JPS61150381A - 触覚センサと基板との接続方法 - Google Patents

触覚センサと基板との接続方法

Info

Publication number
JPS61150381A
JPS61150381A JP59272024A JP27202484A JPS61150381A JP S61150381 A JPS61150381 A JP S61150381A JP 59272024 A JP59272024 A JP 59272024A JP 27202484 A JP27202484 A JP 27202484A JP S61150381 A JPS61150381 A JP S61150381A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
groove
cell
hole
substrate
tactile sensor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP59272024A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0446465B2 (ja
Inventor
Tsuneki Shinokura
篠倉 恒樹
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Original Assignee
Agency of Industrial Science and Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Agency of Industrial Science and Technology filed Critical Agency of Industrial Science and Technology
Priority to JP59272024A priority Critical patent/JPS61150381A/ja
Publication of JPS61150381A publication Critical patent/JPS61150381A/ja
Publication of JPH0446465B2 publication Critical patent/JPH0446465B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/84Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by variation of applied mechanical force, e.g. of pressure
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L5/00Apparatus for, or methods of, measuring force, work, mechanical power, or torque, specially adapted for specific purposes
    • G01L5/16Apparatus for, or methods of, measuring force, work, mechanical power, or torque, specially adapted for specific purposes for measuring several components of force
    • G01L5/161Apparatus for, or methods of, measuring force, work, mechanical power, or torque, specially adapted for specific purposes for measuring several components of force using variations in ohmic resistance
    • G01L5/1627Apparatus for, or methods of, measuring force, work, mechanical power, or torque, specially adapted for specific purposes for measuring several components of force using variations in ohmic resistance of strain gauges

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は触覚センサと基板との接続方法に関し、特に配
線導体の配設された絶縁シートを積層して形成した多層
基板に触覚センサのセルを搭載し、セルの配線と基板の
配線との間に電気的な接続が得られるようにする触覚セ
ンサと基板との接続方法に関する。
〔従来技術とその問題点〕
ロボット等に使用されてきた従来の触覚センサは、例え
ば導電フィルムのようにセンサ自体が平坦に形成されて
おり、単に押圧力のみを検出する型のものが多く、した
がってこのようなセンサが設けられる基板について特別
な配慮の必要がなかった。しかし、近年では、対象物に
対して人間の触覚に近い機能をもって接触やすべり等の
情報が得られるようなセンサの要望が高まるに連れて、
たとえば互いに直交する3方向の分力の検出が可能な触
覚センサの開発が検討されてきた。
このような触覚センサの実現には、センサの形態も平面
的でなく、基板に対して立体的な構造を持つものでなけ
ればならず、特にこのようなセンサが配置される基板は
センサの立体化に伴って配線密度の高いものとなり、し
かもセンサ受圧面の受ける外力に対して十分耐えること
のできる接合強度が保持されなければならない。そこで
、かかる触覚センサを積層して形成された多層配線溝板
上に配列させることが考えられてきた。
しかしながら、上述したように立体的に構成したセンサ
を従来の方法で多層セラミック配線基板に接続したので
は、十分な機械的強度が保たれず、電気的接続自体にも
問題がある。
すなわち、従来のこのような電子部品の接続の場合、電
子部品が搭載される層面に形成された導体の端子部に電
子部品の端子を一致させて、例えばはんだ付けなどが行
われるが、かかる表面的な2接続のみでは本例のような
センサの場合、センサに外力が加えられたときに電気的
接続のみならずセンサを構成しているセル自体が基板か
ら分離されてしまう。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、上述したような問題点に鑑みて、3方
向の成分を有する力が加えられても損われることなく、
十分な電気的接続状態を保つことができる強固な触覚セ
ンサと基板との接続方法を提供することにある。
〔発明の要点〕
すなわち、本発明は、多層配線基板の上層部に、個々の
層の導体との間の電気的接続が可能な半スルーホールを
付設した溝を設けて、この溝に触覚センサのセル基部が
嵌合可能なようになし、次に半スルーホールにはんだを
施し、半スルーホールに関連しない溝の部分には接着剤
を塗布し、触覚センサのセル基部をこの溝に嵌合させて
固着したのち、上記のはんだを溶融させてこのスルーホ
ールを介して触覚センサセル上の配線端子と基板の配線
端子との間の電気的接続が得られるようにすることを特
徴とするものである。
〔発明の実施例〕
以下に、図面に基づいて本発明の実施例を詳細に説明す
る。
第1図は、本発明によりリング状の触覚センサセルをセ
ラミックの多層配線基板上に取付けて構成した触覚セン
サの一例を示す。ここで、1はシリコンの拡散型半導体
による圧力センサとして形成された触覚センサセルであ
る。セルlには複数の所定位置に歪ゲージ2がそれぞれ
配設してあり、更にセル1の上部には受圧板3が取付け
てあって、受圧板3に作用した荷重をセル1を介して歪
ゲージ2に伝達させることにより、これらの歪ゲージ2
を介して上記の荷重を互いに直交する3方向の分力に分
解し検出することができる。
そこで、個々の歪ゲージ2からこのような歪信号を取出
すために、セルlの基部IAには第2A図に示すように
複数の端子4が配設され、歪ゲージ2と端子4とはそれ
ぞれ図示しない配線で接続される。また、セル1が固定
される多層基板5の方にもこれらの端子4と対応する位
置に接続用の端子6が形成されていて、第1図および第
2BIIに示すようにセル1および受圧板3を上層基板
5Aに形成した溝7に固定した状態では、半スルーホー
ル8に施したはんだを後述したように溶融させることに
より双方の端子4と6との間を電気的に接続することが
できる。
なお、第2A図は受圧板3を取付けたセル1と多層基板
5とを接続する前の段階を示したもので、セルlの基部
IAを上層基板5Aの溝7に嵌合する前いようにして接
着剤lOを適下等により添着させておくようにする。ま
た、必要に応じてセル1の対応した部分に接着剤10を
薄く塗布しておくのが好適である。
第2B図は、かくしてセル1を溝7に嵌合した状態を示
し、半スルーホール8に施されたはんだを例えばレーザ
照射などによって接着剤lOが損われないように局部加
熱し、溶融させて電気的な接続状IEとすることができ
る。
続いて、第3A図〜第3G図によって、本発明の実施例
を製造工程にしたがい順次に説明する。
まず、第3A図に示すように、アルミナ92%に粘結材
等の添加物を加えて生成した流動状のセラミックからド
クターブレード法を用いて厚さが0゜2〜Q、8mmの
グリーンシート5Bを形成し、このシーhsB上の所定
の位置に半スルーホール8.形成用の孔8Aをパンチ、
ドリル、レーザ等によって穿設して、このあとタングス
テンWかモリブデンMOのペーストを孔8Aに充填した
後、導体パターン11を印刷した。
続いて、第3B図のように、上層基板用のシート5Bの
セル基部IA取付は位置にパンチやレーザを用いて溝7
を形成したが、切断の際、切断線が孔8Aの中心を通る
ようになして、切取られた溝7の側壁に半スルーホール
8が得られるようにした。なお、この状態では半スルー
ホール8にペーストが詰っているので、後述するはんだ
層形成のために幾分ペーストを除去しておくようにする
次に、別に用意した同サイズのグリーンシート5B−に
には図に示さないが、所定の位置に導体パターンを印刷
し、要すればスルーホールを設けて、これらのグリーン
シー)5Bを第3C図に示すように積層し、これを還元
雰囲気中で約1600°Cに加熱焼成して第3D図のよ
うな多層配線セラミック基板5を得た。
このようにして得られた多層セラミック基板5の寸法は
焼成によって約17%収縮する。このとき、半スルーホ
ール8内のペーストは上記の焼成でセラミック基板5と
冶金的に結合されメタライズされるが、Wのみで形成さ
れた導体では電気的接続が十分でないので、この導体上
にニッケルや銀でめっきを行い、更にその上に、はんだ
クリームを塗布した。
第3E図は別に用意した受圧板3付きの触覚センサセル
1を示す、このセル1は従来の半導体プロセス法により
シリコンウェハに拡散形歪ゲージを作り込んで機械加工
したものであり、側面に形成した配線端子4にはニッケ
ルや銀でめっきが施されている0本例では、このセル1
の基部IAにおける背面側すなわち本図では紙面の裏側
および底面に、さきに第2A図で示したように接着剤1
0を塗布し、更に多層セラミック基板5の溝7に6第3
F図に示すように接着剤10を塗布した。
なお、この場合、接着剤lOが半スルーホール8や図示
しない導体等に、はみ出していかないようにする配慮が
必要なことはいうまでもない。したがって、接着剤lO
の使用量はこのようなはみ出しを防止するために、あら
かじめ最適の量を設定しておくようにする。
カくシて、溝7にセル1の基部IAを嵌合させてセル1
の端子4と基板5側の端子6との位置を一致させ、接着
剤10が溝7から外部にはみ出している場合は、これを
機械的な方法等により取除く。
最後に、接着剤10が凝固した後、接着剤1oが損われ
ないようにしてレーザ等により半スルーホール8のはん
だクリームを局部的に加熱し、これを溶融させて、電気
的接続を終え、第3G図に示すような接続状態とした触
覚センサを得ることができた。なお、上記のはんだを溶
融させる場合、はんだブリッジが発生しないように留意
する必要のあることはいうまでもない。
〔発明の効果〕
以上説明してきたように、本発明によれば、多層配線基
板の上層部に個々の層の導体配線と電気的接続が可能な
半スルーホールを具えた溝を設け、一方、触覚センサの
セル基部の上記半スルーホールと対応する位置にはセル
の配線端子を設けて、このセル基部を上記の溝に嵌合可
能となし、上記半スルーホールにはんだを施し、上記溝
の半スルーホールに関連しない位置に接着剤を付着させ
てこの溝に触覚センサのセル基部を嵌合させて接着固定
した後、半スルーホールのはんだを溶融させて電気的接
続が得られるようにしたので、機械的に十分な強度が得
られるのみならず、電気的接続に対しても信頼性が高く
、しかも構造が簡単で組立が容易であり、高密度の配置
が可能となった。
また、以上の説明では、触覚センサと多層配線基板との
接続の場合について述べたが、本発明の適用はこれに限
られるものではなく、ひろ〈−・+’、l’3に、例え
はトランスなとの比較的小い7Ii、子部品を多層配線
基板上に高密度で配設する場合の接合方法にも適用でき
ることはいうまでもない。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による単体触覚センサの構成の一例を示
す斜視図、第2A図および第2B図はそ、のセj、’、
yg4’:、1の一実施例として多層セラミ・ンク配線
基板の製造工程をそれぞれ順を追って示す斜視図、第3
E図・は本発明に適用する触覚センサセルの正面図、第
3F図は第3A図〜第3D図の工程を経て得られた接続
前の多層セラミック配線基板の斜視図、第3G図は本発
明により接続を終えて仕上げられた単体触覚センサの斜
視図である。 l・・・触覚センサセル、 IA・・・セル基部、2・
・・歪ゲージ、     3・・・受圧板、4.6・・
・端子、     5・・・多層基板、5A・・・」一
層)1(板、      5B・・・グリーンシーI・
。 7・・・溝、       8・・・半スルーポール、
8A・・・孔、       9・・・導体部、10・
・・接着剤、      11・・・導体パターン。 エム:’に+l :’: ”’J ’、7−  達3受
圧捩 7       ?

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  多層配線基板の上層部に溝を設け、該溝の壁面に前記
    多層配線基板の個々の層の導体配線と電気的接続が可能
    な半円形のスルーホールを形成し、触覚センサのセルの
    基部には前記スルーホールと対応する位置に当該セルの
    配線端子を設けて、前記セルの基部を前記溝に嵌合可能
    となし、前記スルーホールにはんだを施し、前記溝に接
    着剤を付着させてから該溝に前記セルの基部を嵌合させ
    、前記接着剤により固定した後、前記スルーホールに施
    したはんだを溶融させて前記電気的接続が得られるよう
    にすることを特徴とする触覚センサと基板との接続方法
JP59272024A 1984-12-25 1984-12-25 触覚センサと基板との接続方法 Granted JPS61150381A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59272024A JPS61150381A (ja) 1984-12-25 1984-12-25 触覚センサと基板との接続方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59272024A JPS61150381A (ja) 1984-12-25 1984-12-25 触覚センサと基板との接続方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS61150381A true JPS61150381A (ja) 1986-07-09
JPH0446465B2 JPH0446465B2 (ja) 1992-07-30

Family

ID=17508063

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59272024A Granted JPS61150381A (ja) 1984-12-25 1984-12-25 触覚センサと基板との接続方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS61150381A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018063258A (ja) * 2017-11-28 2018-04-19 セイコーエプソン株式会社 力検出装置、およびロボット
JP2018146566A (ja) * 2017-03-06 2018-09-20 セイコーエプソン株式会社 センサーデバイス、力検出装置およびロボット
US10201902B2 (en) 2014-02-27 2019-02-12 Seiko Epson Corporation Force detector and robot

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10201902B2 (en) 2014-02-27 2019-02-12 Seiko Epson Corporation Force detector and robot
JP2018146566A (ja) * 2017-03-06 2018-09-20 セイコーエプソン株式会社 センサーデバイス、力検出装置およびロボット
JP2018063258A (ja) * 2017-11-28 2018-04-19 セイコーエプソン株式会社 力検出装置、およびロボット

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0446465B2 (ja) 1992-07-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100568489C (zh) 电路模块及其制造方法
EP0236763A1 (en) Laminated print coil structure
JPS5969910A (ja) 積層キヤパシタ及びその製造方法
CN104206037B (zh) 用于制造包括至少两个电路板区域的电路板的方法以及电路板
EP0987748A2 (en) Multilayered circuit board for semiconductor chip module, and method of manufacturing the same
TWI295912B (en) Method for manufacturing a substrate embedded with an electronic component and device from the same
JP2001332866A (ja) 回路基板及びその製造方法
JPWO2004105454A1 (ja) 配線基板の製造方法
KR100346899B1 (ko) 반도체장치 및 그 제조방법
JPS61150381A (ja) 触覚センサと基板との接続方法
JPH0446466B2 (ja)
JPS5930555Y2 (ja) プリント基板
JP2000068149A (ja) 積層電子部品及びその製造方法
JP2870351B2 (ja) キャビティ付セラミック多層回路基板の製造方法
JP3064751B2 (ja) 多層型ジャンパーチップの製造方法
JP2004055985A (ja) セラミックパッケージ及び電子装置
JPH01183196A (ja) 多層印刷配線板装置の製造方法
TWI293236B (en) Method for manufacturing a substrate embedded with an electronic component and device from the same
JPH0438159B2 (ja)
JPH1126906A (ja) プリント配線板の接続構造
JPS63239999A (ja) セラミツク多層積層体の製造方法
JPH02158194A (ja) 多層セラミック回路基板
KR20020065261A (ko) 세라믹 적층 부품 및 그 제조 방법
JPH08172275A (ja) 共焼成モジュールを集積化するための層状構造
EP1168441A2 (en) Multi-layer wiring substrate and semiconductor device using the multi-layer wiring substrate

Legal Events

Date Code Title Description
EXPY Cancellation because of completion of term