JPS61157531A - 架橋可能なオルガノポリシロキサン及びその製造法 - Google Patents
架橋可能なオルガノポリシロキサン及びその製造法Info
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- JPS61157531A JPS61157531A JP60290922A JP29092285A JPS61157531A JP S61157531 A JPS61157531 A JP S61157531A JP 60290922 A JP60290922 A JP 60290922A JP 29092285 A JP29092285 A JP 29092285A JP S61157531 A JPS61157531 A JP S61157531A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野：
本発明は、架橋可能なオルがノボリシロ中サン及びその
製造法に関する。
製造法に関する。
従来技＃：
米国特許明細書第４２９０８６９号の記載から、８１Ｃ
−結合したアクリルオキシアルキル−又はメタクリルオ
キシアルキル基及びメルカ゛デトアルキル基金有する光
重合可能なオルがノポリシロ午テン組成物は、云知であ
る。この米国特許明細書ｖｇ８欄、第３６行〜第３８行
の記載によれば、この種の組成物は、閉Ｓされ念、不透
明の容器中で約４８時間の安定度を有する。
−結合したアクリルオキシアルキル−又はメタクリルオ
キシアルキル基及びメルカ゛デトアルキル基金有する光
重合可能なオルがノポリシロ午テン組成物は、云知であ
る。この米国特許明細書ｖｇ８欄、第３６行〜第３８行
の記載によれば、この種の組成物は、閉Ｓされ念、不透
明の容器中で約４８時間の安定度を有する。
発明が解決しようとする問題点：
ところで、閉鎖された容器中で光線、殊に紫外縁のｓ所
下に少なくとも６ケ月間貯藏することができ、また比較
的狭い時間的間隔で侵入することもできるために架橋の
開始前に十分に低い粘性であることができ、最終的消費
者が２成分系に必要とされる配置費を必要とせず、最終
的な加工時に利用される装置中でこの装置の停止の際に
架橋を生ぜず、このことはこの装置の清浄費全減少させ
、紫外線及び４００〜６００ｎｍの彼長會有する光線の
作用下で比較的厚い層の場合であっても特に迅速に架橋
し、この場合架橋は、空気酸素によって損なわれず、か
つ架橋の際に生成される、基板上に特に良好に付層する
生成物、りＵえば被膜が得られるような架橋可能なオル
がノボリシロキサンを４ｉＩ１１すると＾う課題が課さ
れた。
下に少なくとも６ケ月間貯藏することができ、また比較
的狭い時間的間隔で侵入することもできるために架橋の
開始前に十分に低い粘性であることができ、最終的消費
者が２成分系に必要とされる配置費を必要とせず、最終
的な加工時に利用される装置中でこの装置の停止の際に
架橋を生ぜず、このことはこの装置の清浄費全減少させ
、紫外線及び４００〜６００ｎｍの彼長會有する光線の
作用下で比較的厚い層の場合であっても特に迅速に架橋
し、この場合架橋は、空気酸素によって損なわれず、か
つ架橋の際に生成される、基板上に特に良好に付層する
生成物、りＵえば被膜が得られるような架橋可能なオル
がノボリシロキサンを４ｉＩ１１すると＾う課題が課さ
れた。
問題点を解決するための手段：
この課題に、本発明によって解決される。
本発明の対象は、式：
％式％
〔上記式中、Ｒは同一か又は異なジ、１価の）１ｃ２デ
ｙ化されていてもよい炭化水素基を表わすか又は炭素原
子、水素原子、エーテル＃を素原子及び弗素原子から構
成された、１価の脂肪族基金表わし、Ａは同一か又は異
なり、少なくとも１個の末端炭素−炭素−二重結合を有
する有機基が結合している、カルボキシル基及びカルボ
ニル基を有する５ｉＣ−結合した有機基を表わし、ｎは
少なくとも１の値の整数を表わし、Ｘは０又は１を表わ
し、ｙは６〜１０の値の整数を表わす〕で示される架橋
可能なオルガノボリシロキサン（但し、このオルがノポ
リシロキサンは１分子当り少なくとも１１ＩＩｌｌの基
Ａを有するものとする。）である。
ｙ化されていてもよい炭化水素基を表わすか又は炭素原
子、水素原子、エーテル＃を素原子及び弗素原子から構
成された、１価の脂肪族基金表わし、Ａは同一か又は異
なり、少なくとも１個の末端炭素−炭素−二重結合を有
する有機基が結合している、カルボキシル基及びカルボ
ニル基を有する５ｉＣ−結合した有機基を表わし、ｎは
少なくとも１の値の整数を表わし、Ｘは０又は１を表わ
し、ｙは６〜１０の値の整数を表わす〕で示される架橋
可能なオルガノボリシロキサン（但し、このオルがノポ
リシロキサンは１分子当り少なくとも１１ＩＩｌｌの基
Ａを有するものとする。）である。
炭化水素基Ｒの例は、基１個当り１〜１８個の炭素原子
を有するアルキル基、列えばメチル基、エチルｔｓ、ｎ
−デミビル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基及び第ニ
ブチル基ならびにオクタデシル基であジ；基１個当ｔ）
５〜８個の炭素原子を有するシクロアルキル基、同えば
シクロヘキシル基及びシクロヘプチル基なラヒにメチル
シクロヘキシル基であり；基１個当り少なくとも１個の
脂肪族炭素−炭素−二重結合及び２〜１８個の炭素原子
を有する基、但し、この基は、唯１つの原子としての炭
素原子及び水素原子から構成されたものであり、例えば
ビニル基及びアリル基であり；基１個当り６〜１２１１
ｉ！の炭素原子を有するアリール基、例えばフェニル基
及びキセニル基であり；基１１固当り７〜１８１１ｍの
炭素原子を有するアルカリール基、例えばトリル基であ
り；基１１ｄ当ｔ）７〜１８個の炭素原子を有するアラ
ルキル基、例えばベンシルＪｌびβ−フェニルエチル基
である。
を有するアルキル基、列えばメチル基、エチルｔｓ、ｎ
−デミビル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基及び第ニ
ブチル基ならびにオクタデシル基であジ；基１個当ｔ）
５〜８個の炭素原子を有するシクロアルキル基、同えば
シクロヘキシル基及びシクロヘプチル基なラヒにメチル
シクロヘキシル基であり；基１個当り少なくとも１個の
脂肪族炭素−炭素−二重結合及び２〜１８個の炭素原子
を有する基、但し、この基は、唯１つの原子としての炭
素原子及び水素原子から構成されたものであり、例えば
ビニル基及びアリル基であり；基１個当り６〜１２１１
ｉ！の炭素原子を有するアリール基、例えばフェニル基
及びキセニル基であり；基１１固当り７〜１８１１ｍの
炭素原子を有するアルカリール基、例えばトリル基であ
り；基１１ｄ当ｔ）７〜１８個の炭素原子を有するアラ
ルキル基、例えばベンシルＪｌびβ−フェニルエチル基
である。
ハａｙ’ン化炭化水索基Ｒの列は、３−クロルデミピル
基及び３．３．３−ト！ｊフルオルプロピル基ならびに
０−１ｐ−かつｍ−クロル７エ二ル基である。炭素原子
、水素原子、エーテルｌ！＃１２索原子及び弗素原子か
ら構成された、１価の脂肪族基Ｒの例は、１，１．２．
２，３．３−へ午すフルオルデロビルオ牟ジプロピル基
及び１．１．２．２−テトラフルオルエトキシゾロビル
基である。既に専易に人手することができるために、有
利に前記式中の基Ｒの数の少なくとも８０％は、メチル
基である。
基及び３．３．３−ト！ｊフルオルプロピル基ならびに
０−１ｐ−かつｍ−クロル７エ二ル基である。炭素原子
、水素原子、エーテルｌ！＃１２索原子及び弗素原子か
ら構成された、１価の脂肪族基Ｒの例は、１，１．２．
２，３．３−へ午すフルオルデロビルオ牟ジプロピル基
及び１．１．２．２−テトラフルオルエトキシゾロビル
基である。既に専易に人手することができるために、有
利に前記式中の基Ｒの数の少なくとも８０％は、メチル
基である。
基Ａとしては、式：
で示されるようなものが好ましい。
前記式中で、Ｒ１は、同一か又は異なり、２画のへロｒ
ン化されていてもよ＾炭化水素基を表わし Ｒ２は、水
素原子を表わすか又は基１個当ｖ１〜１０１１！ｌの炭
素原子を有する、脂肪族炭素−炭素−多重結合を含まな
い１価の炭化水素基を表わし Ｒ３は、ａが１の値を有
するときに２１１１ｉの炭化水素基を表わし、ａが２の
値を有するときに３価の炭化水素基を表わし、かつａが
３の匝を有するときに４価の炭化水素基を表わし、Ｘは
、ｊｊｌＲ索原子、硫黄原子を表わすか又は式： ％式％ 〔式中、Ｒ２は前記のものを表わす〕の基を表わし、Ｙ
は、式： ％式％ 〔式中 Ｒ１及びＲ２はそれぞれ前記のものを表わす〕
の詳を表わし、ａは、１．２又は３であり、ｍは、１〜
乙の値の整数であり、かつＸは、前記のものを表わす。
ン化されていてもよ＾炭化水素基を表わし Ｒ２は、水
素原子を表わすか又は基１個当ｖ１〜１０１１！ｌの炭
素原子を有する、脂肪族炭素−炭素−多重結合を含まな
い１価の炭化水素基を表わし Ｒ３は、ａが１の値を有
するときに２１１１ｉの炭化水素基を表わし、ａが２の
値を有するときに３価の炭化水素基を表わし、かつａが
３の匝を有するときに４価の炭化水素基を表わし、Ｘは
、ｊｊｌＲ索原子、硫黄原子を表わすか又は式： ％式％ 〔式中、Ｒ２は前記のものを表わす〕の基を表わし、Ｙ
は、式： ％式％ 〔式中 Ｒ１及びＲ２はそれぞれ前記のものを表わす〕
の詳を表わし、ａは、１．２又は３であり、ｍは、１〜
乙の値の整数であり、かつＸは、前記のものを表わす。
基Ｒ１の同は、式：
％式％
で示されるようなものであり、この場合アＩＪ’ル＆は
、へａデン化されていてもよい。しかし、基Ｒ１として
好ましいのは、線状で２価の、脂肪族炭素−炭素−二重
結合を含まな＾脂肪族基、殊に式： ％式％） Ｒ２は、同一でも異なっていてもよい。Ｒ２として好ま
しいのは、水素原子である。珠に、２１ｖＡのＲ２が１
１１！の炭素原子に結合してＡる場合には、少なくとも
１１固のＲ２は氷菓原子であるのが好ましい。炭化水素
基Ｒ２としては、メチル基が好ましい。
、へａデン化されていてもよい。しかし、基Ｒ１として
好ましいのは、線状で２価の、脂肪族炭素−炭素−二重
結合を含まな＾脂肪族基、殊に式： ％式％） Ｒ２は、同一でも異なっていてもよい。Ｒ２として好ま
しいのは、水素原子である。珠に、２１ｖＡのＲ２が１
１１！の炭素原子に結合してＡる場合には、少なくとも
１１固のＲ２は氷菓原子であるのが好ましい。炭化水素
基Ｒ２としては、メチル基が好ましい。
基Ｒ３は線０状であっても分枝鎖状であってもよい。２
価の基Ｒ３の例に、それがハロガン原子を全く有しなめ
場合に基Ｒ１の例として前記された基である。他の基Ｒ
３の例は式：％式％ Ｘとしてぼ、戚′Ｊｇ原子が好ましい Ｙとしては、基−ＣＯ−が好ましく、有利にＹのｆ旨奴
としてのＸは、１の１直を育する。
価の基Ｒ３の例に、それがハロガン原子を全く有しなめ
場合に基Ｒ１の例として前記された基である。他の基Ｒ
３の例は式：％式％ Ｘとしてぼ、戚′Ｊｇ原子が好ましい Ｙとしては、基−ＣＯ−が好ましく、有利にＹのｆ旨奴
としてのＸは、１の１直を育する。
ｙは、有利に６又は４である。
基Ａとして特に好ましいのは、式：
％式％）
〔式中、Ｘ及びａはそれぞれ前記のものを表わし Ｒ４
はａの値に応じて式： ％式％ を有する〕で示されるようなものである。しかし、有利
には、ａは１の値を有し、ＣＨ３の指数としてのＸは特
ＶｃＯである。
はａの値に応じて式： ％式％ を有する〕で示されるようなものである。しかし、有利
には、ａは１の値を有し、ＣＨ３の指数としてのＸは特
ＶｃＯである。
本発明により得られたか又に本発明により使用された、
本発明によるオルがノボリシａキチンの全てのシミキサ
ン単位中には、基Ａが存在することができる。しかし、
有利に線状オルがノボジシロキサン中の基Ａには、この
オルがノボリシロキサンのシロキサン単位最高で１０モ
ル慢のみが存在する。
本発明によるオルがノボリシａキチンの全てのシミキサ
ン単位中には、基Ａが存在することができる。しかし、
有利に線状オルがノボジシロキサン中の基Ａには、この
オルがノボリシロキサンのシロキサン単位最高で１０モ
ル慢のみが存在する。
本発明によυ得られたか又は本発明により使用された、
本発明によるオルガノポリシロキサンは、Ｍ判に２５℃
で１０〜ｌ ０００００ｍＰａ。
本発明によるオルガノポリシロキサンは、Ｍ判に２５℃
で１０〜ｌ ０００００ｍＰａ。
Ｓ１殊に２５℃で１００〜２００ Ｄ ＯｍＰａ、ｓの
粘度を有する。
粘度を有する。
式：
％式％
で示されるオルがノボリシａキサンは、式：ＡＲ２ｓｉ
ｏ （ＳｉＲＡＯ） ｆ（８１Ｒ２０）ｎ−ｆ８ｉＲ２
ＡＲｓ Ｓ ｉＯ（Ｓ ｉ ＲＡＯ）ｇ （Ｓ ｉ Ｒ
２０）ｎ−ｇＳ ｉ Ｒ３又は ＡＲ２ＳｉＯ（ＳｉＲＡＱ） ｆ（ＳｉＲ２０）ｎ−ｙ
ｓｉＲ３で示されるよ５なもの又はこの種のオルがノボ
リシロキサンの少なくとも２つの異なる種類からの混合
物であることができ、この場合Ｒ，Ａ及びｎは、それぞ
れ前記のものを表わし、ｆｉ、０であるか又は最高でｎ
と同じ直を有する整数であり、かつｇ（ｄ、１であるか
又はｎ−１の１直の他の数である。
ｏ （ＳｉＲＡＯ） ｆ（８１Ｒ２０）ｎ−ｆ８ｉＲ２
ＡＲｓ Ｓ ｉＯ（Ｓ ｉ ＲＡＯ）ｇ （Ｓ ｉ Ｒ
２０）ｎ−ｇＳ ｉ Ｒ３又は ＡＲ２ＳｉＯ（ＳｉＲＡＱ） ｆ（ＳｉＲ２０）ｎ−ｙ
ｓｉＲ３で示されるよ５なもの又はこの種のオルがノボ
リシロキサンの少なくとも２つの異なる種類からの混合
物であることができ、この場合Ｒ，Ａ及びｎは、それぞ
れ前記のものを表わし、ｆｉ、０であるか又は最高でｎ
と同じ直を有する整数であり、かつｇ（ｄ、１であるか
又はｎ−１の１直の他の数である。
更に、本発明の対象は、まずに１工程で、式：％式％
〔上記式中、Ｒ及びＸはそれぞれ前記のものを表わす〕
で示されるオルがノボリシロキサンを、〔式中 Ｒ２及
びｍはそれぞれ前記のものを表わし、Ｒδは脂肪族炭素
−炭素−二重結合を育する１価のハロ２ン化されてｌＡ
ｉもよい炭化水 □素基である〕で示されるジカル
ざン＃Ｒ無水物と、Ｓｌ−結合水素への脂肪族炭素−炭
素一二Ｘ結合の付着に対して自体公知の方法で反応させ
、次に＠２工程で、＠１工程で得られた化合物の無水物
基を、式（Ｉｔ） ： （Ｈ２Ｃ＝ＣＲ２Ｙ工）ユＲ’ｘａ （１
）〔式中、Ｒ２、Ｒ３、Ｘ、Ｙ、ａ及びＸはそれぞれ前
記のものを表わす〕で示される化合物と、カルざン改無
水物基とツエレビチノフ−活性水素を有する化合物との
反応に対して自体公知の方法で反応させることを特徴と
する、架橋可能なオルプノボリシロキサンの製造法であ
る。
で示されるオルがノボリシロキサンを、〔式中 Ｒ２及
びｍはそれぞれ前記のものを表わし、Ｒδは脂肪族炭素
−炭素−二重結合を育する１価のハロ２ン化されてｌＡ
ｉもよい炭化水 □素基である〕で示されるジカル
ざン＃Ｒ無水物と、Ｓｌ−結合水素への脂肪族炭素−炭
素一二Ｘ結合の付着に対して自体公知の方法で反応させ
、次に＠２工程で、＠１工程で得られた化合物の無水物
基を、式（Ｉｔ） ： （Ｈ２Ｃ＝ＣＲ２Ｙ工）ユＲ’ｘａ （１
）〔式中、Ｒ２、Ｒ３、Ｘ、Ｙ、ａ及びＸはそれぞれ前
記のものを表わす〕で示される化合物と、カルざン改無
水物基とツエレビチノフ−活性水素を有する化合物との
反応に対して自体公知の方法で反応させることを特徴と
する、架橋可能なオルプノボリシロキサンの製造法であ
る。
基Ｒ１を生じる基Ｒ５の例は、式：
％式％）
で示されるよ５なものであり、この場合アリール基は、
へロｒン化されて＾てもよい。
へロｒン化されて＾てもよい。
＠１工橿で７リルコハク酸無水物を８１−結合水素を有
するオルがノポリシａ午サンと反応させることは好まし
＾０ 式（１）の化合物は、Ｓｉ−結合水素１グラム原子当り
１〜１．２モルの清で使用するのが有利である。
するオルがノポリシａ午サンと反応させることは好まし
＾０ 式（１）の化合物は、Ｓｉ−結合水素１グラム原子当り
１〜１．２モルの清で使用するのが有利である。
第１工程は、Ｓｌ−結合水素への脂肪族炭素−炭素−二
重結合の付着を促進する触媒、１ダｊえばＨ２ＰｔＣ１
，・６Ｈ２０の存在で実施するのが有利である。
重結合の付着を促進する触媒、１ダｊえばＨ２ＰｔＣ１
，・６Ｈ２０の存在で実施するのが有利である。
式：
％式％
で示される化合物としては、ヒドロキシエチルアクリレ
ートが特に好ましい。式： ％式％ で示される化合物の例は、アリルアルコール、１−ペン
テン−５−オール、ペンタエリトリットトリメタクリレ
ート、トリメチａ−ルプロパンジメタクリンート、ヒド
ロキシエチルアクリルアミド、ヒドロキシエチルアクリ
ル酸チオニスチオ、アリルアミ／、アリルチオール、チ
オペンタエリトリットトリアクリルチオレート、アミノ
ペンタエリトリットトリアクリルアミげ、２−チオエチ
ルアリルスルフィド及び２−ヒｆａキシエチルアリルス
ルフィドである。
ートが特に好ましい。式： ％式％ で示される化合物の例は、アリルアルコール、１−ペン
テン−５−オール、ペンタエリトリットトリメタクリレ
ート、トリメチａ−ルプロパンジメタクリンート、ヒド
ロキシエチルアクリルアミド、ヒドロキシエチルアクリ
ル酸チオニスチオ、アリルアミ／、アリルチオール、チ
オペンタエリトリットトリアクリルチオレート、アミノ
ペンタエリトリットトリアクリルアミげ、２−チオエチ
ルアリルスルフィド及び２−ヒｆａキシエチルアリルス
ルフィドである。
式（ｆｆ）の化合物は、式（１）の化合物１モル当９１
〜１．２モルの量で使用するのが有利である。
〜１．２モルの量で使用するのが有利である。
本発明による方法は、反応成分及び触媒に対して不活性
の溶剤中、例えばドルオール、テトラヒドロ７ラン又は
ジオキサン中で同一の容器中で、第１工根で得られ九生
成物の精製を先行することなしに実施することができる
。
の溶剤中、例えばドルオール、テトラヒドロ７ラン又は
ジオキサン中で同一の容器中で、第１工根で得られ九生
成物の精製を先行することなしに実施することができる
。
本発明による方法は、有利に大気圧、すなわち１０２０
ｈＰａ （絶対）又は約１０２０ ｈＰａ（絶対）で
８０〜１２０℃で実施される。しかし、場合によっては
高＾か又は低＾圧力及び高いか又は低い温度を使用する
こともできる。
ｈＰａ （絶対）又は約１０２０ ｈＰａ（絶対）で
８０〜１２０℃で実施される。しかし、場合によっては
高＾か又は低＾圧力及び高いか又は低い温度を使用する
こともできる。
溶剤は、最終生成物から低い圧力で留去するのが有利で
ある。
ある。
式：
％式％
で示されるオルがノボリシａキサンは、他のオルがノボ
リシＣＩ中サン、殊に式： ％式％ 〔上記式中、Ｒ，ｎ及びＹはそれぞれ前記のものを表わ
す〕で示されるようなものと、自体公知の方法で平衡さ
せることができる。
リシＣＩ中サン、殊に式： ％式％ 〔上記式中、Ｒ，ｎ及びＹはそれぞれ前記のものを表わ
す〕で示されるようなものと、自体公知の方法で平衡さ
せることができる。
本発明によるか又は本発明により得られたオルがノボリ
シロキサンに、紫外線によって架橋するのが有利であり
、この場合には、２００〜４００ ｎｍ （ナノメート
ル）の範囲内の波長を有するようなものが好ましい。紫
外線は、例えばキセノン灯、高圧水銀ランプ、中圧水銀
ランプ又は低圧水銀ランプで発生させることができる。
シロキサンに、紫外線によって架橋するのが有利であり
、この場合には、２００〜４００ ｎｍ （ナノメート
ル）の範囲内の波長を有するようなものが好ましい。紫
外線は、例えばキセノン灯、高圧水銀ランプ、中圧水銀
ランプ又は低圧水銀ランプで発生させることができる。
また、光線によって架橋するためには、４００〜６００
ｎｍの波長を有するようなもの、すなわち所謂１ハｃ
ｒｆン光線“が適当である。
ｎｍの波長を有するようなもの、すなわち所謂１ハｃ
ｒｆン光線“が適当である。
本発明によるか又は本発明により得られたオルがノボリ
シロキサンを光線によって架橋する場合には、このオル
がノボリシロキサンは、少なくとも１つの光増感剤との
混合物で存在しなければならない。光増感剤の例は、ア
ントラキノン及ヒ置換アントラキノン、例えばクロルア
ントラキノン、ベンゾフェノン及び置換ベンゾフェノン
、例えばヒドロキシベンゾフェノン、キサントン及び置
換キサントン、アセトフェノン及びＲ換アセトフェノン
、ベンゾイン及び置換ベンゾイン、例えばベンゾインエ
ーテル、チオキサントン及び置換チオキサントン、ベン
ジル及び置換ベンシル、例えばベンジルケタール、フル
オレノン及び置換フルオレノンである。光増感剤の既述
した詳細な例に加えて、さらに光増感剤の詳細な列とし
ては次のものが挙げられる：２−ヒドロキシー２−メチ
ル＋１−７二二ルデロパンー１−オン、２，４−ビス−
（トリメチルシリルオキシ）ベンゾフェノン、トリクロ
ルブチルアセトフェノン、メシチルオキシタ、プロピオ
フェノン、ペンズアルデヒｖ１ フルオレン、カルバゾ
ール、３−メチルアセトフェノン、４−メチルアセトフ
ェノン、３−ブロムアセトフェノン、４−メチルベンゾ
フェノン、４−クロルベンゾフェノン、４．４’−ジメ
トキシベンゾフェノン、４−クロル−４′−ベンジルベ
ンゾフェノン、３−りａルキサントン、３，９−ジクｏ
ルキサントン、３−クロル−８−ノニルキサントン、ミ
ヒラーケトン、桂皮酸、ヘンジインメチルエーテル、ア
ントラキノン−１゜５−ジスルホン酸ジナトリウム塩及
び２−ナフタリンスルホニルクロＩＪ）Ｆｏ 本発明によるか又は本発明により得られたオルがノボリ
シロキサンが光増感剤との混合物で存在する場合には、
光増感剤の量は、このオルがノボリシロキサンの重量に
対して有利に肌５〜２！鍛チである。
シロキサンを光線によって架橋する場合には、このオル
がノボリシロキサンは、少なくとも１つの光増感剤との
混合物で存在しなければならない。光増感剤の例は、ア
ントラキノン及ヒ置換アントラキノン、例えばクロルア
ントラキノン、ベンゾフェノン及び置換ベンゾフェノン
、例えばヒドロキシベンゾフェノン、キサントン及び置
換キサントン、アセトフェノン及びＲ換アセトフェノン
、ベンゾイン及び置換ベンゾイン、例えばベンゾインエ
ーテル、チオキサントン及び置換チオキサントン、ベン
ジル及び置換ベンシル、例えばベンジルケタール、フル
オレノン及び置換フルオレノンである。光増感剤の既述
した詳細な例に加えて、さらに光増感剤の詳細な列とし
ては次のものが挙げられる：２−ヒドロキシー２−メチ
ル＋１−７二二ルデロパンー１−オン、２，４−ビス−
（トリメチルシリルオキシ）ベンゾフェノン、トリクロ
ルブチルアセトフェノン、メシチルオキシタ、プロピオ
フェノン、ペンズアルデヒｖ１ フルオレン、カルバゾ
ール、３−メチルアセトフェノン、４−メチルアセトフ
ェノン、３−ブロムアセトフェノン、４−メチルベンゾ
フェノン、４−クロルベンゾフェノン、４．４’−ジメ
トキシベンゾフェノン、４−クロル−４′−ベンジルベ
ンゾフェノン、３−りａルキサントン、３，９−ジクｏ
ルキサントン、３−クロル−８−ノニルキサントン、ミ
ヒラーケトン、桂皮酸、ヘンジインメチルエーテル、ア
ントラキノン−１゜５−ジスルホン酸ジナトリウム塩及
び２−ナフタリンスルホニルクロＩＪ）Ｆｏ 本発明によるか又は本発明により得られたオルがノボリ
シロキサンが光増感剤との混合物で存在する場合には、
光増感剤の量は、このオルがノボリシロキサンの重量に
対して有利に肌５〜２！鍛チである。
本発明によるか又は本発明により得られたオルガノポリ
シロキサンは、有利に紫外線によって架橋されるので、
本発明の対象は、光増感剤との混合物の式； ％式％ 〔上記式中、Ａ、Ｒ，ｎ、Ｘ＆びｙはそれぞれ前記のも
のを表わす〕で示されるオルがノボリシロキサンでもあ
る。
シロキサンは、有利に紫外線によって架橋されるので、
本発明の対象は、光増感剤との混合物の式； ％式％ 〔上記式中、Ａ、Ｒ，ｎ、Ｘ＆びｙはそれぞれ前記のも
のを表わす〕で示されるオルがノボリシロキサンでもあ
る。
本発明によるか又に本発明により得られたオルがノボリ
シロキサンは、前記の光線の種類以外のエネルギーに富
んだ放射、すなわるＸ線、ｒ？／ｉＡ又は電子ビームに
よって＃！橋することもできる。この種の他の放射は、
１〜４ ｍＲａｄで十分である。
シロキサンは、前記の光線の種類以外のエネルギーに富
んだ放射、すなわるＸ線、ｒ？／ｉＡ又は電子ビームに
よって＃！橋することもできる。この種の他の放射は、
１〜４ ｍＲａｄで十分である。
全く同様に、本発明によるか又は本発明により得られた
オルがノボリシロキサンは、過酸化物のようなラジカル
形成剤をｍ９て熱時に架橋することができる。この場合
、ラジカル形成剤として過酸化物を使用する場合には、
オルがノポリシロギサンのＭ量に対して０．１〜５重量
％の過酸化物量が好ましい。架橋をラジカル形成剤を用
いて実施するような温度としては、８０°Ｃ〜２００℃
が好ましい。過酸化物の列は、ジクミルペルオキシド、
ベンゾイルペルオキシド、ビス−（２，４−１２クロル
ベンデイル） Ａ！！ルオキシド及び有機珪素基を有す
る過酸化物である。
オルがノボリシロキサンは、過酸化物のようなラジカル
形成剤をｍ９て熱時に架橋することができる。この場合
、ラジカル形成剤として過酸化物を使用する場合には、
オルがノポリシロギサンのＭ量に対して０．１〜５重量
％の過酸化物量が好ましい。架橋をラジカル形成剤を用
いて実施するような温度としては、８０°Ｃ〜２００℃
が好ましい。過酸化物の列は、ジクミルペルオキシド、
ベンゾイルペルオキシド、ビス−（２，４−１２クロル
ベンデイル） Ａ！！ルオキシド及び有機珪素基を有す
る過酸化物である。
最後に、本発明は、本発明によるか又に本発明により得
られたオルがノボリシロキサンを被嘆の製造又は電子構
成素子の埋設に使用することにも関連する。
られたオルがノボリシロキサンを被嘆の製造又は電子構
成素子の埋設に使用することにも関連する。
本発明によるか又は本発明により得られた被嗅を設ける
こと一１ｊｊできる表面は、列えばがラス繊維（これに
は、さらに光ファイバーも、属する）を含めてセラミッ
ク物体又はプラス、紙、例えばクラフト紙もしくはベル
がミン紙、石綿からのようなものを含めて厚紙、さらに
セロファン、木材、コルク、プラスチックフィルム、例
工ばポリエチレンフィルムもしくはポリプロピレンフィ
ルム、天然か又は合成の有機繊維からの編織したかｆａ
織してない布及び金属、例えば鋼もしぐにアルミニウム
の表面であることができる。
こと一１ｊｊできる表面は、列えばがラス繊維（これに
は、さらに光ファイバーも、属する）を含めてセラミッ
ク物体又はプラス、紙、例えばクラフト紙もしくはベル
がミン紙、石綿からのようなものを含めて厚紙、さらに
セロファン、木材、コルク、プラスチックフィルム、例
工ばポリエチレンフィルムもしくはポリプロピレンフィ
ルム、天然か又は合成の有機繊維からの編織したかｆａ
織してない布及び金属、例えば鋼もしぐにアルミニウム
の表面であることができる。
本発明によるか又は本発明により得られたオルがノボリ
シロキサンを被覆すべき表面上に塗布することは、液状
物質からの被膜の製造に適した、幾多の任意の公知方法
で、例えば浸漬塗布、刷毛塗、流し塗、吹付塗布、ａ−
ル塗布、印刷によって、例えばオフセットグラビア被覆
装置、ナイフ被覆装置を用いて行なうことができる。
シロキサンを被覆すべき表面上に塗布することは、液状
物質からの被膜の製造に適した、幾多の任意の公知方法
で、例えば浸漬塗布、刷毛塗、流し塗、吹付塗布、ａ−
ル塗布、印刷によって、例えばオフセットグラビア被覆
装置、ナイフ被覆装置を用いて行なうことができる。
本発明によるか又は本発明により得られたオルがノボリ
シロキサンを被覆すべき表面上に塗布する場合、オルが
ノポリシロキサンは、場合によっては溶剤中又は水性乳
濁液の形で存在することができる。しかし、この塗布の
場合には、溶剤は、全く存在しな＾のが有利である。
シロキサンを被覆すべき表面上に塗布する場合、オルが
ノポリシロキサンは、場合によっては溶剤中又は水性乳
濁液の形で存在することができる。しかし、この塗布の
場合には、溶剤は、全く存在しな＾のが有利である。
本発明によるか又は本発明により得られたオルがノボリ
シロキサン中に埋設することができる電子構成素子の例
は、例えば電子点火装置、モジュール、太陽電池及び他
の半導体装蟹のためのハイブリッド回路である。
シロキサン中に埋設することができる電子構成素子の例
は、例えば電子点火装置、モジュール、太陽電池及び他
の半導体装蟹のためのハイブリッド回路である。
勿崗、本発明によるオルがノボリシロキサン及び本発明
により得られたオルがノボリシロキサンは、それを被膜
の製造又は電子構成素子の埋設に使用する場合にも有利
に紫外線によって架橋される。
により得られたオルがノボリシロキサンは、それを被膜
の製造又は電子構成素子の埋設に使用する場合にも有利
に紫外線によって架橋される。
本発明によるオルグツポリシロキサン及び本発明により
得られたオルがノポリシａキサンからの被１漠は、例え
ば下塗として適当でありかつ汚れ及び水を付着させない
被膜として適当である。被膜を製造するため又は電子構
成素子を埋設するため以外に、本発明によるオルがノポ
リシロキサン及び本発明により得られたオルがノポリシ
クキサンは、全く共通に流し込町脂として、さらに接看
刑して適当であり、基板上への他の物質の付着を改善す
るための他の物質への添加剤として適当であり、かつ砂
又は木屑のよ５な依粒状固体のための強化−又は結合剤
として適当である。
得られたオルがノポリシａキサンからの被１漠は、例え
ば下塗として適当でありかつ汚れ及び水を付着させない
被膜として適当である。被膜を製造するため又は電子構
成素子を埋設するため以外に、本発明によるオルがノポ
リシロキサン及び本発明により得られたオルがノポリシ
クキサンは、全く共通に流し込町脂として、さらに接看
刑して適当であり、基板上への他の物質の付着を改善す
るための他の物質への添加剤として適当であり、かつ砂
又は木屑のよ５な依粒状固体のための強化−又は結合剤
として適当である。
実施列：
次に、本発明を実施列につき詳説する。実施列中で、百
分率の全ての記載は重責に対するものである。
分率の全ての記載は重責に対するものである。
列 １
Ｈ２ｐｔｃｚ、、・６Ｈ２０との混合物中で１分子当り
平均で２６個の珪素原子ｔ−有する、末端単位中にＳｌ
−結合水素原子１ ｉｌｌ宛を有するジメチルポリシロ
キサン１４６．６１１を９０℃に加熱する。
平均で２６個の珪素原子ｔ−有する、末端単位中にＳｌ
−結合水素原子１ ｉｌｌ宛を有するジメチルポリシロ
キサン１４６．６１１を９０℃に加熱する。
この加熱し比況合物に攪拌しながら滴下法でドルオール
５０Ｓ中のアリルコハク酸無水物２８ｇを加える。ａ２
ｐｔｃｚ６・６Ｈ２０をジメチルポリシロキサンに、白
金の量が元素として計算してジメチルポリシロキサン及
び酸無水物の全ｉｔに対して５０．ｆｆｉｆｔ−ｐｐｍ
（百方分率）であるような量で添加した。酸無水物の添
加の終結後、なお９０゛Ｃで１時間攪拌する。
５０Ｓ中のアリルコハク酸無水物２８ｇを加える。ａ２
ｐｔｃｚ６・６Ｈ２０をジメチルポリシロキサンに、白
金の量が元素として計算してジメチルポリシロキサン及
び酸無水物の全ｉｔに対して５０．ｆｆｉｆｔ−ｐｐｍ
（百方分率）であるような量で添加した。酸無水物の添
加の終結後、なお９０゛Ｃで１時間攪拌する。
こうして得られる液体に９０℃で攪拌しながら滴下法で
２−ヒドロキシエチルアクリレート２２．６１を加える
。アクリレートの添加の終結後、この混合物を１００℃
に加熱し、かつこの縮度で２時間攪拌する。次に、Ｑ、
ｊ ｈＰａ （絶対）で１００℃までで沸騰する物質を
留去する。
２−ヒドロキシエチルアクリレート２２．６１を加える
。アクリレートの添加の終結後、この混合物を１００℃
に加熱し、かつこの縮度で２時間攪拌する。次に、Ｑ、
ｊ ｈＰａ （絶対）で１００℃までで沸騰する物質を
留去する。
ユＨ−ＮＭＲ−分析によれば、櫃初に使用したオルがノ
ボリシロキサンの８１−結合水素原子は、式：％式％） で示される基によって全部代えられている。
ボリシロキサンの８１−結合水素原子は、式：％式％） で示される基によって全部代えられている。
例 ２
ＶＡＪｌにより得られた、カルボキシル基及びアクリル
オキシ基を有するオルがノポリシロキサンの試料を、そ
の重量に対して２％の２−ヒげｏ キシ−２−メチル−
１−フェニルプロパ７−１−オンと混合し九後に、１〜
１２職の種々の層厚でアルミニウム、鋼、石膏、木材及
びポリエチレンからの小さな板上ならびに紙上に塗布し
、かつ８０ワット／ｃｎＬ発元体の長さの出力及び３６
６ ｎｍで出力の最大を有する中圧水銀紫外線ランプを
用いて１０ｃＩＩＬの距離で露光する。
オキシ基を有するオルがノポリシロキサンの試料を、そ
の重量に対して２％の２−ヒげｏ キシ−２−メチル−
１−フェニルプロパ７−１−オンと混合し九後に、１〜
１２職の種々の層厚でアルミニウム、鋼、石膏、木材及
びポリエチレンからの小さな板上ならびに紙上に塗布し
、かつ８０ワット／ｃｎＬ発元体の長さの出力及び３６
６ ｎｍで出力の最大を有する中圧水銀紫外線ランプを
用いて１０ｃＩＩＬの距離で露光する。
層厚に応じて、１〜８秒間の露光時間後に基板上に良好
な付着力をもって乾燥した被膜が得られる。
な付着力をもって乾燥した被膜が得られる。
例 ３
２５℃で約ｉ Ｑ Ｑ ｍＰａ、ｓの粘度を有する、末
端単位中に８１−結合ヒドロキシル基１１固宛を有する
ジメチルポリシロキサン２８６Ｉを、カルボキシル基及
びアクリルオキシ基を有する、例１により得られたオル
がノボリシロキサン１２．９ Ｆ及びドルオール６０１
１ならびに式：％式％ で示される燐ニトリークロリド２００重址−一と混合し
、かつ１．５時間１００℃に加熱する。
端単位中に８１−結合ヒドロキシル基１１固宛を有する
ジメチルポリシロキサン２８６Ｉを、カルボキシル基及
びアクリルオキシ基を有する、例１により得られたオル
がノボリシロキサン１２．９ Ｆ及びドルオール６０１
１ならびに式：％式％ で示される燐ニトリークロリド２００重址−一と混合し
、かつ１．５時間１００℃に加熱する。
こうして得られた混合物を、平衡触媒を作用のないよう
にするために、塩化メチレン中の１゜３−ジビニル−１
，１，３，３−テトラメチルゾシラヂンの２５％の溶液
０．１コと混合する。
にするために、塩化メチレン中の１゜３−ジビニル−１
，１，３，３−テトラメチルゾシラヂンの２５％の溶液
０．１コと混合する。
ａ１過後、混合物のＱ、ｌ ｈＰａ （絶対）で８０℃
までで沸騰する成分を留去する。２５℃で１３０００ｍ
Ｐａ、ｓの粘度ｔ−有する澄明な油が得られる。
までで沸騰する成分を留去する。２５℃で１３０００ｍ
Ｐａ、ｓの粘度ｔ−有する澄明な油が得られる。
例 ４
例２に記載した作業法を繰り返すが、例２で使用したオ
ルがノポリシロキサンの代すに２５℃で１３０００ｍＰ
ａ、ｓの粘度を有する例３により得られた油を使用する
。基板上に良好な付着力をもって弾性の乾燥被ＩＩＫが
層厚に応じて１〜８秒間の露光時間後に得られる。
ルがノポリシロキサンの代すに２５℃で１３０００ｍＰ
ａ、ｓの粘度を有する例３により得られた油を使用する
。基板上に良好な付着力をもって弾性の乾燥被ＩＩＫが
層厚に応じて１〜８秒間の露光時間後に得られる。
列 ５
列１に記載した作業法を繰り返すが、例１で使用したオ
ルがノボリシａキサン１４６．６．９の代りに式： ％式％） で示されるオルプノボリシロキサ７７８６＃。
ルがノボリシａキサン１４６．６．９の代りに式： ％式％） で示されるオルプノボリシロキサ７７８６＃。
アリルコハクｅＲ無水物２８ｇの代りにアリルコハクｒ
Ｒａ水物７０Ｆ及び２−ヒドロキシエチルアクリル酸エ
ステル２２．６．９の代りに２−ヒトαキシエチルアク
リル酸エステル５８ｇを使用する。
Ｒａ水物７０Ｆ及び２−ヒドロキシエチルアクリル酸エ
ステル２２．６．９の代りに２−ヒトαキシエチルアク
リル酸エステル５８ｇを使用する。
次に、列１の場合と全く同様に、１Ｈ−ＮＭＲ−分析に
よれば、最初に使用したオルがノボリシロキサンの全部
のＳｉ−結合水素原子は、カルざキシル基及びアクリル
オキシ基を有する同じ有機基（この式は、例１中に記載
されている。）によって代えられている。
よれば、最初に使用したオルがノボリシロキサンの全部
のＳｉ−結合水素原子は、カルざキシル基及びアクリル
オキシ基を有する同じ有機基（この式は、例１中に記載
されている。）によって代えられている。
列 ６
例２に記載した作業法を操り返すが、例２で使用したオ
ルがノボリシロキサンの代りにカルざキシル基及びアク
リルオキシ基を有する例５により得られたオルがノボリ
シロキサンヲ使用する。層厚に応じて１〜８秒間の被覆
時間後に基板上に良好な付着力をもって乾燥した硬い被
漢が得られる。
ルがノボリシロキサンの代りにカルざキシル基及びアク
リルオキシ基を有する例５により得られたオルがノボリ
シロキサンヲ使用する。層厚に応じて１〜８秒間の被覆
時間後に基板上に良好な付着力をもって乾燥した硬い被
漢が得られる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、式： Ａ＿ｘＲ＿３＿−＿ｘＳｉＯ（ＳｉＲ＿２＿−＿ｘＡ＿
ｘＯ）＿ｎＳｉＲ＿３＿−＿ｘＡ＿ｘ又は （ＳｉＲ＿２＿−＿ｘＡ＿ｘＯ）＿ｙ 〔上記式中、Ｒは同一か又は異なり、１価のハロゲン化
されていてもよい炭化水素基を表わすか又は炭素原子、
水素原子、エーテル酸素原子及び弗素原子から構成され
た、１価の脂肪族基を表わし、Ａは同一か又は異なり、
少なくとも１個の末端炭素−炭素−二重結合を有する有
機基が結合している、カルボキシル基及びカルボニル基
を有するＳｉＣ−結合した有機基を表わし、ｎは少なく
とも１の値の整数を表わし、ｘは０又は１を表わし、ｙ
は３〜１０の値の整数を表わす〕で示される架橋可能な
オルガノポリシロキサン（但し、このオルガノポリシロ
キサンは１分子当り少なくとも１個の基Ａを有するもの
とする。） ２、Ａが式： ▲数式、化学式、表等があります▼ 又は ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔上記式中、Ｒ＾１は同一か又は異なり、２価のハロゲ
ン化されていてもよい炭化水素基を表わし、Ｒ＾２は水
素原子を表わすか又は基１個当り１〜１０個の炭素原子
を有する１価の、脂肪族炭素−炭素−多重結合を含まな
い炭化水素基を表わし、Ｒ＾３はａが１の値を有すると
きに２価の炭化水素基を表わし、ａが２の値を有すると
きに３価の炭化水素基を表わし、かつａが３の値を有す
るときに３価の炭化水素基を表わし、Ｘは酸素原子、硫
黄原子を表わすか又は式： −ＮＲ＾２− （式中、Ｒ＾２は前記のものを表わす）の基を表わし、
Ｙは式： −Ｒ＾１Ｏ− ▲数式、化学式、表等があります▼ −Ｒ＾１ＮＲ＾２− ▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼ −ＳＲ＾１− （式中、Ｒ＾１及びＲ＾２はそれぞれ前記のものを表わ
す）の群を表わし、ａは１、２又は３を表わし、ｍは１
〜６の値の整数を表わし、ｘは前記のものを表わす〕で
示される基である、特許請求の範囲第１項記載のオルガ
ノポリシロキサン。 ３、Ａが式： Ｈ＿２Ｃ＝ＣＨＣＯＯ（ＣＨ＿２）＿２ＯＯＣ（ＣＨ＿
２）＿２ＣＨ（ＣＯＯＨ）（ＣＨ＿２）＿３−又は ▲数式、化学式、表等があります▼ で示される基である、特許請求の範囲第１項記載のオル
ガノポリシロキサン。 ４、式： Ａ＿ｘＲ＿３＿−＿ｘＳｉＯ（ＳｉＲ＿２＿−＿ｘＡ＿
ｘＯ）＿ｎＳｉＲ＿３＿−＿ｘＡ＿ｘ又は （ＳｉＲ＿２＿−＿ｘＡ＿ｘＯ）＿ｙ 〔上記式中、Ｒは同一か又は異なり、１価のハロゲン化
されていてもよい炭化水素基を表わすか又は炭素原子、
水素原子、エーテル酸素原子及び弗素原子から構成され
た、１価の脂肪族基を表わし、Ａは同一か又は異なり、
少なくとも１個の末端炭素−炭素−二重結合を有する有
機基が結合している、カルボキシル基及びカルボニル基
を有するＳｉＣ−結合した有機基を表わし、ｎは少なく
とも１の値の整数を表わし、ｘは０又は１を表わし、ｙ
は３〜１０の値の整数を表わす〕で示される架橋可能な
オルガノポリシロキサン（但し、このオルガノポリシロ
キサンは１分子当り少なくとも１個の基Ａを有するもの
とする。）の製造法において、まず第１工程で式： Ｈ＿ｘＲ＿３＿−＿ｘＳｉＯ（ＳｉＲ＿２＿−＿ｘＨ＿
ｘＯ）＿ｎＳｉＲ＿３＿−＿ｘＨ＿ｘ又は （ＳｉＲ＿２＿−＿ｘＨ＿ｘＯ）＿ｙ 〔上記式中、Ｒ及びｘはそれぞれ前記のものを表わす〕
で示されるオルガノポリシロキサンを、式： ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ｒ＾２及びｍはそれぞれ前記のものを表わし、
Ｒ＾５は脂肪族炭素−炭素−二重結合を有する１価のハ
ロゲン化されていてもよい炭化水素基である〕で示され
るジカルボン酸無水物と、Ｓｉ−結合水素への脂肪族炭
素−炭素−二重結合の付着に対して自体公知の方法で反
応させ、次に第２工程で、第１工程で得られた化合物の
無水物基を、式（II）： （Ｈ＿２Ｃ＝ＣＲ＾２Ｙ＿ｘ）＿ａＲ＾３ＸＨ（II）〔
式中、Ｒ＾２、Ｒ＾３、Ｘ、Ｙ、ａ及びｘはそれぞれ前
記のものを表わす〕で示される化合物と、カルボン酸無
水物基とツエレビチノフ−活性水素を有する化合物との
反応に対して自体公知の方法で反応させることを特徴と
する、式： Ａ＿ｘＲ＿３＿−＿ｘＳｉＯ（ＳｉＲ＿２＿−＿ｘＡ＿
ｘＯ）＿ｎＳｉＲ＿３＿−＿ｘＡ＿ｘ又は （ＳｉＲ＿２＿−＿ｘＡ＿ｘＯ）＿ｙ で示される架橋可能なオルガノポリシロキサンの製造法
。 ５、アリルコハク酸無水物を式（II）の化合物として使
用する、特許請求の範囲第４項記載の方法。 ６、式： Ａ＿ｘＲ＿３＿−＿ｘＳｉＯ（ＳｉＲ＿２＿−＿ｘＡ＿
ｘＯ）＿ｎＳｉＲ＿３＿−＿ｘＡ＿ｘ又は （ＳｉＲ＿２＿−＿ｘＡ＿ｘＯ）＿ｙ 〔上記式中、Ｒは同一か又は異なり、１価のハロゲン化
されていてもよい炭化水素基を表わすか又は炭素原子、
水素原子、エーテル酸素原子及び弗素原子から構成され
た、１価の脂肪族基を表わし、Ａは同一か又は異なり、
少なくとも１個の末端炭素−炭素−二重結合を有する有
機基が結合している、カルボキシル基及びカルボニル基
を有るＳｉＣ−結合した有機基を表わし、ｎは少なくと
も１の値の整数を表わし、ｘは０又は１を表わし、ｙは
３〜１０の値の整数を表わす〕で示される架橋可能なオ
ルガノポリシロキサン（但し、このオルガノポリシロキ
サンは１分子当り少なくとも１個の基Ａを有するものと
する。）において、この架橋可能なオルガノポリシロキ
サンが光増感剤との混合物で存在することを特徴とする
、式： Ａ＿ｘＲ＿３＿−＿ｘＳｉＯ（ＳｉＲ＿２＿−＿ｘＡ＿
ｘＯ）＿ｎＳｉＲ＿３＿−＿ｘＡ＿ｘ又は （ＳｉＲ＿２＿−＿ｘＡ＿ｘＯ）＿ｙ で示される架橋可能なオルガノポリシロキサン。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19843447457 DE3447457A1 (de) | 1984-12-27 | 1984-12-27 | Vernetzbare organopolysiloxane, verfahren zu ihrer herstellung und verwendung dieser organopolysiloxane |
| DE3447457.9 | 1984-12-27 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61157531A true JPS61157531A (ja) | 1986-07-17 |
| JPS6319533B2 JPS6319533B2 (ja) | 1988-04-22 |
Family
ID=6253932
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60290922A Granted JPS61157531A (ja) | 1984-12-27 | 1985-12-25 | 架橋可能なオルガノポリシロキサン及びその製造法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4605567A (ja) |
| EP (1) | EP0186099A3 (ja) |
| JP (1) | JPS61157531A (ja) |
| DE (1) | DE3447457A1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05331291A (ja) * | 1992-06-03 | 1993-12-14 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 酸無水物基含有オルガノポリシロキサンおよびその製造方法 |
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