JPS61155245A - 高誘電率磁器組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 し発明の技術分野」 本発明は高誘電率磁器組成物に係り、特に、Ｐｂ　（７
ｎｈＮｂｈ）Ｏａを主体とした誘電率温度係数（Ｔ、Ｃ
，Ｃ，）渇麿変化の小さい高誘電率磁器組成物に関する
。

［発明の技術的背景とその問題点］ 誘雷体材利として要求される電気的特性としては、誘電
率、誘電率温度係数、誘電損失、誘電率バイアス電卑依
存性、容量抵抗積等があげられる。

特に容量抵抗積（ＣＲ＋直）は、十分高い値を取る必要
があり、ＥＩＡＪ（日本電子機械工業会）の電子機器用
積層磁器コンデンサ（チップ型）規格ＲＣ−３６！’Ｉ
ＢＢに常温で！’＋　ＯＯＭΩ・ＩＩＦ以上と規定され
ている。さらにより厳しい条件でも使用できるように、
高温（例えば米国防省規格Ｍ■Ｌ−Ｃ５５Ｃｉ８１Ｂで
ｔよ１２５℃でのＣＲ値が定められている。）でも＾い
ＣＲ値を維持する口とが要求される。

また、誘電率温度係数の小さいことが要求されるが、一
般に誘Ｎ串（Ｋ）の大きい材料では、Ｔ、Ｃ，Ｃ，が大
きい傾向がありに／Ｔ、Ｃ，Ｃ。

が大きいこと、すなわち、誘電率の変化の相対値の小さ
いことが要求されろ。

さらに積層タイプの素工を考えた場合、雷枠層と誘電体
層とは一体的に焼成されるため、電極月利としでは誘電
体材料の焼成湿度でも安定なしのを用いろ必要がある。

（、Ｙ、って誘電体材ｉ′！１の焼成温ｒ印が高いと白
金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）等の高価な碕Ａ別を用
いな（プればならず、銀（△０）等の安１＋Ｉな材料を
使用できるように、１１００°Ｃ以下程Ｂ＞のイ１（温
での焼成が可能であることが要求される。

従来からり、１１られている高誘側■襲器組酸物として
チタン酸バリウムをベースどして、これに錫酸鉛、ジル
コン酸鉛、チタンＭ鉛等を固溶したものがある。確かに
誘電率の高いものを百ることはできるが、誘電率が高く
なるとＴ、Ｃ，Ｃ，が大きくなり、また、バイアス電界
依存性も大きくなつτしまうという問題があった。さら
に、チタン酸バリウム系の月利の焼成湿度は１３００〜
１４００°Ｃ程度と高温であり、電極月利として必然的
に白金、パラジウム等の高温で耐えつる高価な月利を用
いな（、づればならず、］スト高の原因となる。

このチタン酸バリウム系の問題点を解潤すべく、各種組
成物の研究がなされている。例えば鉄ニオブ酸鉛を主体
としたもの（特開昭５７−５７２０４号）。

マグネシウム・二ＡブＭ鉛を主体としたもの（特Ｇ（１
昭！１５−５１７５１（）　、マグネシウム・タングス
テン酸鉛を１体どしたちのく特開昭５２−２１６９９号
）等がある。鉄ニオブ酸鉛を主体としたちのは、ＣＲ値
の焼成湿度による変化が大きく、特に高湿（Ｊお（Ｊる
ＣＲ値の低下が大きいという問題点がある。マグネシウ
ム・ニオブ酸鉛を主体としたものは焼成湿度が比較的高
く、また、マグネシウム・タングステン酸＃ｉ）を主体
としたものは、ＣＲ４ｒ＋が人さいと誘電率が小ざく、
誘電率が大きいとＣＲ値が小さいという問題点が有った
。さらにこれらの材料のＴ、Ｃ，Ｃ，はチタン酸バリウ
ム系より優れてはいるものの十分ではない。

さらに、マグネシウムニオブ酸鉛とヂタン酸鉛との固溶
体で必要に応じ鉛の一部をバリウム、ストロンヂウム、
カルシウムで置換した月利についても研究されている（
特開昭４ｉ５−１２１９５９号）。しかしながらこの材
ｌ！ＩＩのＴ、Ｃ，Ｃ，は−２５〜８５°Ｃで最良のも
のでも−５９，８％であり、」−分とは言えない。さら
に、コンデンサ材料として最も重要な（、Ｒ値について
は）ボベられておらず、コンデンサ材料としての有用１
’Ｙは明らかではない。

また、特開昭５７−２５６０７号にはマグネシウム・ニ
オブ酸鉛と亜鉛ニオブ酸鉛との固溶体の材料についても
研究されている。しかしながらＣＲ１ｆｆ４、及びＴ、
Ｃ，Ｃ，については述べられでおらず、コンデンサ（４
利どしての有用性は明らかではない。

［発明の目的］ 本発明は双子の点を考慮してなされたもので、誘電率が
大きく、かつ−での温度係数の小さい高誘電率磁器組成
物を提供することを目的とする。

［発明の概要］ 本発明は、一般式 ％式％） で表わしたどき、それぞれの成分を１１点とする三元図
の ａ　（Ｘ　＝　０．！ｉｏ、ｙ　＝　０．００，７　＝
　０．５０　）ｂ　（ｘ　＝　１．００．ｙ−０，００
，ｚ　＝　０．００　）ｃ　（ｘ　＝　０．２０．ｙ　
＝　０．８０．ｚ　＝　０．００　）ｄ　　　（ｘ　　
　＝　　　０．０５．ｙ　　＝　　　０．９０．ｚ　　
　＝　　　０．０５　　　）で示される各点を結ぶ線内
の組成（ただし、ａｂを結ぶ線分上は除く）のｐｂの一
部を　１〜３５ｍｏ１１％の１３ａ及びＳｒの少なくと
も一部で置換した高誘電率磁器組成物である。

従来から誘電体材料として各種のペロブスカイト型の磁
器月利が検討されているが、亜鉛・ニオブ酸鉛（Ｐｂ（
ＺｎｈＮｔ）ｈ）０３）は磁器とした場合、ペロブスカ
イト構造を取りにくく、誘電体材料としては適さないと
考えられていた（ＮＥＣＲｅ５ｅａｒｃｈ　　＆　　Ｄ
ｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ　　Ｎｏ、　　２９△ｐｒｉｌ　
　１９７３　ｐ、１５〜２１参照）。本発明者等の研究
によれば、Ｐｂ　（ＺｎｙｓＮｂｈ）０３のｐｂサイト
をＲａまたはＳｒで適量置換することにより、磁器で安
定なペロブスカイト構造を形成できろことがわかった。

さらに、この様な磁器組成物は、非常に高い誘電率おＪ
、び絶縁抵抗を示し、かつ、その温石特性も極めて良好
であることがわかった。また、＋１１１械的強度も優れ
たものであることがわかった。さらに研究を進めた結果
、この亜鉛ニオブ酸鉛にマグネシウム・二Ａ７酸＃（ｌ
おＪ、びヂタンＦｌ’ｆ鉛どを相合１！ることにより、
さらに高い誘電率と絶縁抵抗を含ゼ持つ高誘電率１４１
器組成物が得られることを見出したのである。

以下に本発明組成物の組成範囲について説明覆る。

Ｍｅ−）４ａ、Ｓｒは上記した一般式のペロブスカイト
構造を形成するために必要な元素であり、１ｍ０Ｊ！％
以下だと、パイロクロア構造が混在し、高い誘電率およ
び高い絶縁抵抗を示さない。３５ｍｏｂ％以−１では誘
電率が１０００程度以下と小さくなってしまったり、焼
成温欧が１１００℃以トと高くなったりしてしまう。よ
って、Ｍｅ酸成分の置換置は、（Ｐ　ｂ　１４　Ｍ　ｅ
α）と表わしたとき０．０１　＜α＜　０．３５ どする。

誘電体材わ１においては常温におりる容ｎ′１を高くす
るため、−１コリー′ｆｊｌＦ１が常温付近（０〜３０
°Ｃ）にくるように１６゜本発明のＭｅ酸成分上）ホし
たようにペロブスカイト構造を形成するための必須成分
であるが、また、本発明Ｉｉ器組成物のキュリー温ｍを
下げるシフターの例１きがある。さらに、絶縁抵抗を著
しく増加さゼ、機械的強庶も向上させる。

Ｍｅ酸成分よるｐｂの置換置はキコリー濡度等を考慮し
て適宜設定することが可能であるが、亜鉛ニオブ酸鉛お
よびヂタンＭ鉛の多い領域（×〉０．５．ｚ＞　０．１
）では、１０ｍｏ１％以上が好ましく、マグネシウム・
ニオブ酸鉛の多い領域（ｙ　＞　０．６１７ご０．０５
　）では、１ｍｏＡ％以トで十分その置換の効果を発揮
する。

第１図に本発明磁器組成物の組成範囲を示す。

線分ａｄの外側では焼成温度が１１００°Ｃ以上と高く
なっでしまい、また絶縁抵抗も低下し＾いＯＲ値を得る
ことができない。

また、線分ｃｄの外側では、キコリー温庶がも−〇　　
− ともと常温付）丘にあるため、Ｍｅ酸成分ょる買換で誘
電率が大幅に低温側に移り１して、常温における誘電率
が大幅に低下してしまう。また、ｄｌ（ｘ　＝　０．１
０．ｙ　＝　０．８０．ｚ　＝　０．１０　）　トシタ
トキ、線分Ｃｄ１の内側がより好Ｊ、シい。

またマグネシウム・ニオブ酸鉛は少量の添加・含有でそ
の効果を発揮−４６が実用」−は１ｍｏＪ！％以上含有
することが望ましい。

また、ＯＲ値を考慮すると、亜鉛・ニオブ酸鉛を１５ｍ
ｏＣ％以上含有することが好ましく、さらには、２０ｍ
ｏ　ｊ！％以上含右することがより好ましい。２０ｍｏ
９％以Ｆ−含有する時は、Ｍ電損失も特に小さい。

ｔりＣ１（ｘ　＝　０．４０．ｙ　＝　０．６０．７　
＝　０．００　）　。

ｄ２（Ｘ　＝　０．１５．Ｖ−０，７０，ｚ　＝　０．
１５　）　。

ｄ３　　（Ｘ　＝　０．２０．ｙ　＝　０．６０．ｚ　
＝　０．２０　）　。

Ｃ２（ｘ　＝　０．４５．ｙ　＝　０．５５．ｚ　＝　
０．００　）としたとぎ、線分ｃ４　ｄ４の外側では、
緻密な磁器を得るのが比較的困難である。

このように、ＣＲ＋白、Ｔ、Ｃ，Ｃ，、焼結性等−〇　
　− を考ｖＢ、′すると線分Ｃｉ　ｄ２の内側、特に線分ｃ
２ｄ２．さらには線分ｃ２　ｄ３の内側が好ましい。

しかしながら誘電率等を考慮した場合には、この様な線
分で区切られた組成系でも十分な特性を有している。

第２図は亜鉛・ニオブ酸鉛５０ｍ　ｏ　１％、マグネシ
ウム・ニオブ酸鉛５０ｍｏＪ％の組成系でのＭｅ吊によ
るＯＲ値と誘電率の変化を示したものである。同図から
明らかなように、少量のＭｅ酸成分添加含有によって、
大幅に特１１が向上していることが分る。特にＯＲ値に
おける効果は顕著であり、セラミックコンデンザとして
の信頼性に優れている。

本発明は、前記一般式で表わされるものを主体とするも
のであるが、多少化学品論比がずれても構わない。この
組成物を酸化物に換算でると、ＰｂＯ４Ｂ、１３〜６９
．０９ｗｔ％ Ｂ　ａ　Ｏ０，００〜１８．１０ｗｔ％Ｓ　ｒ　ＯＯ，
００〜１２．９９ｗｔ％７　ｎ　ＯＯ，４２〜９．１３
ｗｔ％ Ｎ　ｂ２０５　　１５．１５　〜２７．１３ｗｔ　　％
Ｔ　　：　　０２　　　　０．００　〜１４．３１ｗｔ
　　％Ｍ　ｇ　Ｑ　　　　　　　Ｏ，０４〜　３．７３
Ｗｔ　　％（ただし、Ｂ　ａ　ＯとＳｒＯとの合ｉｌｌ
’　−Ｃ”　　０　、３２−１８．１０ｗｔ　　％） となる。

また、本発明の効果を１０ねない範囲での不純物。

添１ハ１物、冒換物等の含有も構わない。例えば、Ｍｎ
Ｏ２，Ｃｏｏ、Ｎ　ｉ　Ｏ，ＭＯＯ，５ｂ２０３゜７ｒ
Ｏ２，１−ａ２０３等があげられる。これらの添加物の
含有量は、多くても１ｗｔ％稈度である。

次に本発明組成物の製造方法について説明する。

出発原料としてＰｂ、　Ｂａ、Ｓｒ、、７ｎ、Ｎｂ。

Ｔｉ、ＭＱの酸化物もしくは焼成により酸化物になる炭
酸塩、しゅう酸塩等の塩類、水酸化物、有機化合物等を
所定の割合で秤慴し、十分混合した後に仮焼する。この
仮焼は７００℃〜８５０°Ｃ稈酊で行う。余り仮焼濡庶
が低いと焼結密度が低下し、また、余り高いと、やはり
焼結密度が低下し、絶縁抵抗が（Ｉｔ’Ｔ’　する。次
いで仮焼物を粉砕し原料粉末をＩ！ｌａする。平均粒径
は０．８〜２μｍ程度が好ましく、余り大きいと焼結体
中にボアーが増加し、小さいと成型性が低下する。この
様な原ｒ１粉末を用い所望の形状に成型した後、焼成す
ることにより、高誘電率セラミックを１りる。本発明の
組成物を用いることにＪ、り焼成は１１００°Ｃ以下、
９８０〜１０８０′Ｃ稈度と１に較的低溜１で行うこと
ができる。

積層タイプの素子を製造する基金は、前述の口利粉末に
バインダー、溶剤等を加えスラリー化して、グリーンシ
ートを形成しこのグリーンシート上に内部電極を印刷し
た後、所定の枚数を積層・ｆｆ：着し、焼成することに
より１！１造する。この時、本発明の誘電体１４わ１は
低温で焼結ができるため、内部電極材料として例えばＡ
Ｑ主体の安価な材料を用いることができる。

また、このように低温で焼成が可能であることから、回
路基板上等に印刷・焼成する厚膜誘電体ペース１〜の材
ｒＩとしても有効である。

この様な本発明磁器組成物は、ＰＳ誘電率かつ、そのＴ
、Ｃ，Ｃ，が良好である。また、ＣＲ値も大きく、特に
高温でも十分な値を有し、高温での信頼性に優れている
。

Ｔ、Ｃ，Ｃ，の小さいことは本発明の大きな特徴であり
、これは、Ｋ≧１００００のごとくの大きな誘電率の場
合特に鎮茗である。この様に誘電率の大きい場合には、
（誘電″＄）／〈渇１！ｆ変化率の絶交・１値）の大き
いことが要求される。本発明ではこの点に関しても非常
に優れている。

さらに、誘電率バイアス電界依存性も従来のチタン酸鉛
系の材料と比較して優れており、誘電率の変化率が４ｋ
Ｖ／ｍｍでも１０％以下程度の材料を）呵ることもでき
る。したがって、高圧用の材料として有効である。また
誘電損失が小さく、交流用。

高周波用としても有効である。

さらに前述のごとくＴ、Ｃ，Ｃ，が小さいため、電歪素
子へ応用した場合でも変位量の濡面変化の小さい素子を
１ｑることができる。

さらに、焼成時のグレインサイズも１〜３μｍと均一化
されるため耐圧性にも優れている。

以ト雷気的特性についで述べたが、機械的強面も」−分
に優れたものである。

［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば、高誘電率でかつ
温度特性、バイアス特性に優れた高誘電率磁器組成物を
１９にとができる。特に、この様な各種特性に優れた磁
器を低湿焼成で１９ることができるため、Ｖ４ＦＰｆｔ
セラミックコンデンサ、積層型レラミツク変位発生素子
等の積層タイプのセラミック素子への応用に適している
。

［発明の実施例］ 以下に本発明の詳細な説明する。

出発ＩＦ、ｌとしてＰｂ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｚｎ、Ｎｂ。

Ｔｉ、ＭＯの酸化物等の出発原ｆｉｔをボールミル等で
混合し、７００−８！ｉ０°Ｃで仮焼する。次いでこの
仮焼体をボールミル等で粉砕し乾燥の後、バインダーを
加え造粒し、プレスして直径１７ｎ１ｍ、厚さ約２ｍ＋
ｎの円板状素体を形成した。混合、粉砕用のボールは、
不純物の混入を防１トするため、部分安定化ジルコニア
ボール等の硬度が大きく、かつＷＪ竹の高いボールを用
いることが好ましい。

この素体を空気中９ＲＯ−＝１０８０°Ｃ１２時間の条
件で焼結し、両１面に銀電極を焼イ・１け各持着を測定
した。誘雷損失、容箱は、１ｋｌ−１，！、１＼／ｒｍ
ｓ。

２５′Ｃの条件でのデジタルＬ　ＣＲメーターによる測
定（直であり、この値から誘電ｔを節用した。また、絶
縁抵抗は、１００ｖの電圧を２分間印加した後、絶縁抵
抗削を用いて測定した埴から田）出した。なお、ｒ、Ｃ
，Ｃ，は、２５′ｃの値を基環とし、−２５’ｃ、８５
°Ｃでの変化率で表わした。容量抵抗積は、２５℃およ
び１２　！＋　’Ｃでの（誘電率）×（絶■；抵抗）×
（真空の誘電率）から求めた。絶縁抵抗の測定ｔよ、空
気中の湿気のダ）東を除くためシリコーンオイル中で行
った。その結宋を第１表に示寸。

以下余白 第１表から明らか’、’；　にうに、本発明磁器組成物
は、高誘電率（Ｋ　＝　２２００以上′）かつ、温度特
性が良好（−２５〜８５″Ｃで一５３％以内）である。

ＣＨ２直も１９００ＭΩ・μＦ（２５°Ｃ）以りと大き
く、特に、１２５　’Ｃでも、討１０ＭΩ・ｕ　Ｆ以上
であり、高温での信頼性に伽れている。また、、’ｒ、
ｃ、ｃ、の小さいことし１１〈≧　１００００のごとく
の大きな誘電率の場合特に顕著である。この様に誘電率
の大きい場合には、（誘電率）７／（温度変化率の絶対
値）の大きいことが要求される。本発明実施例では、Ｋ
≧　１００００のときこの値が２２０以上となり、非常
に優れている。さらに誘電率バイアス電界依存性も１ｋ
Ｖ／ｍｍで４５％以内と優れている。また誘電１０失が
２５℃、１ｋｌ−１ｚで３５％以下と小さい。

さらに、仙鉛・ニオブ酸鉛を１５ｍ　Ｏｊ２％以上含有
する組成でもよ、ＣＲ値が２０００ＭΩ・μＦ以上とな
り、また、２０ｍ　ｏ　ｉ’％以」−では３０００ＭΩ
・μＦ以上と極め（優れた値を取る。また、２０ｍｏ１
％以上では誘電１０失も２％以下と非常に小さい（１白
を示す。

参考例は本発明組成の範囲外のものである。

Ｍｅ酸成分含まないものはく参考例１〜７）、誘電率が
小さく、まだＣＲ値も極めて小さく、誘電損失が大きく
、さらに、Ｔ、Ｃ，Ｃ，も大きくなってしまう。また、
参考例８はＭｅ酸成分過剰に加えたものであるが、誘電
率が小さく、その温度変化も極めて大きい。　　　゛ 第３図に誘電率の温度特性を示す。比較のため、市販の
積層コンアン１フ用のブタン酸バリウム系の材料の特性
を合Ｉ！て示した（参考例９．１０）。参考例９は２５
℃で１２０００程度の大きい誘電率を示寸ものの一２５
″Ｃおにび８５°Ｃでは一８０％以上のＴ、Ｃ。

Ｃ０を示す。これに対し本発明では、Ｋ＝　１１０００
（２５℃）のものでも（実施例８）わずか−４１％以内
であり、Ｋ　＝　６５００　（２５°Ｃ）のものでは（
実施例３）　　−２０％以内と極めて小さい。この−ｒ
、ｃ、ｃ。

は、常温での値に対する負の変化より正の変化のほうが
重視され、＋３０％以上の変化を示す材料Ｃ，ｔＥＩＡ
、ＥＩＡＪおよびＪＩＳの］ンデンサのどの規格も満足
せず、コンデンサ材料としては全く実用性がない。たと
えば、参考例１，２，３，６，７．８等ではコンデンサ
材料として全く実用的ではない。

第４図は直流バイアス電界依存性を示す図である。一般
に誘電率はバイアス電昇が高くなるにつれ低下する傾向
があり、この傾向は誘電率が高いほど顕著になる。参考
例９は、誘電率が１２０００程向であるが、１ｋＶ／Ｉ
ＲＩＩで一８０％、２ｋＶ／ｍｍで一９３％と非常に大
きな低下の傾向を示している。

これに対し実施例８は誘電率が１１０００とほぼ同等の
大きさであるにもかかわらず１に■／ｍｌ１ｌ−Ｃ−４
５％と極めて小さく、２ｋｖ／ｌｌｌｌ１１でも一６４
％程喰に過ぎない。

さらにチタン酸バリウム（参考例１０）は実施例２４と
同程亀の誘電率を示すが、１！Ｉｋｖ／ｎｌｌｌ１で一
５０％の変化を示すのに対し、実施例２４では一１０％
と極めて小さい。このように直流バイアス電界依存性の
小さい本発明組成物は高圧用のコンデンサ材料として有
効である。また、積層コンデンサを考えた場合、同一形
状で大容量化を考えた場合、誘雷体層一層当たりの厚み
を薄くする必要があるが、この場合、一層あたりの印加
電界が高くなることになる。しかしながら本発明の組成
物はバイアス特性に優れているため、この様な東予に応
用した場合でも特性が低下することがない。また実施例
２４の試料では誘電損失が０．０１％と極めて小さいた
め、交流用としても適している。

第５図に実施例８の電気歪みを示す。電気歪みは、接触
型変位検出用ポテンシ］メータｒ縦効果の変位を検出し
、試料の印加電界の関数として、ＸＹレコーダーを用い
て記録した。試料の形状は１　、　ＯＯ＋ｎｍ厚、直径
１２．０ｍｍの円板状で、試料の両面に銀ペーストを８
００℃で焼イ・１けで電極としたｂのを用いた。歪みと
電界の関係は、ヒステリシスのほとんど見られない２次
曲線となっており、１０ｋＶ／ｃｍの電界印加時に０．
８５Ｘ１０禰の縦効果電歪を示した。第５図から明らか
なように本発明の磁器組成物は積層セラミックアクブユ
Ｊ−ター用の材料としても使用できることがわかる。

第６図は実施例８のＸ線ディフラクションパターン図で
あるが、はぼ完全なぺロブスカイ１〜相となっている。

従って誘電率が１１０００．　ＣＲ値３４０００ＭＯ・
μＦ（２５°ｃ　）　、　６０００Ｍ０・μＦ（１２５
°Ｃ）と優れた値を示している。これに対しＰｂサイ１
〜の［３ａによる買換のない参考例３の場合は、第７図
に示したように多聞のパイロク［）−ル相が見られる。

従っで、誘電率が４５００と小さく、ＣＲ値も６２０Ｍ
（：ｌ・μＦ（２５″Ｃ）と極めて小さく、全く実用的
ぐはない。

次いで実施例８にさらに０．１ｍ０ｅ％のＭｎＯおよび
Ｃｏｏを添加含有したものを用いて積層セラミックコン
デンサを作成した実施例を説明覆る。

まず、この様な組成を右する焙焼粉にバインダー。

有機溶剤を加えてスラリー化した後ドクタープレイド型
キャスターを用いて３０μｍのグリーンシー１へを作成
した。このグリーンシー！へ上に８０ΔＱ／２０１）ｄ
の電極ペーストを所定のパターンで印刷し、この様な電
極パターンを有するシートを２０１ｍ積層圧着した。そ
の後、所定の形状に切断し、脱脂を行い１０２０°［：
、２＋−１の条件で焼成を行った。焼結後、外部電極と
してΔｑペーストを焼付け、積層セラー　　２１　　＝ ミックコンデンサをＨ３３した。イの電気内情ｆ１を第
２表に示す。

以下余白 第２表 寄られた積層セラミック］ンデンυの誘電率は約１１０
００であり、各特性が十分に優れていることがわかる。

特にＴ、Ｃ，Ｃ，は−２５＝８５°Ｃで±５０％以内で
あり、ＪＩＳのＥ特性および［ｌΔのＺ５Ｕ特性を満足
するものである。

この様に、本発明による高誘電率磁器組成物は、Ｔ、Ｃ
，Ｃ，等の各種特性に優れており、特に積層セラミック
コンデンサ用の材料として有効である。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の組成範囲を示す組成図、第２図は、
Ｍｅｌによる特性の変化を示す図、第３図は、誘電率の
温度特性曲線図、第４図は、誘電率の直流バイアス電界
特性曲線図、第５図は、電気歪みを示す特性曲線図、第
６図および第７図は、Ｘ線ディフラクションパターン図
。 代理人　弁理士　則近憲佑　（ばか１名）（Ｊ７７・Ｕ
〜）　８り ８牟Ｓ４鳩 手続補正書（自発） １１６σ４．タロ８

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 一般式 ｘＰｂ（Ｚｎ＿１＿／＿３Ｎｂ＿２＿／＿３）Ｏ＿３−
   ｙＰｂ（Ｍｇ＿１＿／＿３Ｎｂ＿２＿／＿３）Ｏ＿３−
   ｚＰｂＴｉＯ＿３で表わしたとき、それぞれの成分を頂
   点とする三元図の ａ（ｘ＝０．５０、ｙ＝０．００、ｚ＝０．５０）ｂ（
   Ｘ＝１．００、ｙ＝０．００、ｚ＝０．００）ｃ（ｘ＝
   ０．２０、ｙ＝０．８０、ｚ＝０．００）ｄ（ｘ＝０．
   ０５、ｙ＝０．９０、ｚ＝０．０５）で示される各点を
   結ぶ線内の組成（ただし、ａｂを結ぶ線分上は除く）の
   Ｐｂの一部を１〜３５ｍｏｌ％のＢａ及びＳｒの少なく
   と一種で置換したことを特徴とした高誘電率磁器組成物
   。