JPS61154133A - プラスチツク‐カプセル封じ半導体装置 - Google Patents
プラスチツク‐カプセル封じ半導体装置Info
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- JPS61154133A JPS61154133A JP28588685A JP28588685A JPS61154133A JP S61154133 A JPS61154133 A JP S61154133A JP 28588685 A JP28588685 A JP 28588685A JP 28588685 A JP28588685 A JP 28588685A JP S61154133 A JPS61154133 A JP S61154133A
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- semiconductor device
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ｃ産業上の利用分野〕
本発明は少なくとも一方の側に金属コンタクトおよび／
又は導電リードが設けられ、窒化シリコンのコーティン
グが上記電極および相互接続パターンを含めた半導体基
体の全表面を被覆しているプラスチック−カプセル封じ
（ｐ＋ａｓｔｔｃｓ −ｅｎｃａｐｓｕ＋ａｔｅｄ）半
導体装置に関する。
又は導電リードが設けられ、窒化シリコンのコーティン
グが上記電極および相互接続パターンを含めた半導体基
体の全表面を被覆しているプラスチック−カプセル封じ
（ｐ＋ａｓｔｔｃｓ −ｅｎｃａｐｓｕ＋ａｔｅｄ）半
導体装置に関する。
［従来の技術］
よく知られているように半導体装置は、半導電性物質の
薄片に、導電物質たとえばアルミニウムのリードによっ
て相互接続される異なる導電型の領域を設けるような方
法で製造される。半導体薄片およびその装置は、非常に
敏感でダメージを受は易い。例えば後続処理の進行中に
、周囲から汚染され易く、細く、接近して配置された導
電リードは簡単にダメージを受けるおそれがある。この
結果として半導体ａｉ［の電気特性に変化が生じる。
薄片に、導電物質たとえばアルミニウムのリードによっ
て相互接続される異なる導電型の領域を設けるような方
法で製造される。半導体薄片およびその装置は、非常に
敏感でダメージを受は易い。例えば後続処理の進行中に
、周囲から汚染され易く、細く、接近して配置された導
電リードは簡単にダメージを受けるおそれがある。この
結果として半導体ａｉ［の電気特性に変化が生じる。
したがっ工これを避けるため、半導体基体上に保護層を
適用して、その表面およびその上に配置された導電リー
ドおよび電極を保護している。保護層としては、ゲッタ
リング特性をも有する絶縁物質を使用することが一般に
知られている（たとえば“Ｉ ８ Ｍ Ｊ ｏｕｒｎ
ａｌ″１９６４年９月 第３７６ページ乃至３８４ペー
ジ、および１９６４年４月 第１０２ページ乃至１１４
ページ参照）。
適用して、その表面およびその上に配置された導電リー
ドおよび電極を保護している。保護層としては、ゲッタ
リング特性をも有する絶縁物質を使用することが一般に
知られている（たとえば“Ｉ ８ Ｍ Ｊ ｏｕｒｎ
ａｌ″１９６４年９月 第３７６ページ乃至３８４ペー
ジ、および１９６４年４月 第１０２ページ乃至１１４
ページ参照）。
その性質から、窒化シリコンは、半導体基体上の保護層
の製造に特に適した物質であることが証明されてきた。
の製造に特に適した物質であることが証明されてきた。
これは被覆された表面を、機械的ダメージ（スクラッチ
）から保護するだけでなく、雰囲気影響（外部イオン混
入）からも保護する。
）から保護するだけでなく、雰囲気影響（外部イオン混
入）からも保護する。
しかし上記文献および西独特許出願
ＤＥ １６ １４ ３７４号明細書から知られるよう
な半導体装置には次のような欠点がある。よく知られて
いるように、市場向けの半導体装置を得るために、半導
体基体は電気接続の適用又は設置に続いて、これらを保
護するため、および半導体装置の取扱いをよりよくする
目的で、ケーシングに収納される。このケーシングは、
ガラス、セラミック、金属又はプラスチックで構成する
ことができる。プラスチックケーシングへのカプセル封
じは、ラミネーションモールドにより又は押し出しによ
り行われる。これは強制的に高い剪断力を引き起こし、
これはケーシングの内側で、容易にアルミニウム等の導
電リードの変形を引き起こす。この原因は、窒化シリコ
ン保護層の厚さが、カプセル封じ処理の間に横方向圧力
がリードに作用するのを防ぐ程度に、アルミニウムの導
電リードの相互間の露出表面を満たすに充分でない点に
ある。さらに窒化シリコンはデポジットの間に、与えら
れた構造に正確にしたがうので、鋭い角が生じ、これも
横方向圧力の作用する可能性を助長する。
な半導体装置には次のような欠点がある。よく知られて
いるように、市場向けの半導体装置を得るために、半導
体基体は電気接続の適用又は設置に続いて、これらを保
護するため、および半導体装置の取扱いをよりよくする
目的で、ケーシングに収納される。このケーシングは、
ガラス、セラミック、金属又はプラスチックで構成する
ことができる。プラスチックケーシングへのカプセル封
じは、ラミネーションモールドにより又は押し出しによ
り行われる。これは強制的に高い剪断力を引き起こし、
これはケーシングの内側で、容易にアルミニウム等の導
電リードの変形を引き起こす。この原因は、窒化シリコ
ン保護層の厚さが、カプセル封じ処理の間に横方向圧力
がリードに作用するのを防ぐ程度に、アルミニウムの導
電リードの相互間の露出表面を満たすに充分でない点に
ある。さらに窒化シリコンはデポジットの間に、与えら
れた構造に正確にしたがうので、鋭い角が生じ、これも
横方向圧力の作用する可能性を助長する。
さらに窒化シリコンの層又はコーティングの厚さは、応
力したがってクラックの形成を避けるために低減しなけ
ればならない。クラックの形成は、簡単に窒化シリコン
コーティングの裂き取り又は破損に通じるからである。
力したがってクラックの形成を避けるために低減しなけ
ればならない。クラックの形成は、簡単に窒化シリコン
コーティングの裂き取り又は破損に通じるからである。
しかしこのことは窒化シリコンの膜厚がアルミニウム導
電リードの高さ以下であること、換言すれば横方向圧力
に対して保護が不十分であることを意味する。
電リードの高さ以下であること、換言すれば横方向圧力
に対して保護が不十分であることを意味する。
［発明が解決使用とする問題点］
これは本発明により改善される。本発明の目的は、導電
リードおよびコンタクトが剪断応力から保護された半導
体装置を提供することである。
リードおよびコンタクトが剪断応力から保護された半導
体装置を提供することである。
ｒ問題点を解決するための手段］
この目的は、少な・くとも一方の側に電極および導電リ
ードが設けられ、この電極および導電リードを含めた半
導体基体の全表面が窒化シリコンのコーティングによっ
て被覆されたプラスチック−カプセル封じ半導体装置に
おいて、上記窒化シリコンのコーティングを二酸化シリ
コンのコーティングで被覆することによって達成される
。
ードが設けられ、この電極および導電リードを含めた半
導体基体の全表面が窒化シリコンのコーティングによっ
て被覆されたプラスチック−カプセル封じ半導体装置に
おいて、上記窒化シリコンのコーティングを二酸化シリ
コンのコーティングで被覆することによって達成される
。
本発明により得られる効果は、一方では上記の問題それ
自身を解決すること、すなわち導電リードが剪断応力に
対して保護された半導体装置を提供することにあり、他
方ではこれに関連した°品質の向上、および半導体装置
の製造の間の収率の向上にある。
自身を解決すること、すなわち導電リードが剪断応力に
対して保護された半導体装置を提供することにあり、他
方ではこれに関連した°品質の向上、および半導体装置
の製造の間の収率の向上にある。
［実施例］
以下、本発明を図面を参照してざらに詳細に説明する
第１図は、従来の半導体装置の半導体基体の部分を示し
ている。これは、図示されていないいくつかの異なった
領域の形成された半導体基体１を含む。その表面の一方
には、たとえばアルミニウムからなるリード２が設けら
れ、その表面および半導体基体の残りの表面は、厚さ０
．２μｍ乃至０．８μｍ、好ましくは０．４μｍの窒化
シリコンコーティング３で覆われている。本発明の問題
とする鋭い角および、横表面は、第１図に矢印で示しで
ある。
ている。これは、図示されていないいくつかの異なった
領域の形成された半導体基体１を含む。その表面の一方
には、たとえばアルミニウムからなるリード２が設けら
れ、その表面および半導体基体の残りの表面は、厚さ０
．２μｍ乃至０．８μｍ、好ましくは０．４μｍの窒化
シリコンコーティング３で覆われている。本発明の問題
とする鋭い角および、横表面は、第１図に矢印で示しで
ある。
第２図に示す本発明の実施例は第１図に比べて、窒化シ
リコンのコーティング３を覆う二酸化シリコンのコーテ
ィング４を有する点で異なる。このコーティング４の厚
さは０．８乃至２．０μｍ。
リコンのコーティング３を覆う二酸化シリコンのコーテ
ィング４を有する点で異なる。このコーティング４の厚
さは０．８乃至２．０μｍ。
好ましくは、１．０乃至１．２μｍである。所望により
第３図のように、これ自身をさらに厚さたとえば０．４
μｍの窒化シリコンのコーティング６一 ５で被覆してもよい。
第３図のように、これ自身をさらに厚さたとえば０．４
μｍの窒化シリコンのコーティング６一 ５で被覆してもよい。
第２図および第３図のような構造の製造を半導体基体１
から始める場合、半導体基体は従来の方法により製造さ
れ、従来の工程に従って第１図に示した構造が製造され
る。すなわち窒化シリコンコーティング３は、プラズマ
反応器内におけるシランとアンモニアを使用した気相か
らのデポジットにより製造される。同じ反応器を使用し
て、アンモニアを酸素に置換することにより、窒化シリ
コンのコーティング３の上に、厚さ１．０乃至１．２μ
ｍの二酸化シリコンの層（コーティング）４がデポジッ
トされる（第２図）。所望により上記の工程の後、二酸
化シリコンのコーティング４の上に、ざらに窒化シリコ
ンのコーティング５をデポジットしてもよい。
から始める場合、半導体基体は従来の方法により製造さ
れ、従来の工程に従って第１図に示した構造が製造され
る。すなわち窒化シリコンコーティング３は、プラズマ
反応器内におけるシランとアンモニアを使用した気相か
らのデポジットにより製造される。同じ反応器を使用し
て、アンモニアを酸素に置換することにより、窒化シリ
コンのコーティング３の上に、厚さ１．０乃至１．２μ
ｍの二酸化シリコンの層（コーティング）４がデポジッ
トされる（第２図）。所望により上記の工程の後、二酸
化シリコンのコーティング４の上に、ざらに窒化シリコ
ンのコーティング５をデポジットしてもよい。
デポジットされた二酸化シリコンは、純粋なものであっ
てもよいが、保護コーティングとして働くためには、ド
ープした二酸化シリコンを使用することも同様に可能で
ある。
てもよいが、保護コーティングとして働くためには、ド
ープした二酸化シリコンを使用することも同様に可能で
ある。
第１図は従来技術に係る半導体装置の半導体基板の部分
を示す図、第２図および第３図は本発明の一実施例の部
分断面図である。 １・・・半導体基体、２・・・リード、３・・・窒化シ
リコンのコーティング、４・・・二酸化シリコンのコー
ティング、５・・・窒化シリコンのコーティング。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦Ｐ−Ｃ− ａ） 口
を示す図、第２図および第３図は本発明の一実施例の部
分断面図である。 １・・・半導体基体、２・・・リード、３・・・窒化シ
リコンのコーティング、４・・・二酸化シリコンのコー
ティング、５・・・窒化シリコンのコーティング。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦Ｐ−Ｃ− ａ） 口
Claims (3)
- （１）少なくとも一方の側に電極および導電リードが設
けられ、この電極および導電リードを含めた半導体基体
の全表面が窒化シリコンのコーティングによつて被覆さ
れた半導体装置において、上記窒化シリコンのコーティ
ングが二酸化シリコンのコーティングで被覆されている
ことを特徴とするプラスチック−カプセル封じ半導体装
置。 - （２）上記二酸化シリコンのコーティングは、別の窒化
シリコンのコーティングで被覆されている特許請求の範
囲第１項記載のプラスチック−カプセル封じ半導体装置
。 - （３）上記１以上の窒化シリコンのコーティングは、０
．２乃至０．８μｍの範囲の厚さを有し、上記二酸化シ
リコンのコーティングは０．８乃至２．０μｍの範囲の
厚さを有する特許請求の範囲第１項又は第２項記載のプ
ラスチック−カプセル封じ半導体装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP19840116019 EP0185787B1 (de) | 1984-12-21 | 1984-12-21 | Plastikumhülltes Halbleiterbauelement |
| EP84116019.5 | 1984-12-21 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61154133A true JPS61154133A (ja) | 1986-07-12 |
Family
ID=8192376
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28588685A Pending JPS61154133A (ja) | 1984-12-21 | 1985-12-20 | プラスチツク‐カプセル封じ半導体装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0185787B1 (ja) |
| JP (1) | JPS61154133A (ja) |
| CN (1) | CN85107248A (ja) |
| DE (1) | DE3473381D1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01105547A (ja) * | 1987-10-19 | 1989-04-24 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH0689893A (ja) * | 1991-11-11 | 1994-03-29 | Nec Corp | 半導体装置 |
| US11335769B2 (en) | 2020-09-11 | 2022-05-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4972250A (en) * | 1987-03-02 | 1990-11-20 | Microwave Technology, Inc. | Protective coating useful as passivation layer for semiconductor devices |
| US5087959A (en) * | 1987-03-02 | 1992-02-11 | Microwave Technology, Inc. | Protective coating useful as a passivation layer for semiconductor devices |
| JP2667605B2 (ja) * | 1991-02-21 | 1997-10-27 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 |
| US5294295A (en) * | 1991-10-31 | 1994-03-15 | Vlsi Technology, Inc. | Method for moisture sealing integrated circuits using silicon nitride spacer protection of oxide passivation edges |
| DE69333722T2 (de) * | 1993-05-31 | 2005-12-08 | Stmicroelectronics S.R.L., Agrate Brianza | Verfahren zur Verbesserung der Haftung zwischen Dielektrikschichten, an ihrer Grenzfläche, in der Herstellung von Halbleiterbauelementen |
| US5435888A (en) * | 1993-12-06 | 1995-07-25 | Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. | Enhanced planarization technique for an integrated circuit |
| US6284584B1 (en) * | 1993-12-17 | 2001-09-04 | Stmicroelectronics, Inc. | Method of masking for periphery salicidation of active regions |
| DE19611410C1 (de) * | 1996-03-22 | 1997-08-07 | Siemens Ag | Klimastabile elektrische Dünnschichtanordnung |
| DE19732217C2 (de) * | 1997-07-26 | 2002-12-12 | Zsw | Mehrfunktions-Verkapselungsschichtstruktur für photovoltaische Halbleiterbauelemente und Verfahren zu ihrer Herstellung |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4001872A (en) * | 1973-09-28 | 1977-01-04 | Rca Corporation | High-reliability plastic-packaged semiconductor device |
| JPS55163860A (en) * | 1979-06-06 | 1980-12-20 | Toshiba Corp | Manufacture of semiconductor device |
| JPS56150830A (en) * | 1980-04-25 | 1981-11-21 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
-
1984
- 1984-12-21 EP EP19840116019 patent/EP0185787B1/de not_active Expired
- 1984-12-21 DE DE8484116019T patent/DE3473381D1/de not_active Expired
-
1985
- 1985-09-28 CN CN 85107248 patent/CN85107248A/zh active Pending
- 1985-12-20 JP JP28588685A patent/JPS61154133A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01105547A (ja) * | 1987-10-19 | 1989-04-24 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH0689893A (ja) * | 1991-11-11 | 1994-03-29 | Nec Corp | 半導体装置 |
| US11335769B2 (en) | 2020-09-11 | 2022-05-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN85107248A (zh) | 1986-08-13 |
| DE3473381D1 (en) | 1988-09-15 |
| EP0185787A1 (de) | 1986-07-02 |
| EP0185787B1 (de) | 1988-08-10 |
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