−3−オキソグルタレ
ート誘導体は、紫外線領域から550 nm程度の可視
領域までの広い波長領域で増感効果を示し、桂皮酸やフ
ェニレンジアクリル酸等から誘導される感光性二重結合
全官有する光架橋性樹脂の感光波長領域f 550 n
m程度の長波長領域にまで分光増感した。従って、本発
明の2.4−ジベンジリデン−3−オキソグルタレート
誘導体を添加した感光性二重結合を含有する光架橋性樹
脂を用いた画像形成材料は、488nmに主な発光波長
を有するアルゴンイオンレーザ−等で露光することによ
シ画像を形成することも可能である。
ート誘導体は、紫外線領域から550 nm程度の可視
領域までの広い波長領域で増感効果を示し、桂皮酸やフ
ェニレンジアクリル酸等から誘導される感光性二重結合
全官有する光架橋性樹脂の感光波長領域f 550 n
m程度の長波長領域にまで分光増感した。従って、本発
明の2.4−ジベンジリデン−3−オキソグルタレート
誘導体を添加した感光性二重結合を含有する光架橋性樹
脂を用いた画像形成材料は、488nmに主な発光波長
を有するアルゴンイオンレーザ−等で露光することによ
シ画像を形成することも可能である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、2つのR_1は各々独立的に水素原子、炭素原
子数が1〜5のアルキル基又はアリール基を表わし、2
つのR_2は各々独立的に水素原子、アルコキシ基又は
炭素原子数が2〜8のジアルキルアミノ基を表わす。)
で表わされる2,4−ジベンジリデン−6−オキソグル
タレート誘導体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59135532A JPH0610175B2 (ja) | 1984-06-30 | 1984-06-30 | 2,4−ジベンジリデン−3−オキソグルタレ−ト誘導体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59135532A JPH0610175B2 (ja) | 1984-06-30 | 1984-06-30 | 2,4−ジベンジリデン−3−オキソグルタレ−ト誘導体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6115860A true JPS6115860A (ja) | 1986-01-23 |
JPH0610175B2 JPH0610175B2 (ja) | 1994-02-09 |
Family
ID=15153971
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59135532A Expired - Lifetime JPH0610175B2 (ja) | 1984-06-30 | 1984-06-30 | 2,4−ジベンジリデン−3−オキソグルタレ−ト誘導体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0610175B2 (ja) |
-
1984
- 1984-06-30 JP JP59135532A patent/JPH0610175B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
J.ORG.CHEM.=1981 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0610175B2 (ja) | 1994-02-09 |
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