JPS61152050A - リ−ドフレ−ムおよび半導体装置 - Google Patents

リ−ドフレ−ムおよび半導体装置

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JPS61152050A
JPS61152050A JP59273079A JP27307984A JPS61152050A JP S61152050 A JPS61152050 A JP S61152050A JP 59273079 A JP59273079 A JP 59273079A JP 27307984 A JP27307984 A JP 27307984A JP S61152050 A JPS61152050 A JP S61152050A
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JP
Japan
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lead
tab
resin
leads
lead frame
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Pending
Application number
JP59273079A
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English (en)
Inventor
Hiroshi Fujii
浩志 藤井
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Hitachi Ltd
Renesas Semiconductor Package and Test Solutions Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Hokkai Semiconductor Ltd
Hitachi Ltd
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Publication date
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    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、リードフレーム及びそのリードフレームを用
いた半導体装置に関するものである。
〔背景技術〕
今日の半導体産業においては、コスト的に低価格で大量
生産が容易な樹脂パッケージの半導体装置（以下ＩＣと
いう）が主流を占めている。ところが、樹脂パッケージ
のＩＣはセラミックパッケージのＩＣと異なり、ペレッ
トを載置するタブを支持するタブリードや前記タブに向
かって延在するリードと樹脂との間の接着強度が低いた
め、タブリードの切断時あるいはリード折り曲げ時等に
レジンがリードから剥れて外部から水分が浸入し、Ａ１
配線や電極パッドが腐食してＩＣの特性を劣化させてし
まう。そのため、樹脂で封止しているＩＱの耐湿性を向
上させるため種々の提案がなされている（例えば特開昭
５１−６５５６６号公報参照）。本発明者は特に前述し
たリードから浸入する水分による半導体装置の耐湿性劣
化に着目して、信頼性の高いＩＣをえるため忙鋭意検討
を行なった。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、リードから浸入する水分を低減して、
高品質の樹脂封止半導体装置を提供することである。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
〔発明の概要〕
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、樹脂内側から樹脂と外部との境界あるいは樹
脂内側と外部との境界に位置するリード忙切欠きを設け
て幅を狭くすることにより、リードと樹脂界面で生じる
応力を分散させるとともに、水分が浸入する面積を小さ
くして浸入する水分量を減少せしめることにより、耐湿
性の向上した半導体装置を提供するものである。
〔実施例〕
第１図は、本発明の一実施例であるリードフレームの主
要部平面図、第２図は、第１図のリードフレームを使用
した半導体装置の上面図である。
枠体ＩＫは、タブ２を支持するタブリード３が連結され
、前記タブの周辺にはタイバー９で支持された複数のリ
ード４がその先端部を近接させて延在している。５は切
欠きで、このリードフレームＬを樹脂封止したときく樹
脂が達する境界Ａにおいてリード幅が狭くなるように形
成されている。
このようなリードフレームＬのタブ２上にペレット６を
載置したのち、リード４のタブ２側内端とペレット上の
電極（図示せず）とをワイヤ７にて接続する。そして、
ペレット６、ワイヤ、リード内端等とを樹脂８で被覆し
たのち、枠体１からリード４、タブリード３を切り離し
、リード４を折り曲げて個々のＩＣを得ている。なお、
第３図に示すように切欠き５＆が樹脂内側から樹脂外部
に達するよ５ｔＣ形成されていても良い。
〔効果〕
（１）　　少なくとも樹脂と外部との境界において、リ
ード幅が狭くなるように切欠きを形成することにより、
リード表裏面の面積が小さくなるので、リードを伝わっ
て浸入する水分のリーク量を減少させることができるの
で耐湿性の向上したＩＣを得ることができる。
（２）少なくとも樹脂と外部との境界において、リード
幅が狭くなるように切欠きを形成するととにより、リー
ド側ｉ！ｌｓ’おける水分のリークパスが長（なるため
、耐湿性の向上したＩＣが得られる。
（３）少なくとも樹脂と外部との境界において、リード
幅が狭くなるよ５に切欠きを形成することにより、タイ
バー切断、リード折り曲げ時和かがる応力をリード切欠
きＫ”（分散できるので、リードと樹脂の界面の接着性
を向上できる。
（４）少なくとも樹脂と外部との境界において、リード
幅が狭くなるように切欠きを形成することＫより、万一
界面ハクリが生じても、樹脂境界でのリード幅は狭くな
っているので、ハクリは小範囲で抑えることができ、水
分のリーク量を効果的に減少させることができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。たとえば、切欠きの形
状は円弧状に限らすコ字状等であっても良い。
〔利用分野〕
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である樹脂封止、とくにＤ
ＩＰＣデエアル・インライン・ノくッケージ）の半導体
装置あるいはＤＩＰ用のリードフレームに適用した場合
について説明したが、それに限定されるものではなく、
フラットタイプのプラスチックパッケージ等にも適用で
きる。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の一実施例であるリードフレームの平
面図、 第２図は、第１図のリードフレームを適用した半導体装
置、 第３図は、本発明の他の実施例であるリードフレームの
主要部概略図である。 １・・・枠体、２・・・タブ、３・・・タブリード、４
・・・リード、５．５ｍ・・・切欠き、６・・・ペレッ
ト、７・・・ワイヤ、８・・・樹脂。 代４人　弁４士　　高　橋　明　夫　′）・−ノ′

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、枠体から延在するタブリードにより支持されたタブ
    と、前記タブの周辺に近接して延在する複数のリードを
    有するリードフレームにおいて、前記リードフレームを
    樹脂にて封止したとき、その樹脂内側から樹脂の境界あ
    るいは外部に達する部分のリードに切欠きを設けて、リ
    ードの幅が狭くなるように形成したことを特徴とするリ
    ードフレーム。 ２、表面部に素子が形成されたペレットと、前記ペレッ
    トを支持するタブと、前記タブに向かって延びる複数の
    リードと、このリードのタブ側内端と、ペレット上の電
    極とを接続するワイヤと、これらのペレット、ワイヤ、
    リード内端とを樹脂で被覆した半導体装置において、前
    記樹脂内側から樹脂の境界あるいは外部に達する部分の
    リードに切欠きが設けられて、リード幅が狭く形成され
    ていることを特徴とする半導体装置。
JP59273079A 1984-12-26 1984-12-26 リ−ドフレ−ムおよび半導体装置 Pending JPS61152050A (ja)

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JP59273079A JPS61152050A (ja) 1984-12-26 1984-12-26 リ−ドフレ−ムおよび半導体装置

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ID=17522848

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4876587A (en) * 1987-05-05 1989-10-24 National Semiconductor Corporation One-piece interconnection package and process

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4876587A (en) * 1987-05-05 1989-10-24 National Semiconductor Corporation One-piece interconnection package and process

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